CN111678928B - 半导体结构的分析方法及分析装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种半导体结构的分析方法及分析装置。所述半导体结构的分析方法包括如下步骤：提供一待测样品，所述待测样品包括衬底以及位于所述衬底表面的叠层，所述叠层包括沿垂直于所述衬底的方向叠置的多个沉积膜层，所有所述沉积膜层的材料均相同，且至少存在两个相邻的所述沉积膜层的致密度不同；检测所述叠层的特征参数，获得多个特征值，所述特征参数为能够表征致密度的物理参数；根据所述特征值获取相邻的所述沉积膜层之间的界面；判断所述界面是否平坦，若否，则确认在所述界面处存在缺陷。本发明实现了对具有相同材料、不同致密度的膜层之间界面的定位；并且，实现了对缺陷的定位，提高了半导体结构分析的准确度和可靠性。

Description

半导体结构的分析方法及分析装置
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的分析方法及分析装置。
背景技术
随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。
3D NAND存储器是一种从二维到三维通过堆叠技术而形成的存储器。随着集成电路生成工艺的成熟化，3D NAND存储器对各层生成工艺的成本和工艺性能要求越来越高。随着对3D NAND存储器更高的存储功能的需求，其堆叠的层数在不断的增加。
在3D NAND存储器等半导体结构中，为了满足功能和结构上的要求，经常会采用不同的方法形成材料相同但是密度不同的叠层结构，但是，现有的方法和装置却不能准确的分析具有相同材料但不同密度的膜层之间界面，进而也就不能对缺陷位置进行准确的定位，限制了对半导体制造工艺的进一步改进。
因此，如何提高半导体结构分析的准确度和可靠性，为改善半导体制造工艺提供参考，是当前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明提供一种半导体结构的分析方法及分析装置，用于解决现有的半导体结构分析方法准确度和可靠性较低的问题，以提高半导体结构的制造良率。
为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体结构的分析方法，包括如下步骤：
提供一待测样品，所述待测样品包括衬底以及位于所述衬底表面的叠层，所述叠层包括沿垂直于所述衬底的方向叠置的多个沉积膜层，所有所述沉积膜层的材料均相同，且至少存在两个相邻的所述沉积膜层的致密度不同；
检测所述叠层的特征参数，获得多个特征值，所述特征参数为能够表征致密度的物理参数；
根据所述特征值获取相邻的所述沉积膜层之间的界面；
判断所述界面是否平坦，若否，则确认在所述界面处存在缺陷。
可选的，检测所述叠层的特征参数之前，还包括如下步骤：
获取所述待测样品的图像；
根据所述图像获取所述待测样品的缺陷信息。
可选的，所述图像为透射电子显微镜图像；
所述缺陷信息至少包括缺陷在所述叠层上方的缺陷区域的位置。
可选的，所述特征参数为硬度；获得多个特征值的具体步骤包括：
检测所述叠层内部沿垂直于所述衬底的方向排布的多个区域的硬度，获得多个硬度值。
可选的，所述特征参数为反射光强度；获得多个特征值的具体步骤包括：
检测所述叠层内部沿垂直于所述衬底的方向排布的多个区域的反射光强度，获得多个反射光强度值。
可选的，根据所述特征值获取相邻的所述沉积膜层之间的界面的具体步骤包括：
将差值在一阈值范围内的若干个所述特征值对应的区域划分为同一检测膜层，以相邻所述检测膜层之间的界面作为相邻的所述沉积膜层之间的界面。
可选的，所述叠层上方还包括位于所述缺陷区域外部的外围区域；判断所述界面是否平坦的具体步骤包括：
选定一界面作为目标界面；
判断位于所述缺陷区域正下方的所述目标界面与位于所述外围区域正下方的所述目标界面是否处于同一水平高度，若否，则确认所述目标界面不平坦。
可选的，判断所述界面是否与所述衬底表面平行的具体步骤包括：
判断所述界面是否存在凹陷或凸起，若是，则判断所述凹陷或凸起的幅度是否大于预设值，若是，则确认所述界面不平坦。
为了解决上述问题，本发明还提供了一种半导体结构的分析装置，包括：
检测模块，用于检测一待测样品中叠层的特征参数，获得多个特征值，所述待测样品包括衬底以及位于所述衬底表面的所述叠层，所述叠层包括沿垂直于所述衬底的方向叠置的多个沉积膜层，所有所述沉积膜层的材料均相同，且至少存在两个相邻的所述沉积膜层的致密度不同，所述特征参数为能够表征致密度的物理参数；
获取模块，连接所述检测模块，用于根据所述特征值获取相邻的所述沉积膜层之间的界面；
判断模块，连接所述获取模块，用于判断所述界面是否与所述衬底表面平行，若否，则确认在所述界面处存在缺陷。
可选的，还包括：
成像模块，用于获取所述待测样品的图像，根据所述图像能够获取所述待测样品的缺陷信息。
可选的，所述图像为透射电子显微镜图像；
所述缺陷信息至少包括缺陷在所述叠层上方的缺陷区域的位置。
可选的，所述特征参数为硬度；
所述检测模块包括硬度测量仪，所述硬度测量仪用于检测所述叠层内部沿垂直于所述衬底的方向排布的多个区域的硬度，以获得多个硬度值。
可选的，所述特征参数为反射光强度；
所述检测模块包括光电传感器，所述光电传感器用于检测所述叠层内部沿垂直于所述衬底的方向排布的多个区域的反射光强度，获得多个反射光强度值。
可选的，所述获取模块用于将差值在一阈值范围内的若干个所述特征值对应的区域划分为同一检测膜层，以相邻所述检测膜层之间的界面作为相邻的所述沉积膜层之间的界面。
可选的，所述叠层上方还包括位于所述缺陷区域外部的外围区域；
所述判断模块还用于在选定一界面作为目标界面之后，判断位于所述缺陷区域正下方的所述目标界面与位于所述外围区域正下方的所述目标界面是否处于同一水平高度，若否，则确认所述目标界面不平坦。
可选的，所述判断模块用于判断所述界面是否存在凹陷或凸起，若是，则判断所述凹陷或凸起的幅度是否大于预设值，若是，则确认所述界面不平坦。
本发明提供的半导体结构的分析方法及分析装置，预先定义一个能够间接表征致密度的物理参数作为特征参数，然后通过对待测样品中叠层的特征参数进行量测，获得与致密度相关的多个特征值，然后根据所述特征值获取相邻沉积膜层之间的界面，实现了对具有相同材料、不同致密度的膜层之间界面的定位；并且，根据获取的界面是否平坦，判断界面处是否存在缺陷，从而实现了对缺陷的定位，提高了半导体结构分析的准确度和可靠性，为改善半导体制造工艺提供了有利的参考，有助于提高半导体结构的制造良率。
附图说明
附图1是本发明具体实施方式中半导体结构的分析方法流程图；
附图2是本发明具体实施方式中半导体结构的无缺陷时透射电子显微镜图像示意图；
附图3是本发明具体实施方式中半导体结构的有缺陷时透射电子显微镜图像示意图；
附图4是本发明具体实施方式中半导体结构的分析装置结构框图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的半导体结构的分析方法及分析装置的具体实施方式做详细说明。
在3D NAND存储器等半导体结构中，氧化物等绝缘材料被广泛的用作形成隔离层或者保护层，以进行电性绝缘或者保护电子元件。为了满足功能和结构上的要求，经常会采用不同的方法(例如TEOS(Tetraethyl orthosilicate，正硅酸乙酯)工艺或者HDP(HighDensity Plasma，高密度等离子体)工艺)形成材料相同但致密度不同的膜层，且这些膜层相互叠置，形成叠层结构。但是，现有的TEM(Transmission Electron Microscope，透射电子显微镜)无法区分出具有不同致密度但相同成分的膜层界面，当出现缺陷时，无法确定缺陷落在哪一膜层上，因而也就无法对工艺进行有效的改进。采用传统的SEM(ScanningElectron Microscope，扫描电子显微镜)酸腐蚀制样的方法，由于叠层结构中各膜层的材料相同，因而无法准确把握酸的浓度和剂量，也难以定位缺陷在叠层结构中的具体位置，且SEM本身很难测量纳米级别的缺陷。
为了实现对缺陷的准确定位，提高半导体结构分析的准确度和可靠性，本具体实施方式提供了一种半导体结构的分析方法，附图1是本发明具体实施方式中半导体结构的分析方法流程图。如图1所示，本具体实施方式提供的半导体结构的分析方法，包括如下步骤：
步骤S11，提供一待测样品，所述待测样品包括衬底以及位于所述衬底表面的叠层，所述叠层包括沿垂直于所述衬底的方向叠置的多个沉积膜层，所有所述沉积膜层的材料均相同，且至少存在两个相邻的所述沉积膜层的致密度不同。
具体来说，所述沉积膜层的材料可以是但不限于绝缘材料，例如氧化物材料、氮化物材料、氮氧化物材料等。通过采用不同的沉积工艺，可以使得所有所述沉积膜层的材料均相同，且至少存在两个相邻的所述沉积膜层的致密度不同，例如所述叠层中包括相邻的第一沉积膜层和第二沉积膜层，且所述第一沉积膜层与所述第二沉积膜层具有相同的组成成分，但所述第一沉积膜层和所述第二沉积膜层由于沉积工艺的差异导致致密度不同。本具体实施方式中所述的沉积膜层的材料相同是指，构成所述沉积膜层的主成分相同，各所述沉积膜层中所含有的杂质成分可以不同。本具体实施方式中所述的多个是指两个以上。
步骤S12，检测所述叠层的特征参数，获得多个特征值，所述特征参数为能够表征致密度的物理参数。
可选的，检测所述叠层的特征参数之前，还包括如下步骤：
获取所述待测样品的图像；
根据所述图像获取所述待测样品的缺陷信息。
可选的，所述图像为透射电子显微镜图像；
所述缺陷信息至少包括缺陷在所述叠层上方的缺陷区域的位置。
具体来说，所述特征参数是能够反映所述沉积膜层的致密度的物理参数，所述特征值为所述特征参数的具体数值。所述半导体结构还包括位于所述叠层表面的其他膜层。在检测所述叠层的特征参数之前，可以先采用透射电子显微镜对所述待测样品进行成像，获得所述待测样品的透射电子显微镜图像。由于透射电子显微镜图像对于不同成分的膜层会以不同的灰度颜色进行显示，当所述叠层内某两个不同材料成分的所述膜层的界面处存在缺陷时，虽然不能够直接定位出所述叠层的哪一界面出现了缺陷，但是，可以根据其他膜层与叠层之间的界面情况，确定缺陷区域在所述叠层上方的位置，以缩小后续量测所述特征参数的范围，提高半导体结构分析的效率。
附图2是本发明具体实施方式中半导体结构的无缺陷时透射电子显微镜图像示意图，附图3是本发明具体实施方式中半导体结构的有缺陷时透射电子显微镜图像示意图。以下以所述叠层包括三个沉积膜层(即第一沉积膜层211、第二沉积膜层212和第三沉积膜层213)为例进行说明。如图2和图3所示，所述半导体结构包括衬底20、以及依次叠置于所述衬底20之上的第一半导体层22、第二半导体层23、叠层21、第三半导体层24和第四半导体层25，其中，所述第一半导体层22、所述第二半导体层23、所述叠层21、所述第三半导体层24和所述第四半导体层25的材料互不相同，所述叠层21中包括多个材料相同但致密度不同的三个沉积膜层。通过透射电子显微镜成像，可以方便的区分出不同材料的膜层之间的界面。例如在图2中，所述叠层21上方的所述第三半导体层24之间的界面、所述第三半导体层24与所述第四半导体层25之间的界面均呈水平状态(即与所述衬底20的表面平行)，则可以确定所述叠层21的表面不存在缺陷。在图3中，所述叠层21上方的所述第四半导体层25的表面存在一凹陷区域，所述凹陷区域即为缺陷区域AA，所述第三半导体层24与所述叠层之间的界面也不呈水平状态，部分所述第三半导体层24向下(即所述叠层21指向所述衬底20的方向)凹陷，则可以确定在所述凹陷下方的所述叠层中存在缺陷。
可选的，所述特征参数为硬度；获得多个特征值的具体步骤包括：
检测所述叠层内部沿垂直于所述衬底20的方向排布的多个区域的硬度，获得多个硬度值。
可选的，所述特征参数为反射光强度；获得多个特征值的具体步骤包括：
检测所述叠层内部沿垂直于所述衬底20的方向排布的多个区域的反射光强度，获得多个反射光强度值。
本具体实施方式中所述的硬度是指一沉积膜层或者沉积膜层中某一区域的硬度，所述反射光强度是指一沉积膜层或者沉积膜层中某一区域的反射光强度。具体来说，对于具有相同材料但不同致密度的沉积膜层而言，沉积膜层的致密度越高，其对应的硬度也就越高；沉积膜层的致密度越高，其所反射的光线的强度越高。基于这一原理，可以在透射电子显微镜设备上安装硬度测量仪和/或光电传感器，在获取所述待测样品的透射电子显微镜图像、且确定所述叠层中存在缺陷之后，采用所述硬度测量仪测量所述叠层内部多个沿垂直于所述衬底20的方向排布的区域的硬度；和/或，采用光电传感器检测所述叠层内部多个沿垂直于所述衬底20的方向排布的区域的反射光强度。为了提高检测的精准度，本具体实施方式中的所述硬度测量仪为纳米级别的硬度测量仪，所说光电传感器为纳米级别的光电传感器。所述光电传感器可以是但不限于红外光电传感器。
本具体实施方式通过量测特征参数来表征沉积膜层的致密度，从而获得相邻沉积膜层之间的界面，无需对待测样品进行酸性腐蚀等破坏，属于无损分析方式，以便于所述待测样品能够在后续进行其他检测或者分析。本具体实施方式中的所述特征参数可以是能够直接量测的物理量，也可以是根据另一物理参数的量测结果间接计算得到的物理量。
步骤S13，根据所述特征值获取相邻的所述沉积膜层之间的界面。
可选的，根据所述特征值获取相邻的所述沉积膜层之间的界面的具体步骤包括：
将差值在一阈值范围内的若干个所述特征值对应的区域划分为同一检测膜层，以相邻所述检测膜层之间的界面作为相邻的所述沉积膜层之间的界面。
具体来说，在获取所述叠层内部沿垂直于所述衬底的方向排布的多个区域的所述特征值之后，为了避免仪器测量误差对结果的影响，可以将差值在一阈值范围内的若干个所述特征值对应的区域划分为同一检测膜层，这样，可以将所述叠层中具有相同材料成分、不同致密度的沉积膜层区分开，从而获取了相邻所述沉积膜层之间的界面。所述阈值范围的具体数值，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如根据用于测量特征参数的仪器的精密度、不同所述沉积膜层之间支架致密度差异大小等，本具体实施方式对此不作限定。
步骤S14，判断所述界面是否平坦，若否，则确认在所述界面处存在缺陷。
可选的，所述叠层上方还包括位于所述缺陷区域AA外部的外围区域BB；判断所述界面是否平坦的具体步骤包括：
选定一界面作为目标界面；
判断位于所述缺陷区域AA正下方的所述目标界面与位于所述外围区域BB正下方的所述目标界面是否处于同一水平高度，若否，则确认所述目标界面不平坦。
图2和图3中的虚线均表示相邻两个所述沉积膜层之间的界面。如图3所示，以所述第一沉积膜层211与所述第二沉积膜层212之间的界面为目标界面为例，分别检测位于所述缺陷区域AA正下方的所述目标界面相对于所述衬底20的水平高度、以及位于所述外围区域BB正下方的所述目标界面相对于所述衬底20的水平高度，结果显示两者水平高度相同，则确认所述目标界面平坦(即所述界面呈水平状态)，则表明该目标界面中不存在缺陷。如图3所示，再以所述第二沉积模块212与所述第三沉积膜层213之间的界面为目标界面，分别检测位于所述缺陷区域AA正下方的所述目标界面相对于所述衬底20的水平高度、以及位于所述外围区域BB正下方的所述目标界面相对于所述衬底20的水平高度，结果显示两者水平高度不相同，位于所述缺陷区域AA正下方的所述目标界面相对于所述衬底20的水平高度低于位于所述外围区域BB正下方的所述目标界面相对于所述衬底20的水平高度，则确认所述目标界面不平坦(即所述界面中存在部分朝向所述衬底的凹陷区域)，表明该目标界面中存在缺陷。
可选的，判断所述界面是否平坦的具体步骤包括：
判断所述界面是否存在凹陷或凸起，若是，则判断所述凹陷或凸起的幅度是否大于预设值，若是，则确认所述界面不平坦。
具体来说，为了进一步提高半导体结构分析的准确度，当在所述界面出现凹陷或者凸起的缺陷时，可以对缺陷的幅度进行测量，判断所述凹陷或凸起的幅度是否大于预设值，若是，则确认所述界面不平坦。所述缺陷的幅度可以为凹陷的深度或者凸起的高度。
不仅如此，本具体实施方式还提供了一种半导体结构的分析装置。附图4是本发明具体实施方式中半导体结构的分析装置结构框图。本具体实施方式提供的所述半导体结构的分析装置可以采用如图1-图3所示的半导体结构的分析方法对待测样品进行分析。如图1-图4所示，本具体实施方式提供的半导体结构的分析装置，包括：
检测模块41，用于检测一待测样品中叠层的特征参数，获得多个特征值，所述待测样品包括衬底以及位于所述衬底表面的所述叠层，所述叠层包括沿垂直于所述衬底的方向叠置的多个沉积膜层，所有所述沉积膜层的材料相同，且至少存在两个相邻的所述沉积膜层的致密度不同，所述特征参数为能够表征致密度的物理参数；
获取模块42，连接所述检测模块41，用于根据所述特征值获取相邻的所述沉积膜层之间的界面；
判断模块43，连接所述获取模块42，用于判断所述界面是否平坦，若否，则确认在所述界面处存在缺陷。
可选的，所述半导体结构的分析装置还包括：
成像模块40，用于获取所述待测样品的图像，根据所述图像能够获取所述待测样品的缺陷信息。
可选的，所述图像为透射电子显微镜图像；
所述缺陷信息至少包括缺陷在所述叠层上方的缺陷区域的位置。
可选的，所述特征参数为硬度；
所述检测模块41包括硬度测量仪，所述硬度测量仪用于检测所述叠层内部沿垂直于所述衬底的方向排布的多个区域的硬度，以获得多个硬度值。
可选的，所述特征参数为反射光强度；
所述检测模块41包括光电传感器，所述光电传感器用于检测所述叠层内部沿垂直于所述衬底的方向排布的多个区域的反射光强度，获得多个反射光强度值。
本具体实施方式中所述的硬度是指一沉积膜层或者沉积膜层中某一区域的硬度，所述反射光强度是指一沉积膜层或者沉积膜层中某一区域的反射光强度。
可选的，所述获取模块42用于将差值在一阈值范围内的若干个所述特征值对应的区域划分为同一检测膜层，以相邻所述检测膜层之间的界面作为相邻的所述沉积膜层之间的界面。
可选的，所述叠层上方还包括位于所述缺陷区域外部的外围区域；
所述判断模块43还用于在选定一界面作为目标界面之后，判断位于所述缺陷区域正下方的所述目标界面与位于所述外围区域正下方的所述目标界面是否处于同一水平高度，若否，则确认所述目标界面不平坦。
可选的，所述判断模块43用于判断所述界面是否存在凹陷或凸起，若是，则判断所述凹陷或凸起的幅度是否大于预设值，若是，则确认所述界面不平坦。
本具体实施方式提供的半导体结构的分析方法及分析装置，预先定义一个能够间接表征致密度的物理参数作为特征参数，然后通过对待测样品中叠层的特征参数进行量测，获得与致密度相关的多个特征值，然后根据所述特征值获取相邻沉积膜层之间的界面，实现了对具有相同材料、不同致密度的膜层之间界面的定位；并且，根据获取的界面是否平坦，判断界面处是否存在缺陷，从而实现了对缺陷的定位，提高了半导体结构分析的准确度和可靠性，为改善半导体制造工艺提供了有利的参考，有助于提高半导体结构的制造良率。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种半导体结构的分析方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一待测样品，所述待测样品包括衬底以及位于所述衬底表面的叠层，所述叠层包括沿垂直于所述衬底的方向叠置的多个沉积膜层，所有所述沉积膜层的材料均相同，且至少存在两个相邻的所述沉积膜层的致密度不同；
检测所述叠层的特征参数，获得多个特征值，所述特征参数为能够表征致密度的物理参数；
将差值在一阈值范围内的若干个所述特征值对应的区域划分为同一检测膜层，以相邻所述检测膜层之间的界面作为相邻的所述沉积膜层之间的界面；
判断所述界面是否平坦，若否，则确认在所述界面处存在缺陷。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，检测所述叠层的特征参数之前，还包括如下步骤：
获取所述待测样品的图像；
根据所述图像获取所述待测样品的缺陷信息。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，所述图像为透射电子显微镜图像；
所述缺陷信息至少包括缺陷在所述叠层上方的缺陷区域的位置。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，所述特征参数为硬度；获得多个特征值的具体步骤包括：
检测所述叠层内部沿垂直于所述衬底的方向排布的多个区域的硬度，获得多个硬度值。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，所述特征参数为反射光强度；获得多个特征值的具体步骤包括：
检测所述叠层内部沿垂直于所述衬底的方向排布的多个区域的反射光强度，获得多个反射光强度值。
6.根据权利要求3所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，所述叠层上方还包括位于所述缺陷区域外部的外围区域；判断所述界面是否平坦的具体步骤包括：
选定一界面作为目标界面；
判断位于所述缺陷区域正下方的所述目标界面与位于所述外围区域正下方的所述目标界面是否处于同一水平高度，若否，则确认所述目标界面不平坦。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，判断所述界面是否平坦的具体步骤包括：
判断所述界面是否存在凹陷或凸起，若是，则判断所述凹陷或凸起的幅度是否大于预设值，若是，则确认所述界面不平坦。
8.一种半导体结构的分析装置，其特征在于，包括：
检测模块，用于检测一待测样品中叠层的特征参数，获得多个特征值，所述待测样品包括衬底以及位于所述衬底表面的所述叠层，所述叠层包括沿垂直于所述衬底的方向叠置的多个沉积膜层，所有所述沉积膜层的材料均相同，且至少存在两个相邻的所述沉积膜层的致密度不同，所述特征参数为能够表征致密度的物理参数；
获取模块，连接所述检测模块，用于将差值在一阈值范围内的若干个所述特征值对应的区域划分为同一检测膜层，以相邻所述检测膜层之间的界面作为相邻的所述沉积膜层之间的界面；
判断模块，连接所述获取模块，用于判断所述界面是否平坦，若否，则确认在所述界面处存在缺陷。
9.根据权利要求8所述的半导体结构的分析装置，其特征在于，还包括：
成像模块，用于获取所述待测样品的图像，根据所述图像能够获取所述待测样品的缺陷信息。
10.根据权利要求9所述的半导体结构的分析装置，其特征在于，所述图像为透射电子显微镜图像；
所述缺陷信息至少包括缺陷在所述叠层上方的缺陷区域的位置。
11.根据权利要求8所述的半导体结构的分析装置，其特征在于，所述特征参数为硬度；
所述检测模块包括硬度测量仪，所述硬度测量仪用于检测所述叠层内部沿垂直于所述衬底的方向排布的多个区域的硬度，以获得多个硬度值。
12.根据权利要求8所述的半导体结构的分析装置，其特征在于，所述特征参数为反射光强度；
所述检测模块包括光电传感器，所述光电传感器用于检测所述叠层内部沿垂直于所述衬底的方向排布的多个区域的反射光强度，获得多个反射光强度值。
13.根据权利要求10所述的半导体结构的分析装置，其特征在于，所述叠层上方还包括位于所述缺陷区域外部的外围区域；
所述判断模块还用于在选定一界面作为目标界面之后，判断位于所述缺陷区域正下方的所述目标界面与位于所述外围区域正下方的所述目标界面是否处于同一水平高度，若否，则确认所述目标界面不平坦。
14.根据权利要求8所述的半导体结构的分析装置，其特征在于，所述判断模块用于判断所述界面是否存在凹陷或凸起，若是，则判断所述凹陷或凸起的幅度是否大于预设值，若是，则确认所述界面不平坦。
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