CN111669887A - 一种穿透型中子靶 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种穿透型中子靶,包括从左至右依次设置的第一靶层、第二靶层、第三靶层,第一靶层、第二靶层、第三靶层三者固定连接,所述的第一靶层由铍制成,所述的第二靶层由铌或钒或钯或铂制成,所述的第三靶层由铜或铝制成,所述的第三靶层内设有冷却水路,所述的第三靶层上设有与冷却水路的两端分别连通的进液口和出液口,所述的冷却水路内通入冷却水。
Description
技术领域
本发明涉及一种穿透型中子靶。
背景技术
传统的中子发生靶都是单体式结构,该种中子靶用材单一固定。且靶在使用中会发出大量的热量,靶需要配置冷却系统来进行冷却。
发明内容
针对背景技术中指出的问题,本发明提出一种组合式的穿透型中子靶。
本发明的技术方案是这样实现的:
一种穿透型中子靶,包括从左至右依次设置的第一靶层、第二靶层、第三靶层,第一靶层、第二靶层、第三靶层三者固定连接,所述的第一靶层由铍制成,所述的第二靶层由铌或钒或钯或铂制成,所述的第三靶层由铜或铝制成,所述的第三靶层内设有冷却水路,所述的第三靶层上设有与冷却水路的两端分别连通的进液口和出液口,所述的冷却水路内通入冷却水。
本发明进一步设置为,所述的还包括固定法兰,第一靶层、第二靶层、第三靶层固定设置在固定法兰中。
本发明进一步设置为,所述的第三靶层为内部中空设置形成冷却水路。
本发明进一步设置为,所述的固定法兰的外侧壁上设有保护层。
本发明进一步设置为,所述的保护层由可屏蔽或慢化中子的材料制成。
本发明进一步设置为,所述的第一靶层、第二靶层、第三靶层分别焊接固定在固定法兰上。
本发明进一步设置为,所述的第一靶层、第二靶层、第三靶层三者通过螺钉与固定法兰固定。
本发明进一步设置为,所述的第三靶层的左侧面上设有安装槽,所述的第一靶层、第二靶层分别适配设置在所述的安装槽中,所述的第三靶层为内部中空设置形成冷却水路。
本发明进一步设置为,所述的第一靶层、第二靶层、第三靶层相互紧密贴合在一起。
采用了上述技术方案,本发明的有益效果为:
本发明所提供的穿透型中子靶,其靶是三层薄的圆盘,第一层的铍因为氢脆容易破碎,所以设计穿透型靶。质子直接穿透第一层铍靶,被第二层的材料阻挡,第二层材料是兼有吸收氢气的材料。第二、三层可以视为慢化剂,第三层起到慢化、吸收、冷却的作用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的结构示意图;
图2为本发明的侧视图;
图3为本发明靶的结构示意图一;
图4为本发明靶的结构示意图二。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如下参考图1-4对本发明进行说明:
一种穿透型中子靶,包括从左至右依次设置的第一靶层1、第二靶层2、第三靶层3,第一靶层1、第二靶层2、第三靶层3三者固定连接。
所述的第一靶层1由铍(Be)制成,所述的第二靶层2由铌(Nb)或钒(V)或钯(Pd)或铂(Pt)制成,所述的第三靶层3由铜或铝制成。
所述的第三靶层3内设有冷却水路4,所述的第三靶层3上设有与冷却水路4的两端分别连通的进液口5和出液口6,所述的冷却水路4内通入冷却水。
其中,所述的还包括固定法兰7,第一靶层1、第二靶层2、第三靶层3固定设置在固定法兰7中。
其中,所述的第三靶层3为内部中空设置形成冷却水路4。
其中,所述的固定法兰7的外侧壁上设有保护层8。
其中,所述的保护层8由可屏蔽或慢化中子的材料制成。
其中,所述的第一靶层1、第二靶层2、第三靶层3分别焊接固定在固定法兰7上。
其中,所述的第一靶层1、第二靶层2、第三靶层3三者通过螺钉与固定法兰7固定。
其中,所述的第三靶层3的左侧面上设有安装槽9,所述的第一靶层1、第二靶层2分别适配设置在所述的安装槽9中,所述的第三靶层3为内部中空设置形成冷却水路4,冷却水路4环抱第一靶层1、第二靶层2设置,第三靶层3与固定法兰7焊接固定。
其中,所述的第一靶层1、第二靶层2、第三靶层3相互紧密贴合在一起。
采用了上述技术方案,本发明的有益效果为:
本发明所提供的穿透型中子靶,其靶是三层薄的圆盘,第一层的铍因为氢脆容易破碎,所以设计穿透型靶。质子直接穿透第一层铍靶,被第二层的材料阻挡,第二层材料是兼有吸收氢气的材料。第二、三层可以视为慢化剂,第三层起到慢化、吸收、冷却的作用。
以上所述的仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种穿透型中子靶,其特征在于:包括从左至右依次设置的第一靶层、第二靶层、第三靶层,第一靶层、第二靶层、第三靶层三者固定连接,所述的第一靶层由铍制成,所述的第二靶层由铌或钒或钯或铂制成,所述的第三靶层由铜或铝制成,所述的第三靶层内设有冷却水路,所述的第三靶层上设有与冷却水路的两端分别连通的进液口和出液口,所述的冷却水路内通入冷却水。
2.根据权利要求1所述的一种穿透型中子靶,其特征在于:所述的还包括固定法兰,第一靶层、第二靶层、第三靶层固定设置在固定法兰中。
3.根据权利要求2所述的一种穿透型中子靶,其特征在于:所述的第三靶层为内部中空设置形成冷却水路。
4.根据权利要求2所述的一种穿透型中子靶,其特征在于:所述的固定法兰的外侧壁上设有保护层。
5.根据权利要求4所述的一种穿透型中子靶,其特征在于:所述的保护层由可屏蔽或慢化中子的材料制成。
6.根据权利要求2所述的一种穿透型中子靶,其特征在于:所述的第一靶层、第二靶层、第三靶层分别焊接固定在固定法兰上。
7.根据权利要求2所述的一种穿透型中子靶,其特征在于:所述的第一靶层、第二靶层、第三靶层三者通过螺钉与固定法兰固定。
8.根据权利要求2所述的一种穿透型中子靶,其特征在于:所述的第三靶层的左侧面上设有安装槽,所述的第一靶层、第二靶层分别适配设置在所述的安装槽中,所述的第三靶层为内部中空设置形成冷却水路。
9.根据权利要求2所述的一种穿透型中子靶,其特征在于:所述的第一靶层、第二靶层、第三靶层相互紧密贴合在一起。
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