CN111739956A - 激光se电池的制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 64
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 64
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 31
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 11
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 6
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920000137 polyphosphoric acid Polymers 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 abstract description 7
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 2
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 2
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N molecular nitrogen;molecular oxygen Chemical group N#N.O=O DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/0288—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table characterised by the doping material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种激光SE电池的制备方法，包括激光掺杂和去PSG，还包括液相沉积磷源和热氧化，在激光掺杂之后，先液相沉积磷源，再热氧化，且热氧化在去PSG之前实施。本发明可以使轻掺区的近表面区有更多的活性P原子反应生成PSG，使轻掺区的PSG层增厚，使轻掺区的活性磷原子数目减少，降低轻掺区近表面区的掺杂浓度，而重掺区表面浓度基本不变，达到定向调控轻掺区的目的，从而使电池片表面复合减少，开压提高，电性能更优。
Description
技术领域
本发明涉及激光SE电池的制备方法。
背景技术
太阳能光伏发电，由于其清洁、安全、便利及高效等特点，已成为全世界普遍关注和重点发展的新兴产业。近年来晶硅太阳能电池片生产迅速发展，技术不断进步。
当前太阳能技术中，PERC技术生产已经成熟化，为了提升转化率，选择SE技术是各光伏企业的首选。在PERC+SE的技术路线中，轻掺区的作用主要是形成内建电场使电子-空穴对分开，而重掺区则要起到与金属接触的作用，二者对掺杂曲线的要求不同。激光掺杂技术的应用使金属接触部分进一步优化，但激光掺杂能量有限，更高的激光能量在获得更好金属接触的同时，造成的激光损伤使重掺区缺陷数目增加，电性能受到影响。为平衡金属接触与激光损伤带来的电性能增益与损失，轻掺区的掺杂无法进一步降低，制约了电性能上升的空间。
在此基础上，进一步优化选择性发射极的制备过程，使轻掺区的掺杂能进一步降低，对轻掺区的扩散分布进行定向调控显得尤为重要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种激光SE电池的制备方法，其可以使轻掺区的近表面区有更多的活性P原子反应生成PSG，使轻掺区的PSG层增厚，使轻掺区的活性磷原子数目减少，降低轻掺区近表面区的掺杂浓度，而重掺区表面浓度基本不变，达到定向调控轻掺区的目的，从而使电池片表面复合减少，开压提高，电性能更优。
为实现上述目的，本发明提供一种激光SE电池的制备方法，包括激光掺杂和去PSG，还包括液相沉积磷源和热氧化，在激光掺杂之后，先液相沉积磷源，再热氧化，且热氧化在去PSG之前实施。
优选的，所述液相沉积磷源采用旋涂、喷涂或滚涂。
优选的，所述磷源为磷酸、P2O5或多聚磷酸。
优选的，所述磷源的浓度为0.05～2.5mol/L。
优选的，所述磷源的沉积厚度为0.1～20μm。
优选的，所述热氧化在链式炉或管式炉中实施。
优选的，所述热氧化的氛围为氧气、氮氧混合气或水氧混合气。
优选的，所述热氧化的温度为650～900℃。
优选的，所述热氧化的时间为30s～1h。
优选的，上述激光SE电池的制备方法，其具体步骤包括：
1）硅片正面去除损伤层再制绒；
2）对完成制绒的硅片进行管式扩散；
3）对完成管式扩散的硅片进行激光掺杂，在硅片正面形成重掺区；
4）对完成激光掺杂的硅片进行液相沉积磷源，沉积的磷源覆盖硅片正面；
5）对完成液相沉积的硅片进行热氧化，使轻重掺区重新分布；
6）对完成热氧化的硅片进行去PSG和去边结；
7）对完成去PSG和去边结的硅片进行镀膜，在硅片正面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜；
8）对完成镀膜的硅片进行丝印和烧结，印刷背电极、背电场和正电极，再进行烧结，电极金属化，得到具有选择性发射极的电池片。
本发明的优点和有益效果在于：提供一种激光SE电池的制备方法，其可以使轻掺区的近表面区有更多的活性P原子反应生成PSG，使轻掺区的PSG层增厚，使轻掺区的活性磷原子数目减少，降低轻掺区近表面区的掺杂浓度，而重掺区表面浓度基本不变，达到定向调控轻掺区的目的，从而使电池片表面复合减少，开压提高，电性能更优。
激光掺杂完成后，会在硅片正面形成轻掺区和重掺区，重掺区的PSG层被激光破坏，而轻掺区的PSG层保留。本发明在激光掺杂和去PSG之间增加液相沉积磷源和热氧化，由于轻掺区PSG层的存在，热氧化过程中，液相沉积的磷源扩散，轻掺区的PSG层会起到阻挡作用，会有大量自由P堆积在Si/SiO2界面，在氧气的作用下，自由P反应生成大量的P2O5，并进一步与界面处的Si反应生成PSG，从而使轻掺区的PSG层增厚，轻掺区的活性P原子数目减少，轻掺区出现近表面区掺杂浓度下降的现象；而重掺区由于PSG层被激光破坏，发生的反应与轻掺区扩散过程不一致，因而不会出现明显掺杂变化趋势。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明提供一种激光SE电池的制备方法，包括如下步骤：
1）硅片正面去除损伤层再制绒；
2）对完成制绒的硅片进行管式扩散；
3）对完成管式扩散的硅片进行激光掺杂，在硅片正面形成重掺区；
4）对完成激光掺杂的硅片进行液相沉积磷源，沉积的磷源覆盖硅片正面；液相沉积磷源采用旋涂、喷涂或滚涂；磷源为磷酸、P2O5或多聚磷酸的有机溶液；磷源的浓度为0.05～2.5mol/L；磷源的沉积厚度为0.1～20μm；
5）对完成液相沉积的硅片进行热氧化，使轻重掺区重新分布；热氧化在链式炉或管式炉中实施，氛围为氧气、氮氧混合气或水氧混合气，温度为650～900℃，时间为30s～1h；
6）对完成热氧化的硅片进行去PSG和去边结；
7）对完成去PSG和去边结的硅片进行镀膜，在硅片正面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜；
8）对完成镀膜的硅片进行丝印和烧结，印刷背电极、背电场和正电极，再进行烧结，电极金属化，得到具有选择性发射极的电池片。
本发明的具体实施例如下：
实施例1
一种激光SE电池的制备方法，包括如下步骤：
1）硅片正面去除损伤层再制绒；
2）对完成制绒的硅片进行管式扩散，以氮气为携磷气体，三氯氧磷为磷源，扩散温度为750℃，扩散时间为20min；
3）对完成管式扩散的硅片进行激光掺杂，在硅片正面形成重掺区；激光功率为28W，频率为246kHz；
4）对完成激光掺杂的硅片进行液相沉积磷源，沉积的磷源覆盖硅片正面；液相沉积磷源采用旋涂；磷源为磷酸的有机溶液；磷源的浓度为1.0mol/L；磷源的沉积厚度为5μm；
5）对完成液相沉积的硅片进行热氧化，使轻重掺区重新分布；热氧化在链式炉或管式炉中实施，氛围为氧气，温度为650℃，时间为100s；
6）对完成热氧化的硅片进行去PSG和去边结，在0.2wt%浓度HF中反应300s去除PSG和边结；
7）对完成去PSG和去边结的硅片进行镀膜，在硅片正面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜；
8）对完成镀膜的硅片进行丝印和烧结，印刷背电极、背电场和正电极，再进行烧结，电极金属化，得到具有选择性发射极的电池片。
对比例1
在实施例1的基础上，区别仅在于省去步骤4）和步骤5），其他工艺步骤和工艺条件不变。
实施例1所得电池片与对比例1所得电池片的测试对比如表1所示：
表1 实施例1所得电池片与对比例1所得电池片的测试对比
实施例2
一种激光SE电池的制备方法，包括如下步骤：
1）硅片正面去除损伤层再制绒；
2）对完成制绒的硅片进行管式扩散，以氮气为携磷气体，三氯氧磷为磷源，扩散温度为780℃，扩散时间为20min；
3）对完成管式扩散的硅片进行激光掺杂，在硅片正面形成重掺区；激光功率为30W，频率为240kHz；
4）对完成激光掺杂的硅片进行液相沉积磷源，沉积的磷源覆盖硅片正面；液相沉积磷源采用喷涂；磷源为P2O5的有机溶液；磷源的浓度为2.5mol/L；磷源的沉积厚度为5μm；
5）对完成液相沉积的硅片进行热氧化，使轻重掺区重新分布；热氧化在链式炉或管式炉中实施，氛围为氮氧混合气，温度为680℃，时间为50s；
6）对完成热氧化的硅片进行去PSG和去边结；在0.2wt%浓度HF中反应300s去除PSG和边结；
7）对完成去PSG和去边结的硅片进行镀膜，在硅片正面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜；
8）对完成镀膜的硅片进行丝印和烧结，印刷背电极、背电场和正电极，再进行烧结，电极金属化，得到具有选择性发射极的电池片。
对比例2
在实施例2的基础上，区别仅在于省去步骤4）和步骤5），其他工艺步骤和工艺条件不变。
实施例2所得电池片与对比例2所得电池片的测试对比如表2所示：
表2 实施例2所得电池片与对比例2所得电池片的测试对比
实施例3
一种激光SE电池的制备方法，包括如下步骤：
1）硅片正面去除损伤层再制绒；
2）对完成制绒的硅片进行管式扩散,以氮气为携磷气体，三氯氧磷为磷源，扩散温度为800℃，扩散时间为20min；
3）对完成管式扩散的硅片进行激光掺杂，在硅片正面形成重掺区；激光功率为30W，频率为240kHz；
4）对完成激光掺杂的硅片进行液相沉积磷源，沉积的磷源覆盖硅片正面；液相沉积磷源采用滚涂；磷源为多聚磷酸的有机溶液；磷源的浓度为2.5mol/L；磷源的沉积厚度为10μm；
5）对完成液相沉积的硅片进行热氧化，使轻重掺区重新分布；热氧化在链式炉或管式炉中实施，氛围为水氧混合气，温度为680℃，时间为50s；
6）对完成热氧化的硅片进行去PSG和去边结，在0.2wt%浓度HF中反应300s去除PSG和边结；
7）对完成去PSG和去边结的硅片进行镀膜，在硅片正面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜；
8）对完成镀膜的硅片进行丝印和烧结，印刷背电极、背电场和正电极，再进行烧结，电极金属化，得到具有选择性发射极的电池片。
对比例3
在实施例3的基础上，区别仅在于省去步骤4）和步骤5），其他工艺步骤和工艺条件不变。
实施例3所得电池片与对比例3所得电池片的测试对比如表3所示：
表3 实施例3所得电池片与对比例3所得电池片的测试对比
上述各实施例和各对比例所得电池片的测试，其中的掺杂浓度测试，采用的测试设备为Wafer Profiler CVP21，测试标准为GB/T 14146-2009《硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法》；电性能测试，采用的测试设备为HALM测试仪，测试标准为JB/T 9478.3-2013《光电池测量方法 第3部分光电转换效率》。
由上述各实施例、对比例以及表1至表3中的数据对比可知：
1）热氧化使结深有所增加，辅助磷源扩散，轻掺区的近表面区活性磷源进一步反应生成PSG，使近表面区磷源浓度下降，开压上升，使最终电性能有所上升。
2）通过调整磷源种类与浓度，轻掺区的近表面区磷源浓度下降明显，开压提升，使电性能有所提升。
3）通过调整磷源及推进氛围，轻掺区近表面区浓度下降明显，使最终开压提升明显，电性能上升。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.激光SE电池的制备方法，包括激光掺杂和去PSG，其特征在于，还包括液相沉积磷源和热氧化，在激光掺杂之后，先液相沉积磷源，再热氧化，且热氧化在去PSG之前实施。
2.根据权利要求1所述的激光SE电池的制备方法，其特征在于，所述液相沉积磷源采用旋涂、喷涂或滚涂。
3.根据权利要求2所述的激光SE电池的制备方法，其特征在于，所述磷源为磷酸、P2O5或多聚磷酸。
4.根据权利要求3所述的激光SE电池的制备方法，其特征在于，所述磷源的浓度为0.05～2.5mol/L。
5.根据权利要求4所述的激光SE电池的制备方法，其特征在于，所述磷源的沉积厚度为0.1～20μm。
6.根据权利要求5所述的激光SE电池的制备方法，其特征在于，所述热氧化在链式炉或管式炉中实施。
7.根据权利要求6所述的激光SE电池的制备方法，其特征在于，所述热氧化的氛围为氧气、氮氧混合气或水氧混合气。
8.根据权利要求7所述的激光SE电池的制备方法，其特征在于，所述热氧化的温度为650～900℃。
9.根据权利要求8所述的激光SE电池的制备方法，其特征在于，所述热氧化的时间为30s～1h。
10.根据权利要求9所述的激光SE电池的制备方法，其特征在于，其具体步骤包括：
1）硅片正面去除损伤层再制绒；
2）对完成制绒的硅片进行管式扩散；
3）对完成管式扩散的硅片进行激光掺杂；
4）对完成激光掺杂的硅片进行液相沉积磷源；
5）对完成液相沉积的硅片进行热氧化；
6）对完成热氧化的硅片进行去PSG和去边结；
7）对完成去PSG和去边结的硅片进行镀膜；
8）对完成镀膜的硅片进行丝印和烧结。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010609709.7A CN111739956B (zh) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 激光se电池的制备方法 |
| PCT/CN2021/087702 WO2022001294A1 (zh) | 2020-06-30 | 2021-04-16 | 激光 se 电池的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010609709.7A CN111739956B (zh) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 激光se电池的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111739956A true CN111739956A (zh) | 2020-10-02 |
| CN111739956B CN111739956B (zh) | 2022-04-26 |
Family
ID=72653539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010609709.7A Active CN111739956B (zh) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 激光se电池的制备方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111739956B (zh) |
| WO (1) | WO2022001294A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN111739956B (zh) * | 2020-06-30 | 2022-04-26 | 常州时创能源股份有限公司 | 激光se电池的制备方法 |
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2020
- 2020-06-30 CN CN202010609709.7A patent/CN111739956B/zh active Active
-
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- 2021-04-16 WO PCT/CN2021/087702 patent/WO2022001294A1/zh active Application Filing
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111739956B (zh) | 2022-04-26 |
| WO2022001294A1 (zh) | 2022-01-06 |
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