TWI842629B - 顯示板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種提升子像素的開口率的顯示板及顯示裝置。子像素包含含有基板上的第一主動圖案、第二主動圖案及第三主動圖案的第一子像素、第二子像素、第三子像素及第四子像素。第一主動圖案電性連接於第四訊號線路，第二主動圖案電性連接於第二訊號線路或第三訊號線路，且第三主動圖案電性連接於第一訊號線路，且第一主動圖案、第二主動圖案及第三主動圖案之至少一者包含切割區，所述第一子像素及第二子像素中的第一主動圖案及第二主動圖案的切割區域重疊發光區。

Description

顯示板
本發明的多個實施例涉及顯示板及顯示裝置。
顯示裝置包含薄膜電晶體(TFT)、多個導電層及發光元件。
在製造這種顯示裝置的製程中，諸如亮點或暗點的缺陷由於異物等而可能會發生於一些發光區中。一些顯示裝置執行修復製程以藉由將發生缺陷的發光區與驅動發光區的電路區斷開來防止缺陷。然而，此方法可能會減少顯示裝置的開口或修復製程的成功率。
本發明的多個實施例涉及能夠藉由使用透明主動圖案來防止或至少減少由於修復圖案導致的開口區的減少的顯示板及顯示裝置，所述透明主動圖案作為線路，也作為修復圖案。
本發明的多個實施例涉及能夠藉由在主動圖案上設置色彩濾波器、黑色堤部及塗布層之至少一者來防止陰極電極及陽極電極由於在修復製程期間照射的雷射而損壞的顯示板及顯示裝置。
本發明的多個實施例涉及藉由執行使用透明主動圖案作為修復圖案的修復製程來藉由因為雷射光無法到達陰極電極而防止陰極電極損壞，進而能夠防止或至少減少由於外部元素從設置於陰極電極上的封裝層穿透而導致的缺陷的顯示板及顯示裝置。
在一實施例中，顯示板包含：基板，包含多個子像素，這些子像素包含各包含發光區及圍繞發光區的非發光區的第一子像素、第二子像素、第三子像素及第四子像素；以及多個訊號線路，位於基板上，這些訊號線路包含彼此分離的第一訊號線路、第二訊號線路、第三訊號線路及第四訊號線路，其中第一子像素、第二子像素、第三子像素及第四子像素之各者包含基板上的多個主動圖案，這些主動圖案包含第一主動圖案、第二主動圖案及第三主動圖案，其中第一子像素、第二子像素、第三子像素及第四子像素之至少一者的第一主動圖案電性連接於該第四訊號線路，第一子像素、第二子像素、第三子像素及第四子像素之至少一者的第二主動圖案電性連接於第二訊號線路或第三訊號線路之一者，且第一子像素、第二子像素、第三子像素及第四子像素之至少一者的第三主動圖案電性連接於第一訊號線路，其中第一子像素、第二子像素、第三子像素及第四子像素之至少一者的第一主動圖案、第二主動圖案及第三主動圖案之至少一者包含切割區，用以將第一子像素、第二子像素、第三子像素及第四子像素之至少一者與這些訊號線路之至少一者斷開，其中第一子像素及第二子像素中的第一主動圖案及第二主動圖案的這些切割區重疊發光區，並且其中第三子像素及第四子像素中的第一主動圖案、第二主動圖案及第三主動圖案的這些切割區之至少一者位於非發光區中。
在一實施例中，顯示板包含：基板；堤部，位於基板上，堤部包含開口；子像素，位於基板上，子像素包含薄膜電晶體及連接於薄膜電晶體的發光元件，發光元件位於堤部的開口中且包含陽極電極、陽極電極上的發光層及發光層上的陰極電極；第一訊號線路，用以將第一訊號供應至子像素；以及第一主動圖案，包含將第一訊號線路及子像素斷開的第一切割區，第一切割區重疊發光元件，其中第一主動圖案包含具有氧化物的材料。
在一實施例中，顯示板包含：基板；堤部，位於基板上，堤部包含開口；子像素，位於基板上，子像素包含一膜電晶體及連接於薄膜電晶體的發光元件，發光元件位於堤部的開口中且包含陽極電極、陽極電極上的發光層及發光層上的陰極電極；訊號線路，用以將訊號供應至子像素；以及主動圖案，包含將訊號線路及子像素斷開的切割區，切割區重疊堤部且不重疊發光元件，其中主動圖案包含具有氧化物的材料。
根據本發明的多個實施例，可提供能夠藉由使用透明主動圖案來防止或至少減少由於修復圖案導致的開口區的減少的顯示板及顯示裝置，所述透明主動圖案作為線路，也作為修復圖案。
根據本發明的多個實施例，可提供能夠藉由在主動圖案上設置色彩濾波器、黑色堤部及塗布層之至少一者來防止陰極電極及陽極電極由於在修復製程期間照射的雷射而損壞的顯示板及顯示裝置。
根據本發明的多個實施例，可提供藉由執行使用透明主動圖案作為修復圖案的修復製程來藉由因為雷射光無法到達陰極電極而防止陰極電極損壞，使其能夠防止由於外部元素從設置於陰極電極上的封裝層穿透而導致的缺陷的顯示板及顯示裝置。
以下將參考圖式描述在本發明的多個示例或實施例的，在圖式中以說明的方式繪示了可實現的具體示例或實施例，且其中即使當相同的參考標號及符號在彼此不同的圖式中示出時，亦可用以指定相同或相似的構件。再者，在以下本發明的多個示例或實施例的描述中，當確定併入本文的已知功能及構件的詳細描述可能會使本發明的一些實施例中的標的變得不清楚時，將省略此詳細描述。本文中使用的諸如「包含」、「具有」、「包括」、「構成」及「由…組成」及「由…製成」之用語，除非與用語「僅」一起使用，否則通常旨在允許添加其他構件。如本文中所使用，除非上下文另有說明，否則單數形式旨在包含複數形式。
本文中可使用諸如「第一」、「第二」、「A」、「B」、「(a)」或「(b)」的用語以描述本發明的元件。這些用語之各者不用以界定元件的本質、次序、順序或數量等，僅用以從其他元件中辨識對應的元件。
當提及第一元件「連接或耦接」、「接觸或重疊」第二元件等時，應解釋為第一元件不僅可「直接連接或耦接」或「直接接觸或重疊」第二元件，亦可有第三元件「插設」於第一及第二元件之間，或者第一元件及第二元件可藉由第四元件彼此「連接或耦接」、「接觸或重疊」等。於此，第二元件可被包含於彼此「連接或耦接」、「接觸或重疊」等的兩個或更多個元件中的至少之一者中。
當使用諸如「之後」、「隨後」、「接下來」、「之前」等與時間相關的用語來描述元件或配置的製程或操作或者操作、製程、製造方法中的流程或步驟時，除非與用語「直接」或「立即」一起使用，否則這些用語可用以描述非連續或非順序的製程或操作。
此外，當提及任何尺度、相對尺寸等時，即使沒有指定相關描述，亦應認為元件或特徵的數值或者相應資訊(例如位準、範圍等)包含可能由各種因素(例如製程因素、內部或外部影響、噪音等)導致的公差或誤差範圍。再者，用語「可」完全涵蓋用語「能」的所含意。
以下參考圖式詳細描述本發明的各種實施例。
圖1為繪示根據本發明的多個實施例的顯示裝置的系統配置的圖。請參考圖1，根據本發明的多個實施例的顯示裝置100的顯示驅動系統可包含顯示板110及用以驅動顯示板110的顯示驅動電路。
顯示板110可包含顯示影像的顯示區DA及不顯示影像的非顯示區NDA。顯示板110可包含設置於基板SUB上用以顯示影像的多個子像素SP。舉例來說，這些子像素SP可設置於顯示區DA中。在一些情況中，至少一子像素SP可設置於非顯示區NDA中。設置於非顯示區NDA中的至少一子像素SP亦稱為虛擬子像素。
顯示板110可包含設置於基板SUB上以驅動這些子像素SP的多個訊號線路。舉例來說，這些訊號線路可包含連接於這些子像素SP的資料線路DL、閘極線路GL、驅動電壓線路等。訊號線路用以將訊號供應至這些子像素SP，所述訊號例如閘極訊號、資料訊號及電源訊號。
這些資料線路DL及這些閘極線路GL可彼此交叉。這些資料線路DL之各者可設置為在第一方向上延伸。這些閘極線路GL之各者可設置為在交叉第一方向的方向上延伸。於此第一方向可為行方向且交叉第一方向的方向可為列方向。
顯示驅動電路可包含資料驅動電路120、閘極驅動電路130以及控制資料驅動電路120及閘極驅動電路130的控制器140。資料驅動電路120可將對應於影像訊號的資料訊號(亦稱為資料電壓)輸出至這些資料線路DL。閘極驅動電路130可產生閘極訊號並將閘極訊號輸出至這些閘極線路GL。控制器140可轉換從外部主機150輸入的輸入影像資料以符合資料驅動電路120中使用的資料訊號格式，並將轉換的影像資料供應至資料驅動電路120。
資料驅動電路120可包含一或更多個源極驅動器積體電路。舉例來說，各源極驅動器積體電路可藉由捲帶式自動接合(TAB)法與顯示板110連接或藉由玻璃覆晶(COG)或板上覆晶(COP)法連接於顯示板110的接合墊，或可藉由薄膜附晶(COF)法實施並與顯示板110連接。
閘極驅動電路130可藉由捲帶式自動接合(TAB)法連接於顯示板110，藉由玻璃覆晶(COG)或板上覆晶(COP)法連接於顯示板110的接合墊，藉由薄膜附晶(COF)法連接於顯示板110，或可藉由板上閘極(GIP)法形成於顯示板110的非顯示區NDA中。
根據本發明的多個實施例的顯示裝置100可為顯示板110自體發光的自發光顯示裝置。舉例來說，根據本發明的多個實施例的顯示裝置100可為發光元件實施為有機發光二極體(OLED)的有機發光二極體顯示器。作為另一示例，根據本發明的多個實施例的顯示裝置100可為發光元件實施為基於無機材料的發光二極體的無機發光顯示裝置。作為另一示例，根據本發明的多個實施例的顯示裝置100可為發光元件實施為自發光半導體晶體的量子點的量子點顯示裝置。
圖2為繪示根據本發明的多個實施例的顯示裝置100的子像素SP的等效電路圖。
請參考圖2，在根據本發明的多個實施例的顯示裝置100中，各子像素SP可包含發光元件ED及用以驅動發光元件ED的像素驅動電路SPC。像素驅動電路SPC可包含驅動電晶體DRT、掃描電晶體SCT及儲存電容器Cst。
驅動電晶體DRT可控制流至發光元件ED以驅動發光元件ED的電流。掃描電晶體SCT可將資料電壓Vdata傳遞至第一節點N1，所述第一節點N1為驅動電晶體DRT的閘極節點。儲存電容器Cst可用以維持電壓預設的時間段。
發光元件ED可包含陽極電極AE、陰極電極CE及位於陽極電極AE及陰極電極CE之間的發光層EL。陽極電極AE可電性連接於驅動電晶體DRT的第二節點N2。
基極電壓EVSS可施加至陰極電極CE。舉例來說，發光元件ED可為有機發光二極體(OLED)、基於無機材料的發光二極體(LED)或量子點發光元件。
驅動電晶體DRT為用以驅動發光元件ED的電晶體，且可包含第一節點N1、第二節點N2及第三節點N3。第一節點N1為閘極節點且可電性連接於掃描電晶體SCT的源極節點或汲極節點。第二節點N2可為源極節點或汲極節點，且可電性連接於發光元件ED的陽極電極AE。第三節點N3可為汲極節點或源極節點，且可電性連接於供應驅動電壓EVDD的驅動電壓線路DVL。為了方便描述，在以下描述的示例中，第二節點N2可為源極節點且第三節點N3可為汲極節點。
掃描電晶體SCT可開關資料線路DL及驅動電晶體DRT的第一節點N1之間的連接。響應於從掃描線路SCL供應的掃描訊號SCAN，掃描電晶體SCT可控制驅動電晶體DRT的第一節點N1及這些資料線路DL中對應的資料線路DL之間的連接，所述掃描線路SCL為一種閘極線路GL。
掃描電晶體SCT的汲極節點或源極節點可電性連接於對應的資料線路DL。掃描電晶體SCT的源極節點或汲極節點可電性連接於驅動電晶體DRT的第一節點N1。掃描電晶體SCT的閘極節點可電性連接於掃描線路SCL以接收掃描訊號SCAN。掃描電晶體SCT可藉由導通位準電壓的掃描訊號SCAN導通並將從資料線路DL供應的資料電壓Vdata傳遞至驅動電晶體DRT的第一節點N1。
請參考圖2，儲存電容器Cst可配置於驅動電晶體DRT的第一節點N1及第二節點N2之間。
請參考圖2，在根據本發明的多個實施例的顯示裝置100中，各子像素SP的像素驅動電路SPC可進一步包含感測電晶體SENT。感測電晶體SENT可切換驅動電晶體DRT的第二節點N2及被施加參考電壓Vref的參考電壓線路RVL之間的連接。
響應於從掃描線路SCL供應的掃描訊號SCAN，感測電晶體SENT可控制電性連接於發光元件ED的陽極電極AE的驅動電晶體DRT的第二節點N2及這些參考電壓線路RVL中對應的參考電壓線路RVL之間的連接。圖2中，感測電晶體SENT的閘極節點及掃描電晶體SCT的閘極節點連接於相同掃描線路SCL，但這僅為用以方便描述的示例，感測電晶體SENT的閘極節點及掃描電晶體SCT的閘極節點可連接於不同掃描線路SCL。
感測電晶體SENT的汲極節點或源極節點可電性連接於參考電壓線路RVL。感測電晶體SENT的源極節點或汲極節點可電性連接於驅動電晶體DRT的第二節點N2且可電性連接於發光元件ED的陽極電極AE。感測電晶體SENT的閘極節點可電性連接於掃描線路SCL以接收掃描訊號SCAN。
驅動電晶體DRT、掃描電晶體SCT及感測電晶體SENT之各者可為n型電晶體或p型電晶體。
圖3為繪示根據本發明的多個實施例的顯示裝置的顯示區的一部分的平面圖。
請參考圖3，根據本發明的多個實施例的顯示板110可包含設置於顯示區DA中的多個子像素(第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3及第四子像素SP4)。
第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3及第四子像素SP4可分別包含第一發光區EA1、第二發光區EA2、第三發光區EA3及第四發光區EA4。舉例來說，如圖3中所繪示，第一子像素SP1可包含第一發光區EA1，第二子像素SP2可包含第二發光區EA2，第三子像素SP3可包含第三發光區EA3，且第四子像素SP4可包含第四發光區EA4。
第一發光區EA1可為紅色發光區，第二發光區EA2可為藍色發光區，第三發光區EA3可為白色發光區，且第四發光區EA4可為綠色發光區，但本發明的多個實施例不受限於此。
顯示板110可包含圍繞第一發光區EA1、第二發光區EA2、第三發光區EA3及第四發光區EA4的非發光區。
第一發光區EA1、第二發光區EA2、第三發光區EA3及第四發光區EA4可對應於堤部BK的開口，且非發光區可為設置有堤部BK的區域。
用以驅動設置於第一發光區EA1、第二發光區EA2、第三發光區EA3及第四發光區EA4中的發光元件的多個訊號線路可設置於非發光區中，且包含多個電晶體及多個儲存電容器的電路單元亦可設置於非發光區中。
舉例來說，請參考圖3，第一訊號線路SL1、第二訊號線路SL2、第三訊號線路SL3、第四訊號線路SL4及第五訊號線路SL5可設置於顯示板110的非發光區中。
請參考圖3，第一訊號線路SL1、第二訊號線路SL2、第三訊號線路SL3及第四訊號線路SL4可設置為彼此分離並在第一方向(例如行方向或垂直方向)上延伸。
第一訊號線路SL1可為驅動電壓線路，第二訊號線路SL2及第三訊號線路SL3可為資料線路，且第四訊號線路SL4可為參考電壓線路，但本發明的多個實施例不受限於此。
第五訊號線路SL5可設置為在第二方向(例如列方向或水平方向)上延伸，所述第二方向為交叉第一方向的方向。第五訊號線路SL5可重疊第一訊號線路SL1、第二訊號線路SL2、第三訊號線路SL3及第四訊號線路SL4。
第五訊號線路SL5可為掃描線路，但本發明的多個實施例不受限於此。
請參考圖3，顯示板110可包含分別重疊第一發光區EA1、第二發光區EA2、第三發光區EA3及第四發光區EA4的第一陽極電極AE1、第二陽極電極AE2、第三陽極電極AE3及第四陽極電極AE4。
具體來說，第一子像素SP1的第一發光區EA1可重疊第一陽極電極AE1之一部分，且第二子像素SP2的第二發光區EA2可重疊第二陽極電極AE2之一部分。再者，第三子像素SP3的第三發光區EA3可重疊第三陽極電極AE3之一部分，且第四子像素SP4的第四發光區EA4可重疊第四陽極電極AE4之一部分。
請參考圖3，第一發光區EA1可重疊第一色彩濾波器RCF，且第二發光區EA2可重疊第二色彩濾波器BCF。再者，色彩濾波器可不設置於第三發光區EA3中，但本發明的多個實施例不受限於此。
再者，在第一子像素SP1及第二子像素SP2中，第一色彩濾波器RCF及第二色彩濾波器BCF不僅可設置於第一發光區EA1及第二發光區EA2中，亦可設置於非發光區之一部分中。色彩濾波器(例如綠色色彩濾波器)亦可設置於第四子像素SP4中以對應於(例如重疊)第四子像素SP4的第四發光區EA4，且不設置於第四子像素SP4的非發光區中。
請參考圖3，根據本發明的多個實施例的顯示板110可包含重疊多個陽極電極中的至少一陽極電極的主動圖案。
舉例來說，第一陽極電極AE1及第二陽極電極AE2之各者可重疊至少一電性連接於訊號線路的主動圖案。
重疊第一陽極電極AE1及第二陽極電極AE2的主動圖案中的至少一主動圖案之一部分亦可重疊顯示板110的發光區EA。換句話說，至少一設置於顯示板110的顯示區DA中的主動圖案可重疊陽極電極及發光區。
具體來說，包含第一發光區EA1的第一子像素SP1可包含第一主動圖案321、第二主動圖案322及第三主動圖案323。
第一子像素SP1的電路單元可包含掃描電晶體SCT、感測電晶體SENT及驅動電晶體DRT(請看圖2)。
設置於第一子像素SP1中的第一主動圖案321可電性連接於第四訊號線路SL4。第二主動圖案322可電性連接於第二訊號線路SL2。第三主動圖案323可電性連接於第一訊號線路SL1。
第一主動圖案321可電性連接於第一子像素SP1的感測電晶體SENT，第二主動圖案322可電性連接於第一子像素SP1的掃描電晶體SCAN，且第三主動圖案323可電性連接於第一子像素SP1的驅動電晶體DRT。
設置於第一子像素SP1中的第一主動圖案321、第二主動圖案322及第三主動圖案323之各者可連接於設置於基板上的訊號線路以作為線路發揮功能。
如圖3中所繪示，包含於第一子像素SP1中的第一發光區EA1可重疊第一主動圖案321之一部分及第二主動圖案322之一部分。於此，第一主動圖案321之一部分亦可重疊第二發光區EA2之一部分。
第一主動圖案321及第二主動圖案322之至少一者可具有切割區CL，所述切割區CL為在修復製程期間照射有雷射光的部分。
主動圖案的切割區CL可為照射有雷射光以修復有缺陷的子像素SP的部分。藉由產生切割區CL從而將有缺陷的子像素SP與連接於包含切割區CL的主動圖案的訊號線路斷開來修復有缺陷的子像素SP。
當雷射光照射至主動圖案的切割區CL時，主動圖案可在切割區CL中被切割。當不照射雷射光時，主動圖案不會被切割且訊號可傳遞至薄膜電晶體。換句話說，可藉由在修復製程之後主動圖案是否被切割來識別切割區CL。再者，在沒有執行修復製程的主動圖案中，不會辨識出切割區CL。
在製造包含於顯示裝置中的顯示板的製程中，缺陷可能會由於異物等而發生於各子像素中。如上所述，當子像素有缺陷時，有缺陷的子像素可為了修復目的而停止運作。
修復製程可表示電性斷開至少一設置於子像素SP中的線路的製程。舉例來說，可藉由照射雷射光至電性連接於第一訊號線路SL1、第二訊號線路SL2、第三訊號線路SL3及第四訊號線路SL4之至少一者的線路，藉由破壞對應的線路及另一訊號線路之間的電性連接來完成修復製程。
在根據本發明的多個實施例的顯示板110中，第一主動圖案321、第二主動圖案322、第四主動圖案331、第五主動圖案332、第七主動圖案341、第八主動圖案342、第十主動圖案351及第十一主動圖案352可不僅作為在修復製程期間照射有雷射光的修復圖案，亦可作為線路。
舉例來說，請參考圖3，第二主動圖案322可包含至少一重疊第一陽極電極AE1及第一發光區EA1的區域中的第一切割區CL1。
再者，請參考圖3，第一主動圖案321在重疊第二子像素SP2的第二陽極電極AE2及第二發光區EA2的區域中可包含至少一第一切割區CL1。換句話說，第一主動圖案321作為用以將參考電壓訊號供應至第一子像素SP1的線路發揮功能，但可在第二子像素SP2設置的區域中具有第一切割區CL1。
然而，本發明的多個實施例不受限於此，且第一主動圖案321可在重疊第一陽極電極AE1的區域中或在重疊第一陽極電極AE1第一發光區EA1的區域中包含第一切割區CL1。
請參考圖3，包含第二發光區EA2的第二子像素SP2可包含第四主動圖案331、第五主動圖案332及第六主動圖案333。
第二子像素SP2的電路單元亦可包含掃描電晶體SCT、感測電晶體SENT及驅動電晶體DRT(請看圖2)。
第二子像素SP2的第四主動圖案331可電性連接於第四訊號線路SL4，且第五主動圖案332可電性連接於第三訊號線路SL3。第六主動圖案333可電性連接於第一訊號線路SL1。
請參考圖3，設置於第一子像素SP1的第三主動圖案323可具有從第六主動圖案333分岔的結構，但根據本發明的多個實施例的主動圖案的結構不受限於此。
第四主動圖案331可電性連接於第二子像素SP2的感測電晶體SENT，第五主動圖案332可電性連接於第二子像素SP2的掃描電晶體SCAN，且第六主動圖案333可電性連接於第二子像素SP2的驅動電晶體DRT。
設置於第二子像素SP2中的第四主動圖案331、第五主動圖案332及第六主動圖案333之各者可連接於設置於基板上的訊號線路以作為線路。
如圖3中所繪示，包含於第二子像素SP2中的第二陽極電極AE2及第二發光區EA2可重疊第四主動圖案331之一部分及第五主動圖案332之一部分。
第四主動圖案331及第五主動圖案332之至少一者可具有在修復製程部分照射有雷射光期間切割區CL。
舉例來說，請參考圖3，第四主動圖案331及第五主動圖案332之至少一者可在重疊第二陽極電極AE2及第二發光區EA2的區域中包含至少一第二切割區CL2。
請參考圖3，包含第三發光區EA3的第三子像素SP3可包含第七主動圖案341、第八主動圖案342及第九主動圖案343。
第三子像素SP3的電路單元可包含掃描電晶體SCT、感測電晶體SENT及驅動電晶體DRT(請看圖2)。
第三子像素SP3的第七主動圖案341可電性連接於第四訊號線路SL4，且第八主動圖案342可電性連接於第三訊號線路SL3。第九主動圖案343可電性連接於第一訊號線路SL1。
第七主動圖案341可電性連接於第三子像素SP3的感測電晶體SENT，第八主動圖案342可電性連接於第三子像素SP3的掃描電晶體SCAN，且第九主動圖案343可電性連接於第三子像素SP3的驅動電晶體DRT。
設置於第三子像素SP3中的第七主動圖案341、第八主動圖案342及第九主動圖案343之各者可連接於設置於基板上的訊號線路以作為線路。
請參考圖3，第七主動圖案341、第八主動圖案342及第九主動圖案343之各者之至少一部分可不重疊第三陽極電極AE3及第三發光區EA3。
於此，第三陽極電極AE3可與第一陽極電極AE1及第二陽極電極AE2設置於不同列中。舉例來說，當第一陽極電極AE1及第二陽極電極AE2設置於第n列中時，第三陽極電極AE3可設置於第n+1列(n為1或更大的正數)中。陽極電極設置的列可相對於第五訊號線路SL5劃分。
請參考圖3，第七主動圖案341、第八主動圖案342及第九主動圖案343中的第七主動圖案341及第八主動圖案342之至少一者可在重疊堤部BK的區域中包含至少一第三切割區CL3。換句話說，第三切割區CL3可設置於非發光區中。
提供於第七主動圖案341及第八主動圖案342中的第三切割區CL3可設置於第三子像素SP3的非發光區中。
第四子像素SP4的電路單元可包含掃描電晶體SCT、感測電晶體SENT及驅動電晶體DRT(請看圖2)。
第四子像素SP4的第十主動圖案351可電性連接於第四訊號線路SL4，且第十一主動圖案352可電性連接於第二訊號線路SL2。第十二主動圖案353可電性連接於第一訊號線路SL1。
第十主動圖案351可電性連接於第四子像素SP4的感測電晶體SENT，第十一主動圖案352可電性連接於第四子像素SP4的掃描電晶體SCAN，且第十二主動圖案353可電性連接於第四子像素SP4的驅動電晶體DRT。
設置於第四子像素SP4中的第十主動圖案351、第十一主動圖案352及第十二主動圖案353之各者可連接於設置於基板上的訊號線路以作為線路。
請參考圖3，第十主動圖案351、第十一主動圖案352及第十二主動圖案353之各者之一部分可不重疊第四陽極電極AE4及第四發光區EA4。
於此，第四陽極電極AE4可與第一陽極電極AE1及第二陽極電極AE2設置於不同列中。舉例來說，當第一陽極電極AE1及第二陽極電極AE2設置於第n列中時，第四陽極電極AE4可設置於第n+1列中。
請參考圖3，第十主動圖案351、第十一主動圖案352及第十二主動圖案353中的第十主動圖案351及第十一主動圖案352之至少一者可在重疊堤部BK的區域中包含至少一第四切割區CL4。換句話說，第四切割區CL4可設置於非發光區中。
舉例來說，第十主動圖案351可在第三子像素SP3的非發光區中包含至少一第四切割區CL4，且第十一主動圖案352可在第四子像素SP4的非發光區中包含至少一第四切割區CL4，但本發明的多個實施例不受限於此。第十主動圖案351的第四切割區CL4可提供於第四子像素SP4的非發光區中。
請參考圖3，電性連接於設置於第一子像素SP1及第二子像素SP2中的第二主動圖案322、第三主動圖案323、第五主動圖案332及第六主動圖案333的第一訊號線路SL1、第二訊號線路SL2及第三訊號線路SL3可與電性連接於設置於第三子像素SP3及第四子像素SP4中的第八主動圖案342、第九主動圖案343、第十一主動圖案352及第十二主動圖案353的第一訊號線路SL1、第二訊號線路SL2及第三訊號線路SL3為不同訊號線路。
再者，請參考圖3，電性連接於設置於第一子像素SP1及第二子像素SP2中的第一主動圖案321及第四主動圖案331的第四訊號線路SL4可與電性連接於設置於第三子像素SP3及第四子像素SP4中的第七主動圖案341及第十主動圖案351的第四訊號線路SL4為相同訊號線路。
請參考圖3，重疊第一發光區EA1、第二發光區EA2、第三發光區EA3及第四發光區EA4的第一主動圖案321、第二主動圖案322、第四主動圖案331、第五主動圖案332、第七主動圖案341及第十主動圖案351之至少一者可包含切割區CL。包含切割區CL的主動圖案可連接於資料線路或可連接於參考電壓線路。
如上所述，設置於第一子像素SP1及第二子像素SP2中的第一主動圖案321、第二主動圖案322、第四主動圖案331及第五主動圖案332之至少一者可在重疊一個陽極電極AE及一個發光區EA的區域中包含至少一切割區CL。
再者，設置於第三子像素SP3及第四子像素SP4中的第七主動圖案341、第八主動圖案342、第十主動圖案351及第十一主動圖案352之至少一者可在重疊堤部BK的區域中包含至少一切割區CL。
如上所述，雷射光可照射至提供於第一主動圖案321、第二主動圖案322、第四主動圖案331、第五主動圖案332、第七主動圖案341、第八主動圖案342、第十主動圖案351及第十一主動圖案352中的切割區CL，且照射有雷射光的區域可與其他構件電性斷開，且因此訊號可不施加至對應的子像素。
由於能修復第一子像素SP1及第二子像素SP2的第一主動圖案321、第二主動圖案322、第四主動圖案331及第五主動圖案332的第一切割區CL1及第二切割區CL2設置為重疊第一發光區EA1及第二發光區EA2，所以可在不減少顯示板110的開口率的情況下提供修復區。
再者，因為能夠修復第三子像素SP3及第四子像素SP4的第七主動圖案341、第八主動圖案342、第十主動圖案351及第十一主動圖案352的第三切割區CL3及第四切割區CL4設置為重疊堤部BK，所以可防止沒有設置色彩濾波器的區域中的混色，且因為剩餘的在修復製程中照射的雷射光被堤部BK吸收所以可防止陰極電極損壞。
以下參考圖4及圖5詳細描述包含切割區CL的主動圖案的結構。
圖4為根據一實施例的沿圖3的線A-B擷取的剖面圖。圖5為繪示在修復第一子像素或第二子像素的製程中雷射照射至主動圖案的示意圖。
請參考圖4，根據本發明的多個實施例的顯示板110可包含至少一設置於基板401上的薄膜電晶體及設置於薄膜電晶體上的第一發光元件ED1。
薄膜電晶體可包含主動層403、閘極電極405、源極電極407及汲極電極408。
第一發光元件ED1可包含第一陽極電極AE1、發光層EL及陰極電極CE。
圖4中，電性連接於第一發光元件ED1的薄膜電晶體可為驅動電晶體DRT。
圖4中所繪示的電晶體的結構可與設置於顯示區DA中的掃描電晶體SCAN或感測電晶體SENT的結構相同，且可與設置於非顯示區NDA中的電晶體的結構相同。
請參考圖4，光遮蔽層LS可設置於基板401上。
光遮蔽層LS可用以防止或至少減少入射於設置於子像素SP中的主動層403的通道區上的光。
緩衝層402可設置於光遮蔽層LS上。
緩衝層402可包含無機絕緣材料，例如氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或氮氧化矽(SiON)，但本發明不受限於此。
圖4中，緩衝層402可具有單層體結構，但本發明的緩衝層402可具有多層結構。
如果緩衝層402具有多層結構，包含諸如氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或氮氧化矽(SiON)的無機材料中的至少兩個無機絕緣材料的層體可交互設置，但本發明不受限於此。
薄膜電晶體的主動層403及第二主動圖案322可設置於緩衝層402上。
請參考圖4，主動層403可包含第一主動層403a及設置於第一主動層403a上的第一輔助電極403b及第二輔助電極403c。
第一輔助電極403b及第二輔助電極403c可設置為在第一主動層403a上彼此分離且不重疊第一主動層403a的通道區。第一主動層403a的通道區可重疊閘極電極405。
第二主動圖案322可包含設置於第一圖案322a上的第二圖案322b。
第一主動層403a及第一圖案322a可包含氧化物半導體材料。氧化物半導體材料為藉由透過摻雜氧化物材料來控制導電度及調整能帶間隙而生產的半導體材料，且通常可為具有寬的能帶間隙的透明半導體材料。舉例來說，氧化物半導體材料可包含氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鉻(CdO)、氧化銦(InO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅鎵錫(ZITO)、氧化銦鎵鋅錫(IGZTO)等。當第一主動層403a為氧化物半導體材料時，包含第一主動層403a的薄膜電晶體稱為氧化物薄膜電晶體。
第一輔助電極403b、第二輔助電極403c及第二圖案322b可包含導電氧化物。舉例來說，導電氧化物可包含透明導電氧化物(TCO)、氮氧化物、有機材料等之至少一者。舉例來說，透明導電氧化物(TCO)可包含氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、摻雜鋁的氧化鋅(AZO)、摻雜鎵的氧化鋅(GZO)、氧化銻錫(ATO)及摻雜氟的透明氧化物(FTO)之一或更多者。氮氧化物可包含氮氧化鋅(ZnON)等。
第一輔助電極403b設置於第一主動層403a及汲極電極408之間以電性連接第一主動層403a及汲極電極408。第二輔助電極403c可設置於第一主動層403a及源極電極407之間以電性連接第一主動層403a及源極電極407。
閘極絕緣膜404可設置於第一主動層403a上。
閘極絕緣膜404可設置於第一主動層403a的通道區上。
閘極電極405可設置於閘極絕緣膜404上。
請參考圖4，層間絕緣膜406可設置於設置有的閘極電極405的基板上。
請參考圖4，層間絕緣膜406可包含暴露第一輔助電極403b及第二輔助電極403c各自的頂面之部分的接觸孔。
汲極電極408可設置於層間絕緣膜406上且藉由接觸孔接觸第一輔助電極403b的頂面之一部分。源極電極407可設置於層間絕緣膜406上且藉由接觸孔接觸第二輔助電極403c的頂面之一部分。
如上所述，第一輔助電極403b可為調節第一主動層403a及汲極電極408之間的電性連接的輔助電極，且第二輔助電極403c可為調節第一主動層403a及源極電極407之間的電性連接的輔助電極。
再者，請參考圖4，層間絕緣膜406可設置為圍繞第二主動圖案322的頂面及側面。
第一色彩濾波器RCF可設置於層間絕緣膜406上。如圖4中所繪示，第一色彩濾波器RCF可設置為重疊第二主動圖案322之至少一部分。
第二主動圖案322之至少一部分及第一色彩濾波器RCF之至少一部分可重疊第一發光區EA1。
塗布層409可設置於設置有第一色彩濾波器RCF的基板401上。
第一發光元件ED1的第一陽極電極AE1可設置於塗布層409上。
第一陽極電極AE1可藉由提供於塗布層409中的接觸孔電性連接於薄膜電晶體的源極電極407。儘管圖4繪示第一陽極電極AE1連接於薄膜電晶體的源極電極407的結構，但根據本發明實施例的顯示板110的結構不受限於此，且第一陽極電極AE1可連接於薄膜電晶體的汲極電極408。
再者，請參考圖4，堤部BK可設置於塗布層409的頂面及第一陽極電極AE1之一部分上。
堤部BK可設置為重疊第一陽極電極AE1的頂面之一部分。堤部BK可設置為暴露第一陽極電極AE1的頂面之一部分。
堤部BK可在顯示板110的顯示區DA中界定發光區EA及非發光區NEA。舉例來說，顯示區DA中設置有堤部BK的區域可為非發光區NEA，且顯示區DA中沒有設置堤部BK的區域可為發光區EA。
第一發光元件ED1的發光層EL可設置於第一陽極電極AE1上。
儘管圖4繪示發光層EL為單一層體的結構，但本發明的多個實施例不受限於此。發光層EL可由多層有機層形成。
第一發光元件ED1的陰極電極CE可設置於設置有發光層EL的基板401上。
第一陽極電極AE1可包含透明導電材料，且陰極電極CE可包含反射導電材料，但本發明的多個實施例不受限於此。
再者，圖4繪示第一陽極電極AE1及陰極電極CE為單一層體的結構，但本發明的多個實施例不受限於此，且第一陽極電極AE1及陰極電極CE可為兩個或更多個層體的多層體結構。
封裝層430可設置於陰極電極CE上。
封裝層430可包含設置於陰極電極CE上的第一封裝層431、設置於第一封裝層431上的第二封裝層432及設置於第二封裝層432上的第三封裝層433。第一封裝層431及第三封裝層433可包含無機絕緣材料，且第二封裝層432可包含有機絕緣材料。
請參考圖4，第二主動圖案322可在重疊第一發光區EA1的區域中包含至少一第一切割區CL1。
換句話說，在修復第一子像素SP1的製程中，雷射光可照射至存在於第一發光區EA1中的第二主動圖案322的第一切割區CL1。
根據本發明的多個實施例，可提供顯示板及顯示裝置，能夠藉由分別由氧化物半導體材料及透明導電材料形成第二主動圖案322的第一圖案322a及第二圖案322b且使用第二主動圖案322作為修復圖案來防止或至少減少開口區由於修復圖案而減少。
當藉由金屬層(例如閘極金屬)執行修復製程時，可使用波長較使用設置於根據本發明的各種實施例的顯示板110上的第二主動圖案322的修復製程所使用的雷射光長的雷射光。
當使用長波長的雷射光執行修復製程時，不僅照射有雷射光的修復圖案，包含金屬的其他線路或電極亦可能會由於雷射光的影響而無法正常運作，造成亮點或暗點或線。
再者，當金屬層作為修復圖案時，發光區EA的尺寸可能會由於面積被因其不透明性而應該要設置於非發光區中的修復圖案佔用而減少，導致防止雙重影像性能的劣化。
如圖4中所繪示，根據本發明的多個實施例的顯示板110使用包含由氧化物半導體材料形成的第一圖案322a及由透明導電材料形成的第二圖案322b的第二主動圖案322作為修復圖案，以使其修復製程相較於金屬層作為修復圖案時以短波長雷射光執行，因此防止其他線路在修復圖案期間損壞。
尤其，由於陰極電極CE不會被雷射光損壞，所以亦可防止可能會由可從設置於陰極電極CE上的封裝層430穿透的外部元素造成的二次缺陷。
請參考圖5，在第一子像素SP1的修復製程期間，雷射光可照射至第二主動圖案322從而使第二主動圖案322可被切割。
在修復製程中，雷射光照射至第二主動圖案322的區域具有一結構，所述結構中第一色彩濾波器RCF設置於第二主動圖案322上，塗布層409設置於第一色彩濾波器RCF上，第一陽極電極AE1設置於塗布層409上，且發光層EL及陰極電極CE設置於第一陽極電極AE1上。
如上所述，由於第一圖案322a由氧化物半導體材料形成且第二圖案322b由透明導電氧化物形成，所以相較於使用金屬作為修復圖案的情況可降低在修復製程期間的雷射功率。換句話說，可使用短波長雷射光執行修復製程。舉例來說，修復製程中照射的雷射的波長可為250奈米(nm)至350nm，且可使用波長為260nm至270nm的雷射光。
於此，第一圖案322a可具有在200埃(Å)至500Å的範圍中的厚度。當第一圖案322a的厚度小於200Å時，第一圖案322a的均勻性可能會劣化。再者，當第一圖案322a的厚度超過500Å時，作為線路的第一主動圖案321的電性特性可能會由於降低的遷移率(mobility)而劣化。
第二圖案322b可具有在70Å至100Å的範圍中的厚度。當第二圖案322b的厚度小於70Å時，包含第二圖案322b的第一主動圖案321的導電度可能會降低。再者，當第二圖案322b的厚度超過100Å時，包含透明導電氧化物的第二圖案322b的蝕刻速率增加，且因此製程時間可能會增加。
薄膜電晶體的多個其他主動圖案及主動層可形成於與形成包含第一圖案322a及第二圖案322b的第二主動圖案322的製程相同的製程中。
即便當低功率雷射光照射至包含第一圖案322a及第二圖案322b的第二主動圖案322時，雷射光之一部分會穿過第二主動圖案322且亦可影響設置於第二主動圖案322上的其他構件。
如圖5中所繪示，照射至第二主動圖案322的雷射光可切割第二主動圖案322且甚至可到達第一色彩濾波器RCF。
然而，由於修復根據本發明的多個實施例的顯示板110的子像素SP的製程中照射的雷射光的波長為250nm至350nm，所述雷射光不會穿過第一色彩濾波器RCF。
以下參考圖6詳細描述此現象。
圖6為繪示根據一實施例的各紅色色彩濾波器、綠色色彩濾波器及藍色色彩濾波器的波長的透射率的圖表。
請參考圖6，可確認到紅色色彩濾波器、綠色色彩濾波器及藍色色彩濾波器之各者根本不會透射350nm或更短的波長。
因此，由於照射至第二主動圖案322的雷射光不會穿過第一色彩濾波器RCF，所以所述雷射光不會到達設置於第一色彩濾波器RCF上的第一陽極電極AE1及陰極電極CE。換句話說，在第二主動圖案322的修復製程中，第一陽極電極AE1及陰極電極CE不會被雷射損壞。
儘管圖4及圖5繪示在修復第一子像素SP1的製程中雷射光照射至第二主動圖案322的第一切割區CL1的一示例，但結構及功效亦可施加至圖3中所示的第一子像素SP1及第二子像素SP2的第一切割區CL1及第二切割區CL2。
此外，在圖3中，可更包含用以修復第一子像素SP1的第五切割區CL5，且第五切割區CL5可提供於第一主動圖案321中。
以下參考圖描述此結構。
圖7為繪示修復圖3的第一子像素的製程中雷射照射至第一主動圖案的第五切割區CL5的示意圖。
請參考圖3及圖7，用以修復第一子像素SP1的第一主動圖案321的第五切割區CL5可設置於非發光區NEA中。
第一主動圖案321的第五切割區CL5可不重疊第一陽極電極AE1但可重疊堤部BK。
具體來說，請參考圖7，第一色彩濾波器RCF可設置於包含第五切割區CL5的第一主動圖案321上，塗布層409可設置於第一色彩濾波器RCF上，堤部BK可設置於塗布層409上，且發光層EL及陰極電極CE可設置於堤部BK上。
堤部BK可為黑色堤部。在一實施例中，黑色堤部為包含例如黑色墨水的黑色材料的堤部。
因為第一主動圖案321的第一圖案321a(例如第一層)由氧化物半導體材料形成且第一主動圖案321的第二圖案321b(例如第二層)由透明導電氧化物形成，所以可降低修復製程期間的雷射功率。
在修復製程中照射的雷射的波長可在250nm至350nm的範圍中，且可使用波長在260nm至270nm的範圍中的雷射光。
如圖7中所繪示，照射至第二主動圖案322的雷射光可切割第二主動圖案322從而將第一子像素SP1與第二訊號線路SL2斷開，且所述雷射光之一部分甚至可到達第一色彩濾波器RCF。
如上所述，第一色彩濾波器RCF可吸收雷射光而不透射雷射光。
然而，在根據本發明的多個實施例的顯示板110中，除了第一色彩濾波器RCF以外，黑色堤部BK亦可設置於具有照射有雷射的第五切割區CL5的第一主動圖案321上以保護設置於第一主動圖案321上的陰極電極CE，因此防止雷射光到達陰極電極CE。
以下參考圖8詳細描述此現象。
圖8為繪示透明堤部及黑色堤部之各者的各波長的透射率的圖表。
圖8繪示透明堤部及黑色堤部之各者在厚度為1.5微米(μm)的情況下的可見光波長範圍的透射率。
請參考圖8，可確認到透明堤部透射70%以上的可見光波長範圍。
另一方面，由於黑色堤部不會透射630nm或更短波長的光，可確認到黑色堤部不會透射波長為250nm至350nm的雷射光。
因此，當在修復第一子像素SP1的製程中雷射光照射至第二主動圖案322的第五切割區CL5時，可藉由設置於第二主動圖案322上的第一色彩濾波器RCF及堤部BK防止雷射光到達陰極電極CE，防止陰極電極CE由於雷射光而損壞。
綜上所述，在修復第一子像素SP1及第二子像素SP2製程中，第一主動圖案321、第二主動圖案322、第四主動圖案331及第五主動圖案332可照射有雷射光以將第一子像素SP1及第二子像素SP2與連接於第一主動圖案321、第二主動圖案322、第四主動圖案331及第五主動圖案332的訊號線路斷開，且照射有雷射光的切割區可存在於發光區EA或非發光區NEA中。
具體來說，當用以修復第一子像素SP1及第二子像素SP2的切割區存在於發光區(第一發光區EA1或第二發光區EA2)中時，具有切割區的主動圖案可重疊色彩濾波器(第一色彩濾波器RCF或第二色彩濾波器BCF)，防止雷射光到達陽極電極AE及陰極電極CE。
再者，當用以修復第一子像素SP1及第二子像素SP2的切割區存在於非發光區NEA中時，具有切割區的主動圖案可重疊色彩濾波器(第一色彩濾波器RCF或第二色彩濾波器BCF)及堤部BK，防止雷射光到達設置於堤部BK上的陰極電極CE。
同時，用以修復第三子像素SP3及第四子像素SP4的切割區可不重疊發光區EA(請看圖3)。
換句話說，用以修復第三子像素SP3及第四子像素SP4的切割區可僅設置於非發光區NEA中，以下參考圖9描述。
圖9為繪示修復圖3的第三子像素的製程中雷射照射至第七主動圖案341的第三切割區CL3的示意圖。
圖9繪示為當雷射光照射至第七主動圖案341的第三切割區CL3時第七主動圖案341被切割的示例性配置，但設置於第三子像素SP3中的第八主動圖案342可在提供有第三切割區CL3的區域中具有相同堆疊結構。再者，第四子像素SP4的第十主動圖案351及第十一主動圖案352亦可在第四切割區CL4存在的區域中具有與圖9的結構相同的堆疊結構。
請參考圖9，用以修復第三子像素SP3的第七主動圖案341的第三切割區CL3可設置於非發光區NEA中。
第七主動圖案341的第三切割區CL3可不重疊第三陽極電極AE3但可重疊堤部BK。
具體來說，請參考圖9，塗布層409可設置於包含第三切割區CL3的第七主動圖案341上，堤部BK可設置於塗布層409上，且發光層EL及陰極電極CE可設置於堤部BK上。
堤部BK可為黑色堤部。
因為第七主動圖案341的第一圖案341a由氧化物半導體材料形成且第七主動圖案341的第二圖案341b由透明導電氧化物形成，在修復製程期間可使用短波長雷射光。舉例來說，在修復製程中照射的雷射的波長可在250nm至350nm的範圍中，且可使用波長在260nm至270nm的範圍中的雷射光。
如圖9中所繪示，照射至第七主動圖案341的雷射光可切割第七主動圖案341從而將第三子像素SP3與第四訊號線路SL4斷開，且所述雷射光之一部分甚至可到達堤部BK。
如上所述，根據本發明的多個實施例的堤部BK不會透射630nm或更短波長的光，且因此可不透射波長為250nm至350 nm的雷射光。
因此，當在修復第三子像素SP3的製程中雷射光照射至第七主動圖案341的第三切割區CL3時，可藉由設置於第七主動圖案341上的堤部BK防止雷射光到達陰極電極CE，防止陰極電極CE損壞。
儘管圖3至圖9繪示照射雷射光至與第二訊號線路SL2或第三訊號線路SL3電性連接的主動圖案或與第四訊號線路SL4電性連接的主動圖案的配置，所述第二訊號線路SL2或第三訊號線路SL3為用以修復第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3及第四子像素SP4的資料線，所述第四訊號線路SL4為參考電壓線路，但本發明的多個實施例不受限於此。
請參考圖10至圖12，以下描述根據本發明的多個實施例的顯示板的結構。
圖10為繪示根據本發明的多個實施例的包含於顯示板中的第一子像素、第二子像素、第三子像素及第四子像素的結構的圖。圖11為繪示根據本發明的多個實施例修復第一子像素的製程中雷射照射至第三主動圖案的第一切割區的示意圖。圖12為繪示根據本發明的多個實施例修復圖10的第三子像素的製程中雷射照射至第七主動圖案的第三切割區的示意圖。
圖10中所示的第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3及第四子像素SP4的結構可基本上與圖3中所示的第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3及第四子像素SP4的結構相同。
相較於圖3，圖10的差別在於至少一切割區提供於設置於第一子像素SP1中的第三主動圖案323、設置於第二子像素SP2中的第六主動圖案333、設置於第三子像素SP3中的第九主動圖案343及設置於第四子像素SP4中的第十二主動圖案353之各者中的配置。
具體來說，請參考圖10，第三主動圖案323、第六主動圖案333、第九主動圖案343及第十二主動圖案353之各者可連接於第一訊號線路SL1並作為線路。
第三主動圖案323可包含在第一子像素SP1的修復製程中可照射有雷射光的第一切割區CL1。
第六主動圖案333可包含在第二子像素SP2的修復製程中可照射有雷射光的第二切割區CL2。
第九主動圖案343可包含在第三子像素SP3的修復製程中可照射有雷射光的第三切割區CL3。
第十二主動圖案353可包含在第四子像素SP4的修復製程中可照射有雷射光的第四切割區CL4。
請參考圖10，提供於第三主動圖案323中的第一切割區CL1、提供於第六主動圖案333中的第二切割區CL2、提供於第九主動圖案343中的第三切割區CL3及提供於第十二主動圖案353中的第四切割區CL4之各者可設置於非發光區NEA中，且可不重疊第一陽極電極AE1、第二陽極電極AE2、第三陽極電極AE3及第四陽極電極AE4。
請參考圖11，用以修復第一子像素SP1的第三主動圖案323的第一切割區CL1可設置於非發光區NEA中。
第三主動圖案323的第一切割區CL1可不重疊第一陽極電極AE1且可重疊堤部BK。
具體來說，請參考圖11，塗布層409可設置於包含第一切割區CL1的第三主動圖案323上，堤部BK可設置於塗布層409上，且發光層EL及陰極電極CE可設置於堤部BK上。
第三主動圖案323的第一圖案323a可氧化物半導體材料由形成，且第三主動圖案323的第二圖案323b可由透明導電氧化物形成。再者，在修復製程中，照射至第三主動圖案323的第一切割區CL1的雷射光的波長可在250nm至350nm的範圍中，且可使用波長在260nm至270nm的範圍中的雷射光。
如圖11中所繪示，照射至第三主動圖案323的雷射光可切割第三主動圖案323從而將第一子像素SP1與第一訊號線路SL1斷開，且所述雷射光之一部分可到達設置於第三主動圖案323上的堤部BK。
根據本發明的多個實施例的堤部BK可不透射630nm或更短波長的光，且因此可不透射波長為250nm至350nm的雷射光。
因此，當在修復第一子像素SP1的製程中雷射光照射至第三主動圖案323的第一切割區CL1時，雷射光可由於設置於第三主動圖案323上的堤部BK而不到達陰極電極CE，從而防止陰極電極CE損壞。
儘管圖11示例性繪示可提供有設置於第一子像素SP1中的第三主動圖案323的第一切割區CL1的區域的堆疊結構，設置於第二子像素SP2中的第六主動圖案333、設置於第三子像素SP3中的第九主動圖案343及設置於第四子像素SP4中的第十二主動圖案353各自的切割區的堆疊結構可與圖11的結構相同。
此外，如圖10的結構相較於圖3的結構，提供於設置於第三子像素SP3中的第七主動圖案341及第八主動圖案342之各者中的第三切割區CL3之部分以及提供於設置於第四子像素SP4中的第十主動圖案351及第十一主動圖案352之各者中的第四切割區CL4之部分可不同。
具體來說，請參考圖10，在提供有第三切割區CL3的區域中，第七主動圖案341及第八主動圖案342之各者可不重疊堤部BK且可重疊第三陽極電極AE3。
再者，請參考圖10，在提供有第四切割區CL4的區域中，第十主動圖案351可不重疊堤部BK且可重疊第三陽極電極AE3。再者，在提供有第四切割區CL4的區域中，第十一主動圖案352可不重疊堤部BK且可重疊第四陽極電極AE4。
換句話說，連接於第三子像素SP3及第四子像素SP4中的資料線路或參考電壓線路的第七主動圖案341、第八主動圖案342、第十主動圖案351及第十一主動圖案352可在有切割區CL的部分重疊一個陽極電極AE且可不重疊堤部BK，且因此可具有重疊一個發光區EA的結構。
請參考圖10，在提供有第三切割區CL3的區域中，第七主動圖案341及第八主動圖案342之各者可重疊第三發光區EA3之至少一部分。再者，在提供有第四切割區CL4的區域中，第十主動圖案351可重疊第三發光區EA3，且在提供有第四切割區CL4的區域中，第十一主動圖案352可重疊第四發光區EA4。
如上所述，連接於第三子像素SP3及第四子像素SP4中的資料線路或參考電壓線路的第七主動圖案341、第八主動圖案342、第十主動圖案351及第十一主動圖案352的切割區CL可設置為重疊第三發光區EA3及第四發光區EA4，從而在不減少顯示板110的開口率的情況下提供修復區。
舉例來說，請參考圖12，用以修復第三子像素SP3的第七主動圖案341的第三切割區CL3可設置於第三發光區EA3中。
第七主動圖案341的第三切割區CL3可重疊第三陽極電極AE3、發光層EL及陰極電極CE，且可不重疊堤部BK。
具體來說，請參考圖12，層間絕緣膜406及塗布層409可設置於包含第三切割區CL3的第七主動圖案341上，第三陽極電極AE3可設置於塗布層409上，且發光層EL及陰極電極CE可設置於第三陽極電極AE3上。
第七主動圖案341的第一圖案341a可氧化物半導體材料由形成，且第七主動圖案341的第二圖案341b可由透明導電氧化物形成。再者，在修復製程中照射至第七主動圖案341的第三切割區CL3的雷射光的波長可為250nm至350nm，且可使用波長為260nm至270nm的雷射光。
如圖12中所繪示，照射至第七主動圖案341的雷射光可切割第七主動圖案341從而將第三子像素SP3與第四訊號線路SL4斷開，且所述雷射光之一部份可到達設置於第七主動圖案341上的塗布層409。
如圖12中所繪示，到達塗布層409的雷射光可被塗布層409吸收，且因此雷射光可不到達第三陽極電極AE3及陰極電極CE。
在此情況中，塗布層409的厚度可為包含多個有機層的發光層EL的厚度的10倍或更多。
儘管圖12示例性繪示可提供有設置於第三子像素SP3中的第七主動圖案341的第三切割區CL3的區域的堆疊結構，但設置於第三子像素SP3中的第八主動圖案342，設置於第四子像素SP4中的第十主動圖案351，及設置於第四子像素SP4中的第十一主動圖案352之各者的切割區的堆疊結構可為與圖12相同的結構。
圖13為比較根據比較例的顯示板的開口率及根據一實施例的顯示板的開口率的表。
在圖13中，根據比較例的顯示板為具有由金屬層形成且設置於非發光區中的修復圖案的顯示板，且根據實施例的顯示板為具有圖3的結構的顯示板。
請參考圖13，可確認到根據實施例的顯示板的開口率為7.5%，大於根據比較例的顯示板的開口率。
換句話說，因為根據實施例的顯示板的開口率提升，所以發光效率提升，且因此可以以低功率驅動顯示板。
根據本發明的多個實施例，可提供能夠藉由使用透明主動圖案來防止或至少減少由於修復圖案導致的開口區的減少的顯示板及顯示裝置，所述透明主動圖案作為線路，作為修復圖案。
根據本發明的多個實施例，可提供能夠藉由在主動圖案上設置色彩濾波器、黑色堤部及塗布層之至少一者來防止或至少減少陰極電極及陽極電極由於在修復製程期間照射的雷射而損壞的顯示板及顯示裝置。
根據本發明的多個實施例，可提供藉由執行使用透明主動圖案作為修復圖案的修復製程來藉由因為雷射光無法到達陰極電極而防止陰極電極損壞，進而能夠防止或至少減少由於外部元素從設置於陰極電極上的封裝層穿透而導致的缺陷的顯示板及顯示裝置。
存在上述描述以使任何本發明所屬技術領域具有通常知識者能夠實現及使用本發明的技術思想，且上述描述已在特定應用及其需求的上下文中提供。對所述實施例的各種修改、添加及替換對於本發明所屬技術領域具有通常知識者來說將是顯而易見的，且在不脫離本發明的精神及範圍下，本文中定義的一般原理可應用於其他實施例及應用。上述描述及圖式僅為了說明的目的提供本發明的技術思想的示例。亦即，所發明的實施例旨在說明本發明的技術思想的範圍。
100:顯示裝置 110:顯示板 120:資料驅動電路 130:閘極驅動電路 140:控制器 150:外部主機 321:第一主動圖案 322:第二主動圖案 323:第三主動圖案 331:第四主動圖案 332:第五主動圖案 333:第六主動圖案 341:第七主動圖案 342:第八主動圖案 343:第九主動圖案 351:第十主動圖案 352:第十一主動圖案 353:第十二主動圖案 322a:第一圖案 322b:第二圖案 323a:第一圖案 323b:第二圖案 341a:第一圖案 341b:第二圖案 401:基板 402:緩衝層 403:主動層 403a:第一主動層 403b:第一輔助電極 403c:第二輔助電極 404:閘極絕緣膜 405:閘極電極 406:層間絕緣膜 407:源極電極 408:汲極電極 409:塗布層 430:封裝層 431:第一封裝層 432:第二封裝層 433:第三封裝層 AE:陽極電極 AE1:第一陽極電極 AE2:第二陽極電極 AE3:第三陽極電極 AE4:第四陽極電極 BCF:第二色彩濾波器 BK:堤部 CE:陰極電極 CL:切割區 CL1:第一切割區 CL2:第二切割區 CL3:第三切割區 CL4:第四切割區 CL5:第五切割區 Cst:儲存電容器 DA:顯示區 DL:資料線路 DRT:驅動電晶體 DVL:驅動電壓線路 EA:發光區 EA1:第一發光區 EA2:第二發光區 EA3:第三發光區 EA4:第四發光區 ED:發光元件 ED1:第一發光元件 EL:發光層 EVDD:驅動電壓 EVSS:基極電壓 GL:閘極線路 LS:光遮蔽層 N1:第一節點 N2:第二節點 N3:第三節點 NEA:非發光區 NDA:非顯示區 RCF:第一色彩濾波器 SCAN:掃描訊號 SCT:掃描電晶體 SCAN:掃描訊號 SL1:第一訊號線路 SL2:第二訊號線路 SL3:第三訊號線路 SL4:第四訊號線路 SL5:第五訊號線路 SP:子像素 SP1:第一子像素 SP2:第二子像素 SP3:第三子像素 SP4:第四子像素 SUB:基板 Vdata:資料電壓
藉由以下結合圖式的詳細描述，將使本發明的上述及其他目的、特徵以及優點更加清楚，於圖式中：
圖1為繪示根據本發明的多個實施例的顯示裝置的系統配置的圖；
圖2為繪示根據本發明的多個實施例的顯示裝置的子像素的等效電路圖；
圖3為繪示根據本發明的多個實施例的顯示裝置的顯示區的一部分的平面圖；
圖4為根據本發明的多個實施例的沿圖3的線A-B擷取的剖面圖；
圖5為繪示根據本發明的多個實施例在修復第一子像素或第二子像素的過程中雷射照射至主動圖案的示意圖；
圖6為繪示各紅色色彩濾波器、綠色色彩濾波器及藍色色彩濾波器的波長的透射率的圖表；
圖7為繪示根據本發明的多個實施例修復圖3的第一子像素的製程中雷射照射至第一主動圖案的第五切割區的示意圖；
圖8為繪示透明堤部及黑色堤部之各者的各波長的透射率的圖表；
圖9為繪示根據本發明的多個實施例修復圖3的第三子像素的製程中雷射照射至第七主動圖案的第三切割區的示意圖；
圖10為繪示根據本發明的多個實施例的包含於顯示板中的第一子像素、第二子像素、第三子像素及第四子像素的結構的圖；
圖11為繪示根據本發明的多個實施例修復第一子像素的製程中雷射照射至第三主動圖案的第一切割區的示意圖；
圖12為繪示根據本發明的多個實施例修復圖10的第三子像素的製程中雷射照射至第七主動圖案的第三切割區的示意圖；並且
圖13為比較根據比較例的顯示板的開口率及根據一實施例的顯示板的開口率的表。
321:第一主動圖案
322:第二主動圖案
323:第三主動圖案
331:第四主動圖案
332:第五主動圖案
333:第六主動圖案
341:第七主動圖案
342:第八主動圖案
343:第九主動圖案
351:第十主動圖案
352:第十一主動圖案
353:第十二主動圖案
AE1:第一陽極電極
AE2:第二陽極電極
AE3:第三陽極電極
AE4:第四陽極電極
BCF:第二色彩濾波器
BK:堤部
CL:切割區
CL1:第一切割區
CL2:第二切割區
CL3:第三切割區
CL4:第四切割區
CL5:第五切割區
EA1:第一發光區
EA2:第二發光區
EA3:第三發光區
EA4:第四發光區
RCF:第一色彩濾波器
SL1:第一訊號線路
SL2:第二訊號線路
SL3:第三訊號線路
SL4:第四訊號線路
SL5:第五訊號線路
SP1:第一子像素
SP2:第二子像素
SP3:第三子像素
SP4:第四子像素

Claims (33)

  1. 一種顯示板，包含：一基板，包含多個子像素，該些子像素包含各包含一發光區及圍繞該發光區的一非發光區的一第一子像素、一第二子像素、一第三子像素及一第四子像素；以及多個訊號線路，位於基板上，該些訊號線路包含彼此分離的一第一訊號線路、一第二訊號線路、一第三訊號線路及一第四訊號線路，其中該第一子像素、該第二子像素、該第三子像素及該第四子像素之各者包含基板上的多個主動圖案，該些主動圖案包含一第一主動圖案、一第二主動圖案及一第三主動圖案，其中該第一子像素、該第二子像素、該第三子像素及該第四子像素之至少一者的該第一主動圖案電性連接於該第四訊號線路，該第一子像素、該第二子像素、該第三子像素及該第四子像素之至少一者的該第二主動圖案電性連接於該第二訊號線路或該第三訊號線路之一者，且該第一子像素、該第二子像素、該第三子像素及該第四子像素之至少一者的該第三主動圖案電性連接於該第一訊號線路，其中該第一子像素、該第二子像素、該第三子像素及該第四子像素之至少一者的該第一主動圖案、該第二主動圖案及該第三主動圖案之至少一者包含一切割區，用以將該第一子像素、該第二子像素、該第三子像素及該第四子像素之至少一者與該些訊號線路之至少一者斷開，其中該第一子像素及該第二子像素中的該第一主動圖案及該第二主動圖案的該些切割區重疊該發光區，並且其中該第三子像素及該第四子像素中的該第一主動圖案、該第二主動圖案及該第三主動圖案的該些切割區之至少一者位於該非發光區中。
  2. 如請求項1所述之顯示板，其中包含於該第一子像素中的該發光區重疊該第一子像素的一第一色彩濾波器，包含於該第二子像素中的該發光區重疊該第二子像素的一第二色彩濾波器，並且包含於該第三子像素中的該發光區不與任何色彩濾波器重疊。
  3. 如請求項1所述之顯示板，其中該第一子像素包含一第一發光區，該第二子像素包含一第二發光區，該第三子像素包含一第三發光區，並且該第四子像素包含一第四發光區，其中該第一發光區及該第二發光區位於該些子像素的一第一列中，且該第三發光區及該第四發光區位於不同於該第一列的該些子像素的一第二列。
  4. 如請求項1所述之顯示板，更包含：一第一色彩濾波器，位於該第一子像素的該第二主動圖案上，該第一色彩濾波器重疊該第一子像素的該第二主動圖案的該切割區；一塗布層，位於該第一色彩濾波器上，一第一陽極電極，位於該塗布層上；一第一發光層，位於該第一陽極電極上；以及一第一陰極電極，位於該發光層上。
  5. 如請求項4所述之顯示板，其中該第一子像素的該第二主動圖案的該切割區重疊包含於該第一子像素中的一第一發光區，該第一發光區包含該第一陽極電極、該第一發光層及該第一陰極電極的多個重疊部。
  6. 如請求項4所述之顯示板，更包含：一第二色彩濾波器，位於該第一子像素的該第一主動圖案上，該第二色彩濾波器重疊包含於該第一子像素中的該第一主動圖案的該切割區；一第二陽極電極，位於該塗布層上；一第二發光層，位於該第二陽極電極上；以及一第二陰極電極，位於該第二發光層上，其中該塗布層位於該第二色彩濾波器上。
  7. 如請求項6所述之顯示板，其中包含於該第一子像素中的該第一主動圖案的該切割區重疊包含於該第二子像素中的一第二發光區，該第二發光區包含該第二陽極電極、該第二發光層及該第二陰極電極的多個重疊部。
  8. 如請求項4所述之顯示板，更包含：一第二色彩濾波器，位於該第一主動圖案及該第二子像素的該第二主動圖案上，該第二色彩濾波器重疊該第一主動圖案的該切割區及該第二子像素的該第二主動圖案的該切割區；一第二陽極電極，位於該塗布層上；一第二發光層，位於該第二陽極電極上；一第二陰極電極，位於該第二發光層上，其中該塗布層位於該第二色彩濾波器上。
  9. 如請求項8所述之顯示板，其中該第二子像素中的該第一主動圖案的該切割區及該第二主動圖案的該切割區重疊包含於該第二子像素中的一第二發光區，該第二發光區包含該第二陽極電極、該第二發光層及該第二陰極電極的多個重疊部。
  10. 如請求項1所述之顯示板，更包含：一第一色彩濾波器，位於該第一子像素的該第一主動圖案上，該第一色彩濾波器不與該第一子像素的該第一主動圖案的該切割區重疊；一塗布層，位於該第一色彩濾波器上；一黑色堤部，位於該塗布層上；一發光層，位於該黑色堤部上；以及一陰極電極，位於該第一發光層上。
  11. 如請求項10所述之顯示板，其中該第一子像素的該第一主動圖案的該切割區重疊該第一子像素的該非發光區，該第一子像素的該非發光區包含該黑色堤部、該發光層及該陰極電極的多個重疊部。
  12. 如請求項1所述之顯示板，更包含：一塗布層，位於該第三子像素的該第一主動圖案及該第二主動圖案上，該塗布層重疊該第三子像素的該第一主動圖案的該切割區及該第三子像素的該第二主動圖案的該切割區；一黑色堤部，位於該塗布層上，一發光層，位於該黑色堤部上；以及一陰極電極，位於該發光層上。
  13. 如請求項12所述之顯示板，其中該第三子像素的該第一主動圖案的該切割區及該第二主動圖案的該切割區重疊該第三子像素的該非發光區，該第三子像素的該非發光區包含該黑色堤部、該發光層及該陰極電極的多個重疊部。
  14. 如請求項1所述之顯示板，更包含：一塗布層，位於該第四子像素中的該第一主動圖案及該第二主動圖案上，該塗布層重疊該第四子像素的該第一主動圖案的該切割區及該第二主動圖案的該切割區；一黑色堤部，位於該塗布層上，一發光層，位於該黑色堤部上；以及一陰極電極，位於該發光層上。
  15. 如請求項14所述之顯示板，其中該第四子像素的該第一主動圖案的該切割區重疊包含於該第三子像素中的該非發光區，且該第四子像素中的該第二主動圖案的該切割區重疊包含於該第四子像素中的該非發光區，該第四子像素的該非發光區包含該黑色堤部、該發光層及該陰極電極的多個重疊部。
  16. 如請求項1所述之顯示板，更包含：一塗布層，位於該第三子像素的該第一主動圖案及該第二主動圖案上，該塗布層重疊該第三子像素的該第一主動圖案的該切割區及該第二主動圖案的該切割區；一第三陽極電極，位於該塗布層上；一發光層，位於該第三陽極電極上，以及一陰極電極，位於該發光層上。
  17. 如請求項16所述之顯示板，其中該第三子像素的該第一主動圖案的該切割區及該第二主動圖案的該切割區重疊該第三子像素的一第三發光區，該第三發光區包含該第三陽極電極、該發光層及該陰極電極的多個重疊部。
  18. 如請求項1所述之顯示板，更包含：一塗布層，位於該第四子像素的該第一主動圖案上，該塗布層重疊該第四子像素的該第一主動圖案的該切割區；一第三陽極電極，位於該塗布層上；一發光層，位於該第三陽極電極上，以及一陰極電極，位於該發光層上。
  19. 如請求項18所述之顯示板，其中包含於該第四子像素中的該第一主動圖案的該切割區重疊包含於該第三子像素中的一第三發光區，該第三發光區包含該第三陽極電極、該發光層及該陰極電極的多個重疊部。
  20. 如請求項1所述之顯示板，更包含：一塗布層，位於該第四子像素的該第二主動圖案上，該塗布層重疊該第四子像素的該第二主動圖案的該切割區；一第四陽極電極，位於該塗布層上；一發光層，位於該第四陽極電極上；以及一陰極電極，位於該發光層上。
  21. 如請求項20所述之顯示板，其中包含於該第四子像素中的該第二主動圖案的該切割區重疊包含於該第四子像素中的一第四發光區，該第四發光區包含該第四陽極電極、該發光層及該陰極電極的多個重疊部。
  22. 如請求項1所述之顯示板，其中該第一子像素、該第二子像素、該第三子像素及該第四子像素之各者中的該第三主動圖案的該切割區位於該第一子像素、該第二子像素、該第三子像素及該第四子像素各自的該非發光區中。
  23. 如請求項1所述之顯示板，其中該第一子像素、該第二子像素及該第三子像素之各者包含一第一圖案及該第一圖案上的一第二圖案，其中該第一圖案包含一氧化物半導體材料，並且該第二圖案包含一透明導電氧化物。
  24. 如請求項1所述之顯示板，其中該第一訊號線路為驅動電壓線路，該第二訊號線路及該第三訊號線路為資料線路，並且該第四訊號線路為參考電壓線路。
  25. 如請求項1所述之顯示板，其中該第一子像素、該第二子像素及該第三子像素之各者的該切割區用以被供應雷射光。
  26. 一種顯示板，包含：一基板；一堤部，位於該基板上，該堤部包含一開口；一子像素，位於該基板上，該子像素包含一薄膜電晶體及連接於該薄膜電晶體的一發光元件，該發光元件位於該堤部的該開口中且包含一陽極電極、該陽極電極上的一發光層及發光層該上的一陰極電極；一第一訊號線路，用以將一第一訊號供應至該子像素；以及一第一主動圖案，包含將該第一訊號線路及該子像素斷開的一第一切割區，該第一切割區重疊該發光元件，其中該第一主動圖案包含一具有氧化物的材料。
  27. 如請求項26所述之顯示板，更包含：一第二訊號線路，用以將一第二訊號供應至該子像素；以及一第二主動圖案，重疊該發光元件且包含將該第二訊號線路及該子像素斷開的一第二切割區，該第二切割區重疊該堤部，其中該第二主動圖案包含該具有氧化物的材料。
  28. 如請求項27所述之顯示板，其中該第二主動圖案重疊另一該子像素的該發光元件。
  29. 如請求項26所述之顯示板，更包含：一色彩濾波器，位於該第一主動圖案及該發光元件之間，且該色彩濾波器重疊該第一主動圖案及該發光元件。
  30. 如請求項26所述之顯示板，其中該第一主動圖案包含一第一層及該第一層上的一第二層，該第一層包含氧化物半導體，且該第二層包含透明導電氧化物。
  31. 一種顯示板，包含：一基板；一堤部，位於該基板上，該堤部包含一開口；一子像素，位於該基板上，該子像素包含一薄膜電晶體及連接於該薄膜電晶體的一發光元件，該發光元件位於該堤部的該開口中且包含一陽極電極、該陽極電極上的一發光層及該發光層上的一陰極電極；一訊號線路，用以將一訊號供應至該子像素；以及一主動圖案，包含將該訊號線路及該子像素斷開的一切割區，該切割區重疊該堤部且不重疊該發光元件，其中該主動圖案包含一具有氧化物的材料。
  32. 如請求項31所述之顯示板，其中該主動圖案包含一第一層及該第一層上的一第二層，該第一層包含氧化物半導體，且該第二層包含透明導電氧化物。
  33. 如請求項31所述之顯示板，其中該堤部包含黑色材料。
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