CN111678961B - 半导体激光器的缺陷识别方法 - Google Patents

半导体激光器的缺陷识别方法 Download PDF

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CN111678961B CN202010524782.4A CN202010524782A CN111678961B CN 111678961 B CN111678961 B CN 111678961B CN 202010524782 A CN202010524782 A CN 202010524782A CN 111678961 B CN111678961 B CN 111678961B
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    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/22—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
    • G01N27/24—Investigating the presence of flaws

Abstract

本发明提供了一种半导体激光器的缺陷识别方法，其包括：获取半导体激光器在老化过程中的电容和频率的第一关系曲线图；根据所述第一关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷能级信息和/或缺陷分布信息。本发明还提供了另一种半导体激光器的缺陷识别方法，其包括：获取半导体激光器在老化过程中的表观载流子浓度和耗尽区宽度的第二关系曲线图；根据所述第二关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息。本发明采用半导体激光器的电学特性来进行半导体激光器的缺陷识别，无需采用具有永久损伤的切割方法切割半导体材料之后来进行缺陷识别，从而可以实现无损识别半导体激光器的缺陷，进而不会对半导体激光器造成永久性损伤。

Description

半导体激光器的缺陷识别方法
技术领域
本发明属于光电技术领域，具体地讲，涉及一种能够无损识别半导体激光器的缺陷的半导体激光器的缺陷识别方法。
背景技术
半导体激光器作为重要的半导体发光器件，在激光显示和激光照明等领域具有广阔的应用前景。而在制作半导体激光器时，生长半导体材料等制作过程中会产生大量的缺陷。
传统的半导体激光器中的缺陷识别方法只能识别半导体材料表面的缺陷，如果需要对半导体材料内部的缺陷进行识别，只能选择具有永久损伤的切割方法切割半导体材料之后进行缺陷的识别，然而这样通常会对半导体激光器造成永久性的损伤。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的技术问题，本发明的目的在于提供一种能够无损识别半导体激光器的缺陷的半导体激光器的缺陷识别方法。
根据本发明的一方面，提供了一种半导体激光器的缺陷识别方法，其包括：获取半导体激光器在老化过程中的电容和频率的第一关系曲线图；根据所述第一关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷能级信息和/或缺陷分布信息。
在根据本发明的一方面提供的所述缺陷识别方法中，根据所述第一关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷能级信息，包括：在老化过程中所述半导体激光器被施加零偏压的情况下，所述半导体激光器在低频和高频下的电容值均改变，所述缺陷能级信息包括浅能级缺陷；在老化过程中所述半导体激光器被施加负偏压的情况下，所述半导体激光器在低频下的电容值改变，所述缺陷能级信息包括深能级缺陷。
在根据本发明的一方面提供的所述缺陷识别方法中，根据所述第一关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息，包括：在老化过程中所述半导体激光器被施加零偏压的情况下，所述半导体激光器的有源区产生所述浅能级缺陷；在老化过程中所述半导体激光器被施加负偏压的情况下，所述半导体激光器的N型层产生所述深能级缺陷。
在根据本发明的一方面提供的所述缺陷识别方法中，所述缺陷识别方法还包括：获取半导体激光器在老化过程中的表观载流子浓度和耗尽区宽度的第二关系曲线图；根据所述第二关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息。
在根据本发明的一方面提供的所述缺陷识别方法中，根据所述第二关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息，包括：在所述半导体激光器的第一老化阶段，所述半导体激光器的有源层产生了浅能级缺陷；在所述半导体激光器的第二老化阶段，所述半导体激光器的N型层产生了深能级缺陷；其中，所述半导体激光器的第一老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率下降到所述正常原始功率一半的阶段；所述半导体激光器的第二老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率的一半到所述半导体激光器无法出射激光的阶段。
根据本发明的另一方面，还提供了另一种半导体激光器的缺陷识别方法，其包括：获取半导体激光器在老化过程中的表观载流子浓度和耗尽区宽度的第二关系曲线图；根据所述第二关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息。
在根据本发明的另一方面提供的缺陷识别方法中，根据所述第二关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息，包括：在所述半导体激光器的第一老化阶段，所述半导体激光器的有源层产生了浅能级缺陷；在所述半导体激光器的第二老化阶段，所述半导体激光器的N型层产生了深能级缺陷；其中，所述半导体激光器的第一老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率下降到所述正常原始功率一半的阶段；所述半导体激光器的第二老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率的一半到所述半导体激光器无法出射激光的阶段。
在根据本发明的一方面和/或另一方面提供的缺陷识别方法中，所述半导体激光器包括：依序层叠于衬底上的N型层、有源层和P型层；所述N型层从所述衬底到所述有源层顺序包括层叠的N型AlGaN限制层、N型GaN波导层和N型InGaN波导层；所述有源层从所述N型层到所述P型层顺序包括层叠的第一GaN势垒层、第一InGaN量子阱层、第二GaN势垒层、第二InGaN量子阱层、第二GaN势垒层；所述P型层包括依序层叠于所述第二GaN势垒层上的P型InGaN波导层、P型AlGaN限制层、P型GaN接触层。
本发明的有益效果：本发明采用半导体激光器的电学特性来进行半导体激光器的缺陷识别，无需采用具有永久损伤的切割方法切割半导体材料之后来进行缺陷识别，从而可以实现无损识别半导体激光器的缺陷，进而不会对半导体激光器造成永久性损伤。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：
图1是根据本发明的实施例的半导体激光器的电压电流曲线图；
图2A是根据本发明的实施例的半导体激光器在零偏压下的电容和频率的关系曲线图；
图2B是根据本发明的实施例的半导体激光器在负偏压下的电容和频率的关系曲线图；
图3是根据本发明的第一实施例的半导体激光器的缺陷识别方法的流程图；
图4是根据本发明的实施例的半导体激光器的表观载流子浓度和耗尽区宽度的关系曲线图；
图5是根据本发明的第二实施例的半导体激光器的缺陷识别方法的流程图；
图6是根据本发明的第三实施例的半导体激光器的缺陷识别方法的流程图；
图7是根据本发明的半导体激光器的一种示例性结构的结构示意图。
具体实施方式
以下，将参照说明书附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
图1是根据本发明的实施例的半导体激光器的电压电流曲线图。参照图1，其示出了三条曲线，分别为半导体激光器未老化所对应的第一曲线11、半导体激光器处于第一老化阶段时所对应的第二曲线12以及半导体激光器处于第二老化阶段时所对应的第三曲线13。
这里，需要说明的是，所述第一老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率(即半导体激光器处于未老化阶段)下降到所述正常原始功率一半的阶段；而所述第二老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率的一半到所述半导体激光器无法出射激光的阶段。
从图1中可以看出，未老化的半导体激光器在电压为-6V时其漏电电流为3E-9A。随着半导体激光器的老化，半导体激光器的反向漏电电流及电压在2.8V以下的正向漏电电流增加，当漏电电流增加到1E-5A时，半导体激光器已经无法激射出激光。这里，半导体激光器的反向漏电电流的增加是由于半导体激光器的缺陷在反向偏压下产生了额外的隧穿或者复合电流通道；在电压较低的正向偏压下，半导体激光器的缺陷作为产生中心加速了载流子的隧穿。根据图1所示，半导体激光器在老化后产生了缺陷。
图2A是根据本发明的实施例的半导体激光器在零偏压下的电容和频率的关系曲线图。
在图2A中，也示出了三条曲线，分别为半导体激光器未老化所对应的第一曲线21A、半导体激光器处于第一老化阶段时所对应的第二曲线22A以及半导体激光器处于第二老化阶段时所对应的第三曲线23A。
这里，需要说明的是，与图1所示一样，所述第一老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率(即半导体激光器处于未老化阶段)下降到所述正常原始功率一半的阶段；而所述第二老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率的一半到所述半导体激光器无法出射激光的阶段。
参照图2A，在第一老化阶段，参看第一曲线21A和第二曲线22A，半导体激光器在低频下的电容值基本保持不变，而在高频下电容值明显增加。由此可知，在第一老化阶段半导体激光器中增加的缺陷主要为浅能级缺陷，这是因为老化后半导体激光器中浅能级缺陷密度增加，从而导致半导体激光器在高频下电容值增加。这里，虽然在低频下半导体激光器的电容值基本保持不变，但在第一老化阶段半导体激光器中在低频下也存在浅能级缺陷。因此，这里可知，半导体激光器在处于零偏压下，且在第一老化阶段，其在低频或者高频下，缺陷能级信息主要包括浅能级缺陷。此外，在零偏压下，半导体激光器的耗尽区位于有源层附近，所以缺陷(即浅能级缺陷)出现在有源层。
这里，需要说明的是，低频和高频仅是相对的概念，本领域技术人员是可以知晓半导体激光器中低频和高频的划分范围的。
继续参照图2A，在第二老化阶段，参看第二曲线22A和第三曲线23A，第三曲线23A基本可以由第二曲线22A向下平移得到，这说明在该阶段半导体激光器的电容值的变化主要是由于漏电流增加所导致的。进一步地，在第二老化阶段半导体激光器无论在低频或高频下，其电容值都没有变化，说明半导体激光器中的缺陷，即深能级缺陷和浅能级缺陷都没有增加。
图2B是根据本发明的实施例的半导体激光器在负偏压下的电容和频率的关系曲线图。
在图2B中，也示出了三条曲线，分别为半导体激光器未老化所对应的第一曲线21B、半导体激光器处于第一老化阶段时所对应的第二曲线22B以及半导体激光器处于第二老化阶段时所对应的第三曲线23B。
这里，需要说明的是，与图1所示一样，所述第一老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率(即半导体激光器处于未老化阶段)下降到所述正常原始功率一半的阶段；而所述第二老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率的一半到所述半导体激光器无法出射激光的阶段。
参照图2B，其示出了半导体激光器在-20V偏压下的电容和频率的关系曲线图；应当理解的是，-20V仅仅是一个示例，并不作为限定。在第一老化阶段，参看第一曲线21B和第二曲线22B，半导体激光器在低频下的电容值显著增加，这说明半导体激光器的耗尽区向N型区扩展，而低频下的电容值显著增加说明深能级缺陷增加，并且深能级缺陷分布在N型区。
继续参照图2B，在第二老化阶段，参看第二曲线22B和第三曲线23B，第三曲线23B基本可以由第二曲线22B向下平移得到，这说明在该阶段半导体激光器的电容值的变化主要是由于漏电流增加所导致的。进一步地，在第二老化阶段半导体激光器无论在低频或高频下，其电容值都没有变化，说明半导体激光器中的缺陷，即深能级缺陷和浅能级缺陷都没有增加。
本发明的发明人根据上述的科研发现，提出了一种能够识别半导体激光器的缺陷的半导体激光器的缺陷识别方法，该方法由于采用半导体激光器的电学特性来进行缺陷识别，从而无需采用切割等方式来识别缺陷，进而可以实现无损识别半导体激光器的缺陷。
图3是根据本发明的第一实施例的半导体激光器的缺陷识别方法的流程图。
参照图3，根据本发明的第一实施例的半导体激光器的缺陷识别方法包括步骤S310和步骤S320。
具体地，在步骤S310中，获取半导体激光器在老化过程中的电容和频率的关系曲线图。
特别的，可以参照上述图2A和图2B所示的半导体激光器在老化过程中的电容和频率的关系曲线图。
进一步地，在步骤S320中，根据所述关系曲线图获取半导体激光器的缺陷能级信息。
以下，在参照图3的基础上，一并参照图2A和图2B来描述如何根据所述关系曲线图获取半导体激光器的缺陷能级信息。
具体地，参照图2A，在所述半导体激光器被施加零偏压，且所述半导体激光器处于第一老化阶段的情况下，所述半导体激光器的缺陷能级信息为浅能级缺陷。当然，如上所述，在这种情况下，针对浅能级缺陷，所述半导体激光器在低频下对应的电容值和在高频下对应的电容值均有变化。换句话讲，不论所述半导体激光器的频率为低频还是高频，缺陷能级信息均包括浅能级缺陷。
此外，还需要说明的是，当所述半导体激光器被施加零偏压时，所对应的耗尽区是有源层(或者有源层附近)，从而缺陷(即浅能级缺陷)出现在有源层。
此外，参照图2B，在所述半导体激光器被施加负偏压(例如-20V偏压)，且所述半导体激光器处于第一老化阶段的情况下，所述半导体激光器的缺陷能级信息为深能级缺陷。当然，如上所述，在这种情况下，针对深能级缺陷，所述半导体激光器在低频下对应的电容值有变化。换句话讲，在所述半导体激光器的频率为低频时，缺陷能级信息还包括深能级缺陷。
此外，还需要说明的是，当所述半导体激光器被施加负偏压时，所对应的耗尽区是N型区(或者N型区附近)，从而缺陷(即深能级缺陷)出现在N型区。
由上可知，通过半导体激光器在零偏压和/或负偏压下的电容和频率的关系曲线图，可以得知半导体激光器的缺陷能级信息以及缺陷分布信息。但经本发明的发明人研究发现，这种方式获得的半导体激光器的缺陷分布信息较为粗略，因此本发明的发明人又提出了新的一种获取半导体激光器的缺陷分布信息的方法。以下将对此进行详细介绍。
图4是根据本发明的实施例的半导体激光器的表观载流子浓度和耗尽区宽度的关系曲线图。
在图4中，也示出了三条曲线，分别为半导体激光器未老化所对应的第一曲线41、半导体激光器处于第一老化阶段时所对应的第二曲线42以及半导体激光器处于第二老化阶段时所对应的第三曲线43。
这里，需要说明的是，与图1所示一样，所述第一老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率(即半导体激光器处于未老化阶段)下降到所述正常原始功率一半的阶段；而所述第二老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率的一半到所述半导体激光器无法出射激光的阶段。
参照图4，位于耗尽区约117nm和131nm处的两个峰位(即，QW1和QW2)对应半导体激光器的两个量子阱。图4表明：老化前靠近N型量子阱时对表观载流子的限制能力更强；而随着老化时间的增加，P型量子阱的表观载流子浓度增加；之后随着半导体激光器的进一步老化，两个量子阱(即N型量子阱和P型量子阱)的表观载流子浓度均下降，而在N型层对应的区域出现了一个表观载流子浓度的峰位(即，S1)。由此本发明的发明人确定：在半导体激光器的第一老化阶段，半导体激光器的有源区(即有源层或者有源层附近)产生了浅能级缺陷；而随着半导体激光器进一步老化，即在半导体激光器的第二老化阶段，在N型层产生了深能级缺陷。
基于此，本申请的发明人提出了一种能够识别半导体激光器的缺陷的半导体激光器的缺陷识别方法，该方法由于采用半导体激光器的电学特性来进行缺陷识别，从而无需采用切割等方式来识别缺陷，进而可以实现无损识别半导体激光器的缺陷。
图5是根据本发明的第二实施例的半导体激光器的缺陷识别方法的流程图。
参照图5，根据本发明的第二实施例的半导体激光器的缺陷识别方法包括步骤S510和步骤S520。
具体地，在步骤S510中，获取半导体激光器在老化过程中的表观载流子浓度和耗尽区宽度的关系曲线图。
特别的，可以参照上述图4所示的半导体激光器在老化过程中的表观载流子浓度和耗尽区宽度的关系曲线图。
进一步地，在步骤S520中，根据所述关系曲线图(图4所示)获取缺陷分布信息。
以下，在参照图5的基础上，一并参照图4来描述如何根据所述关系曲线图获取半导体激光器的缺陷分布信息。
具体地，由上面的图4可知，在半导体激光器处于第一老化阶段的情况下，半导体激光器的有源区产生了浅能级缺陷。
而随着半导体激光器进一步老化，在半导体激光器处于第二老化阶段的情况下，半导体激光器的N型波导层产生了深能级缺陷。
由上可知，通过半导体激光器在老化过程中的表观载流子浓度和耗尽区宽度的关系曲线图，可以得知半导体激光器的缺陷分布信息，并且该方法获得的缺陷分布信息比根据电容和频率的关系曲线图获得的缺陷分布信息要更为准确。
图6是根据本发明的第三实施例的半导体激光器的缺陷识别方法的流程图。
参照图6，根据本发明的第三实施例的半导体激光器的缺陷识别方法包括步骤S610、步骤S620、步骤S630和步骤S640。
具体地，在步骤S610中，获取半导体激光器在老化过程中的电容和频率的第一关系曲线图(图2A和图2B所示)。
进一步地，在步骤S620中，根据所述第一关系曲线图获取半导体激光器的缺陷能级信息。而步骤S610和步骤S620分别与上述的步骤S310和步骤S320相同，在此不再赘述。
接着，在步骤S630中，获取半导体激光器在老化过程中的表观载流子浓度和耗尽区宽度的第二关系曲线图(图4所示)。
最后，在步骤S640中，根据所述第二关系曲线图获取半导体激光器的缺陷分布信息。而步骤S630和步骤S640分别与上述的步骤S510和步骤S520相同，在此不再赘述。
图7是根据本发明的半导体激光器的一种示例性结构的结构示意图。
参照图7，根据本发明的半导体激光器的一种示例性结构包括：依序层叠于衬底101上的N型层101A、有源层105和P型层101B。
具体地，所述N型层101A从所述衬底101到所述有源层101B顺序包括层叠的N型AlGaN限制层102、N型GaN波导层103和N型InGaN波导层104。具体地，缺陷主要出现在N型GaN波导层103。
所述有源层105从所述N型层101A到所述P型层101B顺序包括层叠的GaN势垒层1051、InGaN量子阱层1052、GaN势垒层1051、InGaN量子阱层1052、GaN势垒层1051。
所述P型层101B包括依序层叠于有源层105上的P型InGaN波导层106、P型AlGaN限制层107、P型GaN接触层108。
还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
上述对本说明书特定实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。在一些情况下，在权利要求书中记载的动作或步骤可以按照不同于实施例中的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外，在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序才能实现期望的结果。
在本说明书一个或多个实施例使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本说明书一个或多个实施例。在本说明书一个或多个实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
应当理解，尽管在本说明书一个或多个实施例可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本说明书一个或多个实施例范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。
以上所述仅为本说明书一个或多个实施例的较佳实施例而已，并不用以限制本说明书一个或多个实施例，凡在本说明书一个或多个实施例的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本说明书一个或多个实施例保护的范围之内。

Claims (5)

1.一种半导体激光器的缺陷识别方法，其特征在于，包括：
获取半导体激光器在老化过程中的电容和频率的第一关系曲线图；
根据所述第一关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷能级信息和/或缺陷分布信息；
其中，根据所述第一关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷能级信息，包括：
在老化过程中所述半导体激光器被施加零偏压的情况下，所述半导体激光器在低频和高频下的电容值均改变，所述缺陷能级信息包括浅能级缺陷；
在老化过程中所述半导体激光器被施加负偏压的情况下，所述半导体激光器在低频下的电容值改变，所述缺陷能级信息包括深能级缺陷；
其中，根据所述第一关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息，包括：
在老化过程中所述半导体激光器被施加零偏压的情况下，所述半导体激光器的有源区产生所述浅能级缺陷；
在老化过程中所述半导体激光器被施加负偏压的情况下，所述半导体激光器的N型层产生所述深能级缺陷。
2.根据权利要求1所述的缺陷识别方法，其特征在于，还包括：
获取半导体激光器在老化过程中的表观载流子浓度和耗尽区宽度的第二关系曲线图；
根据所述第二关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息。
3.根据权利要求2所述的缺陷识别方法，其特征在于，根据所述第二关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息，包括：
在所述半导体激光器的第一老化阶段，所述半导体激光器的有源层产生了浅能级缺陷；
在所述半导体激光器的第二老化阶段，所述半导体激光器的N型层产生了深能级缺陷；
其中，所述半导体激光器的第一老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率下降到所述正常原始功率一半的阶段；所述半导体激光器的第二老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率的一半到所述半导体激光器无法出射激光的阶段。
4.一种半导体激光器的缺陷识别方法，其特征在于，包括：
获取半导体激光器在老化过程中的表观载流子浓度和耗尽区宽度的第二关系曲线图；
根据所述第二关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息；
其中，根据所述第二关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷分布信息，包括：
在所述半导体激光器的第一老化阶段，所述半导体激光器的有源层产生了浅能级缺陷；
在所述半导体激光器的第二老化阶段，所述半导体激光器的N型层产生了深能级缺陷；
其中，所述半导体激光器的第一老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率下降到所述正常原始功率一半的阶段；所述半导体激光器的第二老化阶段指的是从所述半导体激光器的正常原始功率的一半到所述半导体激光器无法出射激光的阶段。
5.根据权利要求1至4任一项所述的缺陷识别方法，其特征在于，所述半导体激光器包括：依序层叠于衬底上的N型层、有源层和P型层；
所述N型层从所述衬底到所述有源层顺序包括层叠的N型AlGaN限制层、N型GaN波导层和N型InGaN波导层；
所述有源层从所述N型层到所述P型层顺序包括层叠的第一GaN势垒层、第一InGaN量子阱层、第二GaN势垒层、第二InGaN量子阱层、第三GaN势垒层；
所述P型层包括依序层叠于所述第二GaN势垒层上的P型InGaN波导层、P型AlGaN限制层、P型GaN接触层。
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