CN111690408B - 高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜及其制备方法。该防伪膜由下至上包括绝热基层、等离激元增强层、光学隔离层、吸热型稀土发光层及绝热盖层。本发明通过绝热基层和绝热盖层将等离激元增强层诱导的光热进行热阻隔与热存储，并被吸热型稀土发光层吸收，以协助等离激元增强层提高稀土发光；通过等离激元增强层增加载流子的迁移率和发光粒子的激发电场或发射电场，以增强稀土发光；通过光学隔离层促进能量向稀土发光层转移，以优化稀土发光。如此设计，吸热型稀土发光层受激辐射后呈现红绿蓝三色发光，并能在吸收的热量增多时，实现绿光比蓝光和红光更强的发光增强效果，从而得到安全性、防伪辨识度和复制难度高的特异性防伪膜。

Description

高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜及其制备方法

技术领域

本发明属于稀土发光材料技术领域，涉及一种高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜及其制备方法。

背景技术

商业防伪在现在经济社会发展中占据着不可或缺的重要位置，小到民生经济大到企业生产、国防军工等领域。随着显示技术的发展，防伪工艺的进步，假冒伪劣产品对企业信誉及社会经济造成了不良影响。因此升级商业防伪的制作工艺，从而提高技术难度、防伪特异性和可辨识度迫在眉睫。

稀土发光材料因其独特的上转换发光机制而成为应用最广泛的发光材料之一，相比于量子点、钙钛矿、有机荧光等防伪发光材料，上转换发光材料拥有窄的发射带宽、多频率发射峰、大的反斯托克斯位移、匹配的能级跃迁、较长的动力学寿命、弱的光漂白与自发荧光等极大优势，而在荧光成像、光纤通信、商业防伪、三维显示等领域崭露头角。然而防伪行业对发光效率有着极大的要求，而且稀土离子本征的4f-f偶极禁止跃迁特征导致了其弱的吸光度、低的载流子迁移率以及弱的发光效率等问题，使得单纯的上转换材料发光效率和防伪特异性低，很容易被复制。因此，开发多色的，如同时发出红光、绿光和蓝光的上转换发光材料，在低光功率密度下就拥有极大的光致发光效率，而随着功率的升高，三色光强度增强；特异性的，如随着功率升高或光照时间的延长，人眼敏感的绿光的发光效率的增强远远高于蓝光以及红光的增强，这种光致发光纳米材料具有重要的意义。

目前报道的实现稀土上转换发光增强的方法主要包括改进发光材料晶相、引入离子掺杂、引入光子晶体以及等离激元共振等方法。而等离激元因其被调制与激子耦合引起激发电场或发射电场的放大而极大地增强了稀土发光，被认为是一种理想的、高效的发光增强的可行方案。然而存在着如下亟待解决的问题：(1)对于吸热型的稀土发光材料来说，等离激元所诱导的光热这部分热量没有被集中管理，不仅使得热能以热辐射的形式损耗而限制了发光增强，而且会灼伤损毁大多数产品；(2)大部分具有等离激元特性的纳米材料的制备过程中都使用了表面活性剂，如油胺等，造成了载流子被局域于表面配体，直接导致了低的载流子迁移率；(3)具有强的等离激元特性的贵金属增强稀土发光的等离激元共振峰需要调制得与激发波长精确匹配，而贵金属的等离激元对形貌、尺寸、介质环境很敏感，增加了贵金属型的等离激元的可调性难度，而且如Au、Ag等价格贵，在地球上的储备有限；(4)大多数引入等离激元增强稀土上转换发光的研究中，尽管具有三色的光致发光，然而并没有实现绿光增益远远高于蓝光与红光的发光增益的特异性防伪辨识。例如发明专利CN107286924B公开了一种红外光激发红绿蓝三色正交荧光发射的上转换纳米晶体材料及其制备方法，该材料由上转换发光中心核和两种上转换发光层壳层、能量传递层和能量吸收层五种类型的壳层组成，各能量吸收层各自吸收不同波长红外激发光的能量，并传递到发光中心，实现红绿蓝三原色的荧光发射，但该材料无法实现人眼敏感的绿光远远高于蓝光与红光的发光增益的特异性防伪辨识。

发明内容

针对上述现有技术存在的缺陷，本发明的目的在于提供一种高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜及其制备方法，由下至上依次包括绝热基层、等离激元增强层、光学隔离层、吸热型稀土发光层及绝热盖层，通过将绝热基层、绝热盖层的热阻隔效应与等离激元增强层的光热效应、局域电场增强效应相结合协同增强稀土发光，从而实现吸热型稀土发光层极大的发光增益，进而得到特异性、安全性、防伪辨识度和复制难度高的特异性防伪膜。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜，由下至上依次包括绝热基层、等离激元增强层、光学隔离层、吸热型稀土发光层及绝热盖层；所述绝热基层和绝热盖层包含高透光率的绝热材料，通过将所述等离激元增强层带来的光热进行热阻隔并存储至所述吸热型稀土发光层，从而协助等离激元增强稀土发光；所述等离激元增强层包含由非表面活性剂法制备的二维MoO_3-x纳米片，通过增加载流子的迁移率以及增强发光粒子的激发电场或发射电场，对实现稀土发光增益起着主导作用；所述光学隔离层通过促进能量由等离激元增强层转移至稀土发光层，从而优化稀土发光；所述吸热型稀土发光层包含吸热型稀土发光材料，用于受激辐射后呈现红绿蓝三色发光，并在光功率升高或辐照时间延长的情况下基于等离激元诱导的光热转换率的提高，导致了发光中心的Er³⁺离子中对温度非常敏感的绿光相关的²H_11/2态与⁴S_3/2态在吸收更多热量之后加速了光子跃迁，而呈现更强烈的绿光增强效果，以提高防伪特异性、可辨识度和复制难度。

进一步的，所述吸热型稀土发光材料包括基质和发光中心，所述基质选自氟化物：NaYF₄、NaYbF₄、LiYF₄、KYF₄、NaGdF₄或NaLuF₄中的一种，所述发光中心选自吸热型稀土发光粒子中的一种或多种，用于在近红外光的激发下同时实现红光、绿光和蓝光的上转换光发射。

优选地，所述吸热型稀土发光材料是以NaYF₄为基质、以Yb³⁺和Er³⁺为发光中心组成的NaYF⁴:Yb³⁺,Er³⁺材料，用于在近红外光的激发下同时实现红光、绿光和蓝光的上转换光发光，并随着光功率升高或辐照时间延长，等离激元纳米粒子的光热转换效率升高，使得稀土粒子吸收的热量增多，从而实现绿光比蓝光和红光更优异的发光增强效果，以提高防伪特异性、可辨识度和复制难度。

进一步的，所述高透光率的绝热材料包含空心二氧化硅纳米颗粒及具有高透光率和高耐热性的助剂，所述空心二氧化硅纳米颗粒满足其粒径≤200nm、孔壁厚度≤18nm、孔隙率≥90％的特点，用于绝热填料，所述具有高透光率和高耐热性的助剂用于连接并均匀分散所述空心二氧化硅纳米颗粒，以增强所述绝热基层和绝热盖层的机械性能。

进一步的，所述具有高透光率和高耐热性的助剂为LED封装胶或聚醚砜。

进一步的，所述二维MoO_3-x纳米片的制备方法如下：将Mo粉与H₂O₂在室温下混合搅拌，待出现黄色透明的液体时，加入还原剂，在140～160℃下进行溶剂热反应12～16h，得到所述二维MoO_3-x纳米片。将所述二维纳米片自组装于绝热基材上即得到等离激元增强层。

进一步的，所述还原剂为乙醇、1-丁醇和2-丙醇中的一种。

进一步的，所述光学隔离层为厚度为0～10nm的Ta₂O₅膜，通过调节膜厚度获得发光增益效果最大化的Ta₂O₅膜。

一种以上所述的高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜的制备方法，包括以下步骤：

S1.制作绝热基层：将空心二氧化硅纳米颗粒与具有高透光率和高耐热性的助剂分散至溶解度相似的溶剂中，充分混合后，旋涂成膜得到绝热基层；

S2.制作等离激元增强层：采用以上所述的制备方法制备二维MoO_3-x纳米片，然后将其通过自组装的方法沉积在步骤S1得到的所述绝热基层的表面，得到等离激元增强层；

S3.制作光学隔离层：通过磁场溅射的方式，在步骤S2得到的所述等离激元增强层的表面溅射一层厚度为0～10nm的Ta₂O₅光学隔离层；

S4.制作吸热型稀土发光层：通过自组装的方法，在毛细作用力的作用下，将吸热型稀土发光材料沉积至步骤S3所述的光学隔离层的表面，得到吸热型稀土发光层；

S5.制作绝热盖层：将空心二氧化硅纳米颗粒与具有高透光率和高耐热性的助剂分散至溶解度相似的溶剂中，充分混合后，旋涂至步骤S4得到的所述吸热型稀土发光层的表面，即得到高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜。

进一步的，在步骤S1中，所述具有高透光率和高耐热性的助剂为LED封装胶，旋涂成膜后，在所述绝热基层中的LED封装胶在未完全固化之前，将步骤S2所述的二维MoO_3-x纳米片通过自组装的方法沉积在所述绝热基层的表面，再进行固化，得到所述绝热基层和等离激元增强层；在步骤S4中，所述吸热型稀土发光材料采用正交高温溶剂热法制备得到。

有益效果

与现有技术相比，本发明提供的高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜及其制备方法具有如下有益效果：

(1)本发明提供的高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜，由下至上依次包括绝热基层、等离激元增强层、光学隔离层、吸热型稀土发光层及绝热盖层。通过绝热基层和绝热盖层对等离激元产生的光热进行热阻隔及热存储的热功能管理，结合非表面活性剂型等离激元增强层的高载流子迁移率与局域场增强效应，协同提高吸热型稀土光致发光的发光效率，同时随着激发功率的增大或激发时间的延长导致等离激元的光热转换效率急剧上升，促进吸热型稀土粒子吸收更多的热量，呈现出更强烈的绿光增强效果，解决了目前荧光防伪材料中的发光效率低、辨识度低、防伪模式单一等问题，不仅极大的提高了发光增益，而且增加了防伪的特异性，升级了防伪的辨识度。

(2)本发明提供的高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜，其绝热基层和绝热盖层选用粒径小、孔壁薄的空心二氧化硅纳米颗粒作为填料，与具有高透光率和高耐热性的助剂混合后填料需具备高孔隙率的填充量，从而可获得具有机械强度高、绝热效果好、热稳定性优异的绝热基层和绝热盖层，能够对等离激元增强层带来的光热进行热阻隔与热存储并传递给吸热型稀土发光层，以协助等离激元层提高发光效率，并能防止灼伤损毁产品。其等离激元增强层由非表面活性剂法制备的二维MoO_3-x纳米片组成，避免了由于表面活性剂的引入，使得载流子被局域于表面配体，导致了低的载流子迁移率的问题；从本质上的，二维的半导体MoO_3-x降低了等离激元共振峰的可调难度，等离激元与激子耦合引起了稀土发光粒子的激发电场或发射电场的增强，从而最大程度的增强稀土发光。其吸热型稀土发光层选用在980nm激光的激发下，在绝热基层和绝热盖层对等离激元诱导的光热的热阻隔、热存储的协同作用及非表面活性剂型等离激元增强层的主导增益作用下，增强了三色的红光、绿光和蓝光的上转换发光，并随着激发功率的增大或激发时间的延长导致了等离激元的光热转换率大幅提高，进而稀土离子的Er³⁺离子中对温度非常敏感的与绿光相关的²H_11/2态与⁴S_3/2态在吸收更多热量之后加速了光子跃迁，呈现出了绿光比蓝光和红光更强的发光增强效果。该防伪模式区别于以往的稀土低发光效率以及在功率升高或辐照时间延长之后发光增强无特异性显示的发光模式，显著提高了防伪特异性、防伪辨识度和复制难度。

附图说明

图1为本发明提供的高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜的横截面示意图。

具体实施方式

以下将对本发明各实施例的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例；基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施例，都属于本发明所保护的范围。

请参阅图1所示，本发明提供一种高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜，由下至上依次包括绝热基层1、等离激元增强层2、光学隔离层3、吸热型稀土发光层4及绝热盖层5。所述绝热基层1和绝热盖层5包含高透光率的绝热材料，用于对所述等离激元增强层2带来的光热进行热阻隔与热存储的热功能管理进而被所述吸热型稀土发光层4吸收，以提高发光效率，并能防止灼伤损毁产品；所述等离激元增强层2包含由非表面活性剂法制备的二维MoO_3-x纳米片，通过其与激子耦合而导致吸热型稀土发光层4的激发电场或发射电场的放大，以及其高载流子迁移率以及高转换率的光热效果，用于实现稀土发光增益的效果；所述光学隔离层3用于促进能量从等离激元增强层2转移至吸热型稀土发光层4，优化稀土发光；所述吸热型稀土发光层4包含吸热型稀土发光材料，用于受激光激发后的光致发光，并在吸收热量之后呈现更强烈的绿光增强效果，以提高防伪辨识度和复制难度。通过绝热基层1和绝热盖层5对等离激元诱导光热的热阻隔、热存储协同增强作用和非表面活性剂型等离激元增强层2的主导增益作用，提高了吸热型稀土发光层4的发光效率，解决了目前荧光防伪材料中的发光效率低、辨识度低、防伪模式单一等问题，不仅极大的提高了发光增益，而且增加了防伪的特异性，并升级了防伪的辨识度，具有一定的创新性。

其中，所述吸热型稀土发光材料包括基质和发光中心，所述基质选自氟化物：NaYF₄、NaYbF₄、LiYF₄、KYF₄、NaGdF₄或NaLuF₄中的一种，所述发光中心选自吸热型稀土发光粒子中的一种或多种，如Er³⁺、Yb³⁺等。此种吸热型稀土发光材料在近红外光的激发下，能够同时实现红光、绿光和蓝光的上转换光发光，并随着激发功率的增大或激发时间的延长，等离激元光热转换率提高导致稀土粒子吸收更多热量，从而呈现更强烈的绿光增强效果，以提高防伪辨识度和复制难度。

优选地，所述吸热型稀土发光材料是以NaYF₄为基质、以Yb³⁺和Er³⁺为发光中心组成的NaYF₄:Yb³⁺,Er³⁺材料，在近红外光的激发下，能够同时实现红光、绿光和蓝光的上转换发光，并随着激发功率的增大或激发时间的延长，在绝热基层1和绝热盖层5对等离激元诱导的光热的热阻隔与热存储的协同作用及非表面活性剂型等离激元增强层2的主导增强作用下，稀土粒子吸收热量，从而呈现绿光比蓝光和红光更强的发光增强效果，以提高防伪辨识度和复制难度。

所述高透光率的绝热材料包含空心二氧化硅纳米颗粒及具有高透光率和高耐热性的助剂，所述具有高透光率和高耐热性的助剂用于连接所述空心二氧化硅纳米颗粒，以增强所述绝热基层1和绝热盖层5的机械性能。基于绝热基层1和绝热盖层5对透光率和热稳定性要求比较高，优选LED封装胶来加以封装，或其他符合要求的聚合物，如聚醚砜来代替。选用的空心二氧化硅纳米颗粒满足粒径小(粒径≤200nm)、孔壁薄(孔壁厚度≤18nm)、与封装胶混合后孔隙率高(孔隙率≥90％)的条件，从而得到具有优异的绝热效果的绝热基层1和绝热盖层5。

所述等离激元增强层2包含由非表面活性剂法制备的二维MoO_3-x纳米片，用于增强稀土发光。制备方法如下：将Mo粉与H₂O₂在室温下混合搅拌，待出现黄色透明的液体时，加入还原剂，在140～160℃下进行溶剂热反应12～16h，得到所述二维MoO_3-x纳米片。将所述二维纳米片自组装于绝热基材上，即得到等离激元增强层2。

优选地，所述还原剂为乙醇、1-丁醇和2-丙醇中的一种。

选用非表面活性剂法制备的二维MoO_3-x纳米片构成等离激元增强层2，避免了由于表面活性剂的引入，使得载流子被局域于表面配体，导致了低的载流子迁移率的问题；同时，二维的半导体MoO_3-x降低了等离激元共振峰的可调难度，等离激元与激子耦合引起了稀土发光粒子的激发电场或发射电场的增强，实现了吸热型稀土的发光增强。

所述光学隔离层3为厚度为0～10nm的Ta₂O₅膜，通过磁控溅射法制得，通过调节功率与溅射时间，对隔离层厚度进行调节，能够优化稀土发光。

本发明提供的高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜的制备方法，包括以下步骤：

S1.制作绝热基层1：将空心二氧化硅纳米颗粒与具有高透光率和高耐热性的助剂分散至溶解度相似的溶剂中，充分混合后，旋涂成膜得到绝热基层1。

选择构筑模板纳米球(如表面为正电荷的聚苯乙烯球)，以沉积空心氧化物层(如负电荷的空心二氧化硅)，高温去除模板球，以得到空心氧化物纳米球。选择合适的浓度分散苯乙烯以及偶氮，通过水热法构筑尺寸均匀的聚苯乙烯球。基于模板聚苯乙烯，将其分散于甲醇、正硅酸甲酯与氨水的混合溶液中，来控制正硅酸甲酯的水解成核，制得聚苯乙烯-空心二氧化硅纳米球。经过高温蒸发或酸刻蚀法除去聚苯乙烯，得到空心二氧化硅纳米颗粒。

通过调节甲醇浓度、聚苯乙烯球径大小，获得对空心二氧化硅纳米颗粒的孔径的调节；调节正硅酸甲酯的浓度，获得对空心二氧化硅壳层厚度的调制。由于纯空心二氧化硅纳米颗粒自组装得到的膜层的机械性能较差，选择具有高透光率和高耐热性的助剂(如透光率达到99％，耐高温温的LED封装胶或类似的聚醚砜等聚合物)来连接空心二氧化硅纳米颗粒。选择溶解度相似的溶剂，如二甲基乙酰胺中，在超声作用力下以及搅拌力场作用下，将封装胶或聚合物与空心二氧化硅纳米颗粒充分溶，然后通过旋涂等方式成膜，得到绝热基层1。通过调节空心二氧化硅纳米颗粒的比例，优化薄膜中的填料孔隙率；通过调节其溶解度，实现薄膜中填料的分布排列状态，从而优化绝热性能。

S2.制作等离激元增强层2：将Mo粉与H₂O₂在室温下混合搅拌，待出现黄色透明的液体时，加入还原剂，在140～160℃下进行溶剂热反应12～16h，得到所述二维MoO_3-x纳米片；然后将其通过自组装的方法沉积在步骤S1得到的所述绝热基层1的表面，得到等离激元增强层2。

调节MoO_3-x纳米片的等离激元需要调节两个反应条件：通过调节反应温度(140-160℃)以及改变还原剂种类(如乙醇、1-丁醇和2-丙醇)，来调节MoO_3-x纳米片的等离激元共振峰。然后再通过自组装的方法沉积至绝热基层1上，为了使绝热基层1与MoO_3-x层结合牢固而不容易脱落，可在绝热基层1加入封装胶且未完全固化之前，沉积MoO_3-x层，再加以固化。

S3.制作光学隔离层3：通过磁场溅射的方式，在步骤S2得到的所述等离激元增强层2的表面溅射一层厚度为0～10nm的Ta₂O₅光学隔离层3；通过调节磁场溅射功率与溅射时间，来调节隔离层厚度。

S4.制作吸热型稀土发光层4：通过自组装的方法，在毛细作用力的作用下，将以上所述的吸热型稀土发光材料沉积至步骤S3所述的光学隔离层3的表面，得到吸热型稀土发光层4。

例如：采用正交高温溶剂热法可以制备吸热型α相与β相的NaYF₄:Yb³⁺,Er³⁺纳米晶。将稀土离子前驱物螯合剂、敏化剂、激活剂分散于油相体系中，在氮气环境的保护下进行高温热环境处理，后冷却至室温。将氢氧化钠与氟化铵的甲醇分散液以一定的速度滴加至上述室温混合液中，并充分搅拌溶解；然后通过高温蒸发除去甲醇溶液，并通过一定的反应热温度获得NaYF₄:Yb³⁺,Er³⁺吸热型的稀土发光材料，后在毛细作用力的牵引下，通过自组装的方式，将其沉积到Ta₂O₅光学隔离层3的表面。通过调节正交实验的温度，来调节NaYF₄:Yb³⁺,Er³⁺的尺寸和晶相，优化获得α-NaYF₄:Yb³⁺,Er³⁺材料，β-NaYF₄:Yb³⁺,Er³⁺材料。

S5.制作绝热盖层5：采用与步骤S1大致相同的方法，在步骤S4得到的所述吸热型稀土发光层4的表面旋涂绝热材料，即得到高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜。

综上所述，本发明提供的高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜，由下至上依次包括绝热基层、等离激元增强层、光学隔离层、吸热型稀土发光层及绝热盖层。如此设置，通过绝热基层和绝热盖层对等离激元诱导的光热的热阻隔、热存储的协同作用以及非表面活性剂型等离激元增强层的主导增益作用，提高了吸热型稀土发光层的发光效率，并随着激发功率的增大或激发时间的延长导致了等离激元光热转换率的提高，稀土粒子吸热更多热量，呈现出更强烈的绿光增强效果，解决了目前荧光防伪材料中的发光效率低、辨识度低、防伪模式单一等问题，不仅极大的提高了发光增益，而且增加了防伪的特异性，并升级了防伪的辨识度。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜，其特征在于，由下至上依次包括绝热基层(1)、等离激元增强层(2)、光学隔离层(3)、吸热型稀土发光层(4)及绝热盖层(5)；所述绝热基层(1)和绝热盖层(5)包含高透光率的绝热材料，用于将所述等离激元增强层(2)诱导的光热进行热阻隔与热存储并被所述吸热型稀土发光层(4)吸收，以协助所述等离激元增强层(2)提高发光效率；所述高透光率的绝热材料包含空心二氧化硅纳米颗粒及具有高透光率和高耐热性的助剂；所述空心二氧化硅纳米颗粒用于绝热填料，其粒径≤200nm、孔壁厚度≤18nm、孔隙率≥90％；

所述等离激元增强层(2)包含由非表面活性剂法制备的二维MoO_3-x纳米片，用于增强稀土发光；所述光学隔离层(3)用于促进能量由所述等离激元增强层(2)转移至所述稀土发光层(4)，以优化稀土发光；所述吸热型稀土发光层(4)包含吸热型稀土发光材料，用于受激辐射后光致发光，并在吸收热量之后呈现更强烈的绿光增强效果，以提高防伪特异性、可辨识度和复制难度；

所述吸热型稀土发光材料是以NaYF₄为基质、以Yb³⁺和Er³⁺为发光中心组成的NaYF₄:Yb^{3 +},Er³⁺材料，所述光学隔离层(3)为厚度为0～10nm的Ta₂O₅膜。

2.根据权利要求1所述的高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜，其特征在于，所述具有高透光率和高耐热性的助剂为LED封装胶或聚醚砜。

3.根据权利要求1所述的高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜，其特征在于，所述二维MoO_3-x纳米片的制备方法如下：将Mo粉与H₂O₂在室温下混合搅拌，待出现黄色透明的液体时，加入还原剂，在140～160℃下进行12～16h溶剂热反应，得到所述二维MoO_3-x纳米片。

4.根据权利要求3所述的高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜，其特征在于，所述还原剂为乙醇、1-丁醇和2-丙醇中的一种。

5.一种权利要求1至4中任一项权利要求所述的高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.制作绝热基层(1)：将空心二氧化硅纳米颗粒与具有高透光率和高耐热性的助剂分散至溶解度相似的溶剂中，充分混合后，旋涂成膜得到绝热基层(1)；

S2.制作等离激元增强层(2)：采用权利要求3所述的制备方法制备二维MoO_3-x纳米片，然后将其通过自组装的方法沉积在步骤S1得到的所述绝热基层(1)的表面，得到等离激元增强层(2)；

S3.制作光学隔离层(3)：通过磁控溅射的方式，在步骤S2得到的所述等离激元增强层(2)的表面溅射一层厚度为0～10nm的Ta₂O₅光学隔离层(3)；

S4.制作吸热型稀土发光层(4)：通过自组装的方法，在毛细作用力的作用下，将吸热型稀土发光材料沉积至步骤S3所述的光学隔离层(3)的表面，得到吸热型稀土发光层(4)；

S5.制作绝热盖层(5)：将空心二氧化硅纳米颗粒与具有高透光率和高耐热性的助剂分散至溶解度相似的溶剂中，充分混合后，旋涂至步骤S4得到的所述吸热型稀土发光层(4)的表面，即得到高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜。

6.根据权利要求5所述的高效增强的特异性稀土光致发光防伪膜的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述具有高透光率和高耐热性的助剂为LED封装胶，旋涂成膜后，在所述绝热基层(1)中的LED封装胶未完全固化之前，将步骤S2所述的二维MoO_3-x纳米片通过自组装的方法沉积在所述绝热基层(1)的表面，再进行后续固化，得到所述绝热基层(1)和等离激元增强层(2)；在步骤S4中，所述吸热型稀土发光材料采用正交高温溶剂热法制备得到。

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