CN111753742A - 光电感应基板、平板探测器、指纹识别装置及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种光电感应基板、平板探测器、指纹识别装置及显示装置。光电感应基板包括：衬底；光电感应阵列，包括多个光电感应单元，每个光电感应单元包括光电二极管以及开关元件；多条数据线，每条数据线与对应一列光电感应单元连接；多条偏压线，每条偏压线包括主线部和支线部，每条偏压线的主线部位于对应一列光电感应单元的光电二极管与对应一条数据线之间，每个支线部将对应一个光电二极管与主线部连接，其中支线部包括过孔部和连接部，连接部将过孔部与主线部连接，其中，连接部在衬底上的正投影面积大于过孔部在衬底上的正投影面积。根据本发明实施例的光电感应基板，降低连接部断裂的概率，提高光电感应基板的可靠性。

Description

光电感应基板、平板探测器、指纹识别装置及显示装置

技术领域

本发明涉及光电检测领域，具体涉及一种光电感应基板、平板探测器、指纹识别装置及显示装置。

背景技术

随着科学技术的不断发展，包括光电感应阵列的光电感应基板在医学影像领域、指纹识别领域等方面得到广泛应用。其中光电感应基板的光电感应阵列包括多个光电二极管，该光电二极管例如是用于检测X射线、可见光等，并将X射线、可见光等光信号转换为电信号，实现光电信号的转换。

光电感应基板还包括与光电感应阵列电连接的多条偏压线。每个光电二极管经由对应的偏压线接收偏压信号。现有技术中，每条偏压线在光电感应基板的衬底上的正投影穿过一列光电二极管在衬底上的正投影设置，即每条偏压线同时跨设在一列光电二极管上，由于光电二极管的厚度较大，使得偏压线在跨过光电二极管边缘的位置处容易断裂，导致偏压线上该断裂位置下游的光电二极管无法接收偏压信号，致使光电感应基板工作异常。

发明内容

本发明提供一种光电感应基板、平板探测器、指纹识别装置及显示装置，降低偏压线的断裂风险，提高光电感应基板中偏压信号供应的可靠性。

第一方面，本发明实施例提供一种光电感应基板，其包括：衬底；光电感应阵列，位于衬底上，光电感应阵列包括排布为多行及多列的多个光电感应单元，每个光电感应单元包括光电二极管以及与光电二极管连接的开关元件；多条数据线，每条数据线沿光电感应阵列的列方向延伸，并与对应一列光电感应单元连接，其中每个光电感应单元的光电二极管通过开关元件与数据线连接，光电二极管能在开关元件处于导通状态下向数据线传输数据信号；多条偏压线，每条偏压线包括主线部和支线部，每条偏压线的主线部沿光电感应阵列的列方向延伸，并位于对应一列光电感应单元的光电二极管与对应一条数据线之间，每个支线部将对应一个光电二极管与主线部连接，其中支线部包括过孔部和连接部，过孔部通过过孔与光电二极管连接，过孔部在衬底上的正投影位于光电二极管在衬底上的正投影的内部，连接部将过孔部与主线部连接，其中，连接部在衬底上的正投影面积大于过孔部在衬底上的正投影面积。

第二方面，本发明实施例提供一种平板探测器，其包括本发明第一方面的前述任一实施方式的光电感应基板。

第三方面，本发明实施例提供一种指纹识别装置，其包括本发明第一方面的前述任一实施方式的光电感应基板。

第四方面，本发明实施例提供一种显示装置，其包括本发明第三方面的前述任一实施方式的指纹识别装置。

根据本发明实施例的光电感应基板，每条偏压线包括主线部和支线部，每条偏压线的主线部沿光电感应阵列的列方向延伸，并位于对应一列光电感应单元的光电二极管与对应一条数据线之间，每个支线部将对应一个光电二极管与主线部连接。由于偏压线的主线部延伸于对应一列光电感应单元的朝向对应数据线一侧，每个光电二极管通过对应的支线部与主线部连接，避免了主线部跨设于一列光电二极管设置，从而避免了整条偏压线出现故障的概率。在本发明实施例的光电感应基板中，即使其中一个支线部由于跨过光电二极管边缘时产生断裂，该偏压线的其余光电二极管仍然可以通过各自对应的支线部与主线部相连而接收偏压信号。当光电感应基板仅存在个别坏点(异常的光电二极管)时，其能够继续使用，避免光电感应基板的完全报废。偏压线通过支线部向各光电二极管提供偏压信号，使得进入每个光电感应单元的信号的电流更小，降低由于多次通电产生烧伤断线的概率，进一步提高光电感应基板的线路稳定性。

支线部包括过孔部和连接部，过孔部通过过孔与光电二极管连接，连接部将过孔部与主线部连接，其中，连接部在衬底上的正投影面积大于过孔部在衬底上的正投影面积。即，相对于过孔部，连接部一定程度增大了自身的面积，能够提高连接部在跨过起伏表面时的连接稳定性，降低连接部断裂的概率，进而提高支线部将光电二极管与偏压线的主线部相连接的稳定性，进而提高光电感应基板的偏压信号供应的可靠性。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。

图1是根据本发明一种实施例提供的光电感应基板的结构示意图；

图2是根据本发明一种实施例提供的光电感应基板中光电感应单元的俯视示意图；

图3是图2中A-A向的剖面示意图；

图4是图2中B-B向的剖面示意图；

图5是根据本发明又一实施例提供的光电感应基板中光电感应单元的俯视示意图；

图6是根据本发明又一实施例提供的光电感应基板中光电感应单元的俯视示意图；

图7是根据本发明又一实施例提供的光电感应基板中光电感应单元的俯视示意图；

图8是根据本发明又一实施例提供的光电感应基板中光电感应单元的俯视示意图；

图9是根据本发明又一实施例提供的光电感应基板中光电感应单元的俯视示意图。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。

本发明实施例提供一种光电感应基板，图1是根据本发明一种实施例提供的光电感应基板的结构示意图。光电感应基板100包括衬底110、光电感应阵列AR、多条数据线DL以及多条偏压线140。

光电感应阵列AR位于衬底110上。光电感应阵列AR包括排布为多行及多列的多个光电感应单元PX，每个光电感应单元PX包括光电二极管120以及与光电二极管120连接的开关元件130。

每条数据线DL沿光电感应阵列AR的列方向Y延伸，并与对应一列光电感应单元PX连接，其中每个光电感应单元PX的光电二极管120通过开关元件130与数据线DL连接，光电二极管120能在开关元件130处于导通状态下向数据线DL传输数据信号。

每条偏压线140沿光电感应阵列AR的列方向Y延伸，并与对应一列光电感应单元PX的光电二极管120连接。偏压线140用于向光电二极管120提供偏压(偏置电压)信号。

图2是根据本发明一种实施例提供的光电感应基板中光电感应单元的俯视示意图。如图1和图2，每条偏压线140包括主线部141和支线部142。每条偏压线140的主线部141沿光电感应阵列AR的列方向Y延伸于对应一列光电感应单元PX与对应一条数据线DL之间。每个支线部142将对应一个光电二极管120与主线部141连接。

一般地，光电二极管120的厚度较大，使得跨过光电二极管120边缘设置的布线结构容易在工艺制程中发生断裂。根据本发明实施例的光电感应基板100，由于偏压线140的主线部141延伸于对应一列光电感应单元PX的朝向对应数据线DL一侧，每个光电二极管120通过对应的支线部142与主线部141连接，避免了主线部141跨设于一列光电二极管120设置，从而避免了整条偏压线140出现故障的概率。在本发明实施例的光电感应基板100中，即使其中一个支线部142由于跨过光电二极管120边缘时产生断裂，该偏压线140的其余光电二极管120仍然可以通过各自对应的支线部142与主线部141相连而接收偏压信号。当光电感应基板100仅存在个别坏点(异常的光电二极管120)时，其能够继续使用，避免光电感应基板100的完全报废。偏压线140通过支线部142向各光电二极管120提供偏压信号，使得进入每个光电感应单元PX的信号的电流更小，降低由于多次通电产生烧伤断线的概率，进一步提高光电感应基板100的线路稳定性。支线部142包括过孔部和连接部，过孔部通过过孔与光电二极管连接，连接部将过孔部与主线部连接，其中，连接部在衬底上的正投影面积大于过孔部在衬底上的正投影面积。即，相对于过孔部，连接部一定程度增大了自身的面积，能够提高连接部在跨过起伏表面时的连接稳定性，降低连接部断裂的概率，进而提高支线部142将光电二极管120与偏压线140的主线部141相连接的稳定性，进而提高光电感应基板100的偏压信号供应的可靠性。

请继续参考图2，在一些实施例中，支线部142包括过孔部VP和连接部CP，过孔部VP通过过孔与光电二极管120连接，过孔部VP在衬底110上的正投影位于光电二极管120在衬底110上的正投影的内部，连接部CP将过孔部VP与主线部141连接。

在一些实施例中，连接部CP在衬底110上的正投影面积与过孔部VP在衬底110上的正投影面积相等，例如，连接部CP在衬底110上的正投影形状与过孔部VP在衬底110上的正投影形状相同且大小相等，连接部CP与过孔部VP材料相同且同时形成。

在一些实施例中，连接部CP在衬底110上的正投影面积大于过孔部VP在衬底110上的正投影面积。即，相对于过孔部VP，连接部CP一定程度增大了自身的面积，能够提高连接部CP在跨过起伏表面(光电二极管120的边缘)时的连接稳定性，降低连接部CP断裂的概率，进而提高支线部142将光电二极管120与偏压线140的主线部141相连接的稳定性，进而提高光电感应基板100的偏压信号供应的可靠性。

如图1和图2，光电感应基板100还可以包括多条扫描线SL。每条扫描线SL沿光电感应阵列AR的行方向X延伸，并与对应一行光电感应单元PX的开关元件130的控制端连接，多条扫描线SL用于分时选通多行光电感应单元PX的开关元件130。

在一些实施例中，光电感应基板100还可以包括数据驱动电路150、偏压供应电路160以及扫描驱动电路170，数据驱动电路150、偏压供应电路160以及扫描驱动电路170设置在衬底110上。数据驱动电路150与多条数据线DL电连接，以用于接收光电二极管120产生的数据信号。偏压供应电路160与多条偏压线140电连接，以用于经由多条偏压线140向光电二极管120提供偏压信号。扫描驱动电路170与多条扫描线SL电连接，以用于向多条扫描线SL配置分时选通的扫描信号。

图3是图2中A-A向的剖面示意图，图4是图2中B-B向的剖面示意图。在一些实施例中，光电二极管120包括半导体叠层121。其中，半导体叠层121包括依次叠设的第一导电类型半导体层、本征半导体层以及第二导电类型半导体层，其中第二导电类型半导体层位于第一导电类型半导体层的背离衬底110的一侧。第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层中的一者为N型半导体层，另一者为P型半导体层，使得光电二极管120位PIN二极管。在一个示例中，第一导电类型半导体层为N型半导体层，第二导电类型半导体为P型半导体层。

连接部CP在衬底110上的正投影，覆盖半导体叠层121在衬底110上的正投影的部分轮廓线。由于半导体叠层121的厚度较大，连接部CP覆盖半导体叠层121的部分轮廓线，使得连接部CP在形成过程中，在覆盖半导体叠层121轮廓线的位置处容易断裂，并且形成的连接部CP在多次通电后容易烧伤。

在一些实施例中，连接部CP包括与过孔部VP相接的第一连接端面S1。连接部CP的正投影覆盖的部分轮廓线的长度，大于连接部CP的第一连接端面S1在衬底110上的正投影的长度。根据上述实施例的光电感应基板100，连接部CP覆盖更长的连接部CP的轮廓线，能够降低连接部CP在形成过程中的断裂风险。此外，被连接部CP的正投影覆盖的部分轮廓线的长度，大于连接部CP的第一连接端面S1在衬底110上的正投影的长度，相当于增大了连接部CP的线宽，从而降低连接部CP的电阻，从而降低通电时连接部CP处产生的热量，一定程度缓解连接部CP烧伤的风险。因此，上述实施例中连接部CP更不易断裂或烧伤，提高了连接部CP电连接性能的稳定性，降低光电感应基板100中坏点产生的几率。

请继续参考图3和图4，光电二极管120还可以包括第一电极122，第一电极122位于半导体叠层121的背离衬底110侧，过孔部VP通过过孔与第一电极122连接。第一电极122可以是氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)等透明导电材料制成，使得光电二极管120的半导体叠层121能够接收穿过第一电极122的光线。

在一些实施例中，光电二极管120还可以包括第二电极123，第二电极123位于半导体叠层121的朝向衬底110侧，第二电极123与半导体叠层121连接，第二电极123与该光电二极管120对应的开关元件130连接。在一些实施例中，第二电极123与数据线DL同层设置，第二电极123可以与数据线DL采用同种导电材料制成，从而能够在同一图案化工艺中同时形成，节省光电感应基板100的制程步骤，提高光电感应基板100的制作效率。

在一些实施例中，光电感应基板100还包括缓冲层BF、栅绝缘层GI以及多个绝缘层。例如，如图3和图4，缓冲层BF位于衬底110上，其中缓冲层BF可以是氧化硅、氮化硅中的至少任一形成的单层或叠层。栅绝缘层GI位于缓冲层BF的背离衬底110的一侧，数据线DL以及第二电极123可以设置于栅绝缘层GI的背离衬底110的一侧。光电感应基板100还可以包括第一绝缘层IL1，第一绝缘层IL1位于数据线DL的背离衬底110的一侧。半导体叠层121以及第一电极122的一部分可以设置于第一绝缘层IL1的背离衬底110的一侧。光电感应基板100还可以包括第二绝缘层IL2，第二绝缘层IL2覆盖半导体叠层121以及第一电极122设置。偏压线140设置于第二绝缘层IL2的背离衬底110的一侧，其中，偏压线140的过孔部VP可以通过设置在第二绝缘层IL2上的过孔与第一电极122电连接。光电感应基板100还可以包括第三绝缘层IL3，第三绝缘层IL3覆盖偏压线140设置。其中，栅绝缘层GI、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、第三绝缘层IL3的材质可以是氧化硅、氮化硅等无机绝缘层。

请继续参考图2，在一些实施例中，连接部CP还包括与主线部141相接的第二连接端面S2。第一连接端面S1、第二连接端面S2分别位于连接部CP的沿光电感应阵列AR行方向X上的相对两端，其中，从第一连接端面S1到第二连接端面S2的方向上，连接部CP的沿光电感应阵列AR列方向Y的宽度增加。在一些实施方式中，从第一连接端面S1到第二连接端面S2的方向上，连接部CP的沿光电感应阵列AR列方向Y的宽度呈阶梯式增加，在另一些实施方式中，连接部CP的宽度呈线性逐渐增加，在其它一些实施方式中，连接部CP的宽度可以以其它方式增加。

在图2涉及的实施例中，从第一连接端面S1到第二连接端面S2的方向上，连接部CP的沿光电感应阵列AR列方向Y的宽度呈呈线性逐渐增加，使得连接部CP的形状大致为等腰梯形。通过将连接部CP的形状配置为从第一连接端面S1向第二连接端面S2的方向逐渐增宽，在保证连接部CP与光电二极管120的边缘轮廓具有较长交线以降低断裂风险的同时，使得主线部141与过孔部VP之间的连接部CP的图案具有更流畅的过渡，便于图案化工艺(例如刻蚀工艺)的实施，提高支线部142的制作成功率。

图5是根据本发明又一实施例提供的光电感应基板中光电感应单元的俯视示意图。在一些实施例中，每条偏压线140还包括遮光部143，遮光部143与主线部141连接，遮光部143在衬底110上的正投影覆盖至少部分开关元件130在衬底110上的正投影。不同强度的光线会对开关元件130的特性产生不同的影响，通过设置覆盖至少部分开关元件130的遮光部143，降低光线对开关元件130特性的影响，使得开关元件130的特性更稳定，从而提高光电感应基板100对光线感测的稳定性和灵敏度。

图6是根据本发明又一实施例提供的光电感应基板中光电感应单元的俯视示意图。在一些实施例中，半导体叠层121在衬底110上的正投影的轮廓线呈多边形，轮廓线包括与多边形的多条边分别对应的多个子轮廓线。例如，在图6涉及实施例中，半导体叠层121在衬底110上的正投影的轮廓线为六边形，因此轮廓线包括与六边形的六条边分别对应的六个子轮廓线。其中，连接部CP在衬底110上的正投影与至少两个子轮廓线交叠，使得连接部CP从至少两个方向连向过孔部VP，进一步降低连接部CP断裂的几率。

具体地，如图6，在一些实施例中，多个子轮廓线包括第一子轮廓线L1和第二子轮廓线L2，第一子轮廓线L1在多个子轮廓线中邻近偏压线140的主线部141设置，并且第一子轮廓线L1平行于主线部141延伸，第二子轮廓线L2与第一子轮廓线L1邻接。连接部CP包括第一子连接部SC1和第二子连接部SC2。第一子连接部SC1、第二子连接部SC2均连接于过孔部VP与主线部141之间，其中第一子连接部SC1在衬底110上的正投影与第一子轮廓线L1交叠，第二子连接部SC2在衬底110上的正投影与第二子轮廓线L2交叠。

由于连接部CP的第一子连接部SC1跨过第一子轮廓线L1，连接部CP的第二子连接部SC2跨过第二子轮廓线L2，其中第一子轮廓线L1与第二子轮廓线L2的延伸方向不同，使得连接部CP通过两个方向连向过孔部VP，当第一子连接部SC1、第二子连接部SC2中的其中一个断裂时，另一个仍然能将偏压线140的主线部141与过孔部VP电连接，进而仍然能够向光电二极管120提供偏压信号，提高偏压线140工艺制程的容错率，降低了连接部CP断裂的可能性。

图7是根据本发明又一实施例提供的光电感应基板中光电感应单元的俯视示意图。图7涉及实施例的主要结构与图6涉及实施例的主要结构相同，以下将对图7涉及实施例与图6涉及实施例的不同之处进行说明，相同之处不再详述。

多个子轮廓线包括第一子轮廓线L1和第二子轮廓线L2。连接部CP包括第一子连接部SC1和第二子连接部SC2。第一子连接部SC1、第二子连接部SC2均连接于过孔部VP与主线部141之间，其中第一子连接部SC1在衬底110上的正投影与第一子轮廓线L1交叠，第二子连接部SC2在衬底110上的正投影与第二子轮廓线L2交叠。在图7涉及实施例中，第二子连接部SC2与第一子连接部SC1相互连接，可选地，第二子连接部SC2与第一子连接部SC1互连为整片结构，该整片结构不含镂空区域。根据上述实施例的光电感应基板100，第二子连接部SC2与第一子连接部SC1互连为整片结构，使得连接部CP整体为非镂空结构，进而使得偏压线140整体为非镂空结构，便于在光电感应基板100的制作过程中对偏压线140的图案化工艺的实施，降低对图案化工艺的精度要求，降低光电感应基板100的制作成本。

图8是根据本发明又一实施例提供的光电感应基板中光电感应单元的俯视示意图。在一些实施例中，半导体叠层121在衬底110上的正投影的轮廓线呈多边形，轮廓线包括与多边形的多条边分别对应的多个子轮廓线。其中，连接部CP在衬底110上的正投影与至少两个子轮廓线交叠，使得连接部CP从至少两个方向连向过孔部VP，进一步降低连接部CP断裂的几率。

具体地，如图8，每条偏压线140还包括遮光部143。遮光部143与主线部141连接，遮光部143在衬底110上的正投影覆盖至少部分开关元件130在衬底110上的正投影。通过设置覆盖至少部分开关元件130的遮光部143，降低光线对开关元件130特性的影响，使得开关元件130的特性更稳定。在一些实施例中，连接部CP还与遮光部143连接，使得连接部CP与遮光部143连为整片结构，便于在光电感应基板100的制作过程中对连接部CP与遮光部143同时图案化形成，降低对图案化工艺的精度要求。

如图8，在一些实施例中，多个子轮廓线包括第三子轮廓线L3和第四子轮廓线L4。第三子轮廓线L3在多个子轮廓线中邻近偏压线140的主线部141且平行于主线部141延伸设置，第四子轮廓线L4与第三子轮廓线L3邻接。连接部CP包括第三子连接部SC3和第四子连接部SC4。第三子连接部SC3连接于过孔部VP与主线部141之间，第四子连接部SC4连接于过孔部VP与遮光部143之间，其中第三子连接部SC3在衬底110上的正投影与第三子轮廓线L3交叠，第四子连接部SC4在衬底110上的正投影与第四子轮廓线L4交叠。

连接部CP的第三子连接部SC3跨过第三子轮廓线L3，连接部CP的第四子连接部SC4跨过第四子轮廓线L4，其中第三子轮廓线L3与第四子轮廓线L4的延伸方向不同，使得连接部CP通过两个方向连向过孔部VP，当第三子连接部SC3、第四子连接部SC4中的其中一个断裂时，另一个仍然能将偏压线140的主线部141与过孔部VP电连接，进而仍然能够向光电二极管120提供偏压信号，提高偏压线140工艺制程的容错率，降低了连接部CP断裂的可能性。此外，连接部CP与遮光部143连为整片结构，进一步提高连接部CP的连接强度。

图9是根据本发明又一实施例提供的光电感应基板中光电感应单元的俯视示意图。在一些实施例中，半导体叠层121在衬底110上的正投影的轮廓线呈多边形，轮廓线包括与多边形的多条边分别对应的多个子轮廓线。其中，连接部CP在衬底110上的正投影与至少两个子轮廓线交叠，使得连接部CP从至少两个方向连向过孔部VP，进一步降低连接部CP断裂的几率。

具体地，如图9，多个子轮廓线包括第五子轮廓线L5、第六子轮廓线L6、第七子轮廓线L7。第五子轮廓线L5在多个子轮廓线中邻近偏压线140的主线部141且平行于主线部141延伸设置。第六子轮廓线L6与第五子轮廓线L5邻接，第六子轮廓线L6相对于主线部141的延伸方向倾斜设置。第七子轮廓线L7与第六子轮廓线L6邻接，第七子轮廓线L7垂直于主线部141的延伸方向设置。

连接部CP可以包括第五子连接部SC5、第六子连接部SC6、第七子连接部SC7。第五子连接部SC5、第六子连接部SC6、第七子连接部SC7均连接于过孔部VP与主线部141之间，其中第五子连接部SC5在衬底110上的正投影与第五子轮廓线L5交叠，第六子连接部SC6在衬底110上的正投影与第六子轮廓线L6交叠，第七子连接部SC7在衬底110上的正投影与第七子轮廓线L7交叠。

连接部CP的第五子连接部SC5跨过第五子轮廓线L5，连接部CP的第六子连接部SC6跨过第六子轮廓线L6，连接部CP的第七子连接部SC7跨过第七子轮廓线L7，其中第五子轮廓线L5、第六子轮廓线L6、第七子轮廓线L7的延伸方向不同，使得连接部CP通过三个方向连向过孔部VP，当第五子连接部SC5、第六子连接部SC6、第七子连接部SC7中的其中一个断裂时，另外至少一个仍然能将偏压线140的主线部141与过孔部VP电连接，进而仍然能够向光电二极管120提供偏压信号，提高偏压线140工艺制程的容错率，降低了连接部CP断裂的可能性。

本发明实施例还提供一种平板探测器，其可以包括前述本发明任一实施方式的光电感应基板100。光电感应基板100包括衬底110、光电感应阵列AR、多条数据线DL以及多条偏压线140。光电感应阵列AR位于衬底110上。光电感应阵列AR包括排布为多行及多列的多个光电感应单元PX，每个光电感应单元PX包括光电二极管120以及与光电二极管120连接的开关元件130。每条数据线DL沿光电感应阵列AR的列方向Y延伸，并与对应一列光电感应单元PX连接，其中每个光电感应单元PX的光电二极管120通过开关元件130与数据线DL连接，光电二极管120能在开关元件130处于导通状态下向数据线DL传输数据信号。每条偏压线140沿光电感应阵列AR的列方向Y延伸，并与对应一列光电感应单元PX的光电二极管120连接。偏压线140用于向光电二极管120提供偏压(偏置电压)信号。

每条偏压线140包括主线部141和支线部142。每条偏压线140的主线部141沿光电感应阵列AR的列方向Y延伸于对应一列光电感应单元PX与对应一条数据线DL之间。每个支线部142将对应一个光电二极管120与主线部141连接，避免了主线部141跨设于一列光电二极管120设置，从而避免了整条偏压线140出现故障的概率。在本发明实施例的平板探测器中，即使光电感应基板100的其中一个支线部142由于跨过光电二极管120边缘时产生断裂，该偏压线140的其余光电二极管120仍然可以通过各自对应的支线部142与主线部141相连而接收偏压信号。当光电感应基板100仅存在个别坏点(异常的光电二极管120)时，其能够继续使用，避免光电感应基板100的完全报废。偏压线140通过支线部142向各光电二极管120提供偏压信号，使得进入每个光电感应单元PX的信号的电流更小，降低由于多次通电产生烧伤断线的概率，进一步提高平板探测器的线路稳定性。

支线部142包括过孔部VP和连接部CP，过孔部VP通过过孔与光电二极管120连接，过孔部VP在衬底110上的正投影位于光电二极管120在衬底110上的正投影的内部，连接部CP将过孔部VP与主线部141连接。

在一些实施例中，连接部CP在衬底110上的正投影面积大于过孔部VP在衬底110上的正投影面积。即，相对于过孔部VP，连接部CP一定程度增大了自身的面积，能够提高连接部CP在跨过起伏表面(光电二极管120的边缘)时的连接稳定性，降低连接部CP断裂的概率，进而提高支线部142将光电二极管120与偏压线140的主线部141相连接的稳定性，进而提高平板探测器中的偏压信号供应的可靠性。

在一些实施例中，当平板探测器应用在X射线影像领域中，用于探测X射线影像时，光电感应阵列AR中的光电二极管120可以感测由X射线信号转换的可见光信号，并将该X射线信号转换的可见光信号转换为电信号。

本发明实施例还提供一种指纹识别装置，其可以包括前述本发明任一实施方式的光电感应基板100。其中，在指纹识别装置中，光电感应阵列AR中的光电二极管120可以是用于感测可见光的光电二极管。指纹识别装置可以接收手指表面反射的光线，其中光电二极管120能将可见光转换为电信号。指纹识别装置根据手指纹路的纹谷与纹脊对光线反射的差异产生不同的识别信息，从而能够识别不同的手指纹路信息。

本发明实施例还提供一种显示装置，其可以包括前述本发明任一实施方式的指纹识别装置，使得显示装置即可以显示图像，也可以实现指纹识别，提高显示装置的多功能集成能力，为实现屏幕指纹识别的技术提高硬件基础。

依照本发明如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (13)

1.一种光电感应基板，其特征在于，包括：

衬底；

光电感应阵列，位于所述衬底上，所述光电感应阵列包括排布为多行及多列的多个光电感应单元，每个所述光电感应单元包括光电二极管以及与所述光电二极管连接的开关元件；

多条数据线，每条所述数据线沿所述光电感应阵列的列方向延伸，并与对应一列所述光电感应单元连接，其中每个所述光电感应单元的所述光电二极管通过所述开关元件与所述数据线连接，所述光电二极管能在所述开关元件处于导通状态下向所述数据线传输数据信号；

多条偏压线，每条所述偏压线包括主线部和支线部，每条所述偏压线的主线部沿所述光电感应阵列的列方向延伸，并位于对应一列所述光电感应单元的光电二极管与对应一条所述数据线之间，每个所述支线部将对应一个所述光电二极管与所述主线部连接，其中所述支线部包括过孔部和连接部，所述过孔部通过过孔与所述光电二极管连接，所述过孔部在所述衬底上的正投影位于所述光电二极管在所述衬底上的正投影的内部，所述连接部将所述过孔部与所述主线部连接，其中，所述连接部在所述衬底上的正投影面积大于所述过孔部在所述衬底上的正投影面积。

2.根据权利要求1所述的光电感应基板，其特征在于，所述光电二极管包括半导体叠层，所述连接部在所述衬底上的正投影，覆盖所述半导体叠层在所述衬底上的正投影的部分轮廓线，所述连接部包括与所述过孔部相接的第一连接端面，

其中，所述连接部的正投影覆盖的所述部分轮廓线的长度，大于所述连接部的所述第一连接端面在所述衬底上的正投影的长度。

3.根据权利要求2所述的光电感应基板，其特征在于，所述连接部还包括与所述主线部相接的第二连接端面，所述第一连接端面、所述第二连接端面分别位于所述连接部的沿所述光电感应阵列行方向上的相对两端，其中，从所述第一连接端面到所述第二连接端面的方向上，所述连接部的沿所述光电感应阵列列方向的宽度增加。

4.根据权利要求2所述的光电感应基板，其特征在于，所述半导体叠层在所述衬底上的正投影的轮廓线呈多边形，所述轮廓线包括与所述多边形的多条边分别对应的多个子轮廓线，其中，所述连接部在所述衬底上的正投影与至少两个所述子轮廓线交叠。

5.根据权利要求4所述的光电感应基板，其特征在于，所述多个子轮廓线包括第一子轮廓线和第二子轮廓线，所述第一子轮廓线在所述多个子轮廓线中邻近所述偏压线的所述主线部设置，并且所述第一子轮廓线平行于所述主线部延伸，所述第二子轮廓线与所述第一子轮廓线邻接，

所述连接部包括第一子连接部和第二子连接部，所述第一子连接部、所述第二子连接部均连接于所述过孔部与所述主线部之间，其中所述第一子连接部在所述衬底上的正投影与所述第一子轮廓线交叠，所述第二子连接部在所述衬底上的正投影与所述第二子轮廓线交叠。

6.根据权利要求4所述的光电感应基板，其特征在于，每条所述偏压线还包括遮光部，所述遮光部与所述主线部连接，所述遮光部在所述衬底上的正投影覆盖至少部分所述开关元件在所述衬底上的正投影，其中，所述连接部还与所述遮光部连接。

7.根据权利要求6所述的光电感应基板，其特征在于，所述多个子轮廓线包括第三子轮廓线和第四子轮廓线，所述第三子轮廓线在所述多个子轮廓线中邻近所述偏压线的所述主线部且平行于所述主线部延伸设置，所述第四子轮廓线与所述第三子轮廓线邻接，

所述连接部包括第三子连接部和第四子连接部，所述第三子连接部连接于所述过孔部与所述主线部之间，所述第四子连接部连接于所述过孔部与所述遮光部之间，其中所述第三子连接部在所述衬底上的正投影与所述第三子轮廓线交叠，所述第四子连接部在所述衬底上的正投影与所述第四子轮廓线交叠。

8.根据权利要求4所述的光电感应基板，其特征在于，所述多个子轮廓线包括第五子轮廓线、第六子轮廓线、第七子轮廓线，所述第五子轮廓线在所述多个子轮廓线中邻近所述偏压线的所述主线部且平行于所述主线部延伸设置，所述第六子轮廓线与所述第五子轮廓线邻接，所述第六子轮廓线相对于所述主线部的延伸方向倾斜设置，所述第七子轮廓线与所述第六子轮廓线邻接，所述第七子轮廓线垂直于所述主线部的延伸方向设置，

所述连接部包括第五子连接部、第六子连接部、第七子连接部，所述第五子连接部、所述第六子连接部、所述第七子连接部均连接于所述过孔部与所述主线部之间，其中所述第五子连接部在所述衬底上的正投影与所述第五子轮廓线交叠，所述第六子连接部在所述衬底上的正投影与所述第六子轮廓线交叠，所述第七子连接部在所述衬底上的正投影与所述第七子轮廓线交叠。

9.根据权利要求2所述的光电感应基板，其特征在于，所述光电二极管还包括第一电极，所述第一电极位于所述半导体叠层的背离所述衬底侧，所述过孔部通过过孔与所述第一电极连接。

10.根据权利要求1所述的光电感应基板，其特征在于，还包括：

多条扫描线，每条所述扫描线沿所述光电感应阵列的行方向延伸，并与对应一行所述光电感应单元的所述开关元件的控制端连接，所述多条扫描线用于分时选通多行所述光电感应单元的所述开关元件。

11.一种平板探测器，其特征在于，包括根据权利要求1至10任一项所述的光电感应基板。

12.一种指纹识别装置，其特征在于，包括根据权利要求1至10任一项所述的光电感应基板。

13.一种显示装置，其特征在于，包括根据权利要求12所述的指纹识别装置。

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