CN111755609B - Oled显示屏、电子设备 - Google Patents

Abstract

本公开是关于一种OLED显示屏、电子设备。一种OLED显示屏，包括用于显示的第一区域；所述第一区域中OLED器件中的PN结被配置为，与预设光线的波长相匹配。本公开实施例中通过对第一区域中的OLED器件进行改进，从而使OLED器件可以吸收预设波长的光线。本公开实施例中通过对第一区域中的OLED器件进行改进，使OLED器件中的PN结可以被配置为，与预设光线的波长相匹配，即本实施例中OLED器件的PN结所吸收的光线波长与预设波长相匹配，避免出现OLED器件发光，从而避免OLED显示屏出现光斑，提高用户的观看体验。

Description

OLED显示屏、电子设备

技术领域

本公开涉及数据处理技术领域，尤其涉及一种OLED显示屏、电子设备。

背景技术

目前，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示屏具有自发光、对比度高、视角广以及低功耗等优点，在大部分电子设备(如智能手机、平板电脑)得到广泛应用。

若电子设备采用全面屏，电子设备中接近光传感器只能嵌入到OLED显示屏的下方。在接近光传感器工作时，所发射光线的波长落入OLED器件的工作波长之内，这样OLED器件会吸收光子，使原子处于激发状态。然而，处于激发状态的原子并不稳定，有可能重新回到基态并释放光子，从而造成OLED显示屏出现光斑，影响到观看体验。

发明内容

本公开提供一种OLED显示屏、电子设备，以解决相关技术的不足。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种OLED显示屏，包括用于显示的第一区域；所述第一区域中OLED器件中的PN结被配置为，与预设光线的波长相匹配。

可选地，所述第一区域中OLED器件中PN结的深度为与所述预设光线的波长相匹配的深度；其中所述PN结深度为P区和N区交界面的厚度。

可选地，所述PN结内设置有掺杂材料，所述掺杂材料的浓度与所述PN结的深度正相关。

可选地，所述OLED器件的PN结设置有掺杂材料，所述掺杂材料的禁带宽度与所述预设光线的波长相匹配。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种电子设备，包括OLED显示屏和发光器件；所述发光器件设置在所述OLED显示屏的下方，且所述发光器件所发射光线覆盖所述OLED显示屏的第一区域；所述第一区域中OLED器件中的PN结被配置为，与预设光线的波长相匹配。

可选地，所述发光器件包括以下至少一项：接近光传感器、TOF传感器。

可选地，所述第一区域中OLED器件中PN结的深度为与所述发光器件所发射光线的波长相匹配的深度；其中所述PN结深度为P区和N区交界面的厚度。

可选地，所述OLED器件的PN结设置有掺杂材料，所述PN结内设置有掺杂材料，所述掺杂材料的浓度与所述PN结的深度正相关。

可选地，所述OLED器件的PN结设置有掺杂材料，所述掺杂材料的禁带宽度与所述预设光线的波长相匹配。

本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：

由上述实施例可知，本公开实施例中通过对第一区域中的OLED器件进行改进，使OLED器件中的PN结可以被配置为，与预设光线的波长相匹配，即本实施例中OLED器件的PN结所吸收的光线波长与相匹配，避免出现OLED器件发光，从而避免OLED显示屏出现光斑，提高用户的观看体验。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。

图1是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的框图；

图2(a)是根据一示例性实施例示出的一种电子吸收光子跃迁到高能级的示意图；

图2(b)是根据一示例性实施例示出的一种电子释放光子返回到基态的示意图；

图3是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的框图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置例子。

目前，OLED显示屏具有自发光、对比度高、视角广以及低功耗等优点，在大部分电子设备(如智能手机、平板电脑)得到广泛应用。

其中，OLED显示屏中OLED器件的发光原理包括：OLED器件中金属阴极提供电子，ITO铟锡金属阳极提供空穴，空穴传输层运动到有机发光层，电子通过电子发光层运动到有机发光层，空穴与电子二者结合，电子填补分子空穴后多余的能量释放出来形成光子，即OLED器件发光。

当OLED显示屏下方的接近光传感器发射光线后，OLED器件中PN结可以吸收光子从价带跃迁到导带，从而衰减接近光传感器发射的光线，即OLED器件可以吸收部分或者全部光线。

然而，OLED器件中价带电子吸收光子后会处于激发状态，因激发状态的原子并不稳定且有可能重新回到基态并释放光子，即OLED器件实现光至发光，从而在OLED显示屏上形成光斑，影响到观看体验。

为解决上述问题，本公开实施例提供了一种OLED显示屏和一种电子设备，其发明构思在于，通过调整OLED显示屏中外部光线容易入射区域的OLED器件的PN结的结构，从而使OLED器件可以直接吸收光线，避免OLED器件发光而在OLED显示屏上形成光斑。

后续以采用OLED显示屏的电子设备为例进行描述，图1是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的框图。参见图1，一种电子设备10，包括OLED显示屏20和发光器件30，发光器件30所发射光线覆盖OLED显示屏20的第一区域21；第一区域21中OLED器件中的PN结被配置为，与预设光线的波长相匹配。

本实施例中，发光器件可以包括以下至少一项：接近光传感器、TOF(time offlight)传感器。当然，技术人员可以根据具体场景其他发光器件，这些发光器件所发射光线入射OLED器件后引起光斑的发光器件均落入本申请的保护范围。

在本实施例中，发光器件可以发射紫外光和/或红外光，当然还可以发射其他波长的光线，在发光器件所发出的光线能够使OLED器件发光的情况下，相应发光器件落入本申请的保护范围。

为保证OLED器件吸收光线，可以对OLED器件的PN结的结构作如下改进：

方式一，改变OLED器件中PN结的深度，使PN结的深度为与预设光线的波长相匹配的深度。其中PN结的深度为P区和N区交界面的厚度。

在光线未入射时，OLED器件中处于能级E1和能级E2的原子数分别为N1和N2。参见图2(a)，在光线入射时，假设入射光子的能量hv(h为普朗克常数，v为入射光频率)为E2-E1时，原子可以吸收光子处于激发状态，从能级E1跃迁到能级E2。参见图2(b)，由于激发状态的原子不稳定，可以释放光子并从能级E2回到能级E1。

结合上述原理，本实施例中对OLED器件中PN结的深度进行调整：

当PN结的深度变浅时，PN结内部的电场变弱，此情况下，从能级E1到能级E2所需的能量变小，结合hv＝E2-E1，可得入射光的频率v变小。即在将PN结做浅时，入射光的波长变大，结合发光器件的发光特点(红外光)，PN结吸入光线的波长向靠近红外线的部分移动，对红外线的吸收能力加强。

相反地，若需要吸收光线的波长变短或者频率变高，则从能级E1到能级E2所需的能量变大，结合hv＝E2-E1，可得入射光的频率v变大。即在将PN结做深时，入射光的波长变小，结合发光器件发射红外光为例，PN结吸入光线的波长向远离红外线的部分移动，对红外线的吸收能力减弱。

结合上述内容可知，本实施例中OLED器件中PN结的深度为与发光器件发射光线的波长(即预设光线的波长)相匹配的深度。即预设光线的波长越小，则PN结越深，预设光线的波长越大，则PN结越浅。

以发光器件为接近光传感器为例，接近光传感器所发射光线为红外光，红外光的波长可以为850nm或者940nm，而OLED器件发射光线为可见光，其波长范围为400nm-760nm，则当OLED器件的PN结做浅时，对红外光越来越敏感，对红外光的吸收能力越来越强；当PN结做深时，对红外光越来越不敏感而对紫外线越来越敏感，吸收紫外线的能力越来越强。例如，当接近光传感器所发射光线波长为850nm或者940nm时，PN结的深度可以对应为1000nm～1500nm，即本实施例中可以根据预设光线的波长调整PN的深度，达到PN结可以吸收该预设光线的效果。

这样，本实施例中通过调整PN结的深度从而可以使PN结的深度为与预设光线的波长相匹配，即吸入光线的波长与接近光传感器所发射光线的波长相当，从而可以部分或全部吸收光线，以缓解或者完全解决OLED器件的发光现象。

在制备OLED器件时，需要在掺杂一些材质提供载流子，例如磷P、砷As等。在本实施例中，PN结的深度与掺杂材料的浓度正相关，即通过提高掺杂材料的浓度可以增加PN结的深度，降低掺杂材料的浓度可以降低PN结的深度。

方式二，改变OLED器件中掺杂材料的种类，所选择掺杂材料的禁带宽度与预设光线的波长相匹配。不同掺杂材料的禁带宽度不同，提供载流子的能力也不同。其中禁带宽度(Band gap)是指被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度，即禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量。

结合hv＝E2-E1，禁带宽度越大，则E2-E1越大，光线的频率越大，波长越小；禁带宽度越小，则E2-E1越小，光线的频率越小，波长越大。换言之，本实施例中若吸收红外光部分，则可以选用禁带宽度较小的掺杂材料；若吸收紫外光部分，则可以选用禁带宽度较大的掺杂材料。因此，本申请中可以结合预设光线的波长匹配选择禁带宽度满足需求的掺杂材料，达到改变掺杂材料后的PN结可以吸收预设光线的效果。

当接近光传感器所发射光线波长为850nm或者940nm时，可以选用禁带宽度较小的掺杂材料，例如锗的禁带宽度约为0.66ev；硅的禁带宽度约为1.12ev；可以通过不掺杂目前使用的硅只使用锗或者锗和硅二者混合掺杂，从而达到降低禁带宽度。

至此，本公开实施例中通过对第一区域中的OLED器件进行改进，从而使OLED器件可以吸收预设光线。这样，本实施例中OLED器件在预设波长的入射后可以被吸收，避免出现OLED器件发光，从而避免OLED显示屏出现光斑，提高用户的观看体验。

图3是根据一示例性实施例示出的一种电子设备300的框图。例如，电子设备300可以是手机、平板电脑、电子书阅读器、多媒体播放设备、可穿戴设备、车载终端等电子设备。

参照图3，电子设备300可以包括以下一个或多个组件：处理组件302，存储器304，电源组件306，多媒体组件308，音频组件310，输入/输出(I/O)接口312，传感器组件314，以及通信组件316。

处理组件302通常控制电子设备300的整体操作，诸如与显示，电话呼叫，数据通信，相机操作和记录操作相关联的操作。处理组件302可以包括一个或多个处理器320来执行指令，以完成上述的方法的全部或部分步骤。此外，处理组件302可以包括一个或多个模块，便于处理组件302和其他组件之间的交互。

例如，处理组件302可以包括多媒体模块，以方便多媒体组件308和处理组件302之间的交互。

存储器304被配置为存储各种类型的数据以支持在电子设备300的操作。这些数据的示例包括用于在电子设备300上操作的任何应用程序或方法的指令，联系人数据，电话簿数据，消息，图片，视频等。存储器304可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器(SRAM)，电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，可擦除可编程只读存储器(EPROM)，可编程只读存储器(PROM)，只读存储器(ROM)，磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。

电源组件306为电子设备300的各种组件提供电力。电源组件306可以包括电源管理系统，一个或多个电源，及其他与为电子设备300生成、管理和分配电力相关联的组件。

多媒体组件308包括在所述电子设备300和用户之间的提供一个输出接口的显示屏，该显示屏可以为图1所示的OLED显示屏。在一些实施例中，多媒体组件308包括一个前置摄像头和/或后置摄像头。当电子设备300处于操作模式，如拍摄模式或视频模式时，前置摄像头和/或后置摄像头可以接收外部的多媒体数据。每个前置摄像头和后置摄像头可以是一个固定的光学透镜系统或具有焦距和光学变焦能力。

音频组件310被配置为输出和/或输入音频信号。例如，音频组件310包括一个麦克风(MIC)，当电子设备300处于操作模式，如呼叫模式、记录模式和语音识别模式时，麦克风被配置为接收外部音频信号。所接收的音频信号可以被进一步存储在存储器304或经由通信组件316发送。在一些实施例中，音频组件310还包括一个扬声器，用于输出音频信号。

I/O接口312为处理组件302和外围接口模块之间提供接口，上述外围接口模块可以是键盘，点击轮，按钮等。这些按钮可包括但不限于：主页按钮、音量按钮、启动按钮和锁定按钮。

传感器组件314包括一个或多个传感器，用于为电子设备300提供各个方面的状态评估。例如，传感器组件314可以检测到电子设备300的打开/关闭状态，组件的相对定位，例如所述组件为电子设备300的显示器和小键盘，传感器组件314还可以检测电子设备300或电子设备300一个组件的位置改变，用户与电子设备300接触的存在或不存在，电子设备300方位或加速/减速和电子设备300的温度变化。传感器组件314可以包括接近光传感器，被配置用来在没有任何的物理接触时检测附近物体的存在。传感器组件314还可以包括光传感器，如CMOS或CCD图像传感器，用于在成像应用中使用。在一些实施例中，该传感器组件314还可以包括加速度传感器，陀螺仪传感器，磁传感器，压力传感器或温度传感器。传感器组件314还可以包括ToF传感器，用于获取三维图像。并且接近光传感器和ToF传感器与OLED显示屏的安装位置可以参考图1，在此不再赘述。

通信组件316被配置为便于电子设备300和其他设备之间有线或无线方式的通信。电子设备300可以接入基于通信标准的无线网络，如Wi-Fi，2G，3G，4G或5G，或它们的组合。在一个示例性实施例中，通信组件316经由广播信道接收来自外部广播管理系统的广播信号或广播相关信息。在一个示例性实施例中，所述通信组件316还包括近场通信(NFC)模块，以促进短程通信。例如，在NFC模块可基于射频识别(RFID)技术，红外数据协会(IrDA)技术，超宽带(UWB)技术，蓝牙(BT)技术和其他技术来实现。

在示例性实施例中，电子设备300可以被一个或多个应用专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理设备(DSPD)、可编程逻辑器件(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、控制器、微控制器、微处理器或其他电子元件实现，用于执行上述方法。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (6)

1.一种OLED显示屏，其特征在于，包括用于显示的第一区域；所述第一区域中OLED器件中的PN结被配置为，与预设光线的波长相匹配以吸收所述预设光线避免OLED器件发光而出现光斑；所述PN结的深度与掺杂材料的浓度正相关并且通过提高掺杂材料的浓度增加PN结的深度；所述PN结的深度对应为波长1000nm～1500nm的红外光；所述OLED器件的PN结设置有掺杂材料，所述掺杂材料为锗或者锗和硅二者混合掺杂。

2.根据权利要求1所述的OLED显示屏，其特征在于，所述第一区域中OLED器件中PN结的深度为与所述预设光线的波长相匹配的深度；其中所述PN结深度为P区和N区交界面的厚度。

3.根据权利要求1所述的OLED显示屏，其特征在于，所述掺杂材料的禁带宽度与所述预设光线的波长相匹配。

4.一种电子设备，其特征在于，包括OLED显示屏和发光器件；所述发光器件为接近光传感器；所述发光器件设置在所述OLED显示屏的下方，且所述发光器件所发射光线覆盖所述OLED显示屏的第一区域；所述第一区域中OLED器件中的PN结被配置为，与预设光线的波长相匹配以吸收所述预设光线避免OLED器件发光而出现光斑；所述PN结的深度与掺杂材料的浓度正相关并且通过提高掺杂材料的浓度增加PN结的深度；所述PN结的深度对应为波长1000nm～1500nm的红外光；所述OLED器件的PN结设置有掺杂材料，所述掺杂材料为锗或者锗和硅二者混合掺杂。

5.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，所述第一区域中OLED器件中PN结的深度为与所述发光器件所发射光线的波长相匹配的深度；其中所述PN结深度为P区和N区交界面的厚度。

6.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，所述掺杂材料的禁带宽度与所述预设光线的波长相匹配。