CN111769188A - 一种新型的紫外led芯片电极制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种新型的紫外LED芯片电极制备方法，具体包括以下步骤：S1：在紫外LED芯片的p型层表面打印出金属图形电极；S2：将金属图形电极融化，使得金属图形电极向紫外LED芯片的半导体层内扩散，在宽禁带的p型AlGaN与金属图形电极之间形成良好的欧姆接触，以降低接触电阻；本技术方案中，在宽禁带的p型AlGaN与金属图形电极之间形成良好的欧姆接触，最终降低接触电阻，提高空穴向紫外LED多量子阱内注入效率，提升紫外LED的发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及光电子器件技术领域，尤其涉及的是一种新型的紫外LED芯片电极制备方法。
背景技术
紫外发光二极管（light emitting diode，以下简称LED），因其波长短、光子能量高、光束均匀等优点，在物理杀菌、高显色指数的照明以及高密度光存储等领域有着重要的应用。目前，大量的研究已经在晶体质量、高A1组分和短波长结构设计等技术方面取得了重要突破，成功制备300纳米以下的深紫外LED器件，实现毫瓦级的功率输出，并在可靠性方面取得很大进展。
然而，高A1组分的AlGaN材料会降低载流子浓度和载流子迁移率。随着A1组分的增加，Mg原子的受主激活能线性增加，使得p型掺杂激活率很低，室温下空穴浓度很低，因此，p型欧姆接触的制备变得非常困难。而良好的欧姆接触决定着电注入效率，从而直接影响半导体器件的整体性能。所以，亟待一种能提高空穴向紫外LED多量子阱内注入效率、提升紫外LED发光效率的方法。
因此，现有的技术还有待于改进和发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型的紫外LED芯片电极制备方法，以提高空穴向紫外LED多量子阱内的注入效率，提升紫外LED的发光效率。
本发明的技术方案如下：一种新型的紫外LED芯片电极制备方法，其中，具体包括以下步骤：
S1：在紫外LED芯片的p型层表面打印出金属图形电极；
S2：将金属图形电极融化，使得金属图形电极向紫外LED芯片的半导体层内扩散，在宽禁带的p型AlGaN与金属图形电极之间形成良好的欧姆接触。
所述的新型的紫外LED芯片电极制备方法，其中，所述S1中，通过3D打印技术在紫外LED芯片的p型层表面打印出金属图形电极。
所述的新型的紫外LED芯片电极制备方法，其中，所述S2中，利用激光对金属图形电极进行熔融扩散。
所述的新型的紫外LED芯片电极制备方法，其中，所述S1中，紫外LED芯片的p型层包括P型氮化铝镓或P型氮化镓或P型铟镓氮或P型氮化铝或p型金刚石或p型石墨烯或p型硅或p型锗化硅或p型钙钛矿材料或p型硅碳或P型氮化硼。
所述的新型的紫外LED芯片电极制备方法，其中，所述S1中，紫外LED芯片的p型层的制备方法包括激光溅射、或化学气相沉积外延、或3D打印或溶胶凝胶制备。
本发明的有益效果：本发明通过提供一种新型的紫外LED芯片电极制备方法，具体包括以下步骤：S1：在紫外LED芯片的p型层表面打印出金属图形电极；S2：将金属图形电极融化，使得金属图形电极向紫外LED芯片的半导体层内扩散，在宽禁带的p型AlGaN与金属图形电极之间形成良好的欧姆接触，以降低接触电阻；本技术方案中，在宽禁带的p型AlGaN与金属图形电极之间形成良好的欧姆接触，最终降低接触电阻，提高空穴向紫外LED多量子阱内注入效率，提升紫外LED的发光效率。
附图说明
图1是本发明中新型的紫外LED芯片电极制备方法的步骤流程图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
如图1所示，一种新型的紫外LED芯片电极制备方法，具体包括以下步骤：
S1：在紫外LED芯片的p型层表面打印出金属图形电极；
S2：将金属图形电极融化，使得金属图形电极向紫外LED芯片的半导体层内扩散，在宽禁带的p型AlGaN（氮化铝镓）与金属图形电极之间形成良好的欧姆接触，以降低接触电阻。
本技术方案中，通过采用上述方法，在宽禁带的p型AlGaN与金属图形电极之间形成良好的欧姆接触，最终降低接触电阻，提高空穴向紫外LED多量子阱内注入效率，提升紫外LED的发光效率。
在某些具体实施例中，所述S1中，通过3D打印技术在紫外LED芯片的p型层表面打印出金属图形电极。
在某些具体实施例中，所述S2中，利用高功率激光对图形电极进行熔融扩散，形成良好的欧姆接触。
在某些具体实施例中，所述S1中，紫外LED芯片的p型层包括p-AlGaN（P型氮化铝镓）或p-GaN（P型氮化镓）或p-InGaN（P型铟镓氮）或p-AlN（P型氮化铝）或p型金刚石或p型石墨烯或p型Si（硅）或p型SiGe（锗化硅）或p型钙钛矿材料或p型SiC（硅碳）或p-BN（P型氮化硼）。
在某些具体实施例中，所述S1中，紫外LED芯片的p型层的制备方法包括激光溅射、或CVD（化学气相沉积）外延、或3D打印或溶胶凝胶制备。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“某些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (5)
1.一种新型的紫外LED芯片电极制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
S1：在紫外LED芯片的p型层表面打印出金属图形电极；
S2：将金属图形电极融化，使得金属图形电极向紫外LED芯片的半导体层内扩散，在宽禁带的p型AlGaN与金属图形电极之间形成良好的欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的新型的紫外LED芯片电极制备方法，其特征在于，所述S1中，通过3D打印技术在紫外LED芯片的p型层表面打印出金属图形电极。
3.根据权利要求1所述的新型的紫外LED芯片电极制备方法，其特征在于，所述S2中，利用激光对金属图形电极进行熔融扩散。
4.根据权利要求1所述的新型的紫外LED芯片电极制备方法，其特征在于，所述S1中，紫外LED芯片的p型层包括P型氮化铝镓或P型氮化镓或P型铟镓氮或P型氮化铝或p型金刚石或p型石墨烯或p型硅或p型锗化硅或p型钙钛矿材料或p型硅碳或P型氮化硼。
5.根据权利要求1所述的新型的紫外LED芯片电极制备方法，其特征在于，所述S1中，紫外LED芯片的p型层的制备方法包括激光溅射、或化学气相沉积外延、或3D打印或溶胶凝胶制备。
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20201013 |