CN111683955B - 化合物及包含其的有机发光元件 - Google Patents
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Abstract
本说明书提供由化学式1表示的化合物及包含其的有机发光元件。
Description
技术领域
本说明书主张于2018年05月14日向韩国专利局提交的韩国专利申请第10-2018-0054995号的优先权，其全部内容包含在本说明书中。
本申请涉及由化学式1表示的化合物及包含其的有机发光元件。
背景技术
通常情况下，有机发光现象是指利用有机物质将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光元件通常具有包括阳极和阴极以及位于它们之间的有机物层的结构。在这里，为了提高有机发光元件的效率和稳定性，有机物层大多情况下由分别利用不同的物质构成的多层结构形成，例如，可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等形成。对于这样的有机发光元件的结构而言，如果在两电极之间施加电压，则空穴从阳极注入至有机物层，电子从阴极注入至有机物层，当所注入的空穴和电子相遇时会形成激子(exciton)，并且当该激子重新跃迁至基态时就会发出光。
持续要求开发用于如上所述的有机发光元件的新的材料。
发明内容
技术课题
本申请提供由化学式1表示的化合物及包含其的有机发光元件。
课题的解决方法
本申请提供由下述化学式1表示的化合物。
[化学式1]
在化学式1中，
X为O、S、NRa、CRbRc或SiRdRe，
R为取代或未取代的烷基，
R1、R2和Ra至Re各自独立地为氢、氘、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基，
R4至R6中的至少两个各自独立地为取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的环烷基，其余各自独立地为氢或氘，
m为1或2，
a和b各自独立地为0至4的整数，
a和b各自独立地为2以上的整数时，括号内的取代基彼此相同或不同。
另外，本申请提供一种有机发光元件，其中，包括：第一电极、与上述第一电极对置而具备的第二电极、以及具备在上述第一电极与上述第二电极之间的1层以上的有机物层，上述有机物层中的1层以上包含上述化合物。
发明效果
使用根据本申请的一实施方式的化合物的有机发光元件能够实现低驱动电压、高发光效率或长寿命。
附图说明
图1图示了依次层叠有基板1、阳极2、发光层3、阴极4的有机发光元件的例子。
图2图示了依次层叠有基板1、阳极2、空穴注入层5、空穴传输层6、发光层3、电子传输层7、电子注入层8和阴极4的有机发光元件的例子。
具体实施方式
下面，对本说明书更详细地进行说明。
本说明书提供由上述化学式1表示的化合物。
根据本申请的一实施方式，由上述化学式1表示的化合物通过具有如上所述的核结构，从而具有可以调节三重态能量的优点，可以显示出长寿命和高效率的特性。
在将本发明的化合物作为磷光掺杂剂物质使用时，在电压、效率和寿命方面显示出优异的特性。如本发明的化合物所示，在二苯并呋喃配体中包含至少2个以上的烷基或环烷基的结构在掺杂剂分子间可以具有充分的距离，因此很少发生自猝灭(self-quenching)。这意味着相比于在二苯并呋喃中没有取代基或有一个取代基的结构，能够保障更多的电子和空穴参与发光。
另外，在吡啶的N-间位上取代的烷基几乎不会对掺杂剂的HOMO和LUMO带来影响，并且带来防止分子间堆叠(stacking)的效果。因此，在R4至R6中包含2个以上的烷基或环烷基，并且在吡啶的N-间位具有烷基的结构在没有色纯度的变化的前提下可以具有高效率、长寿命特性。
与此相比，在吡啶的N-对位上取代有烷基的情况下，对配体贡献电子的效果大。这阻碍了电子与空穴的平衡，从而降低效率和寿命。在本说明书中，取代基的示例在下文中说明，但并不限定于此。
上述“取代”这一用语的意思是结合于化合物的碳原子上的氢原子被替换成其它取代基，被取代的位置只要是氢原子可以被取代的位置、即取代基可以取代的位置就没有限定，当取代2个以上时，2个以上的取代基可以彼此相同或不同。
在本说明书中，“取代或未取代的”这一用语是指被选自氢、卤素基团、腈基、硝基、羟基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的芳基、以及取代或未取代的杂环基中的1个或2个以上的取代基取代，或者被上述例示的取代基中的2个以上的取代基连接而成的取代基取代，或者不具有任何取代基。例如，“2个以上的取代基连接而成的取代基”可以为联苯基。即，联苯基可以为芳基，也可以被解释为2个苯基连接而成的取代基。
在本说明书中，作为卤素基团的例子，有氟、氯、溴或碘。
在本说明书中，酯基的碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为1至50。具体而言，可以为下述结构式的化合物，但并不限定于此。
在本说明书中，羰基的碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为1至50。具体而言，可以为如下结构的化合物，但并不限定于此。
在本说明书中，上述烷基可以为直链或支链，碳原子数没有特别限定，但优选为1至50。作为具体例子，有甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、异己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基等，但并不限定于此。
在本说明书中，环烷基没有特别限定，但优选为碳原子数为3至60的环烷基，具体而言，有环丙基、环丁基、环戊基、3-甲基环戊基、2,3-二甲基环戊基、环己基、3-甲基环己基、4-甲基环己基、2,3-二甲基环己基、3,4,5-三甲基环己基、4-叔丁基环己基、环庚基、环辛基等，但并不限定于此。
在本说明书中，上述烷氧基可以为直链、支链或环状。烷氧基的碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为1至20。具体而言，可以为甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、新戊氧基、异戊氧基、正己氧基、3,3-二甲基丁氧基、2-乙基丁氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、苄氧基、对甲基苄氧基等，但并不限定于此。
在本说明书中，上述烯基可以为直链或支链，碳原子数没有特别限定，但优选为2至40。作为具体例，有乙烯基、1-丙烯基、异丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、3-甲基-1-丁烯基、1,3-丁二烯基、烯丙基、1-苯基乙烯-1-基、2-苯基乙烯-1-基、2,2-二苯基乙烯-1-基、2-苯基-2-(萘-1-基)乙烯-1-基、2,2-双(二苯-1-基)乙烯-1-基、茋基、苯乙烯基等，但并不限定于此。
在本说明书中，上述芳基为单环芳基时，碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为6至25。具体而言，作为单环芳基，可以为苯基、联苯基、三联苯基等，但并不限定于此。
上述芳基为多环芳基时，碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为10至24。具体而言，作为多环芳基，可以为萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、基、芴基等，但并不限定于此。
在本说明书中，上述芴基可以被取代，相邻的取代基可以彼此结合而形成环。
在上述芴基被取代的情况下，可以成为 等，但并不限定于此。
在本说明书中，杂环基包含一个以上非碳原子即杂原子，具体而言，上述杂原子可以包含选自O、N、Se和S等中的一个以上的原子。杂环基的碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为2至60。作为杂环基的例子，有噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、唑基、二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基(phenanthroline)、噻唑基、异唑基、二唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基和二苯并呋喃基等，但不仅限于此。
在本说明书中，芳香族烃环除了是2价基团以外，可以适用上述关于芳基的说明。
在本说明书中，杂环除了是2价基团以外，可以适用上述关于杂环基的说明。
在本说明书中，芳氧基、芳基硫基(Aryl thioxy)、芳基磺酰基(Aryl sulfoxy)、芳基膦基、芳烷基、芳烷基胺基、芳烯基、芳基胺基中的芳基可以适用上述关于芳基的说明。
在本说明书中，烷基硫基(Alkyl thioxy)、烷基磺酰基(Alkyl sulfoxy)、芳烷基、芳烷基胺基、烷基胺基中的烷基可以适用上述关于烷基的说明。
在本说明书中，芳烯基中的烯基可以适用上述关于烯基的说明。
在本说明书中，亚芳基除了是2价基团以外，可以适用上述关于芳基的说明。
在本说明书中，与相邻的基团彼此结合而形成环是指与相邻的基团彼此结合而形成取代或未取代的脂肪族烃环、取代或未取代的芳香族烃环、取代或未取代的脂肪族杂环、或者取代或未取代的芳香族杂环。
在本说明书中，脂肪族烃环是指不是芳香族的环且只由碳和氢原子构成的环。
在本说明书中，作为芳香族烃环的例子，有苯基、萘基、蒽基等，但不仅限于此。
在本说明书中，脂肪族杂环是指包含杂原子中的1个以上的脂肪族环。
在本说明书中，芳香族杂环是指包含杂原子中的1个以上的芳香族环。
在本说明书中，上述脂肪族烃环、芳香族烃环、脂肪族杂环和芳香族杂环可以为单环或多环。
根据本申请的一实施方式，上述X为O、S、NRa、CRbRc或SiRdRe。
根据本申请的一实施方式，上述X为O。
根据本申请的一实施方式，上述R为取代或未取代的烷基。
根据本申请的一实施方式，上述R为取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基。
根据本申请的一实施方式，上述R为取代或未取代的碳原子数为1至15的烷基。
根据本申请的一实施方式，上述R为取代或未取代的碳原子数为1至5的烷基。
根据本申请的一实施方式，上述R为被氘取代或未取代的碳原子数为1至5的烷基。
根据本申请的一实施方式，上述R为被氘取代或未取代的甲基。
根据本申请的一实施方式，上述R为被氘未取代的甲基。
根据本申请的一实施方式，上述R为甲基。
根据本申请的一实施方式，上述R1、R2和Ra至Re各自独立地为氢、氘、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基。
根据本申请的一实施方式，上述R1、R2和Ra至Re各自独立地为氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至30的环烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的碳原子数为6至60的芳基、或者取代或未取代的碳原子数为2至60的杂环基。
根据本申请的一实施方式，上述R1、R2和Ra至Re各自独立地为氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1至15的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至15的环烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基、或者取代或未取代的碳原子数为2至30的杂环基。
根据本申请的一实施方式，上述R1、R2和Ra至Re各自独立地为氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1至5的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、或者取代或未取代的甲硅烷基。
根据本申请的一实施方式，上述R1、R2和Ra至Re各自独立地为氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1至5的烷基、或者被烷基取代或未取代的甲硅烷基。
根据本申请的一实施方式，上述R1、R2和Ra至Re各自独立地为氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1至5的烷基、或者被碳原子数为1至5的烷基取代或未取代的甲硅烷基。
根据本申请的一实施方式，上述R1和R2各自独立地为氢、取代或未取代的甲基、或者被甲基取代或未取代的甲硅烷基。
根据本申请的一实施方式，上述R1和R2各自独立地为氢、被氘取代或未取代的甲基、或者被甲基取代的甲硅烷基。
根据本申请的一实施方式，上述R4至R6中的至少两个各自独立地为取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的环烷基，其余各自独立地为氢或氘，R4至R6的碳原子数之和为2以上。
根据本申请的一实施方式，上述R4至R6中的至少两个各自独立地为取代或未取代的碳原子数为1至30的烷基、或者取代或未取代的3至30的环烷基，其余各自独立地为氢或氘，R4至R6的碳原子数之和为2以上。
根据本申请的一实施方式，上述R4至R6中的至少两个各自独立地为取代或未取代的碳原子数为1至15的烷基、或者取代或未取代的3至15的环烷基，其余各自独立地为氢或氘，R4至R6的碳原子数之和为2以上。
根据本申请的一实施方式，上述R4至R6中的至少两个各自独立地为取代或未取代的碳原子数为1至5的烷基、或者取代或未取代的3至10的环烷基，其余各自独立地为氢或氘，R4至R6的碳原子数之和为2以上。
根据本申请的一实施方式，上述R4至R6中的至少两个各自独立地为取代或未取代的甲基、取代或未取代的丙基、取代或未取代戊基、或者取代或未取代的环己基，其余各自独立地为氢或氘。
根据本申请的一实施方式，上述R4至R6中的至少两个各自独立地为取代或未取代的甲基、取代或未取代的异丙基、取代或未取代的新戊基、或者取代或未取代的环己基，其余各自独立地为氢或氘。
根据本申请的一实施方式，上述R4至R6中的至少两个各自独立地为被氘取代或未取代的甲基、被氘取代或未取代的异丙基、被氘取代或未取代的新戊基、或者被氘取代或未取代的环己基，其余各自独立地为氢或氘。
根据本申请的一实施方式，由上述化学式1表示的化合物为选自下述结构式中的任一个。
另外，本申请提供包含上述化合物的有机发光元件。
在本申请的一实施方式中，提供一种有机发光元件，其中，包括：第一电极、与上述第一电极对置而具备的第二电极、以及具备在上述第一电极与上述第二电极之间的1层以上的有机物层，上述有机物层中的1层以上包含上述化合物。
在本申请中，当指出某一构件位于另一个构件“上”时，其不仅包括某一构件与另一构件接触的情况，还包括两构件之间存在其它构件的情况。
在本申请中，当指出某一部分“包括/包含”某一构成要素时，只要没有特别相反的记载，则意味着可以进一步包括其它构成要素，而不是将其它构成要素排除。
本申请的有机发光元件的有机物层可以由单层结构形成，还可以由层叠有2层以上的有机物层的多层结构形成。例如，本发明的有机发光元件可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等作为有机物层的结构。但是，有机发光元件的结构并不限定于此，可以包括更少数的有机物层。
在本申请的一实施方式中，上述有机物层包括发光层，上述发光层包含上述化合物。
在本申请的一实施方式中，上述有机物层包括电子注入层、电子传输层、或电子注入和传输层，上述电子注入层、电子传输层、或电子注入和传输层包含上述化合物。上述电子注入和传输层是同时进行电子注入和传输的层。
在本申请的一实施方式中，上述有机物层包括空穴注入层、空穴传输层、或空穴注入和传输层，上述空穴注入层、空穴传输层、或空穴注入和传输层包含上述化合物。上述空穴注入和传输层是同时进行空穴注入和传输的层。
在本申请的一实施方式中，上述有机发光元件进一步包括选自空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电子阻挡层和空穴阻挡层中的1层或2层以上。
上述发光层可以包含掺杂剂材料。作为主体材料，有芳香族稠环衍生物或含杂环化合物等。具体而言，作为芳香族稠环衍生物，有蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等，作为含杂环化合物，有二苯并呋喃衍生物、梯型呋喃化合物( )、嘧啶衍生物等，但并不限定于此。
在本申请的一实施方式中，包含上述化学式1的化合物的有机物层的厚度为至
在本申请的一实施方式中，上述有机发光元件包括：第一电极；与上述第一电极对置而具备的第二电极；以及具备在上述第一电极与上述第二电极之间的发光层；具备在上述发光层与上述第一电极之间、或者上述发光层与上述第二电极之间的2层以上的有机物层，上述2层以上的有机物层中的至少一层包含上述化合物。在本申请的一实施方式中，上述2层以上的有机物层可以从电子传输层、电子注入层、同时进行电子传输和电子注入的层、以及空穴阻挡层中选择2层以上。
在本申请的一实施方式中，上述有机物层包括2层以上的电子传输层，上述2层以上的电子传输层中的至少一层包含上述化合物。具体而言，在本申请的一实施方式中，上述化合物可以包含在上述2层以上的电子传输层中的1层中，也可以包含在各个2层以上的电子传输层中。
另外，在本申请的一实施方式中，上述化合物包含在上述各个2层以上的电子传输层中时，除了上述化合物以外的其它材料可以彼此相同或不同。
在本申请的一实施方式中，上述有机物层除了包括包含上述化合物的有机物层以外，还包括空穴注入层或空穴传输层，该空穴注入层或空穴传输层包含含有芳基氨基、咔唑基或苯并咔唑基的化合物。
在另一实施方式中，有机发光元件可以是在基板上依次层叠有阳极、一层以上的有机物层和阴极的标准结构(标准型(normal type))的有机发光元件。
在另一实施方式中，有机发光元件可以为在基板上依次层叠有阴极、一层以上的有机物层和阳极的逆向结构(倒置型(inverted type))的有机发光元件。
例如，根据本申请的一实施方式的有机发光元件的结构例示于图1和2中。
图1例示了依次层叠有基板1、阳极2、发光层3和阴极4的有机发光元件的结构。在如上所述的结构中，上述化合物可以包含在上述发光层3中。
图2例示了依次层叠有基板1、阳极2、空穴注入层5、空穴传输层6、发光层3、电子传输层7、电子注入层8和阴极4的有机发光元件的结构。在如上所述的结构中，上述化合物可以包含在上述空穴注入层5、空穴传输层6、发光层3、电子传输层7和电子注入层8中的1层以上中。
本申请的有机发光元件除了有机物层中的一层以上包含本申请的化合物，即上述化合物以外，可以利用该技术领域中已知的材料和方法进行制造。
上述有机发光元件在包括复数个有机物层时，上述有机物层可以由相同的物质或不同的物质形成。
本申请的有机发光元件除了有机物层中的一层以上包含上述化合物，即由上述化学式1表示的化合物以外，可以利用该技术领域中已知的材料和方法进行制造。
例如，本申请的有机发光元件可以通过在基板上依次层叠第一电极、有机物层和第二电极而制造。这时，可以如下制造：利用溅射法(sputtering)或电子束蒸发法(e-beamevaporation)之类的PVD(physical Vapor Deposition，物理气相沉积)方法，在基板上蒸镀金属或具有导电性的金属氧化物或它们的合金而形成阳极，然后在该阳极上形成包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机物层，之后在该有机物层上蒸镀可用作阴极的物质而制造。除了这种方法以外，也可以在基板上依次蒸镀阴极物质、有机物层、阳极物质而制造有机发光元件。
另外，上述化学式1的化合物在制造有机发光元件时，不仅可以利用真空蒸镀法，还可以利用溶液涂布法来形成有机物层。在这里，溶液涂布法是指旋涂法、浸涂法、刮涂法、喷墨印刷法、丝网印刷法、喷雾法、辊涂法等，但不仅限于此。
除了这些方法以外，还可以在基板上依次蒸镀阴极物质、有机物层、阳极物质而制造有机发光元件(国际专利申请公开第2003/012890号)。但是，制造方法并不限定于此。
在本申请的一实施方式中，上述第一电极为阳极，上述第二电极为阴极。
在另一实施方式中，上述第一电极为阴极，上述第二电极为阳极。
作为上述阳极物质，通常为了使空穴能够顺利地向有机物层注入，优选为功函数大的物质。作为本发明中可以使用的阳极物质的具体例，有如钒、铬、铜、锌、金等金属或它们的合金；氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等金属氧化物；ZnO:Al或SnO2:Sb等金属与氧化物的组合；聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧)噻吩](PEDOT)、聚吡咯和聚苯胺等导电性高分子等，但不仅限于此。
作为上述阴极物质，通常为了使电子容易地向有机物层注入，优选为功函数小的物质。作为阴极物质的具体例，有镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅等金属或它们的合金；LiF/Al或LiO2/Al之类的多层结构物质等，但不仅限于此。
上述空穴注入层是注入来自电极的空穴的层，作为空穴注入物质，优选为如下化合物：具有传输空穴的能力，具有来自阳极的空穴注入效果，具有对于发光层或发光材料的优异的空穴注入效果，防止发光层中生成的激子向电子注入层或电子注入材料迁移，而且薄膜形成能力优异。优选空穴注入物质的HOMO(最高占有分子轨道，highest occupiedmolecular orbital)介于阳极物质的功函数与周围有机物层的HOMO之间。作为空穴注入物质的具体例，有金属卟啉(porphyrin)、低聚噻吩、芳基胺系有机物、六腈六氮杂苯并菲系有机物、喹吖啶酮(quinacridone)系有机物、苝(perylene)系有机物、蒽醌及聚苯胺和聚噻吩系导电性高分子等，但不仅限于此。
上述空穴传输层是接收来自空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的层，空穴传输物质是能够接收来自阳极或空穴注入层的空穴并将其转移至发光层的物质，对空穴的迁移率大的物质是合适的。作为具体例，有芳基胺系有机物、导电性高分子、以及同时存在共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物等，但不仅限于此。
上述发光物质是能够分别接受来自空穴传输层和电子传输层的空穴和电子并使它们结合而发出可见光区域的光的物质，优选对于荧光或磷光的量子效率高的物质。作为具体例，有8-羟基喹啉铝配合物(Alq3)；咔唑系化合物；二聚苯乙烯基(dimerized styryl)化合物；BAlq；10-羟基苯并喹啉-金属化合物；苯并唑、苯并噻唑及苯并咪唑系化合物；聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)系高分子；螺环(spiro)化合物；聚芴、红荧烯等，但不仅限于此。
上述电子传输层是从电子注入层接收电子并将电子传输至发光层的层，电子传输物质是能够从阴极良好地注入电子并将其转移至发光层的物质，对于电子的迁移率大的物质是合适的。作为具体例，有8-羟基喹啉的Al配合物、包含Alq3的配合物、有机自由基化合物、羟基黄酮-金属配合物等，但不仅限于此。电子传输层可以如现有技术中所使用的那样与任意期望的阴极物质一同使用。特别是，合适的阴极物质的例子是具有低功函数且伴有铝层或银层的通常的物质。具体为铯、钡、钙、镱和钐，在各情况下均伴有铝层或银层。
上述电子注入层是注入来自电极的电子的层，优选为如下化合物：具有传输电子的能力，具有来自阴极的电子注入效果、对于发光层或发光材料的优异的电子注入效果，防止发光层中所生成的激子向空穴注入层迁移，而且薄膜形成能力优异。具体而言，有芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、唑、二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等和它们的衍生物、金属配位化合物、以及含氮五元环衍生物等，但并不限定于此。
作为上述金属配位化合物，有8-羟基喹啉锂、双(8-羟基喹啉)锌、双(8-羟基喹啉)铜、双(8-羟基喹啉)锰、三(8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)镓、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)锌、双(2-甲基-8-喹啉)氯化镓、双(2-甲基-8-喹啉)(邻甲酚)镓、双(2-甲基-8-喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-喹啉)(2-萘酚)镓等，但并不限定于此。
上述空穴阻挡层是阻挡空穴到达阴极的层，一般可以通过与空穴注入层相同的条件形成。具体而言，有二唑衍生物或三唑衍生物、菲咯啉衍生物、BCP、铝配合物(aluminum complex)等，但并不限定于此。
根据所使用的材料，根据本申请的有机发光元件可以为顶部发光型、底部发光型或双向发光型。
实施发明的方式
在以下实施例中对由上述化学式1表示的化合物及包含其的有机发光元件的制造具体地进行说明。但是，下述实施例用于例示本说明书，本说明书的范围并不限定于此。
[制造例]
制造例1-1：中间体A1和B1的化合物合成
(1)中间体A1的制造
在氮气氛下，在圆底烧瓶中，将2-溴吡啶(2-bromopyridine)(30g，0.20mol)、苯硼酸(phenylboronic acid)(43g，0.35mol)溶解于THF(300ml)后，添加2M的碳酸钾水溶液(potassium carbonate solution)(150ml)，加入四(三苯基膦)钯(7.0g，6.0mmol)后，在70摄氏度加热搅拌3小时。反应结束后，降低温度，分离水层后，去除有机层的溶剂。使用氯仿(chloroform)溶解后，用水洗涤，加入硫酸镁(magnesium sulfate)和酸性白土，搅拌后过滤，进行减压浓缩。然后，制造了在乙酸乙酯(ethyl acetate)：己烷(hexane)＝1：50的条件下通过柱层析而分离的化合物A1(25g，收率80％)。
(2)中间体1-1a的制造
在氮气氛下，在圆底烧瓶中，将氯化铱(iridium chloride)(10g，33mol)和化合物A1(11.4g，0.073mol)加入到2-乙氧基乙醇(2-ethoxyethanol)(1000ml)和蒸馏水(330ml)中，加热搅拌24小时。将温度降至常温，进行过滤，用2L的乙醇洗涤(wash)，从而制造了固体化合物1-1a(10.2g，收率59％)。
(3)中间体B1的制造
加入中间体1-1a(10.2g，10mmol)和500ml的二氯甲烷(methylene chloride)后，将AgOTf(14.6g，18.9mol)溶解于250ml的甲醇而加入其中，然后在遮光的状态下进行常温搅拌。24小时后过滤，然后，使所过滤的滤液的溶剂挥发，用甲苯(toluene)进行沉淀，在没有追加纯化的情况下得到了化合物B1(收率91％)。
制造例1-2：中间体A2和B2的化合物合成
(1)中间体A2的制造
使用2-溴-5-甲基吡啶(2-bromo-5-methylpyridine)(50.0g，0.28mol)代替2-溴吡啶(2-bromopyridine)，除此以外，通过与制造中间体A1的方法相同的方法制造了上述化合物A2(26g，收率65％)。
(2)中间体1-1b的制造
使用中间体A2代替中间体A1，除此以外，通过与制造中间体1-1a的方法相同的方法制造了上述中间体1-1b(20g，收率54％)。
(3)中间体B2的制造
使用中间体1-1b代替中间体1-1a，除此以外，通过与制造中间体B1的方法相同的方法制造了上述中间体B2(收率94％)。
制造例1-3：中间体A3和B3的化合物合成
(1)中间体1-1c的制造
使用2,5-溴吡啶(2,5-bromopyridine)(55g，0.23mol)代替2-溴吡啶(2-bromopyridine)，除此以外，通过与制造中间体A1的方法相同的方法制造了上述化合物1-1c(26g，收率65％)。
(2)中间体1-1d的制造
在氮气氛下，在圆底烧瓶中，将5-溴-2-苯基吡啶(5-bromo-2-phenylpyridine)(35g，0.15mol)溶解于二乙醚(diethylether)后，在-78摄氏度添加2.5M的n-BuLi(65ml，0.16mol)后，搅拌1小时。在-78摄氏度加入硼酸三乙酯(triethyl borate)(33g，0.23mol)后，在常温下搅拌1小时。添加2M的盐酸水溶液(hydrochloride solution)(100ml)，搅拌30分钟后，用20％的氢氧化钠水溶液(sodium hydroxide solution)(100ml)进行中和。分离水层后，去除有机层的溶剂。制造了在己烷(hexane)：乙酸乙酯(ethyl acetate)＝100：1的条件下通过柱层析而分离的化合物1-1d(21g，收率73％)。
(3)中间体A3的制造
在氮气氛下，在圆底烧瓶中，将(6-苯基吡啶-3-基)硼酸((6-phenylpyridin-3-yl)boronic acid)(21g，0.11mol)、碘甲烷-d3(iodomethane-d3)(23g，0.16mol)溶解于四氢呋喃(200ml)和甲醇(100ml)后，添加2M的碳酸钾水溶液(potassium carbonatesolution)(100ml)，加入四(三苯基膦)钯(3.8g，3.3mmol)后，在70摄氏度加热搅拌12小时。使用氯仿(chloroform)溶解后，用水洗涤，加入硫酸镁(magnesium sulfate)和酸性白土，搅拌后过滤，进行减压浓缩。然后，制造了在己烷(hexane)：乙酸乙酯(ethyl acetate)＝50：1的条件下通过柱层析而分离的化合物A3(11g，收率67％)。
(4)中间体1-1e的制造
使用中间体A3代替中间体A1，除此以外，通过与制造中间体1-1a的方法相同的方法制造了上述中间体1-1e(10.2g，收率62％)。
(5)中间体B3的制造
使用中间体1-1e代替中间体1-1a，除此以外，通过与制造中间体B1的方法相同的方法制造了上述中间体B3(收率90％)。
制造例1-4：中间体A4和B4的化合物合成
(1)中间体1-1f的制造
使用2-溴-4,5-二甲基吡啶(50g，0.27mol)代替2-溴吡啶(2-bromopyridine)，使用对甲基苯硼酸(p-tolylboronic acid)(40g，0.30mol)代替苯硼酸(phenylboronicacid)，除此以外，通过与制造中间体A1的方法相同的方法制造了上述化合物1-1f(35g，收率66％)。
(2)中间体A4的制造
在氮气氛下，在圆底烧瓶中，将中间体1-1f(23.6g，0.12mol)和乙醇钠(sodiumethoxide)(5.8g，0.085mol)溶解于300ml的二甲亚砜-d6(dimethylsulfoxide-d6)后，在80摄氏度加热搅拌32小时。将温度降至常温后，用100ml(10eq)的D2O猝灭，充分搅拌1小时。加入过量的H2O，用乙酸乙酯萃取后，进行减压浓缩。然后，在己烷(hexane)：乙酸乙酯(ethylacetate)＝50：1的条件下，通过柱层析而分离了化合物A4(19g，收率58％)。
(3)中间体1-1g的制造
使用中间体A4代替中间体A1，除此以外，通过与制造中间体A1的方法相同的方法制造了上述中间体1-1g(19g，收率58％)。
(4)中间体B4的制造
使用中间体1-1g代替中间体1-1a，除此以外，通过与制造中间体B1的方法相同的方法制造了上述中间体B4(收率90％)。
制造例1-5：中间体A5和B5的化合物合成
(1)中间体A5的制造
使用2-溴-5-(三甲基甲硅烷基)吡啶(2-bromo-5-(trimethylsilyl)pyridine)代替2-溴吡啶(2-bromopyridine)，除此以外，通过与制造中间体A1的方法相同的方法制造了上述化合物1-1h。
(2)中间体1-1i的制造
使用中间体A5代替中间体A1，除此以外，通过与制造中间体A1的方法相同的方法制造了上述化合物1-1i。
(3)中间体B5的制造
使用中间体1-1i代替中间体1-1a，除此以外，通过与制造中间体B1的方法相同的方法制造了上述中间体B5(收率90％)。
[制造例2]
制造例2-1：中间体C1的化合物合成
(1)中间体2-1a的制造
在氮气氛下，在圆底烧瓶中加入2-溴-3,4-二甲基苯胺(2-bromo-3,4-dimethylaniline)(53.13g，0.267mol)、(2,3-二甲氧基苯基)硼酸((2,3-dimethoxyphenyl)boronic acid)(63g，0.3478mol)、K2CO3(38g，0.272mol)、100ml的H2O、750ml的1,4-二烷，回流24小时。分离有机层，在减压下浓缩。然后，用800ml的氯仿萃取，加入硫酸镁(magnesium sulfate)和酸性白土搅拌后，在减压下过滤并减压浓缩。制造了通过柱层析而分离的化合物2-1a(46.8g，收率69％)。
(2)中间体2-1b的制造
在氮气氛下，在圆底烧瓶中，将2-1a(47g，0.184mol)加入到600ml的乙酸(aceticacid)、200ml的THF中进行搅拌。将反应物变为0℃，滴加叔丁基腈(tert-butyl nitrile)(103.12g，0.336mol)。反应5小时后，添加H2O进行析出。将析出物溶解于氯仿，加入硫酸镁(magnesium sulfate)搅拌后，在减压下过滤并浓缩。通过柱层析制造了2-1b。(20g，收率50％)
(3)中间体2-1c的制造
在圆底烧瓶中加入化合物2-1b(29.3g，0.13mol)和350ml的二氯甲烷进行搅拌。将反应物变为0℃，缓慢滴加BBr3(98g，0.391mol)。在常温下搅拌5小时，添加H2O、NaHCO3进行析出。在减压下过滤析出物。在析出物中加入硫酸镁(magnesium sulfate)搅拌后，在减压下过滤并浓缩。通过柱层析制造了2-1c。(23.3g，收率84％)
(4)中间体2-1d的制造
在圆底烧瓶中加入化合物2-1c(23g，0.11mol)、吡啶(Pyridine)(26g，0.33mmol)、300ml的二氯甲烷进行搅拌。将反应物变为0℃，缓慢滴加三氟甲磺酸酐(Trifluoromethanesulfonic anhydride)(62g，0.22mmol)。在常温下反应24小时，添加H2O。分离有机层，加入硫酸镁(magnesium sulfate)搅拌后，在减压下过滤后，进行浓缩，从而制造了2-1d。(35.4g，收率93％)
(5)中间体2-1e的制造
在圆底烧瓶中，将化合物2-1d(34g，0.1mol)、4,4,5,5-四甲基-[1,2,3]-二氧杂硼杂环戊烷(4,4,5,5-tetramethyl-[1,2,3]-dioxaborolane)(56g，0.22mol)、Pd(dppf)Cl2(2.4g，3.3mmol，3mol％)、醋酸钾(potassium acetate)(32g，0.33mol)溶解于二烷(dioxane)(300ml)后，在80摄氏度加热搅拌12小时。将温度降至常温，减压浓缩溶剂。将该浓缩液溶解于氯仿(CHCl3)后，用水洗涤，一边对溶解有生成物的溶液进行减压浓缩，一边在乙醇(ethanol)中进行沉淀，从而制造了化合物2-1d。(25g，收率84％)
(6)中间体C1的制造
在圆底烧瓶中，将化合物2-1d(28g，0.10mol)、2-溴-5-甲基吡啶(2-bromo-5-methylpyridine)(15.3g，0.09mol)溶解于THF(300ml)后，添加2M的碳酸钾水溶液(potassium carbonate solution)(100ml)，加入四(三苯基膦)钯(3.4g，3mmol)后，在80摄氏度加热搅拌12小时。反应结束后，降低温度，分离水层后，去除有机层的溶剂。使用氯仿(chloroform)溶解后，用水洗涤，加入硫酸镁(magnesium sulfate)和酸性白土搅拌后过滤，进行减压浓缩。然后，制造了在乙酸乙酯(ethyl acetate)：己烷(hexane)＝1：50的条件下通过柱层析而分离的化合物C1(25.5g，收率89％)。
制造例2-2：中间体C2的化合物合成
在制造例2-1中，使用2-溴-4,5-二甲基苯胺(2-bromo-4,5-dimethylaniline)代替2-溴-3,4-二甲基苯胺(2-bromo-3,4-dimethylaniline)，除此以外，通过与中间体C1的制造方法相同的方法制造了化合物C2。
制造例2-3：中间体C3的化合物合成
在制造例2-1中，使用2-溴-3,4,5-三甲基苯胺(2-bromo-3,4,5-trimethylaniline)代替2-溴-3,4-二甲基苯胺(2-bromo-3,4-dimethylaniline)，除此以外，通过与中间体C1的制造方法相同的方法制造了化合物C3。
制造例2-4：中间体C4的化合物合成
在制造例2-1中，使用2-溴-3-环己基-4-甲基苯胺(2-bromo-3-cyclohexyl-4-methylaniline)代替2-溴-3,4-二甲基苯胺(2-bromo-3,4-dimethylaniline)，除此以外，通过与中间体C1的制造方法相同的方法制造了化合物C4。
制造例2-5：中间体C5的化合物合成
在制造例2-1中，使用2-溴-4-环己基-3-甲基苯胺(2-bromo-4-cyclohexyl-3-methylaniline)代替2-溴-3,4-二甲基苯胺(2-bromo-3,4-dimethylaniline)，除此以外，通过与中间体C1的制造方法相同的方法制造了化合物C5。
制造例2-6：中间体C6的化合物合成
在制造例2-1中，使用2-溴-3-异丙基-4-甲基苯胺(2-bromo-3-isopropyl-4-methylaniline)代替2-溴-3,4-二甲基苯胺(2-bromo-3,4-dimethylaniline)，除此以外，通过与中间体C1的制造方法相同的方法制造了化合物C6。
制造例2-7：中间体C7的化合物合成
在制造例2-1中，使用2-溴-4-异丙基-3-甲基苯胺(2-bromo-4-isopropyl-3-methylaniline)代替2-溴-3,4-二甲基苯胺(2-bromo-3,4-dimethylaniline)，除此以外，通过与中间体C1的制造方法相同的方法制造了化合物C7。
制造例2-8：中间体C8的化合物合成
在制造例2-1中，使用2-溴-5-异丙基-3-甲基苯胺(2-bromo-5-isopropyl-3-methylaniline)代替2-溴-3,4-二甲基苯胺(2-bromo-3,4-dimethylaniline)，除此以外，通过与中间体C1的制造方法相同的方法制造了化合物C8。
制造例2-9：中间体C9的化合物合成
在制造例2-1中，使用2-溴-3-异丁基-4-甲基苯胺(2-bromo-3-isobutyl-4-methylaniline)代替2-溴-3,4-二甲基苯胺(2-bromo-3,4-dimethylaniline)，除此以外，通过与中间体C1的制造方法相同的方法制造了化合物C9。
制造例2-10：中间体C10的化合物合成
在制造例2-1中，使用2-溴-4-异丁基-3-甲基苯胺(2-bromo-4-isobutyl-3-methylaniline)代替2-溴-3,4-二甲基苯胺(2-bromo-3,4-dimethylaniline)，除此以外，通过与中间体C1的制造方法相同的方法制造了化合物C10。
制造例2-11：中间体C11的化合物合成
在制造例2-1中，使用2-溴-5-异丁基-3-甲基苯胺(2-bromo-5-isobutyl-3-methylaniline)代替2-溴-3,4-二甲基苯胺(2-bromo-3,4-dimethylaniline)，除此以外，通过与中间体C1的制造方法相同的方法制造了化合物C11。
制造例3-1：中间体D1的化合物合成
在氮气氛下，在圆底烧瓶中，将中间体C1(34.5g，0.12mol)和乙醇钠(sodiumethoxide)(5.8g，0.085mol)溶解于300ml的二甲亚砜-d6(dimethylsulfoxide-d6)后，在80摄氏度加热搅拌32小时。将温度降至常温后，用100ml(10eq)的D2O猝灭，充分搅拌1小时。加入过量的H2O，用乙酸乙酯萃取后，进行减压浓缩。然后，在己烷(hexane)：乙酸乙酯(ethylacetate)＝50：1的条件下，通过柱层析而分离了化合物D1(20.63g，收率58％)。
制造例3-2：中间体D2的化合物合成
在制造例3-1中，使用C2代替C1，除此以外，通过与中间体D1的制造方法相同的方法制造了化合物D2。
制造例3-3：中间体D3的化合物合成
在制造例3-1中，使用C3代替C1，除此以外，通过与中间体D1的制造方法相同的方法制造了化合物D3。
制造例3-4：中间体D4的化合物合成
在制造例3-1中，使用C4代替C1，除此以外，通过与中间体D1的制造方法相同的方法制造了化合物D4。
制造例3-5：中间体D5的化合物合成
在制造例3-1中，使用C5代替C1，除此以外，通过与中间体D1的制造方法相同的方法制造了化合物D5。
制造例3-6：中间体D6的化合物合成
在制造例3-1中，使用C6代替C1，除此以外，通过与中间体D1的制造方法相同的方法制造了化合物D6。
制造例3-7：中间体D7的化合物合成
在制造例3-1中，使用C7代替C1，除此以外，通过与中间体D1的制造方法相同的方法制造了化合物D7。
制造例3-8：中间体D8的化合物合成
在制造例3-1中，使用C8代替C1，除此以外，通过与中间体D1的制造方法相同的方法制造了化合物D8。
制造例3-9：中间体D9的化合物合成
在制造例3-1中，使用C9代替C1，除此以外，通过与中间体D1的制造方法相同的方法制造了化合物D9。
制造例3-10：中间体D10的化合物合成
在制造例3-1中，使用C10代替C1，除此以外，通过与中间体D1的制造方法相同的方法制造了化合物D10。
制造例3-11：中间体D11的化合物合成
在制造例3-1中，使用C11代替C1，除此以外，通过与中间体D1的制造方法相同的方法制造了化合物D11。
制造例4
制造例4-1：化合物1的化合物合成
在氮气氛下，加入化合物B3(20g，28mmol)和化合物D1(20.7g，70mmol)、200ml的甲醇(methanol)、200ml的乙醇(ethnol)，在反应温度70摄氏度加热搅拌48小时。反应结束后过滤，用乙醇洗涤后，制造了在己烷(hexane)：甲醇(methyl achohol)＝30：1的条件下通过柱层析而分离的化合物1(收率32％)。
通过质谱分析确认了分子量为845。
制造例4-2：化合物2的化合物合成
在制造例4-1中，用D2代替D1，除此以外，通过与化合物1的制造方法相同的方法制造了化合物2。(收率39％)
通过质谱分析确认了分子量为845。
制造例4-3：化合物3的化合物合成
在制造例4-1中，用D3代替D1，除此以外，通过与化合物1的制造方法相同的方法制造了化合物3。
通过质谱分析确认了分子量为862。
制造例4-4：化合物4的化合物合成
在制造例4-1中，用D4代替D1，除此以外，通过与化合物1的制造方法相同的方法制造了化合物4。
通过质谱分析确认了分子量为911。
制造例4-5：化合物5的化合物合成
在制造例4-1中，用D5代替D1，除此以外，通过与化合物1的制造方法相同的方法制造了化合物5。
通过质谱分析确认了分子量为911。
制造例4-6：化合物6的化合物合成
在制造例4-1中，用D6代替D1，除此以外，通过与化合物1的制造方法相同的方法制造了化合物6。
通过质谱分析确认了分子量为871。
制造例4-7：化合物7的化合物合成
在制造例4-1中，用D7代替D1，除此以外，通过与化合物1的制造方法相同的方法制造了化合物7。
通过质谱分析确认了分子量为871。
制造例4-8：化合物8的化合物合成
在制造例4-1中，用D8代替D1，除此以外，通过与化合物1的制造方法相同的方法制造了化合物8。
通过质谱分析确认了分子量为871。
制造例4-9：化合物9的化合物合成
在制造例4-1中，用D9代替D1，除此以外，通过与化合物1的制造方法相同的方法制造了化合物9。
通过质谱分析确认了分子量为886。
制造例4-10：化合物10的化合物合成
在制造例4-1中，用D10代替D1，除此以外，通过与化合物1的制造方法相同的方法制造了化合物10。
通过质谱分析确认了分子量为886。
制造例4-11：化合物11的化合物合成
在制造例4-1中，用D11代替D1，除此以外，通过与化合物1的制造方法相同的方法制造了化合物11。
通过质谱分析确认了分子量为886。
制造例4-12：化合物12的化合物合成
在制造例4-1中，用B4代替B3，除此以外，通过与化合物1的制造方法相同的方法制造了化合物12。
通过质谱分析确认了分子量为913。
制造例4-13：化合物13的化合物合成
在制造例4-12中，用D2代替D1，除此以外，通过与化合物12的制造方法相同的方法制造了化合物13。
通过质谱分析确认了分子量为913。
制造例4-14：化合物14的化合物合成
在制造例4-12中，用D3代替D1，除此以外，通过与化合物12的制造方法相同的方法制造了化合物14。
通过质谱分析确认了分子量为930。
制造例4-15：化合物15的化合物合成
在制造例4-12中，用D4代替D1，除此以外，通过与化合物12的制造方法相同的方法制造了化合物15。
通过质谱分析确认了分子量为979。
制造例4-16：化合物16的化合物合成
在制造例4-12中，用D5代替D1，除此以外，通过与化合物12的制造方法相同的方法制造了化合物16。
通过质谱分析确认了分子量为979。
制造例4-17：化合物17的化合物合成
在制造例4-12中，用D6代替D1，除此以外，通过与化合物12的制造方法相同的方法制造了化合物17。
通过质谱分析确认了分子量为939。
制造例4-18：化合物18的化合物合成
在制造例4-12中，用D7代替D1，除此以外，通过与化合物12的制造方法相同的方法制造了化合物18。
通过质谱分析确认了分子量为939。
制造例4-19：化合物19的化合物合成
在制造例4-12中，用D8代替D1，除此以外，通过与化合物12的制造方法相同的方法制造了化合物19。
通过质谱分析确认了分子量为939。
制造例4-20：化合物20的化合物合成
在制造例4-12中，用D9代替D1，除此以外，通过与化合物12的制造方法相同的方法制造了化合物20。
通过质谱分析确认了分子量为954。
制造例4-21：化合物21的化合物合成
在制造例4-12中，用D10代替D1，除此以外，通过与化合物12的制造方法相同的方法制造了化合物21。
通过质谱分析确认了分子量为954。
制造例4-22：化合物22的化合物合成
在制造例4-12中，用D11代替D1，除此以外，通过与化合物12的制造方法相同的方法制造了化合物22。
通过质谱分析确认了分子量为954。
制造例4-23：化合物23的化合物合成
在制造例4-12中，用D10代替D1，除此以外，通过与化合物12的制造方法相同的方法制造了化合物23。
通过质谱分析确认了分子量为996。
制造例4-24：化合物24的化合物合成
在制造例4-12中，用D11代替D1，除此以外，通过与化合物12的制造方法相同的方法制造了化合物24。
通过质谱分析确认了分子量为996。
实施例1
将ITO(氧化铟锡，indium tin oxide)以的厚度被涂布成薄膜的玻璃基板放入溶解有洗涤剂的蒸馏水中，利用超声波进行洗涤。这时，洗涤剂使用菲希尔公司(Fischer Co.)制品，蒸馏水使用了利用密理博公司(Millipore Co.)制造的过滤器(Filter)过滤两次的蒸馏水。将ITO洗涤30分钟后，用蒸馏水重复两次而进行10分钟超声波洗涤。在蒸馏水洗涤结束后，用异丙醇、丙酮、甲醇的溶剂进行超声波洗涤并干燥后，输送至等离子体清洗机。此外，利用氧等离子体，将上述基板清洗5分钟后，将基板输送至真空蒸镀机。
在如上所述准备的ITO透明电极上，将如下所示的HI-1化合物以的厚度进行热真空蒸镀，从而形成了空穴注入层。
在上述空穴注入层上，将HT-1化合物以的厚度进行热真空蒸镀，依次将HT-3化合物以的厚度进行真空蒸镀，从而形成了空穴传输层。
接着，在上述空穴传输层上，将作为主体的H1、H2的混合物和作为磷光掺杂剂的上述制造例中合成的化合物1进行真空蒸镀，此时，以作为主体的H1、H2的混合物100重量份为基准，上述化合物1为6重量份，从而形成了厚度的发光层。
在上述发光层上，将ET-3物质以的厚度进行真空蒸镀，从而形成了空穴阻挡层，在上述空穴阻挡层上，将ET-4物质和LiQ以1:1的重量比进行真空蒸镀，从而形成了的电子传输层。在上述电子传输层上，依次蒸镀厚度的氟化锂(LiF)，在其之上以的厚度蒸镀铝而形成阴极。
在上述过程中，有机物的蒸镀速度维持阴极的氟化锂维持的蒸镀速度，铝维持的蒸镀速度，在蒸镀时，真空度维持1×10-7～5×10-8托。
实施例2至11
形成发光层时，作为磷光掺杂剂，各自使用下述表1中记载的化合物代替化合物1，除此以外，通过进行与上述实施例1相同的方法各自制作了实施例2至11的有机发光元件。
比较例1至6
形成发光层时，作为磷光掺杂剂，使用下述表1中记载的化合物代替化合物1，除此以外，通过进行与上述实施例1相同的方法各自制作了比较例1至6的有机发光元件。
实验例1
对上述实施例1至11和比较例1至6中制作的有机发光元件施加电流，测定电压、效率、色坐标和寿命，将其结果示于下述表1。
T95表示亮度从初始亮度减少至95％所需的时间。
[表1]
由上述表1可知，确认了在将本发明的化合物作为磷光掺杂剂物质使用时，与比较例1至6相比，在电压、效率和寿命方面显示出优异的特性。如本发明的化合物那样，在二苯并呋喃配体中包含至少2个以上的烷基或环烷基的结构在掺杂剂分子间可以具有充分的距离，少发生自猝灭(self-quenching)。这说明与比较例1至3的二苯并呋喃中没有或者具有一个取代基的结构相比，能够保障更多的电子和空穴参与发光，如实施例1至11那样，可以具有高的效率和寿命。此外，在吡啶的N-间位取代的烷基几乎不会对HOMO和LUMO带来影响，并且带来防止分子间堆叠(stacking)的效果。因此，在R4至R6中包含2个以上的烷基或环烷基，并且在吡啶的N-间位具有烷基的结构在没有色纯度的变化的情况下可以具有高效率、长寿命特性。比较例4在吡啶的N-对位取代有烷基，因此对配体贡献电子的效果大。这阻碍了电子和空穴的平衡而降低效率和寿命。比较例6中虽然在N-间位取代有甲基，但在二苯并呋喃中只具有1个取代基，可以确认与本发明的化合物相比效率和寿命低。如比较例5的结构那样在二苯并呋喃上吡啶结构在配体中进一步包含杂原子，因此分子的结构稳定性低，这可能会导致驱动电压升高和效率的降低。
[符号说明]
1：基板
2：阳极
3：发光层
4：阴极
5：空穴注入层
6：空穴传输层
7：电子传输层
8：电子注入层。
Claims (4)
1.一种由下述化学式1表示的化合物：
化学式1
在化学式1中，
X为O或S，
R为被氘取代的甲基，
R1和R2各自独立地为氢、氘、被氘取代的甲基、或者被甲基取代的甲硅烷基，
R4至R6中的至少两个各自独立地为被氘取代的甲基、被氘取代的异丙基、被氘取代的异丁基、被氘取代的新戊基、或者被氘取代的环己基，其余各自独立地为氢或氘，
R4至R6的碳原子数之和为2以上，
m为2，
a和b各自独立地为0至4的整数，
a和b各自独立地为2以上的整数时，括号内的取代基彼此相同或不同。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中，由所述化学式1表示的化合物选自下述结构式中的任一个：
3.一种有机发光元件，其中，包括：第一电极、与所述第一电极对置而具备的第二电极、以及具备在所述第一电极与所述第二电极之间的1层以上的有机物层，所述有机物层中的1层以上包含权利要求1或2所述的化合物。
4.根据权利要求3所述的有机发光元件，其中，所述有机物层包括发光层，所述发光层包含所述化合物。
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