CN111692977A - 晶圆检测红外光转向机构及方法 - Google Patents
晶圆检测红外光转向机构及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111692977A CN111692977A CN202010400819.2A CN202010400819A CN111692977A CN 111692977 A CN111692977 A CN 111692977A CN 202010400819 A CN202010400819 A CN 202010400819A CN 111692977 A CN111692977 A CN 111692977A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- infrared light
- curved mirror
- reflector
- steering mechanism
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/59—Transmissivity
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
本发明涉及一种晶圆检测红外光转向机构及方法,从红外测试机发出的红外光经过反射镜反射以15°的入射角射在晶圆表面进行反射或透射;对于反射部分,射在晶圆表面的红外光通过晶圆反射到晶圆上方的曲面镜一上,红外光经曲面镜一汇聚到接收器一上用于分析测试晶圆的厚度;对于投射部分,射在晶圆表面的红外光通过晶圆透射到晶圆下方的曲面镜二上,红外光经曲面镜二汇聚到接收器二上用于检测晶圆的碳氧含量。本发明晶圆检测红外光转向机构同时兼容反射与透射功能为一体,用于检测晶圆的厚度与碳氧含量,程序上自动切换,无需手动操作,提高生产质量与效率。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆检测技术领域,具体涉及一种晶圆检测红外光转向方法。
背景技术
目前半导体行业生产过程中,晶圆被分割为多尺寸的圆片,进行外延工艺,不同客户的需求不一样,有需要检测晶圆边缘厚度的,也有需要检测晶圆碳氧的含量,目前一般是利用红外光谱分析仪,通过手动检测的方式分别进行厚度与碳氧含量的检测。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆检测红外光转向机构及方法,用以解决现有技术中的晶圆厚度和碳氧含量需要分别检测的问题。
本发明一方面提供了一种晶圆检测红外光转向方法,从红外测试机发出的红外光经过反射镜反射以15°的入射角射在晶圆表面进行反射或透射;
对于反射部分,射在晶圆表面的红外光通过晶圆反射到晶圆上方的曲面镜一上,红外光经曲面镜一汇聚到接收器一上用于分析测试晶圆的厚度;
对于投射部分,射在晶圆表面的红外光通过晶圆透射到晶圆下方的曲面镜二上,红外光经曲面镜二汇聚到接收器二上用于检测晶圆的碳氧含量。
进一步的,所述反射镜为离轴抛物面镜。
进一步的,所述曲面镜一和曲面镜二均为离轴椭球面镜。
本发明另一方面提供一种晶圆检测红外光转向机构,包括反射镜、曲面镜一和曲面镜二,测试晶圆放置在曲面镜一和曲面镜二之间,所述曲面镜一和曲面镜二对称分布在晶圆两侧,所述反射镜设置于曲面镜一的斜上方。
采用上述本发明技术方案的有益效果是:
本发明晶圆检测红外光转向机构同时兼容反射与透射功能为一体,用于检测晶圆的厚度与碳氧含量,程序上自动切换,无需手动操作,提高生产质量与效率。
附图说明
图1为本发明晶圆检测红外光转向机构结构示意图;
附图中,各标号所代表的部件列表如下:
1-反射镜,2-曲面镜一,3-曲面镜二,4-晶圆。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
如图1所示,本发明一种晶圆检测红外光转向机构,包括反射镜1、曲面镜一2和曲面镜二3,测试晶圆4放置在曲面镜一2和曲面镜二3之间,所述曲面镜一2和曲面镜二3对称分布在晶圆4两侧,所述反射镜1设置于曲面镜一2的斜上方。
该晶圆检测红外光转向机构的转向方法为:从红外测试机发出的红外光经过反射镜1反射以15°的入射角射在晶圆4表面进行反射或透射;
对于反射部分,射在晶圆4表面的红外光通过晶圆4反射到晶圆4上方的曲面镜一2上,红外光经曲面镜一2汇聚到接收器一上用于分析测试晶圆4的厚度;
对于投射部分,射在晶圆4表面的红外光通过晶圆4透射到晶圆4下方的曲面镜二3上,红外光经曲面镜二3汇聚到接收器二上用于检测晶圆4的碳氧含量。
所述反射镜1为离轴抛物面镜,所述曲面镜一2和曲面镜二3均为离轴椭球面镜。
综上,本发明晶圆检测红外光转向机构同时兼容反射与透射功能为一体,用于检测晶圆的厚度与碳氧含量,程序上自动切换,无需手动操作,提高生产质量与效率。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (4)
1.一种晶圆检测红外光转向方法,其特征在于,从红外测试机发出的红外光经过反射镜反射以15°的入射角射在晶圆表面进行反射或透射;
对于反射部分,射在晶圆表面的红外光通过晶圆反射到晶圆上方的曲面镜一上,红外光经曲面镜一汇聚到接收器一上用于分析测试晶圆的厚度;
对于投射部分,射在晶圆表面的红外光通过晶圆透射到晶圆下方的曲面镜二上,红外光经曲面镜二汇聚到接收器二上用于检测晶圆的碳氧含量。
2.根据权利要求1所述的晶圆检测红外光转向方法,其特征在于,所述反射镜为离轴抛物面镜。
3.根据权利要求1所述的晶圆检测红外光转向方法,其特征在于,所述曲面镜一和曲面镜二均为离轴椭球面镜。
4.一种晶圆检测红外光转向机构,其特征在于,包括反射镜、曲面镜一和曲面镜二,测试晶圆放置在曲面镜一和曲面镜二之间,所述曲面镜一和曲面镜二对称分布在晶圆两侧,所述反射镜设置于曲面镜一的斜上方。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010400819.2A CN111692977A (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 晶圆检测红外光转向机构及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010400819.2A CN111692977A (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 晶圆检测红外光转向机构及方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111692977A true CN111692977A (zh) | 2020-09-22 |
Family
ID=72477746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010400819.2A Pending CN111692977A (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 晶圆检测红外光转向机构及方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111692977A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116593421A (zh) * | 2023-05-26 | 2023-08-15 | 曲靖晶龙电子材料有限公司 | 一种单晶硅在线连续检测装置及使用方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000035316A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Nikon Corp | ウエハ上膜厚測定方法及びウエハ上膜厚測定装置 |
CN1497698A (zh) * | 2002-10-22 | 2004-05-19 | 株式会社瑞萨科技 | 故障分析方法 |
CN103091277A (zh) * | 2012-08-28 | 2013-05-08 | 河北工业大学 | 大尺寸单晶硅片表面有机物沾污的红外透射检测方法 |
CN103346099A (zh) * | 2013-06-17 | 2013-10-09 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 基于红外技术的tsv晶圆减薄在线控制方法及系统 |
-
2020
- 2020-05-13 CN CN202010400819.2A patent/CN111692977A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000035316A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Nikon Corp | ウエハ上膜厚測定方法及びウエハ上膜厚測定装置 |
CN1497698A (zh) * | 2002-10-22 | 2004-05-19 | 株式会社瑞萨科技 | 故障分析方法 |
CN103091277A (zh) * | 2012-08-28 | 2013-05-08 | 河北工业大学 | 大尺寸单晶硅片表面有机物沾污的红外透射检测方法 |
CN103346099A (zh) * | 2013-06-17 | 2013-10-09 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 基于红外技术的tsv晶圆减薄在线控制方法及系统 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116593421A (zh) * | 2023-05-26 | 2023-08-15 | 曲靖晶龙电子材料有限公司 | 一种单晶硅在线连续检测装置及使用方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008014848A5 (zh) | ||
US7773212B1 (en) | Contemporaneous surface and edge inspection | |
CN111692977A (zh) | 晶圆检测红外光转向机构及方法 | |
JP2002188999A (ja) | 異物・欠陥検出装置及び検出方法 | |
JPH10148619A (ja) | 検査基体の面欠陥検査方法及び装置 | |
US10094787B2 (en) | Multi-surface specular reflection inspector | |
JP2009097977A (ja) | 外観検査装置 | |
KR102316146B1 (ko) | 표면 검사용 광학 모듈 및 이를 포함하는 표면 검사 장치 | |
WO2022126677A1 (zh) | 半导体检测装置及检测方法 | |
CN117368221A (zh) | 检测晶圆表面缺陷的方法、装置及介质 | |
CN118533859A (zh) | 多重模式系统及方法 | |
WO2023280153A1 (zh) | 半导体晶片表面缺陷检测方法以及装置 | |
US8379196B2 (en) | Method for judging whether semiconductor wafer is non-defective wafer by using laser scattering method | |
WO2005119226A1 (ja) | 半導体ウェハの検査装置及び方法 | |
US20220044948A1 (en) | Monitoring wafer and monitoring system | |
CN110828294A (zh) | 化学机械研磨设备的研磨性能检测方法 | |
CN114994079A (zh) | 一种用于晶圆检测的光学组件和光学系统 | |
CN211401091U (zh) | 一种晶圆红外检测测试设备 | |
JP2012138493A (ja) | ウェーハの欠陥検出方法 | |
JPS5961142A (ja) | 欠陥検出装置 | |
JP4964400B2 (ja) | 測定波形の信号プロセスによる変則フォトレジスト線/間隔プロファイル検出 | |
CN216350392U (zh) | 一种内壁检测光源及装置 | |
CN117080108B (zh) | 一种晶圆检测装置和检测方法 | |
KR20100058174A (ko) | 웨이퍼 검사장치 | |
KR100729034B1 (ko) | 웨이퍼 표면의 거시 결함 검사장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200922 |