CN111785847A - 一种显示面板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开一种显示面板及其制备方法。该显示面板包括基板以及设置于所述基板上的多个发光结构和水氧阻挡层，所述水氧阻挡层环绕所述多个发光结构；还包括设置于所述基板上的隔离层和封装层；所述隔离层覆盖所述发光结构，且所述隔离层至少部分覆盖所述水氧阻挡层，所述封装层覆盖所述隔离层和所述水氧阻挡层；其中，所述水氧阻挡层由金属氧化物层与形成所述隔离层的过程中采用的气体发生还原反应，使覆盖于所述水氧阻挡层表面的隔离层的厚度小于未覆盖所述水氧阻挡层所述隔离层的厚度。本发明实施例提高了显示面板的信赖性。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板是一种自发光显示面板，与液晶显示面板(liquid crystal display，LCD)相比，OLED 显示面板不需要背光源，因此OLED显示面板更为轻薄，此外OLED显示面板还具有高亮度、低功耗、宽视角、高响应速度、宽使用温度范围等优点而越来越多地被应用于各种高性能显示领域当中。
然而，OLED显示面板中有机发光材料容易被外界环境中的水汽和氧气侵蚀，导致显示面板出现信赖性失效的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法，以提高显示面板的信赖性。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括：
基板以及设置于基板上的多个发光结构和水氧阻挡层，水氧阻挡层环绕多个发光结构；
还包括设置于基板上的隔离层和封装层；隔离层覆盖发光结构，且隔离层至少部分覆盖水氧阻挡层，封装层覆盖隔离层和水氧阻挡层；
其中，水氧阻挡层由金属氧化物层与形成隔离层的过程中采用的气体发生还原反应形成，且覆盖于水氧阻挡层表面的隔离层的厚度小于未覆盖水氧阻挡层的隔离层的厚度。
可选地，显示面板还包括设置于基板上的挡墙，所述挡墙环绕所述多个有机发光结构，水氧阻挡层包括第一水氧阻挡层，第一水氧阻挡层设置于挡墙远离发光结构的一侧。
可选地，挡墙包括至少两个子挡墙，每一子挡墙环绕多个发光结构；水氧阻挡层还包括第二水氧阻挡层，第二水氧阻挡层设置于相邻的两个子挡墙之间。
可选地，水氧阻挡层包括邻近显示面板边缘的第一侧面，隔离层包括邻近显示面板边缘的第二侧面，第一侧面位于第二侧面远离发光结构的一侧；沿平行于基板表面的方向，第一侧面与第二侧面之间的距离为30微米至50微米。
可选地，封装层覆盖水氧阻挡层邻近显示面板边缘的第一侧面。
可选地，封装层覆盖隔离层邻近显示面板边缘的第二侧面。
可选地，沿平行于基板表面的方向，第一侧面与封装层邻近显示面板边缘的第三侧面之间的距离大于30微米。
可选地，沿平行于基板表面的方向，第二侧面与封装层邻近显示面板边缘的第三侧面之间的距离大于30微米。
可选地，隔离层包括氧化硅，覆盖水氧阻挡层的隔离层的厚度小于或等于 10纳米，未覆盖水氧阻挡层的隔离层的厚度为20纳米至200纳米。
第二方面，本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法，该显示面板的制作方法包括：
提供一基板；其中，基板上设置有多个发光结构和金属氧化物层，金属氧化物层环绕多个发光结构；
形成隔离层和水氧阻挡层，其中，隔离层覆盖多个发光结构，且隔离层至少部分覆盖水氧阻挡层；金属氧化物层与形成隔离层的过程中采用的气体发生还原反应，形成水氧阻挡层，覆盖水氧阻挡层的隔离层的厚度小于未覆盖水氧阻挡层的隔离层的厚度；
形成封装层；封装层覆盖隔离层和水氧阻挡层。
本发明实施通过设置水氧阻挡层，水氧阻挡层环绕多个发光结构，水氧阻挡层由金属氧化物层与形成隔离层的过程中采用的气体发生还原反应形成，以此减小了覆盖于水氧阻挡层表面的隔离层的厚度，阻挡了大部分水氧的入侵，保护了发光结构，提高了显示面板的信赖性，且无需采用成本高昂的生产器械即可形成厚度较小的隔离层，制作工艺简单，节省了生产成本。并且，隔离层完全形成时，金属氧化物层被气体全部或部分还原成金属，即形成水氧阻挡层，水氧阻挡层中的金属又会与入侵到显示面板中的水氧发生反应形成金属氧化物，形成的金属氧化物会以一种致密金属氧化物薄膜的状态存在，金属氧化物薄膜在显示面板的使用过程中又能够继续阻挡水氧的入侵，进一步保护了发光结构，提高了显示面板的信赖性。
附图说明
图1是本发明实施例提供的种显示面板的结构示意图；
图2是图1中显示面板沿剖面线BB’的剖面图；
图3是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图4是图3中显示面板沿剖面线CC’的剖面图；
图5是图3中显示面板沿剖面线CC’的另一种剖面图；
图6是图3中显示面板沿剖面线CC’的另一种剖面图；
图7是本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
正如背景技术中所提到的，环境中的水汽和氧气很容易侵蚀显示器中的有机发光材料。通常，显示器包括薄膜封装层，用以阻挡水氧对有机发光材料的入侵。薄膜封装层包括有机层和无机层，有机层和无机层交错堆叠，无机层包括氮氧化硅或氮化硅。由于薄膜封装层形成过程可能会对发光结构造成一定损害，影响显示器的画面显示，在形成封装层之前通常会先形成一层隔离层，防止有机发光层受到损害。然而，经发明人研究发现，所设置的隔离层致密性往往低于薄膜封装层的致密性，这便使得显示面板的边缘处水氧可能会通过隔离层入侵到显示面板内部，导致显示面板由边缘向内侧信赖性失效。
针对所发现的上述技术缺陷，本发明实施例提供了一种显示面板，图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，图2是图1中显示面板沿剖面线BB’的剖面图，参考图1和图2，所述显示面板包括：
基板10以及设置于基板10上的多个发光结构20和水氧阻挡层30，水氧阻挡层30环绕多个发光结构20；
还包括设置于基板10上的隔离层50和封装层60；隔离层50覆盖发光结构20，且隔离层50至少部分覆盖水氧阻挡层30，封装层60覆盖隔离层50和水氧阻挡层30；
其中，水氧阻挡层30由金属氧化物层与形成隔离层50的过程中采用的气体发生还原反应形成，且覆盖于水氧阻挡层30表面的隔离层50的厚度小于未覆盖水氧阻挡层的隔离层50的厚度。
具体地，基板10是驱动多个发光结构20发光的阵列基板，基板10包括显示区和非显示区，显示区实现显示面板的画面显示，非显示区对应的区域不呈现画面。基板10可包括衬底、缓冲层以及薄膜晶体管(Thin-Film Transistor， TFT)。
多个发光结构20形成在TFT上，多个发光结构20和TFT均位于基板10 的显示区内。发光结构20通常包括第一电极、发光层和第二电极。第一电极和第二电极通过发光层彼此绝缘。第一电极(阳极)通过接触孔电连接(或结合)到 TFT的源电极或漏电极。如果在第一电极和第二电极之间施加电压，则发光层发射可见光，从而实现能被使用者识别的图像。
封装层60可包括有机层61和无机层62，无机层62可包括氮氧化硅或氮化硅，封装层60用于保护发光结构20以及显示面板中其它薄层受湿气和氧气的影响。隔离层50用于保护发光结构20，避免封装层60形成过程对发光结构 20造成影响。示例性的，隔离层50可以采用氧化硅。
水氧阻挡层30位于基板10的非显示区内且环绕多个发光结构20。水氧阻挡层30包括金属，水氧阻挡层30中的金属会与入侵到显示面板中的水氧发生反应形成金属氧化物，形成的金属氧化物会以一种致密金属氧化物薄膜的状态存在，金属氧化物薄膜在显示面板的使用过程中能够阻挡水氧的入侵，保护发光结构20，提高了显示面板的信赖性。
此外，可以在隔离层50开始形成之前，先形成一层金属氧化物层，在形成隔离层50的过程中，该层金属氧化物层会和形成隔离层50采用的气体发生还原反应，金属氧化物层部分或全部被还原成金属，即形成水氧阻挡层30。当金属氧化物层被全部还原成金属时，水氧阻挡层30只包括金属，当金属氧化物层被部分还原成金属时，水氧阻挡层30包括金属和该金属对应的金属氧化物。示例性的，采用化学气相沉积工艺形成氧化硅过程中常采用氢气，金属氧化物层可以与形成氧化硅过程中采用的氢气发生还原反应。
由于金属氧化物层可以和隔离层50形成过程中采用的气体发生反应，从而降低了金属氧化物层表面的隔离层50的形成速率，最终，使得覆盖于水氧阻挡层30表面的隔离层50的厚度小于未覆盖水氧阻挡层30的隔离层50的厚度。由于水氧在厚度较小的隔离层50中的扩散速率相对于在厚度较大的隔离层50 中的扩散速率会明显降低，由此，隔离层50的厚度的减小很大程度上阻挡了大部分水氧的入侵，保护了发光结构20，解决了隔离层50相较于薄膜封装层致密性偏低导致水氧容易入侵有机发光材料的问题，保证了显示面板的信赖性。
本实施通过设置水氧阻挡层30，水氧阻挡层环绕多个发光结构20，水氧阻挡层30由金属氧化物层与形成隔离层50的过程中采用的气体发生还原反应形成，以此减小了覆盖于水氧阻挡层30表面的隔离层50的厚度，阻挡了大部分水氧的入侵，保护了发光结构20，提高了显示面板的信赖性，且无需采用成本高昂的生产器械即可形成厚度较小的隔离层50，制作工艺简单，节省了生产成本。并且，隔离层50完全形成时，金属氧化物层被气体全部或部分还原成金属，即形成水氧阻挡层30，水氧阻挡层30中的金属又会与入侵到显示面板中的水氧发生反应形成金属氧化物，形成的金属氧化物会以一种致密金属氧化物薄膜的状态存在，金属氧化物薄膜在显示面板的使用过程中又能够继续阻挡水氧的入侵，进一步保护了发光结构20，提高了显示面板的信赖性。
需要说明的是，在本实施例中，覆盖于水氧阻挡层表面的氧化硅层的厚度可减小至10纳米以下，示例性的，可以减小到8以下nm、7nm以下或5nm以下等。
可选地，参考图1和图2，显示面板还包括设置于基板10上的挡墙40，挡墙40环绕多个有机发光结构20，水氧阻挡层30包括第一水氧阻挡层31，第一水氧阻挡层31设置于挡墙40远离发光结构20的一侧。
具体地，挡墙40通常由像素定义层、平坦化层和支撑柱堆叠形成，挡墙 40可以作为封装层60中有机层61的截止层，被封装层60的无机层62覆盖，同时挡墙40可以进一步提升显示面板的阻隔水氧的效果，防止无机层裂纹的传输和扩展。
从基板10边缘至多个发光结构20的路径上任意位置设置水氧阻挡层30都能够实现隔离层50厚度的减小，从而阻挡水氧入侵发光结构20。考虑到挡墙 40与发光结构20之间的距离很微小，若在挡墙40靠近发光结构20的一侧设置水氧阻挡层30，其一对阻挡由显示面板边缘入侵的水氧的整体效果不明显，其二可能会影响到显示面板的各类金属走线。因此，在挡墙40远离发光结构 20的一侧设置第一水氧阻挡层31，不仅使得水氧阻挡层30的平行于基板10的宽度可以做的足够大，能够减小更大面积的隔离层50的厚度，保证水氧阻挡效果，还可避免水氧阻挡层30对显示面板内各类金属走线产生影响。
可选地，图3是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，图4 是图3中显示面板沿剖面线CC’的剖面图，参考图3和图4，挡墙40包括至少两个子挡墙(41和42)，每一子挡墙环绕多个发光结构20；水氧阻挡层30 还包括第二水氧阻挡层32，第二水氧阻挡层32设置于相邻的两个子挡墙之间。
具体地，由于相邻的两个子挡墙之间没有走线等，通过在相邻的两个子挡墙之间设置第二水氧阻挡层32，减小第二水氧阻挡层32对应的隔离层50厚度，该部分隔离层50可以进一步减小水氧的扩散速率，进一步阻挡水氧的入侵，且第二水氧阻挡层32也可以进一步与进入显示面板的水氧反应形成致密的金属氧化物薄膜，进一步阻挡水氧，从而进一步提高了显示面板的信赖性。
需要说明的是，子挡墙的个数可以为两个或多个，本实施例对此不作限定，图3和图4中示例性地示出挡墙40包括两个子挡墙，即第一子挡墙41和第二子挡墙42，第二水氧阻挡层32设置于第一子挡墙41和第二子挡墙42之间，并非对本发明的限定，在其他实施方式中可以根据需要设置三个或三个以上子挡墙，也可以在任意两个子挡墙之间设置第二水氧阻挡层32。
此外，如图4所示，水氧阻挡层30包括邻近显示面板边缘的第一侧面a，隔离层50包括邻近显示面板边缘的第二侧面b，封装层60包括邻近显示面板边缘的第三侧面c，第一侧面a、第二侧面b和第三侧面c可以位于同一平面，在制作时，隔离层50可以与无机层62采用相同的掩膜版，降低工艺成本，并且，水氧阻挡层30的第一侧面a与隔离层50的第二侧面b位于同一平面上，在形成隔离层50过程中，事先形成的金属氧化物层可以将邻近显示面板边缘处的隔离层50减薄，使得隔离层50的边缘处厚度较薄，当水氧通过隔离层50向显示面板内部入侵时，由于面板边缘处隔离层50的厚度较薄，可以最大限度的减小水氧的扩散速率，避免水氧腐蚀发光结构20。
另外，图5是图3中显示面板沿剖面线CC’的另一种剖面图，参考图5，封装层60的第三侧面c可以位于第一侧面a远离发光结构20的一侧，即封装层60覆盖水氧阻挡层30邻近显示面板边缘的第一侧面a。具体地，封装层60 中无机层62具有较好的阻水阻氧性能，设置封装层60完全覆盖水氧阻挡层30 邻近显示面板边缘的第一侧面a，可以较好的防止水氧从显示面板边缘进入发光结构20，进一步提高了显示面板的信赖性。
可选地，封装层60的第三侧面c可以位于第二侧面b远离发光结构20的一侧，即封装层60覆盖隔离层50邻近显示面板边缘的第二侧面b。
具体地，封装层60中无机层62具有较好的阻水阻氧性能，设置封装层60 完全覆盖隔离层50邻近显示面板边缘的第二侧面b，可以较好的防止水氧从显示面板边缘进入发光结构20，进一步提高了显示面板的信赖性。可选地，沿平行于基板10表面的方向，第一侧面a与封装层60邻近显示面板边缘的第三侧面c之间的距离大于30微米。
具体地，当封装层60的第三侧面c与水氧阻挡层30的第一侧面a之间的距离较小时，可能由于制作工艺偏差，导致第一侧面a不能完全地被封装层60 包覆。通过设置第一侧面a与第三侧面c之间的距离大于30微米，可以保证封装层60较好的包覆水氧阻挡层30，保证显示面板具有较好的水氧阻挡性能。
可选地，沿平行于基板10表面的方向，第二侧面b与封装层60邻近显示面板边缘的第三侧面c之间的距离大于30微米。
具体地，当封装层60的第三侧面c与隔离层50的第二侧面b之间的距离较小时，可能会由于制作工艺偏差，导致第一侧面a不能完全地被封装层60包覆。通过设置第二侧面b与第三侧面c之间的距离大于30微米，可以保证封装层60较好的包覆隔离层50，保证显示面板具有更好的水氧阻挡性能。
图6是图3中显示面板沿剖面线CC’的另一种剖面图，参考图6，可选的，第一侧面a位于第二侧面b远离发光结构20的一侧。沿平行于基板10表面的方向，第一侧面a与第二侧面b之间的距离为30微米至50微米。
具体的，通过设置第一侧面a位于第二侧面b远离发光结构20的一侧，在形成隔离层50过程中，事先形成的金属氧化物层可以将隔离层50的边缘处均减薄，使得邻近隔离层50的边缘处厚度较薄，当水氧通过隔离层50向显示面板内部入侵时，由于面板边缘处隔离层50的厚度较薄，可以最大限度的减小水氧的扩散速率，避免水氧腐蚀发光结构20。
此外，当水氧阻挡层30的第一侧面a与隔离层50的第二侧面b之间的距离较小时，可能由于制作工艺偏差，导致事先形成的金属氧化物层不能将隔离层50边缘处的厚度减薄，影响水氧阻隔性能。当第一侧面a与第二侧边b之间的距离过大时，不利于显示面板边框的减小。通过设置第一侧面a与所述第二侧面b之间的距离为30微米至50微米，在事先形成的金属氧化物层将隔离层 50边缘处的厚度均减薄的同时，可以保证显示面板具有较小的边框。
上述实施例对水氧阻挡层的位置进行了详细说明，下面对金属氧化物层的材料以及厚度等进行说明：
金属氧化物层的材质选择，主要是考虑以下几方面：第一，能够被形成隔离层过程中所采用的气体还原，以将隔离层的厚度减小至目标厚度；第二，被气体还原后的金属能够与水氧发生反应形成金属氧化物薄膜，以阻挡水氧，即满足以上两点的材料均适用于本实施例的金属氧化物层。
可选地，水氧阻挡层中的金属包括镁、铝、锰、锌、铬、铁、钴、镍、锡和铅中的至少一种。即金属氧化物层可以包括氧化镁、氧化铝、氧化锰、氧化锌、氧化铬、氧化铁、氧化钴、氧化镍、氧化锡和氧化铅中的至少一种。
具体的，上述金属的氧化物均可以与隔离层形成过程中采用的氢气发生还原反应，且被还原后的金属做为牺牲剂，与侵入的水氧反应，阻止水氧入侵，且上述金属材料成本较低，制作工艺较为成熟，采用上述金属可以降低显示面板的制作成本。
可选的，水氧阻挡层中的金属包括铝和镁。具体地，由于铝和镁能够与水氧发生发应形成氧化镁和氧化铝，氧化镁和氧化铝相较于其他金属氧化物其薄膜更为致密，可更好的防止水氧入侵。
此外，水氧阻挡层采用铝还具有以下优势：由于显示面板中各层金属走线多采用铝材料，且铝很容易被空气中的氧气氧化形成氧化物，因此可以在制作显示面板中的金属走线时同时在非显示区形成环绕发光结构的铝层，铝层被空气氧化形成氧化铝层，无需采用额外的工艺形成氧化铝层，节省了工艺成本。
可选地，水氧阻挡层的厚度为10纳米至150纳米。
具体的，水氧阻挡层的厚度等于金属氧化物层的厚度。金属氧化物层的厚度过大，导致显示面板的厚度过大，而金属氧化物层的厚度过小，将不能够有效地降低隔离层的形成速率，致使无法将隔离层的厚度减小至目标厚度，例如不能减小至10纳米(目标厚度为10纳米)。金属氧化物层的厚度过大不利于减小显示面板的厚度。通过设置金属氧化物层的厚度为10纳米至150纳米，在保证能够较好的减薄隔离层的厚度的同时，保证了显示面板具有较小的厚度。实际制作过程中，金属氧化物层的具体厚度可以根据需要的隔离层的目标厚度设置，本发明实施例对此不作具体限定。
可选地，隔离层包括氧化硅。覆盖水氧阻挡层的隔离层的厚度小于或等于 10纳米，未覆盖水氧阻挡层的隔离层的厚度为20纳米至200纳米。
具体的，由于氧化硅的厚度越小，其阻隔水氧的性能越好，通过设置覆盖水氧阻挡层的隔离层的厚度小于或等于10纳米，保证了显示面板具有较好的水氧阻隔性能。
隔离层的厚度过小，其制作工艺难度太大，不利于降低工艺成本，隔离层的厚度过大，不利于减薄显示面板的厚度，且厚度太大，通过金属氧化物对其进行减薄时无法减薄至较理想的厚度。通过设置未覆盖水氧阻挡层的隔离层的厚度为20纳米至200纳米，在保证具有较小的制作工艺难度的同时，保证了金属氧化物层可以将隔离层减薄至较理想的厚度，保证水氧阻隔性能，且保证了显示面板具有较小的厚度。
本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法，本发明实施例提供的显示面板的制作方法能够应用于上述技术方案中显示面板的制作，图7是本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图示意图，如图7所示，该显示面板的制作方法包括：
S10：提供一基板；其中，基板上设置有多个发光结构和金属氧化物层，金属氧化物层环绕多个发光结构。
S20：形成隔离层和水氧阻挡层，其中，隔离层覆盖多个发光结构，且隔离层至少部分覆盖水氧阻挡层；金属氧化物层与形成隔离层的过程中采用的气体发生还原反应，形成水氧阻挡层，覆盖水氧阻挡层的隔离层的厚度小于未覆盖水氧阻挡层的隔离层的厚度。
具体地，形成隔离层的过程中，例如通过化学气相沉积工艺形成氧化硅层的过程中，沉积腔室中的氢气能够和金属氧化物层发生还原反应，例如与氧化铝层发生还原反应，降低了覆盖于金属氧化物层表面的隔离层的成膜速率，使得覆盖于金属氧化物层表面的隔离层的厚度小于未覆盖水氧阻挡层的隔离层的厚度，而水氧在厚度小的隔离层中的扩散速率，相对于在厚度较大的隔离层中的扩散速率将明显降低，从而隔离层厚度的降低很大程度上阻挡了大部分水氧的入侵，保护了发光结构，保证了显示面板的信赖性，解决了显示面板边缘向内侧的信赖性失效问题。且由于金属氧化物层环绕多个发光结构设置，因而解决了整个显示面板边缘向内侧的信赖性失效的问题，提高了整个显示面板的信赖性。
S30：形成封装层；封装层覆盖隔离层和水氧阻挡层设置。
本发明实施例提供的显示面板的方法与本发明任意实施例提供的显示面板属于相同的发明构思，具有与本发明任意实施例提供的显示面板相同的有益效果，重复内容此处不再赘述。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板以及设置于所述基板上的多个发光结构和水氧阻挡层，所述水氧阻挡层环绕所述多个发光结构；
还包括设置于所述基板上的隔离层和封装层；所述隔离层覆盖所述发光结构，且所述隔离层至少部分覆盖所述水氧阻挡层，所述封装层覆盖所述隔离层和所述水氧阻挡层；
其中，所述水氧阻挡层由金属氧化物层与形成所述隔离层的过程中采用的气体发生还原反应形成，且覆盖于所述水氧阻挡层表面的隔离层的厚度小于未覆盖所述水氧阻挡层的所述隔离层的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：
所述显示面板还包括设置于所述基板上的挡墙，所述挡墙环绕所述多个有机发光结构，所述水氧阻挡层包括第一水氧阻挡层，所述第一水氧阻挡层设置于所述挡墙远离所述发光结构的一侧。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于：
所述挡墙包括至少两个子挡墙，每一所述子挡墙环绕所述多个发光结构；
所述水氧阻挡层还包括第二水氧阻挡层，所述第二水氧阻挡层设置于相邻的两个所述子挡墙之间。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于：
所述水氧阻挡层包括邻近显示面板边缘的第一侧面，所述隔离层包括邻近显示面板边缘的第二侧面，所述第一侧面位于所述第二侧面远离所述发光结构的一侧；沿平行于所述基板表面的方向，所述第一侧面与所述第二侧面之间的距离为30微米至50微米。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：
所述封装层覆盖所述水氧阻挡层邻近显示面板边缘的第一侧面。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：
所述封装层覆盖所述隔离层邻近显示面板边缘的第二侧面。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于：
沿平行于所述基板表面的方向，所述第一侧面与所述封装层邻近显示面板边缘的第三侧面之间的距离大于30微米。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于：
沿平行于所述基板表面的方向，所述第二侧面与所述封装层邻近显示面板边缘的第三侧面之间的距离大于30微米。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述隔离层包括氧化硅，覆盖所述水氧阻挡层的所述隔离层的厚度小于或等于10纳米，未覆盖所述水氧阻挡层的所述隔离层的厚度为20纳米至200纳米。
10.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板；其中，所述基板上设置有多个发光结构和金属氧化物层，所述金属氧化物层环绕所述多个发光结构；
形成隔离层和水氧阻挡层；其中，所述隔离层覆盖所述多个发光结构，且所述隔离层至少部分覆盖所述水氧阻挡层；所述金属氧化物层与形成所述隔离层的过程中采用的气体发生还原反应，形成水氧阻挡层，覆盖所述水氧阻挡层的隔离层的厚度小于未覆盖所述水氧阻挡层的所述隔离层的厚度；
形成封装层；所述封装层覆盖所述隔离层和所述水氧阻挡层。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022001478A1 (zh) * | 2020-07-03 | 2022-01-06 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| TWI769817B (zh) * | 2021-05-17 | 2022-07-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置及其製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103222340A (zh) * | 2011-11-22 | 2013-07-24 | 松下电器产业株式会社 | 显示面板的制造方法、显示面板以及显示装置 |
| CN103474439A (zh) * | 2013-09-26 | 2013-12-25 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种显示装置、阵列基板及其制作方法 |
| KR20140064349A (ko) * | 2012-11-20 | 2014-05-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광효율이 향상된 유기발광 표시장치 |
| CN110473982A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-11-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板封装结构及其制备方法 |
| CN110993818A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-04-10 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040048033A1 (en) * | 2002-09-11 | 2004-03-11 | Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd. | Oled devices with improved encapsulation |
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| CN109904345A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 封装结构及其显示装置 |
| CN110010796A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-07-12 | 业成科技（成都）有限公司 | Oled封装方法 |
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-
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103222340A (zh) * | 2011-11-22 | 2013-07-24 | 松下电器产业株式会社 | 显示面板的制造方法、显示面板以及显示装置 |
| KR20140064349A (ko) * | 2012-11-20 | 2014-05-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광효율이 향상된 유기발광 표시장치 |
| CN103474439A (zh) * | 2013-09-26 | 2013-12-25 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种显示装置、阵列基板及其制作方法 |
| CN110473982A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-11-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板封装结构及其制备方法 |
| CN110993818A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-04-10 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022001478A1 (zh) * | 2020-07-03 | 2022-01-06 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| TWI769817B (zh) * | 2021-05-17 | 2022-07-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置及其製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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