CN108881533A - 终端设备 - Google Patents

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Abstract

本公开是关于一种终端设备。该终端设备包括：显示屏，安装在终端设备的主体的一侧；距离传感组件，处于主体内部，包括朝向显示屏的透射区域发射红外光的发光部件，距离传感组件用于感测对象与终端设备之间的距离，其中，所透射区域对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值，使得红外光透过透射区域时不产生可见光。根据本公开的实施例，通过控制显示屏的透射区域对红外光的吸收系数小于或等于吸收阈值，使得距离传感组件发射的红外光透过透射区域时不产生可见光，从而避免屏幕显示光斑，提高了屏幕的显示效果。

Description

终端设备
技术领域
本公开涉及电子设备技术领域，尤其涉及一种终端设备。
背景技术
随着终端技术的不断发展，用户对终端设备(例如智能手机)的外观及性能要求也越来越高。其中，具有超高屏占比的全面屏终端的设计是人们广泛重视的发展方向。然而，全面屏要求将传感部件(例如距离传感器PSensor)置于屏幕下方，在相关技术中，放置于屏下的距离传感器的能量无法发射出来，其发光单元会激发屏幕显示光斑，导致屏幕显示效果变差。
发明内容
为克服相关技术中存在的问题，本公开提供一种终端设备，能够避免屏幕显示光斑，提高屏幕的显示效果。
根据本公开实施例的第一方面，提供一种终端设备，包括；
显示屏，安装在终端设备的主体的一侧；
距离传感组件，处于所述主体内部，包括朝向所述显示屏的透射区域发射红外光的发光部件，所述距离传感组件用于感测对象与所述终端设备之间的距离，
其中，所述透射区域对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值，使得红外光透过所述透射区域时不产生可见光。
在一种可能的实现方式中，所述显示屏的像素显示结构的PN结的掺杂浓度大于或等于浓度阈值，使得所述显示屏对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值。
在一种可能的实现方式中，所述显示屏的像素显示结构的PN结的掺杂材料对红外光的吸收系数小于或等于第二吸收阈值，使得所述显示屏对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值。
在一种可能的实现方式中，所述显示屏的透射区域的像素显示结构的PN结的掺杂浓度大于或等于浓度阈值，使得所述透射区域对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值。
在一种可能的实现方式中，所述显示屏的透射区域的像素显示结构的PN结的掺杂材料对红外光的吸收系数小于或等于第二吸收阈值，使得所述透射区域对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值。
在一种可能的实现方式中，所述发光部件发射的红外光在所述显示屏上的照射区域处于所述透射区域内。
在一种可能的实现方式中，所述透射区域包括所述显示屏的以下区域中的至少一个：左上区域、左下区域、右上区域及右下区域。
在一种可能的实现方式中，所述发光部件包括垂直腔面发射激光器VCSEL。
在一种可能的实现方式中，所述显示屏包括OLED显示屏。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过控制显示屏的透射区域对红外光的吸收系数小于或等于吸收阈值，使得距离传感组件发射的红外光透过透射区域时不产生可见光，从而避免屏幕显示光斑，提高了屏幕的显示效果。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
图1是根据一示例性实施例示出的一种终端设备的示意图。
图2是根据一示例性实施例示出的一种终端设备的显示屏的示意图。
图3是根据一示例性实施例示出的发光部件的照射区域的示意图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。
图1是根据一示例性实施例示出的一种终端设备的示意图。如图1所示，该终端设备包括：
显示屏12，安装在终端设备的主体11的一侧；
距离传感组件13，处于所述主体11内部，包括朝向所述显示屏12的透射区域发射红外光的发光部件，所述距离传感组件13用于感测对象与所述终端设备之间的距离，
其中，所述透射区域对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值，使得红外光透过所述透射区域时不产生可见光。
根据本公开实施例的终端设备，通过控制显示屏的透射区域对红外光的吸收系数小于或等于吸收阈值，使得距离传感组件发射的红外光透过透射区域时不产生可见光，从而避免屏幕显示光斑，提高屏幕的显示效果。
举例来说，该终端设备可例如为智能手机、平板电脑等终端。该终端设备可包括主体11、显示屏12及距离传感组件13。主体11可例如为终端设备的机身；显示屏12可安装在终端设备的主体11的一侧，用于显示终端设备的界面；距离传感组件13可例如为主体11内部的距离传感器PSensor或飞行时间TOF测距模块等。距离传感组件13置于显示屏12的下方，用于感测对象与终端设备之间的距离。
图2是根据一示例性实施例示出的一种终端设备的显示屏的示意图。在一种可能的实现方式中，显示屏12可包括OLED显示屏，距离传感组件13可设置在显示屏12的透射区域121的下方。如图2所示，透射区域121可以包括位于显示屏12右上方的矩形区域，由a(x1，y1)、b(x2，y2)、c(x3，y3)、d(x4，y4)四个顶点限定。
在一种可能的实现方式中，透射区域121与距离传感组件的位置相对应，可包括显示屏的以下区域中的至少一个：左上区域、左下区域、右上区域及右下区域。应当理解，透射区域可以位于显示屏的任何区域，本公开对透射区域及发光部件的具体位置不作限制。
在一种可能的实现方式中，距离传感组件可包括发光部件(未示出)，该发光部件可例如为垂直腔面发射激光器VCSEL。发光部件能够向显示屏的透射区域121发射红外光，红外光在显示屏12上的照射区域处于透射区域内，透过透射区域121而发射到终端设备的外部。如果有对象(例如人脸或物体)靠近终端设备，则红外光被对象反射回到终端设备并被距离传感组件接收，进而确定对象与终端设备之间的距离。
图3是根据一示例性实施例示出的发光部件的照射区域的示意图。在一种可能的实现方式中，发光部件发射的红外光在显示屏12上的照射区域处于透射区域内。如图3所示，透射区域121可以为矩形区域，包括m×n个像素点(例如图3中的11、12、13、…、1n、21、22、……、mn)，m、n为大于1的自然数。照射区域131可为透射区域121内部的圆形区域。应当理解，透射区域及照射区域均可以为其它形状，本公开对此不作限制。
在一种可能的实现方式中，显示屏的透射区域对红外光的吸收系数可小于或等于第一吸收阈值，使得红外光透过所述透射区域时不产生可见光。
举例来说，显示屏可包括多个像素显示结构(例如RGB像素显示单元)以显示屏幕的多个像素点，像素显示结构可由具有一个或多个PN结的半导体发光器件组成。可以对整个显示屏或对显示屏的透射区域进行设计，通过调整器件的尺寸、掺杂浓度、掺杂材料等，使得整个显示屏或透射区域对红外光的吸收系数小于或等于预先设定的第一吸收阈值，从而使得红外光透过透射区域时不产生可见光，避免屏幕显示光斑。该第一吸收阈值的范围可例如为1％-10％。应当理解，该第一吸收阈值的具体取值可根据实际情况确定，本公开对此不作限制。
其中，光在半导体中传播时的衰减是由于价带电子吸收光子而从价带跃迁到导带的结果，这种吸收光子的过程称为本征吸收。硅的本征吸收系数随入射光波长变化，在红外部分吸收系数小，紫外部分吸收系数大。从而，波长短的光子衰减快，穿透深度较浅，而波长长的光子则能进入硅的较深区域。
对于PN结来说，当某个频率v的光射入到PN结时，如果导致PN结内部原子周围电子吸收的光能量正好能够从基态(低能级E1)跃迁到激发态(高能级E2)(也即，E2＝E1+hv，其中h为普朗克常数)，则该频率v的光的波长就是该PN结吸收的波长。然而，吸收能量的电子并不稳定，会重新回到基态释放掉吸收的光子能量，因此会在显示屏上显示光斑。
当PN结的掺杂浓度较低时，PN结的深度较小(浅PN结)，其PN结内部电场较弱，即E2-E1所需要能量变小，吸收的光的频率v变小，光的波长向长波即红外部分移动，因此当PN结为浅PN结时，对红外部分的吸收加强。反之，当PN结的掺杂浓度较高时，PN结的深度较大(深PN结)，其PN结内部电场较强，即E2-E1所需要能量变大，吸收的光的频率v变大，光的波长向短波即紫外部分移动，因此当PN结为深PN结时，对红外部分的吸收减弱。
在一种可能的实现方式中，显示屏的像素显示结构的PN结的掺杂浓度大于或等于浓度阈值，使得所述显示屏对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值。如上所述，PN结的掺杂浓度较高时，对红外光的吸收减弱，从而可以控制整个显示屏的像素显示结构(RGB像素显示单元)的PN结掺杂浓度大于或等于预先设定的浓度阈值，使得显示屏对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值。其中，本公开对掺杂的浓度阈值的具体取值不作限制。通过这种方式，可以使得红外光透过透射区域时不产生可见光，从而避免屏幕显示光斑，提高屏幕的显示效果。
在一种可能的实现方式中，所述显示屏的透射区域的像素显示结构的PN结的掺杂浓度大于或等于浓度阈值，使得所述透射区域对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值。如上所述，PN结的掺杂浓度较高时，对红外光的吸收减弱，从而可以控制显示屏的透射区域的像素显示结构(RGB像素显示单元)的PN结掺杂浓度大于或等于预先设定的浓度阈值，使得显示屏对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值。其中，本公开对掺杂的浓度阈值的具体取值不作限制。通过这种方式，可以使得红外光透过透射区域时不产生可见光，从而避免屏幕显示光斑；同时，对显示屏的改动较少，降低了结构设计复杂度。
在一种可能的实现方式中，显示屏的像素显示结构的PN结的掺杂材料对红外光的吸收系数小于或等于第二吸收阈值，使得所述显示屏对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值。在该情况下，可以采用对红外光的吸收系数较低的掺杂材料(掺杂材料自身对红外光的吸收系数小于或等于第二吸收阈值)，对整个显示屏的像素显示结构(RGB像素显示单元)进行掺杂，使得像素显示结构的PN结对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值。其中，第二吸收阈值可以与第一吸收阈值相同或不同，第二吸收阈值的范围可例如为1％-15％。掺杂材料中的N型杂质可例如包括磷或锑等，P型杂质可例如包括硼或铟等。其中，本公开对第二吸收阈值的具体取值及掺杂材料的具体类型不作限制。通过这种方式，可以使得红外光透过透射区域时不产生可见光，从而避免屏幕显示光斑，提高屏幕的显示效果。
在一种可能的实现方式中，显示屏的透射区域的像素显示结构的PN结的掺杂材料对红外光的吸收系数小于或等于第二吸收阈值，使得所述透射区域对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值。在该情况下，可以采用对红外光的吸收系数较低的掺杂材料(掺杂材料自身对红外光的吸收系数小于或等于第二吸收阈值)，对显示屏的透射区域的像素显示结构(RGB像素显示单元)进行掺杂，使得透射区域的PN结对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值。其中，第二吸收阈值可以与第一吸收阈值相同或不同。掺杂材料中的N型杂质可例如包括磷或锑等，P型杂质可例如包括硼或铟等。其中，本公开对第二吸收阈值的具体取值及掺杂材料的具体类型不作限制。通过这种方式，可以使得红外光透过透射区域时不产生可见光，从而避免屏幕显示光斑；同时，对显示屏的改动较少，降低了结构设计复杂度。
根据本公开实施例的终端设备可包括全面屏移动设备，能够使得距离传感组件(例如距离传感器PSensor)设置于显示屏的下方，并抑制屏幕对红外波段的光的吸收，不会激发屏幕显示光斑，提高屏幕的显示效果。根据本公开的实施例，使得移动设备的距离传感器PSensor的设计灵活度提高，使得距离传感器对于移动设备的结构不再有任何开孔、颜色透过率的要求，降低距离传感器PSensor的结构设计复杂度，并优化了移动设备的外观。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (9)

1.一种终端设备，其特征在于，包括：
显示屏，安装在终端设备的主体的一侧；
距离传感组件，处于所述主体内部，包括朝向所述显示屏的透射区域发射红外光的发光部件，所述距离传感组件用于感测对象与所述终端设备之间的距离，
其中，所述透射区域对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值，使得红外光透过所述透射区域时不产生可见光。
2.根据权利要求1所述的终端设备，其特征在于，所述显示屏的像素显示结构的PN结的掺杂浓度大于或等于浓度阈值，使得所述显示屏对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值。
3.根据权利要求1所述的终端设备，其特征在于，所述显示屏的像素显示结构的PN结的掺杂材料对红外光的吸收系数小于或等于第二吸收阈值，使得所述显示屏对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值。
4.根据权利要求1所述的终端设备，其特征在于，所述显示屏的透射区域的像素显示结构的PN结的掺杂浓度大于或等于浓度阈值，使得所述透射区域对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值。
5.根据权利要求1所述的终端设备，其特征在于，所述显示屏的透射区域的像素显示结构的PN结的掺杂材料对红外光的吸收系数小于或等于第二吸收阈值，使得所述透射区域对红外光的吸收系数小于或等于第一吸收阈值。
6.根据权利要求1所述的终端设备，其特征在于，所述发光部件发射的红外光在所述显示屏上的照射区域处于所述透射区域内。
7.根据权利要求1所述的终端设备，其特征在于，所述透射区域包括所述显示屏的以下区域中的至少一个：左上区域、左下区域、右上区域及右下区域。
8.根据权利要求1所述的终端设备，其特征在于，所述发光部件包括垂直腔面发射激光器VCSEL。
9.根据权利要求1所述的终端设备，其特征在于，所述显示屏包括OLED显示屏。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111341803A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 北京小米移动软件有限公司 终端设备
CN111755609A (zh) * 2019-03-29 2020-10-09 北京小米移动软件有限公司 Oled显示屏、电子设备

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101318771A (zh) * 2008-07-18 2008-12-10 昆明理工大学 一种稀土掺杂的透明卤化物玻璃基质材料的制备方法
JP2011003588A (ja) * 2009-06-16 2011-01-06 Hamamatsu Photonics Kk 赤外線検出素子及びその製造方法
CN102304365A (zh) * 2011-05-23 2012-01-04 西安彩晶光电科技股份有限公司 极低光学各向异性混合液晶材料
CN101794548B (zh) * 2009-01-30 2013-07-31 株式会社日本显示器西 图像显示设备和电子设备
CN105932077A (zh) * 2016-06-17 2016-09-07 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 硅红外检光器的结构及其制作方法
CN107079136A (zh) * 2014-09-09 2017-08-18 奥林巴斯株式会社 摄像元件和内窥镜装置
US9848070B2 (en) * 2013-04-15 2017-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having bent end portions
WO2018012115A1 (ja) * 2016-07-12 2018-01-18 三菱電機株式会社 赤外線検出素子および赤外線検出素子の製造方法
WO2018021726A1 (ko) * 2016-07-29 2018-02-01 삼성전자 주식회사 카메라 모듈의 활성화를 제어하기 위한 전자 장치 및 방법
CN107920142A (zh) * 2017-11-22 2018-04-17 广东欧珀移动通信有限公司 电子装置
CN207282497U (zh) * 2017-10-13 2018-04-27 深圳芯启航科技有限公司 一种图像传感单元、图像传感器及显示装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101318771A (zh) * 2008-07-18 2008-12-10 昆明理工大学 一种稀土掺杂的透明卤化物玻璃基质材料的制备方法
CN101794548B (zh) * 2009-01-30 2013-07-31 株式会社日本显示器西 图像显示设备和电子设备
JP2011003588A (ja) * 2009-06-16 2011-01-06 Hamamatsu Photonics Kk 赤外線検出素子及びその製造方法
CN102304365A (zh) * 2011-05-23 2012-01-04 西安彩晶光电科技股份有限公司 极低光学各向异性混合液晶材料
US9848070B2 (en) * 2013-04-15 2017-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having bent end portions
CN107079136A (zh) * 2014-09-09 2017-08-18 奥林巴斯株式会社 摄像元件和内窥镜装置
CN105932077A (zh) * 2016-06-17 2016-09-07 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 硅红外检光器的结构及其制作方法
WO2018012115A1 (ja) * 2016-07-12 2018-01-18 三菱電機株式会社 赤外線検出素子および赤外線検出素子の製造方法
WO2018021726A1 (ko) * 2016-07-29 2018-02-01 삼성전자 주식회사 카메라 모듈의 활성화를 제어하기 위한 전자 장치 및 방법
CN207282497U (zh) * 2017-10-13 2018-04-27 深圳芯启航科技有限公司 一种图像传感单元、图像传感器及显示装置
CN107920142A (zh) * 2017-11-22 2018-04-17 广东欧珀移动通信有限公司 电子装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111341803A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 北京小米移动软件有限公司 终端设备
CN111341803B (zh) * 2018-12-18 2023-04-07 北京小米移动软件有限公司 终端设备
CN111755609A (zh) * 2019-03-29 2020-10-09 北京小米移动软件有限公司 Oled显示屏、电子设备
CN111755609B (zh) * 2019-03-29 2023-09-29 北京小米移动软件有限公司 Oled显示屏、电子设备

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