CN111710695A - 有机发光二级体显示面板之像素的修补方法 - Google Patents

有机发光二级体显示面板之像素的修补方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111710695A
CN111710695A CN202010494434.7A CN202010494434A CN111710695A CN 111710695 A CN111710695 A CN 111710695A CN 202010494434 A CN202010494434 A CN 202010494434A CN 111710695 A CN111710695 A CN 111710695A
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
display panel
film layer
extending direction
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010494434.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111710695B (zh
Inventor
谢伟佳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202010494434.7A priority Critical patent/CN111710695B/zh
Publication of CN111710695A publication Critical patent/CN111710695A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111710695B publication Critical patent/CN111710695B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • H01L21/76892—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern
    • H01L21/76894—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern using a laser, e.g. laser cutting, laser direct writing, laser repair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种有机发光二级体显示面板之像素的修补方法，包括以下步骤：检测显示面板的像素缺陷位置；使用第一激光对所述像素缺陷位置所对应的所述显示面板的第一膜层进行切割，使得位于所述第一膜层之下的第二膜层露出；以及使用第二激光对所述第二膜层进行切割，完成对像素的修补。

Description

有机发光二级体显示面板之像素的修补方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及于一种有机发光二级体显示面板之像素的修补方法。
背景技术
作为新一代显示技术，有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)显示面板具有低功耗，高色域，高亮度，高分辨率，宽视角，高响应速度等优点，广泛受到市场的青睐。
对于顶发光OLED器件，如果由于制程的缺陷造成3T1C(即包括三个薄膜电晶体(thin film transistor,TFT)和一个储存电容(storage capacitor))电路发生短路和断路，则会使面板出现亮点或暗点，另一方面，在发光层制程中，引入粉尘会导致像素阴阳极短路而出现像素暗点。此时则需要对像素进行修复，以达到出货的标准。然而，对于顶发光OLED器件，TFT面和发光面不在同一个面，所以如果采用在TFT面进行走线修复的话，势必需要对面板进行翻转以查看像素的发光情况，这样便需要确保面板经过翻转后仍然能精确对位。因此需要开发新的能将面板翻转的修复机台，然而即便开发完成，其修复时间过长也是个需要解决的问题。
另外一个可行的修复方式是直接从发光面进行修复，在发光面进行修复的话，激光需要经过多层有机膜层后才能对金属走线进行切割，这样就需要很大的激光能量，会对膜层造成很大的损伤面积，有可能会影响到邻近像素的发光效果，从而影响显示屏的品质。目前适合修复液晶显示(liquid crystal display,LCD)面板的机台在修复OLED产品时存在切不断金属走线的问题，其原因是顶发光OLED结构中金属线上覆盖了许多有机膜层，导致激光没有足够的能量到达底下的金属膜层，无法将金属线切断，其修复成功率很难有保证。
发明内容
本申请的目的在于解决在修复像素时，激光没有足够的能量到达底下的金属膜层，无法将金属线切断，修复成功率较低的技术问题。
本申请提供提供一种有机发光二级体显示面板之像素的修补方法，包括以下步骤：
检测显示面板的像素缺陷位置；
使用第一激光对所述像素缺陷位置所对应的所述显示面板的第一膜层进行切割，使得位于所述第一膜层之下的第二膜层露出；以及
使用第二激光对所述第二膜层进行切割，完成对像素的修补。
在本申请的一个实施例中，所述第一激光的延伸方向与所述第二激光的延伸方向不相同。
在本申请的一个实施例中，所述第一激光的延伸方向与所述第一膜层的延伸方向呈预设角度。
在本申请的一个实施例中，所述第一激光的延伸方向藉由调整发射所述第一激光的激光头的延伸方向而改变。
在本申请的一个实施例中，所述第二激光的延伸方向与所述第二膜层的延伸方向垂直。
在本申请的一个实施例中，所述第一膜层包括有机膜层。
在本申请的一个实施例中，所述第二膜层包括金属膜层。
在本申请的一个实施例中，所述第一激光之波长与所述第二激光之波长不相同。
在本申请的一个实施例中，所述第一激光之波长大于所述第二激光之波长。
在本申请的一个实施例中，所述显示面板为顶发光型的主动式阵列有机发光二级体显示面板。
本申请提出一种新的像素修复方法，采用两段激光对像素进行修复。第一段先用波长较长的激光去除有机膜层，露出底下的金属走线；第二段则使用波长较短的激光将金属走线切断，以修复像素。由于第一段激光波长较长，能量较小，对有机膜层损伤较小，且与面板呈一定角度，其能够在膜层损伤面积最小的情况下将有机膜层去除，从而露出底下的金属走线；第二段激光波长较短，能量较大，能够有效将金属走线切断，而由于上面没有有机膜层，第二段激光的能量损失小，能够有效将金属走线切断且不会造成很大的损伤面积，解决了现有技术在修复像素时，激光没有足够的能量到达底下的金属膜层，无法将金属线切断，修复成功率较低的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
附图中，
图1为本申请实施例所提供的有机发光二级体显示面板之像素的修补方法的步骤流程图。
图2为本申请实施例所提供的有机发光二级体显示面板之像素的修补方法的步骤S2之示意图。
图3为本申请实施例所提供的有机发光二级体显示面板之像素的修补方法的步骤S3之示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
请参考图1，本申请提供提供一种有机发光二级体显示面板之像素的修补方法，包括以下步骤：
S1：检测显示面板的像素缺陷位置；
S2：使用第一激光对所述像素缺陷位置所对应的所述显示面板之第一膜层进行切割，使得位于所述第一膜层之下的第二膜层露出；以及
S3：使用第二激光对所述第二膜层进行切割，完成对像素的修补。
关于所述步骤S2之详细解释，请参考图2，在检测出显示面板1的像素缺陷位置后，使用由第一激光头2发出的第一激光200切割所述像素缺陷位置所对应的所述显示面板1之第一膜层12，使得位于所述第一膜层12之下的第二膜层11露出。需要说明的是，本实施例中的所述显示面板1为顶发光型的主动式阵列有机发光二级体显示面板，所述第一膜层12可以包括平坦层、像素介电层，黑色矩阵层、彩色滤光片等有机膜层，所述第一激光头2之延伸方向可以被调整使得其发射的所述第一激光200能够与所述第一膜层12的延伸方向呈一预设角度。
关于所述步骤S3之详细解释，请参考图3，使用由第二激光头3所发出的第二激光300对所述第二膜层11进行切割，以完成对像素的修补，使得面板上的光暗点问题被消除。具体地，所述第二膜层11可以包括源/漏极层和栅级层等金属膜层，所述第二激光300的延伸方向可以与所述第二膜层11的延伸方向垂直。
如图2和图3所示，通过将所述第一激光头2的延伸方向设置成与所述第一膜层12的延伸方向呈一预设角度，并将所述第二激光头3的延伸方向设置成与所述第二膜层11的延伸方向垂直，可以在不切换激光头的情况下同时以两种不同波长的激光对所述显示面板1的同一位置进行切割，节省了机台修复像素所需花费的时间。此外，设置所述第一激光头2的主要目的是发射所述第一激光200将有机膜层切断(推开)使得所述第二激光头3发射的所述第二激光300能够对像素进行修复，而通过将所述第一激光头2的延伸方向设置成与所述第一膜层12的延伸方向呈一预设角度能够有利于达成以上效果。
需要说明的是，图2和图3中的所述显示面板1仅出示及说明了本方法在修复像素时需要被切割的些许膜层，所述显示面板1还可以包括其他膜层。例如，所述显示面板1还可以包括位于所述第一膜层12之上的玻璃盖板13，以以及位于所述第一膜层12与所述玻璃盖板13之间或是位于所述第一膜层12与所述第二膜层11之间的透明阴极层(未示出)，然而以上膜层对激光的吸收较弱，因此大部份激光均能穿过上述膜层以聚焦到所述第一膜层12以完成切割，进而修复像素。当然，所述显示面板1还可以包括位于所述第二膜层11之下的玻璃衬底10。任何使用了数种不同波长的激光分别对显示面板中的有机膜层和金属膜层进行切割以修补像素的方法都应属于本申请的保护范围。
由于切割金属膜层所需要花费比切割有机膜层更多的能量，因此，用来切割所述第一膜层12(有机膜层)的所述第一激光200具有较长的波长(533nm～1064nm，在本实施例中所述第一激光200的波长为1064nm)，即具有较低的能量，而用来切割所述第二膜层11(金属膜层)的所述第二激光300具有较短的波长(266nm～532nm，在本实施例中所述第二激光300的波长为532nm)，即具有较高的能量，上述两种激光的波长可以根据被切割的样品或者是工艺流程的不同进行调整。通过两种不同波长激光的配置，能够在修复像素的同时将不需要被切割的有机膜层和金属膜层的损伤率降到最低，由于两激光是从所述显示面板1的发光面进行切割，因此所述显示面板1不需要被翻转，使用现有用于LCD的激光修复装置便能完成对OLED像素的修复，节省了开发新机台的成本和时间，并且解决了现有技术在修复像素时，激光没有足够的能量到达底下的金属膜层，无法将金属线切断，修复成功率较低的技术问题。
图2和图3中的所述第一激光头2和所述第二激光头3可以被安装在现有用于LCD的激光修复装置上，由于上述装置属于现有技术，其完整结构图并未被完整画出。
需要说明的是，本实施例所提出的有机发光二级体显示面板之像素的修补方法能够在Array基板阶段(即各个膜层的制备阶段)被实施。例如，当有机膜层制备完成时，经检测发现金属线需要被修复，便可直接使用所述第一激光200和第二激光300分别切割所述有机膜层和所述金属线以对像素进行修复，这样能够提高修复效率。另一方面，本实施例所提出的有机发光二级体显示面板之像素的修补方法也能够在Cell基板阶段(即显示面板已完成封装)被实施，这样虽然激光会经过一些透明膜层才能到达有机膜层，但由于上述透明膜层对激光的吸收较弱，因此大部份激光均能穿过上述膜层以聚焦到所述有机膜层以完成切割，进而修复像素。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种有机发光二级体显示面板之像素的修补方法，其特征在于，包括以下步骤：
检测显示面板的像素缺陷位置；
使用第一激光对所述像素缺陷位置所对应的所述显示面板的第一膜层进行切割，使得位于所述第一膜层之下的第二膜层露出；以及
使用第二激光对所述第二膜层进行切割，完成对像素的修补。
2.根据权利要求1所述的有机发光二级体显示面板之像素的修补方法，其特征在于，所述第一激光的延伸方向与所述第二激光的延伸方向不相同。
3.根据权利要求2所述的有机发光二级体显示面板之像素的修补方法，其特征在于，所述第一激光的延伸方向与所述第一膜层的延伸方向呈预设角度。
4.根据权利要求3所述的有机发光二级体显示面板之像素的修补方法，其特征在于，所述第一激光的延伸方向藉由调整发射所述第一激光的激光头的延伸方向而改变。
5.根据权利要求2所述的有机发光二级体显示面板之像素的修补方法，其特征在于，所述第二激光的延伸方向与所述第二膜层的延伸方向垂直。
6.根据权利要求1所述的有机发光二级体显示面板之像素的修补方法，其特征在于，所述第一膜层包括有机膜层。
7.根据权利要求1所述的有机发光二级体显示面板之像素的修补方法，其特征在于，所述第二膜层包括金属膜层。
8.根据权利要求2所述的有机发光二级体显示面板之像素的修补方法，其特征在于，所述第一激光之波长与所述第二激光之波长不相同。
9.根据权利要求8所述的有机发光二级体显示面板之像素的修补方法，其特征在于，所述第一激光之波长大于所述第二激光之波长。
10.根据权利要求1所述的有机发光二级体显示面板之像素的修补方法，其特征在于，所述显示面板为顶发光型的主动式阵列有机发光二级体显示面板。
CN202010494434.7A 2020-06-03 2020-06-03 有机发光二级体显示面板之像素的修补方法 Active CN111710695B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010494434.7A CN111710695B (zh) 2020-06-03 2020-06-03 有机发光二级体显示面板之像素的修补方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010494434.7A CN111710695B (zh) 2020-06-03 2020-06-03 有机发光二级体显示面板之像素的修补方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111710695A true CN111710695A (zh) 2020-09-25
CN111710695B CN111710695B (zh) 2023-07-25

Family

ID=72538609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010494434.7A Active CN111710695B (zh) 2020-06-03 2020-06-03 有机发光二级体显示面板之像素的修补方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111710695B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030151053A1 (en) * 2000-01-10 2003-08-14 Yunlong Sun Processing a memory link with a set of at least two laser pulses
CN101611488A (zh) * 2006-12-08 2009-12-23 彩覇阳光株式会社 用激光对集成电路进行修正的方法及装置
CN101674914A (zh) * 2007-03-21 2010-03-17 光子动力学公司 多波长激光烧蚀
CN106711028A (zh) * 2016-12-21 2017-05-24 惠科股份有限公司 晶体管的修复方法和装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030151053A1 (en) * 2000-01-10 2003-08-14 Yunlong Sun Processing a memory link with a set of at least two laser pulses
CN101611488A (zh) * 2006-12-08 2009-12-23 彩覇阳光株式会社 用激光对集成电路进行修正的方法及装置
CN101674914A (zh) * 2007-03-21 2010-03-17 光子动力学公司 多波长激光烧蚀
CN106711028A (zh) * 2016-12-21 2017-05-24 惠科股份有限公司 晶体管的修复方法和装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN111710695B (zh) 2023-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11183536B2 (en) Display panel, repair method of display panel, and display device
US20220293637A1 (en) Array substrate and display panel
US7507590B2 (en) Method of manufacturing array substrate and method of manufacturing organic EL display device
TW201917811A (zh) 發光二極體質量傳遞設備及製造方法
CN100445853C (zh) 显示装置及显示装置的缺陷修复方法
US20220320383A1 (en) Substrate and method of manufacturing thereof
US11508763B2 (en) Method for manufacturing array substrate, array substrate and display device
CN101800195A (zh) 显示器件的制造方法和显示器件
US20210242290A1 (en) Display cell, display device, and method of manufacturing a display cell
US8759117B2 (en) Method of fabricating array substrate for organic electroluminescent device and method of repairing the same
US8525969B2 (en) Repair structure for liquid crystal display panel and repairing method thereof
US9153632B2 (en) Organic light emitting device display and manufacturing method thereof
CN111710695B (zh) 有机发光二级体显示面板之像素的修补方法
JP2008203636A (ja) アレイ基板の製造方法、表示装置の製造方法、アレイ基板及び表示装置
JP4508547B2 (ja) Ｅｌパネルの減光化方法およびｅｌパネル
CN113745297B (zh) Oled显示面板、像素修复方法及移动终端
KR101912336B1 (ko) 유기발광소자의 제조방법
JP4020674B2 (ja) 有機ｅｌパネルの減光化方法および有機ｅｌパネル
CN115802821B (zh) 显示面板及其制作方法和显示面板的修复方法
TWI842629B (zh) 顯示板
CN114497427A (zh) Oled显示面板的缺陷修复方法和oled显示装置
KR20120004000A (ko) 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법
KR20220091975A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법
WO2008156280A1 (en) Method of repairing flat pannel display
JP2003257634A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant