CN111667794A - 源极驱动器及包括其的显示装置 - Google Patents

Abstract

公开了源极驱动器及包括源极驱动器的显示装置。源极驱动器包括伽马电压发生器、数模转换器、输出缓冲单元和斩波控制器，其中，伽马电压发生器生成具有彼此不同的电压电平的伽马电压，数模转换器使用伽马电压来生成与灰度值对应的数据电压，输出缓冲单元输出数据电压，并且斩波控制器生成斩波控制信号并且将斩波控制信号提供给输出缓冲单元。输出缓冲单元包括连接到数模转换器的输出端子的放大器、以及响应于斩波控制信号而周期性地改变放大器的偏移的极性的斩波电路。斩波控制器改变斩波控制信号的压摆率。

Description

源极驱动器及包括其的显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年3月7日提交的第10-2019-0026473号韩国专利申请以及于2019年11月6日提交的第10-2019-0141192号韩国专利申请的优先权及权益，上述两个韩国专利申请的内容通过引用以其整体地并入本文。

技术领域

本公开的实施方式的各方面涉及源极驱动器和包括源极驱动器的显示装置。

背景技术

显示装置包括显示面板和驱动器。显示面板包括扫描线、数据线和像素。驱动器包括扫描驱动器和源极驱动器，其中，扫描驱动器将扫描信号顺序地提供给扫描线，并且源极驱动器将数据信号提供给数据线。像素中的每个可响应于通过对应的扫描线提供的扫描信号而以与通过对应的数据线提供的数据信号对应的期望亮度发射光。

源极驱动器生成与图像数据的灰度值对应的数据信号，并且通过输出缓冲器将数据信号提供给数据线。因为包括在(或配置)输出缓冲器中的放大器具有偏移，因此图像(例如，与数据信号对应地显示的图像)的品质可能因偏移而降低或劣化。因此，源极驱动器可包括周期性地改变放大器的偏移的极性的斩波电路(或斩波功能)。

在本背景技术部分中所公开的上述信息用于增强对本本公开的背景的理解，并因此其可包含不构成现有技术的信息。

发明内容

斩波电路的操作可能在数据线中引起噪声，并且该噪声可能影响与数据线相邻的其它配置、元件和/或部件。

本公开的一个或多个示例性实施方式涉及能够减小在数据线中生成的噪声的源极驱动器以及包括该源极驱动器的显示装置。

根据本公开的实施方式，源极驱动器包括伽马电压发生器、数模转换器、输出缓冲单元和斩波控制器，其中，伽马电压发生器配置成生成具有彼此不同的电压电平的伽马电压，数模转换器配置成使用伽马电压来生成与灰度值对应的数据电压，输出缓冲单元配置成输出数据电压，并且斩波控制器配置成生成斩波控制信号并且将斩波控制信号提供给输出缓冲单元。输出缓冲单元包括连接到数模转换器的输出端子的放大器、以及配置成响应于斩波控制信号而周期性地改变放大器的偏移的极性的斩波电路。斩波控制器配置成改变斩波控制信号的压摆率。

在实施方式中，斩波电路可包括第一开关、第二开关、第三开关和第四开关，其中，第一开关连接在输入节点与放大器的第一输入端子之间，第二开关连接在输入节点与放大器的第二输入端子之间，第三开关连接在放大器的第一输入端子与放大器的输出端子之间，并且第四开关连接在放大器的第二输入端子与放大器的输出端子之间。第一开关至第四开关可配置成响应于斩波控制信号而进行操作。

在实施方式中，输出节点与控制线之间可形成有寄生电容器，输出节点连接到放大器的输出端子，并且控制线用于将斩波控制信号传输到第三开关。

在实施方式中，斩波控制器可包括逻辑控制电路、电平移位器和缓冲器电路，其中，逻辑控制电路配置成生成包括脉冲的第一控制信号，电平移位器配置成通过使第一控制信号的电平上移来生成第二控制信号，并且缓冲器电路配置成输出第二控制信号作为斩波控制信号并且改变缓冲器大小。

在实施方式中，压摆率可对应于斩波控制信号跟随第二控制信号的速率。

在实施方式中，缓冲器电路可包括子缓冲器和子开关，其中，子缓冲器并联连接到斩波电路，并且子开关分别将子缓冲器连接到电平移位器的输出端子。子开关中的至少一个可配置成响应于选择信号而被导通。

在实施方式中，子缓冲器可具有彼此相同的缓冲器大小。

在实施方式中，子缓冲器可具有彼此不同的缓冲器大小。

在实施方式中，斩波控制信号的压摆率可随着缓冲器电路的缓冲器大小减小而减小。

在实施方式中，斩波控制器可包括逻辑控制电路、电平移位器、缓冲器电路和模拟滤波器，其中，逻辑控制电路配置成生成具有方波形式的第一控制信号，电平移位器配置成通过使第一控制信号的电平上移来生成第二控制信号，缓冲器电路配置成输出第二控制信号作为斩波控制信号，并且模拟滤波器连接在缓冲器电路的输出端子与斩波电路之间以可变地对斩波控制信号的高频分量进行滤波。

在实施方式中，模拟滤波器可包括连接在缓冲器电路与斩波电路之间的可变电阻器、以及连接在斩波电路与基准电压线之间的可变电容器。

在实施方式中，斩波控制器可包括逻辑控制电路、电平移位器、缓冲器电路和延迟元件，其中，逻辑控制电路配置成生成具有方波形式的第一控制信号，电平移位器配置成通过使第一控制信号的电平上移来生成第二控制信号，缓冲器电路配置成输出第二控制信号作为斩波控制信号，并且延迟元件连接在缓冲器电路的输出端子与斩波电路之间。

在实施方式中，延迟元件可包括连接在缓冲器电路与斩波电路之间的电阻器、以及与电阻器并联连接的开关和二极管，而开关和二极管彼此串联连接。

根据本公开的实施方式，显示装置包括显示面板和源极驱动器，其中，显示面板包括数据线和与数据线连接的像素，并且源极驱动器配置成将数据电压提供给数据线，源极驱动器包括数模转换器、输出缓冲单元和斩波控制器，其中，数模转换器配置成生成数据电压，输出缓冲单元配置成将数据电压输出到数据线，并且斩波控制器配置成生成斩波控制信号并且将斩波控制信号提供给输出缓冲单元。输出缓冲单元包括放大器和斩波电路，其中，放大器连接在数模转换器与数据线之间，并且斩波电路配置成响应于斩波控制信号而周期性地改变放大器的偏移的极性斩波控制器配置成改变斩波控制信号的压摆率。

在实施方式中，斩波电路可包括第一开关、第二开关、第三开关和第四开关，其中，第一开关连接在输入节点与放大器的第一输入端子之间，第二开关连接在输入节点与放大器的第二输入端子之间，第三开关连接在放大器的第一输入端子与放大器的输出端子之间，并且第四开关连接在放大器的第二输入端子与放大器的输出端子之间。第一开关至第四开关可配置成响应于斩波控制信号而进行操作。

在实施方式中，斩波控制器可包括逻辑控制电路、电平移位器和缓冲器电路，其中，逻辑控制电路配置成生成包括脉冲的第一控制信号，电平移位器配置成通过使第一控制信号的电平上移来生成第二控制信号，并且缓冲器电路配置成输出第二控制信号作为斩波控制信号并且改变缓冲器大小。

在实施方式中，显示装置还可包括具有触摸电极的触摸感测单元，并且缓冲器电路的缓冲器大小可根据因斩波控制信号引起的触摸电极的噪声来控制。

在实施方式中，缓冲器电路的缓冲器大小可随着噪声的增加而减小。

在实施方式中，缓冲器电路的缓冲器大小可设置为在不发生噪声的范围内是最大的。

在实施方式中，缓冲器电路可包括子缓冲器和子开关，其中，子缓冲器并联连接到斩波电路，并且子开关分别将子缓冲器连接到电平移位器的输出端子。子开关中的至少一个可配置成响应于选择信号而被导通。

根据本公开的一个或多个实施方式，源极驱动器和包括源极驱动器的显示装置可通过变化用于控制对源极放大器(例如，输出数据信号的源极放大器)的偏移的极性进行改变(例如，周期性地改变)的斩波电路的斩波控制信号的压摆率来减少生成在数据线和/或与数据线相邻的其它配置、元件和/或部件中的噪声。

附图说明

通过参照附图对本发明的示例性实施方式进行的以下详细描述，本发明的上述和其它方面和特征将对本领域技术人员变得更加显而易见，在附图中：

图1是示出根据本公开的实施方式的显示装置的框图；

图2是示出包括在图1的显示装置中的像素的实例的电路图；

图3是示出包括在图1的显示装置中的源极驱动器的实例的框图；

图4是示出包括在图3的源极驱动器中的输出缓冲器的实例的电路图；

图5是示出图4的输出缓冲器的实例的电路图；

图6是示出图5的输出缓冲器中测量的信号的实例的波形图；

图7是示出包括在图3的源极驱动器中的斩波控制器的实例的框图；

图8是示出包括在图7的斩波控制器中的缓冲器电路的实例的电路图；

图9是示出从图8的缓冲器输出的斩波控制信号的实例的波形图；

图10是示出包括在图3的源极驱动器中的斩波控制器的另一实例的框图；

图11是示出包括在图3的源极驱动器中的斩波控制器的另一实例的框图；

图12是示出根据本公开的另一实施方式的显示装置的视图；

图13是示出图12的显示装置的实例的剖面图；

图14是示出包括在图13的显示装置中的触摸感测层的实例的平面图；

图15是示出图13的显示装置的实例的剖面图；以及

图16是示出由图14的触摸感测层测量的感测信号的实例的视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图对示例性实施方式进行更加详细的描述，其中，相同的附图标记始终表示相同的元件。然而，本公开可以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅受限于本文中所示的实施方式。相反，将这些这些实施方式提供作为实例，以使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员全面地传达本公开的方面和特征。相应地，对于本领域普通技术人员完整地理解本公开的方面和特征而言并不是必要的工艺、元件和技术可不被描述。除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中相同的附图标记指示相同的元件，并因此其描述可不被重复。

在附图中，为了清楚起见，元件、层和区域的相对尺寸可被放大和/或简化。空间相对措辞诸如“下面(beneath)”、“下方(below)”、“下(lower)”、“下方(under)”、“上方(above)”、“上(upper)”等可在本文中出于解释的便利而使用，以描述如图中所示的一个元件或者特征与另一元件或者特征的关系。应理解，除了附图中所示的取向之外，空间相对措辞旨在还包括装置在使用或操作中的不同取向。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或者特征“下方(below)”、“下方(beneath)”或者“下方(under)”的元件将随后被取向为在其它元件或特征“上方(above)”。因此，示例性措辞“下方(below)”可包含上方和下方的取向这两者。装置可以其它方式取向(例如，旋转90度或者在其它取向)，并且本文中所使用的空间相对描述词应被相应地解释。

应理解，尽管措辞“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些措辞限制。这些措辞用于将一个元件、部件、区域、层或者部分与另一个元件、部件、区域、层或者部分区分开。因此，下面所讨论的第一元件、部件、区域、层或者部分可被称为第二元件、部件、区域、层或者部分，而不背离本公开的精神和范围。

应理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”，“连接到”或者“联接到”另一元件或层时，该元件或层可直接在另一元件或层上，直接连接到或者联接到另一元件或层，或者可存在有中间元件或层。此外，还应理解，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，该元件或层可为两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可存在有一个或多个中间元件或层。

本文中所使用的术语是出于描述特定实施方式的目的，而不旨在对本公开的限制。除非上下文中另有明确指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”和“一(an)”也旨在包括复数形式。还应理解，当措辞“包括(comprise)”、“包括有(comprising)”、“包括(include)”、“包括有(including)”、“具有(has)”、“具有(have)”和“具有(having)”在本说明书中使用时指示所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或者多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在或者添加。如本文中所使用的，措辞“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。在一列元件之后的表述如“至少一个”修饰整列元件，而不是修饰该列中的个别元素。

如本文中所使用的，措辞“基本上(substantially)”、“约(about)”以及类似措辞用作近似的措辞而不是成都的措辞，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外，当描述本公开实施方式时，“可(may)”的使用是指“本公开的一个或多个实施方式”。如本文中所使用的，措辞“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可被考虑为分别与措辞“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。此外，措辞“示例性(exemplary)”旨在指示实例或者说明。

除非另有定义，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本公开所属技术领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应理解，除非在本文中明确地这样定义，否则术语诸如常用词典中定义的那些术语应被解释为具有与它们在相关技术和/或说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的含义来解释。

图1是示出根据本公开的实施方式的显示装置的框图。

参照图1，显示装置100可包括显示单元(例如，或显示面板)110、扫描驱动器(例如，或栅极驱动器)120、源极驱动器(例如，或数据驱动器)130和时序控制器140。另外，在一些实施方式中，显示装置100还可包括发光驱动器(例如，或发射驱动器)150。

显示单元110可包括扫描线(例如，或栅极线)SL1至SLn、数据线DL1至DLm、发光控制线EL1至ELn和像素PXL，其中，n为正整数并且m为正整数。像素PXL可布置在由扫描线SL1至SLn、数据线DL1至DLm和发光控制线EL1至ELn划分的区域(例如，像素区域)处(例如，在其中或其上)。例如，在一些实施方式中，数据线DL1至DLm中的每个可在第一方向(例如，列方向)上延伸，并且扫描线SL1至SLn和发光控制线EL1至ELn中的每个可在与第一方向相交的第二方向(例如，行方向)上延伸。

像素PXL中的每个可连接到扫描线SL1至SLn中的至少一个、数据线DL1至DLm中的一个和发光控制线EL1至ELn中的至少一个。例如，像素PXL之中排列在第i行和第j列处的像素可连接到第i扫描线SLi、与第i扫描线SLi相邻的前一扫描线SLi-1、第j数据线DLj和第i发光控制线ELi，其中，i和j各自为正整数。在下文中，为了描述的便利，作为像素PXL中的每个的代表性实例，排列在第i行和第j列的像素可被称为像素PXL。

像素PXL可响应于通过前一扫描线SLi-1提供的扫描信号(例如，前一扫描信号或前一栅极信号)(例如，在前一时间点处提供的扫描信号或栅极信号)来初始化，，可响应于通过扫描线SLi提供的扫描信号(例如，当前扫描信号或当前栅极信号)(例如，当前时间点处提供的扫描信号或栅极信号)来存储或记录通过数据线DLj提供的数据信号，并且可响应于通过发光控制线ELi提供的发光控制信号以与经存储的数据信号对应的亮度发射光(例如，或发射具有该亮度的光)。

显示单元110可提供有第一电源电压VDD和第二电源电压VSS。第一电源电压VDD和第二电源电压VSS可为用于像素PXL的操作的合适的电压，并且第一电源电压VDD可具有大于(或高于)第二电源电压VSS的电压电平。另外，显示单元110可提供有初始化电源电压Vint。第一电源电压VDD和第二电源电压VSS以及初始化电源电压Vint可从单独的电源提供给显示单元110。

扫描驱动器120可基于扫描控制信号SCS来生成扫描信号，并且可将扫描信号提供(例如，可顺序地提供)给扫描线SL1至SLn。扫描控制信号SCS可包括起始信号、一个或多个时钟信号和/或类似物，并且可从时序控制器140提供。例如，扫描驱动器120可包括移位寄存器(或级)，其中，移位寄存器(或级)使用一个或多个时钟信号与起始信号(例如，脉冲类型或具有脉冲类型的起始信号)对应地生成并输出(例如，顺序地生成并输出)扫描信号(例如，脉冲类型或具有脉冲类型的扫描信号)。

发光驱动器150可根据(例如，或基于)发光驱动控制信号ECS来生成发光控制信号，并且可将发光控制信号提供(例如，顺序地提供或同时提供)给发光控制线EL1至ELn。发光驱动控制信号ECS可包括发光起始信号、发光时钟信号和/或类似物，并且可从时序控制器140提供。例如，发光驱动器150可包括移位寄存器，其中，移位寄存器使用发光时钟信号与发光起始信号(例如，脉冲类型或具有脉冲类型的发光起始信号)对应地生成并输出(例如，顺序地生成并输出)发光控制信号(例如，脉冲类型或具有脉冲类型的发光控制信号)。

源极驱动器130可根据(例如，或基于)从时序控制器140提供的图像数据DATA2和数据控制信号DCS来生成数据信号，并且可将数据信号提供给显示单元110(或像素PXL)。数据控制信号DCS可为用于控制数据驱动器130的操作的信号，并且可包括用于指示有效数据信号的输出的负载信号(例如，或数据使能信号)。

在一些实施方式中，源极驱动器130可分别通过多个源极放大器将数据信号(或数据电压)输出到数据线DL1至DLm，并且可包括斩波电路和斩波控制器。斩波电路可响应于斩波控制信号来改变(例如，可周期性地改变)源极放大器的极性。斩波控制器可生成斩波控制信号(例如，方波或具有方波的斩波控制信号)，并且可改变(或可变化)斩波控制信号的压摆率或转换速度。例如，压摆率可指示输出信号(例如，斩波控制信号)跟随输入信号的速率，或者斩波控制信号根据时间的变化率。斩波控制信号的压摆率可考虑到由斩波控制信号在数据线DL1至DLm中生成的噪声而在显示装置100的制造工艺期间得到控制(例如，或设置)。

下面将参照图3至图11对源极驱动器130的示例性配置(以及斩波电路和斩波控制器的示例性配置)进行更详细的描述。

时序控制器140可从外部(例如，从图形处理器)接收输入图像数据DATA1和控制信号CS，可根据(例如，基于)控制信号CS来生成扫描控制信号SCS和数据控制信号DCS，并且可通过转换输入图像数据DATA1来生成图像数据DATA2。控制信号CS可包括垂直同步信号(Vsync)、水平同步信号(Hsync)、时钟(CLK)和/或类似物。例如，时序控制器140可根据(例如，或对应于)显示单元110处(例如，其中或其上)的像素PXL的像素排列来将输入图像数据DATA1(例如，RGB格式或具有RGB格式的输入图像数据DATA1)转换成图像数据DATA2(例如，RGBG格式或具有RGBG格式的图像数据DATA2)。

在各种实施方式中，扫描驱动器120、源极驱动器130、时序控制器140和发光驱动器150中的至少一个可形成在显示单元110处(例如，其中或其上)，或者可实现为集成电路IC并且可以带载封装类型和/或类似的方式连接到显示单元110。例如，在一些实施方式中，扫描驱动器120、源极驱动器130、时序控制器140和发光驱动器150中的至少两个可实现在相同的IC上(例如，实现为单个IC)。

图2是示出包括在图1的显示装置中的像素的实例的电路图。

参照图2，像素PXL可包括第一晶体管T1至第七晶体管T7、存储电容器Cst和发光元件LD。

第一晶体管T1至第七晶体管T7中的每个可实现为P型晶体管，但是本公开不限于此。例如，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的至少一些可实现为N型晶体管。

第一晶体管(例如，或驱动晶体管)T1的第一电极可连接到第二节点N2(例如，或者可通过第五晶体管T5连接到第一电源线(例如，施加有第一电源电压VDD的电源线))。第一晶体管T1的第二电极可连接到第一节点N1(例如，或者可通过第六晶体管T6连接到发光元件LD的阳极)。第一晶体管T1的栅电极可连接到第三节点N3。第一晶体管T1可与第三节点N3的电压对应地控制从第一电源线通过发光元件LD流向第二电源线(例如，用于传输第二电源电压VSS的电源线)的电流量。

第二晶体管(例如，或开关晶体管)T2可连接在数据线DLj与第二节点N2之间。第二晶体管T2的栅电极可连接到扫描线SLi。当扫描信号供给到扫描线SLi时，第二晶体管T2可被导通以将数据线DLj与第一晶体管T1的第一电极彼此电连接。

第三晶体管T3可连接在第一节点N1与第三节点N3之间。第三晶体管T3的栅电极可连接到扫描线SLi。当扫描信号供给到扫描线SLi时，第三晶体管T3可被导通以将第一节点N1与第三节点N3彼此电连接。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1可以二极管形式连接。换言之，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1可被二极管连接。

存储电容器Cst可连接在第一电源线与第三节点N3之间。存储电容器Cst可存储与数据信号和第一晶体管T1的阈值电压对应的电压。

第四晶体管T4可连接在第三节点N3与初始化电源线(例如，用于传输初始化电源电压Vint的电源线)之间。第四晶体管T4的栅电极可连接到前一扫描线SLi-1。当扫描信号供给到前一扫描线SLi-1时，第四晶体管T4可被导通以将初始化电源电压Vint供给到第三节点N3。此处，初始化电源电压Vint可具有(例如，或者可设置为具有)比数据信号的电压电平低的电压电平。

第五晶体管T5可连接在第一电源线与第二节点N2之间。第五晶体管T5的栅电极可连接到发光控制线ELi。当发光控制信号供给到发光控制线ELi时，第五晶体管T5可被关断，并且在其它情况下(例如，当发光控制信号未供给到发光控制线ELi时，或者当具有栅极导通电平的发光控制信号供给到发光控制线ELi时)，第五晶体管T5可被导通。

第六晶体管T6可连接在第一节点N1与发光元件LD之间。第六晶体管T6的栅电极可连接到发光控制线ELi。当发光控制信号供给到发光控制线ELi时，第六晶体管T6可被关断，并且在其它情况下(例如，当发光控制信号未供给到发光控制线ELi时，或者当具有栅极导通电平的发光控制信号供给到发光控制线ELi时)，第六晶体管T6可被导通。

第七晶体管T7可连接在初始化电源线与发光元件LD的阳极之间。第七晶体管T7的栅电极可连接到扫描线SLi。当扫描信号供给到扫描线SLi时，第七晶体管T7可被导通以将初始化电源电压Vint提供给发光元件LD的阳极。

发光元件LD的阳极可通过第六晶体管T6连接到第一晶体管T1，并且发光器件LD的阴极可连接到第二电源线。发光元件LD可生成具有与从第一晶体管T1供给的电流对应的期望亮度(例如，具有预定亮度)的光。第一电源电压VDD可具有(例如，或可设置为具有)比第二电源电压VSS的电压电平大(例如，或高)的电压电平，以使得电流流向(例如，或流过)发光元件LD。

图3是示出包括在图1的显示装置中的源极驱动器的实例的框图。

参照图1和图3，源极驱动器130可包括控制器(例如，或控制单元)310、斩波控制器(例如，或斩波控制单元)320、伽马电压发生器(例如，或伽马电压发生单元)330、移位寄存器340、锁存器350、解码器(例如，或数模转换器、数模转换单元和/或类似物)360和输出缓冲器(例如，或输出缓冲单元)370。

控制器310可从时序控制器140接收数据控制信号DCS。

控制器310可根据(例如，或基于)数据控制信号DCS来生成第一控制信号CCCS。第一控制信号CCCS可包括脉冲，并且可用于改变(例如，周期性地改变)包括在输出缓冲器370中(例如，配置其)的源极放大器的偏移的极性。

另外，控制器310可根据(例如，或基于)数据控制信号DCS来生成偏置控制信号。偏置控制信号可用于控制施加到输出缓冲器370(或源极放大器)的偏置电压。

控制器310可生成伽马使能信号G_EN。伽马使能信号G_EN可控制伽马电压发生器330以生成伽马电压VG0至VG2047。伽马电压VG0至VG2047可用于将数据DATA(例如，参照图1描述的图像数据DATA2)转换为数据电压(例如，灰度电压)。例如，在实施方式中，伽马电压VG0至VG2047可包括与11位数据对应的2048个伽马电压，但这是非限制性实例，并且伽马电压VG0至VG2047不限于此。

控制器310可从时序控制器140接收串行数据，并且可将串行数据改变为并行数据DATA。控制器310可将并行数据DATA提供给移位寄存器340(或锁存器350)。

斩波控制器320可根据(例如，或基于)第一控制信号CCCS来生成斩波控制信号CCS，并且可将斩波控制信号CCS提供给输出缓冲器370。

另外，斩波控制器320可响应于偏置控制信号而生成具有各种合适的电压电平的偏置电压。然而，本公开不限于此，并且在实施方式中，偏置电压可由独立于斩波控制器320(例如，或与斩波控制器320分离)的单独的偏置电压发生器来生成。

在各种实施方式中，斩波控制器320可控制斩波控制信号CCS的压摆率，或者可控制(例如，可改变或变化)斩波控制信号CCS的转换速度。例如，当斩波控制信号CCS为方波或包括多个脉冲时，斩波控制器320可改变(例如，或可变化)斩波控制信号CCS的电压电平改变的速度。

如下面将更详细描述的，包括在显示装置100或包括显示装置100的产品中的部件(例如，触摸面板)和/或其布置(例如，或排列)可以各种方式修改。因此，取决于显示装置100的配置，各种部件可能受到显示装置100(例如，或数据线DL1至DLm(参照图1))的影响。例如，斩波控制信号CCS的压摆率或转换速度可考虑到部件之间的布置(例如，数据线DL1至DLm与触摸面板的电极之间的排列和/或距离)和/或类似物或者考虑到可能对组件产生的影响的测量结果(例如，因数据线DL1至DLm在触摸面板中生成的噪声)而在显示装置100的制造工艺期间(或在包括显示装置100的产品的制造工艺期间)得到控制(例如，可设置)。

伽马电压发生器330可接收伽马使能信号G_EN以生成具有各种合适的电压电平的伽马电压VG0至VG2047。

移位寄存器340可将并行数据DATA提供给锁存器350。移位寄存器340可生成锁存时钟信号，并且可将锁存时钟信号提供给锁存器350。锁存时钟信号可用于控制输出并行数据DATA的时序。

锁存器350可锁存或临时存储从移位寄存器340接收到(例如，顺序地接收到)的数据，并且可将数据传输到解码器360。

解码器360可使用伽马电压VG0至VG2047来将接收到的数据转换为数据信号。例如，解码器360可以第一格式(例如，以数字格式，诸如并行数据DATA的灰度级值或灰度值)接收数据，并且可使用伽马电压VG0至VG2047将接收到的数据转换为与第一格式不同的第二格式的数据信号(例如，模拟格式的数据信号，如数据电压)。

输出缓冲器370可接收数据信号，并且可将数据信号输出到数据线DLs(例如，参照图1描述的显示单元110的数据线DL1至DLm)。输出缓冲器370可包括与数据线DL连接的源极放大器。

尽管斩波控制器320在图3中被示为独立于控制器310和输出缓冲器370(例如，或与控制器310和输出缓冲器370分离)，但是本公开不限于此。例如，在一些实施方式中，斩波控制器320可包括作为控制器310的一部分，或作为输出缓冲器(例如，或输出缓冲单元)370的一部分。

图4是示出包括在图3的源极驱动器中的输出缓冲器的实例的电路图。在图4中，输出缓冲器370的一部分被示出为以与图1中所示的数据线DLj连接的电路(例如，或源极放大器)为中心。

参照图3和图4，输出缓冲器370可包括放大器(例如，或源极放大器)AMP和斩波电路SW。

放大器AMP可连接到解码器360的输出端子，或者可连接在解码器360与数据线DLj之间。

斩波电路SW可响应于斩波控制信号CCS而改变(例如，可周期性地改变)放大器AMP的偏移的极性。斩波控制信号CCS由斩波控制器(例如，或斩波控制单元)320提供，并且可包括具有导通电压电平的脉冲。

斩波电路SW可包括第一开关SW1至第四开关SW4。

第一开关SW1可连接在输入节点N_IN与放大器AMP的第一输入端子(例如，第一输入节点N_P)之间。第二开关SW2可连接在输入节点N_IN与放大器AMP的第二输入端子(例如，第二输入节点N_N)之间。第三开关SW3可连接在放大器AMP的第一输入端子(或第一输入节点N_P)与放大器AMP的输出端子(例如，输出节点N_OUT)之间。第四开关SW4可连接在放大器AMP的第二输入端子(或第二输入节点N_N)与放大器AMP的输出端子(例如，输出节点N_OUT)之间。

第一开关SW1至第四开关SW4可响应于斩波控制信号CCS而操作或导通。在这种情况下，斩波控制信号CCS可包括第一斩波控制信号CCS1、第二斩波控制信号CCS2、第三斩波控制信号CCS3和第四斩波控制信号CCS4。例如，第一开关SW1可响应于具有导通电压电平的第一斩波控制信号CCS1而导通，第二开关SW2可响应于具有导通电压电平的第二斩波控制信号CCS2而导通，第三开关SW3可响应于具有导通电压电平的第三斩波控制信号CCS3而导通，并且第四开关SW4可响应于具有导通电压电平的第四斩波控制信号CCS4而导通。

第一开关SW1和第四开关SW4可在第一时间处(例如，期间)(例如，或第一周期期间)响应于具有导通电压电平的第一斩波控制信号CCS1和第四斩波控制信号CCS4而导通。第二开关SW2和第三开关SW3可在与第一时间不同的第二时间处(例如，期间)(例如，或第二周期期间)响应于具有导通电压电平的第二斩波控制信号CCS2和第三斩波控制信号CCS3而导通。例如，第一时间和第二时间可在每个帧周期(例如，在显示装置100(参照图1)显示一个帧图像的每个帧周期)中交替，但是本公开不限于此。

例如，在第一时间处(或期间)，数据信号可通过放大器AMP的第一输入端子而用具有第一极性的偏移来输出，并且在第二时间处(或期间)，数据信号可通过放大器AMP的第二输入端子而用具有第二极性的偏移(例如，具有与第一极性的偏移的大小相同或基本上相同的大小并且具有与第一极性的偏移的极性不同的极性的偏移)来输出。

图5是示出图4的输出缓冲器的实例的电路图。在图5中，以图4中所示的第三开关SW3为中心示出了输出缓冲器370的一部分。

参照图4和图5，作为非限制性实例，第三开关SW3可包括(或者可为)N型晶体管(例如，N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管或氧化物半导体晶体管)，但是本公开不限于此。例如，在另一实施方式中，第三开关SW3可包括(或者可为)P型晶体管。

与放大器AMP的输出端子连接的输出节点N_OUT与用于将第三斩波控制信号CCS3传输到第三开关SW3的控制线CL之间可形成有第一寄生电容器Cpar1。例如，与输出节点N_OUT连接的布线可与控制线CL重叠或相邻，并因此，第一寄生电容器Cpar1可形成在与输出节点N_OUT连接的布线与控制线CL之间。

第三斩波控制信号CCS3的高频分量可通过第一寄生电容器Cpar1传输到输出节点N_OUT，并且可表现为对于通过数据线DLj传输的数据信号的噪声。

尽管图5示出了第一寄生电容器Cpar1与第三开关SW3对应地形成(例如，形成在第三开关SW3处或其中)，但是本公开不限于此。例如，寄生电容器可与第四开关SW4对应地形成(例如，形成在第四开关SW4处或其中)，和/或寄生电容器可分别与第一开关SW1和第二开关SW2对应地形成(例如，形成在第一开关SW1和第二开关SW2处或其中)(例如，参见图4)。因此，第一斩波控制信号CCS1、第二斩波控制信号CCS2、第三斩波控制信号CCS3和第四斩波控制信号CCS4(例如，参见图4)中的一个或多个(例如，每个)的高频分量可表现为对于数据信号的噪声。

图6是示出图5的输出缓冲器中测量的信号的实例的波形图。

参照图5和图6，第三斩波控制信号CCS3可在第一时间点t1处从关断电压电平(例如，逻辑低电平或栅极关断电压电平)转换为导通电压电平(例如，逻辑高电平或栅极导通电压电平)，并且可在第二时间点t2处转换为关断电压电平。此处，关断电压电平可为用于使图5中所示的晶体管(例如，第三开关SW3)关断的合适的电压电平，并且导通电压电平可为用于使晶体管(例如，第三开关SW3)导通的合适的电压电平。

在第一时间点t1处(或期间)，与第三斩波控制信号CCS3的变化(例如，从关断电压电平转换为导通电压电平)对应的噪声(例如，有脉冲形式或具有脉冲形式的噪声)可发生在通过数据线DLj传输的数据信号DATAj中。

相似地，在第二时间点t2处(或期间)，与第三斩波控制信号CCS3的变化(例如，从导通电压电平转换为关断电压电平)对应的噪声(例如，有脉冲形式或具有脉冲形式的噪声)可发生在通过数据线DLj传输的数据信号DATAj中。

这种噪声对存储在像素中的数据信号的影响可为最小的。如参照图2所描述的，因为数据信号DATAj存储在像素PXL的存储电容器Cst中，和/或因为存储电容器Cst在特定时间期间响应于通过扫描线SLi传输的扫描信号而被充电，因此可排除(或忽略)噪声对像素PXL的影响。例如，像素PXL的噪声可通过使数据信号DATAj的转换时间点(例如，第一时间点t1和第二时间点t2)不与导通电压电平(例如，当扫描信号具有导通电压电平时)的扫描信号重叠来排除。

然而，如下面将参照图12至图15更详细地描述的，可包括在显示装置100或者可包括在包括显示装置100的产品中的一个或多个其它部件(例如，与源极驱动器130不同步的触摸面板)可能受到生成在数据线DLj中的噪声的影响，并因此可能无法正确地操作(或可能无法执行功能)。

因此，根据本公开的各种实施方式，斩波控制器320(例如，参照图4)可变化(例如，可改变)斩波控制信号CCS(例如，第三斩波控制信号CCS3)的压摆率或转换速度。例如，当斩波控制信号CCS的压摆率或转换速度降低时，可降低斩波控制信号CCS的高频分量，并因此可降低数据信号DATAj的噪声。然而，随着斩波控制信号CCS的压摆率或转换速度降低，用于稳定或基本上稳定输出缓冲器370的时间可能增加(例如，可能需要或期望用于稳定或基本上稳定输出缓冲器370的额外时间)。因此，斩波控制信号CCS的压摆率或转换速度可变化(例如，可改变)为在其它部件(例如，触摸面板)中不发生噪声的合适的压摆率或转换速度。例如，斩波控制信号CCS的压摆率或转换速度可设置为具有在其它分量(例如，触摸)中不生成噪声的合适范围内的最高压摆率或最快转换速度。

图7是示出包括在图3的源极驱动器中的斩波控制器的实例的框图。

参照图3、图4和图7，斩波控制器320可包括逻辑控制电路(例如，逻辑控制器或逻辑控制块)710、电平移位器720和缓冲器电路(例如，缓冲器或缓冲器块)730。

逻辑控制电路710可生成包括脉冲的第一控制信号。例如，第一控制信号可与参照图3描述的第一控制信号CCCS相同或基本上相同，并且在这种情况下，逻辑控制电路710可包括在控制器310中(例如，作为其一部分)。

电平移位器720可使第一控制信号的电平移位以生成第二控制信号。例如，电平移位器720可使第一控制信号的电平向上移位以生成第二控制信号。

缓冲器电路730可输出第二控制信号作为斩波控制信号CCS，并且可改变斩波控制信号CCS的压摆率。例如，压摆率可指示斩波控制信号CCS跟随第二控制信号的速率，或者斩波控制信号CCS根据时间的变化率。从缓冲器电路730输出的斩波控制信号CCS可提供给斩波电路SW。

在一些实施方式中，缓冲器电路730可包括与斩波电路SW并联连接的子缓冲器、以及分别将子缓冲器串联连接到电平移位器720的子开关。

图8是示出包括在图7的斩波控制器中的缓冲器电路的实例的电路图。

参照图8，缓冲器电路730可包括第一子缓冲器BUF_S1至第四子缓冲器BUF_S4、以及第一子开关SW_S1至第四子开关SW_S4。

第一子缓冲器BUF_S1和第一子开关SW_S1可串联连接在电平移位器720与斩波电路SW之间。相似地，第二子缓冲器BUF_S2和第二子开关SW_S2可串联连接在电平移位器720与斩波电路SW之间，第三子缓冲器BUF_S3和第三子开关SW_S3可串联连接在电平移位器720与斩波电路SW之间，并且第四子缓冲器BUF_S4和第四子开关SW_S4可串联连接在电平移位器720与斩波电路SW之间。

第一子缓冲器BUF_S1至第四子缓冲器BUF_S4中的每个可串联连接在第一驱动电压V_TOP与第二驱动电压GND之间，并且可包括N型晶体管M1和P型晶体管M2(例如，可由其配置)。例如，如图8中所示，第一子缓冲器BUF_S1至第四子缓冲器BUF_S4中的每个可包括串联连接在第一驱动电压V_TOP与第二驱动电压GND之间的晶体管M1和M2。晶体管M1和M2中的每个的栅电极可连接到相应的子缓冲器的输入端子IN。相应的子缓冲器的输入端子IN可连接到对应的子开关，并且相应的子缓冲器的输出端子OUT可连接到斩波电路SW。第一子缓冲器BUF_S1至第四子缓冲器BUF_S4可具有彼此相同或基本上相同的缓冲器大小，但是本公开不限于此。例如，第一子缓冲器BUF_S1至第四子缓冲器BUF_S4中的至少一个可具有与其它子缓冲器中的至少一个的缓冲器大小不同的缓冲器大小(例如，彼此不同的缓冲器大小)。

第一子开关SW_S1至第四子开关SW_S4中的每个可包括(例如，可实现为)N型晶体管，但是本公开不限于此。第一子开关SW_S1至第四子开关SW_S4中的至少一个可根据(例如，基于)选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]来控制(例如，可导通)。选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]可为从控制器310(例如，参见图3)或类似物提供的合适的信号(例如，预设信号或预定信号)。

尽管图8示出了作为非限制性实例的缓冲器电路730包括四对子缓冲器和子开关，但是本公开不限于此，缓冲器电路730可包括任何合适数量的子缓冲器和子开关对。例如，缓冲器电路730可包括两对子缓冲器和子开关、三对子缓冲器和子开关、五对或更多对子缓冲器和子开关和/或类似物。

图9是示出从图8的缓冲器输出的斩波控制信号的实例的波形图。

参照图8和图9，当选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]具有第一值(例如，00)时，第一子开关SW_S1至第四子开关SW_S4中的每个(例如，全部)可被导通。

在这种情况下，如参照图6所描述的，斩波控制信号CCS可在第一时间点t1从关断电压电平转换(例如，可快速转换)为导通电压电平，并且可在第二时间点t2从导通电压电平转换(例如，可快速转换)为关断电压电平。

当选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]具有第二值(例如，01)时，第一子开关SW_S1至第四子开关SW_S4中的三个(例如，第一子开关SW_S1至第三子开关SW_S3)可被导通。

在这种情况下，斩波控制信号CCS可在第一时间点t1与第三时间点t3之间的周期期间(例如，在该周期中)从关断电压电平转换为导通电压电平，并且可在第二时间点t2与第六时间点t6之间的周期期间(例如，在该周期中)从导通电压电平转换为关断电压电平。

在选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]具有第二值的情况下的斩波控制信号CCS的斜率(或脉冲的上升沿和/或脉冲的下降沿的斜率)可比选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]具有第一值的情况下的斩波控制信号CCS的斜率小(例如，缓和)。

当选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]具有第三值(例如10)时，第一子开关SW_S1至第四子开关SW_S4中的两个(例如，第一子开关SW_S1和第二子开关SW_S2)可被导通。在这种情况下，斩波控制信号CCS可在第一时间点t1与第四时间点t4之间的周期期间(例如，在该周期中)从关断电压电平转换为导通电压电平，并且可在第二时间点t2与第七时间点t7之间的周期期间(例如，在该周期中)从导通电压电平转换为关断电压电平。在选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]具有第三值的情况下的斩波控制信号CCS的斜率可比选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]具有第二值的情况下的斩波控制信号CCS的斜率小(例如，缓和)。

当选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]具有第四值(例如，11)时，第一子开关SW_S1至第四子开关SW_S4中的一个(例如，第一子开关SW_S1)可被导通。在这种情况下，斩波控制信号CCS可在第一时间点t1与第五时间点t5之间的周期期间(例如，在该周期中)从关断电压电平转换为导通电压电平，并且可在第二时间点t2与第八时间点t8之间的周期期间(例如，在该周期中)从导通电压电平转换为关断电压电平。在选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]具有第四值的情况下的斩波控制信号CCS的斜率可比选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]具有第三值的情况下的斩波控制信号CCS的斜率小(例如，缓和)。

相应地，缓冲器电路730的缓冲器大小可根据选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0](例如，通过控制子开关SW_S1至SW_S4)而变化(例如，可改变)，并且通过缓冲器电路730输出的斩波控制信号CCS的压摆率(例如，转换速度或斜率)可得到控制。例如，随着缓冲器电路730的缓冲器大小减小，斩波控制信号CSS的压摆率可减小。

根据本公开的一个或多个实施方式，在图1的显示装置100的制造工艺期间(例如，在制造工艺中)，可在改变选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]的值的同时测量在其它部件(例如，触摸面板)中生成的噪声。根据噪声的测量结果，可选择或设置选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]的合适或最佳值(例如，使斩波控制信号CCS的斜率最大而不生成噪声的值)。换言之，缓冲器电路730的缓冲器大小可改变(例如，可设置)为具有在不发生噪声的范围内(例如，范围中)的最大大小。

尽管图9示出了第一子缓冲器BUF_S1至第四子缓冲器BUF_S4具有彼此相同或基本上相同的大小(或缓冲器大小)，但是本公开不限于此。例如，第二子缓冲器BUF_S2的大小可为第一子缓冲器BUF_S1的两倍，并且第三子缓冲器BUF_S3的大小可为第二子缓冲器BUF_S2的两倍。在这种情况下，仅与第一子缓冲器BUF_S1对应的第一子开关SW_S1可与选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]的第四值(例如，11)对应地被导通，仅与第二子缓冲器BUF_S2对应的第二子开关SW_S2可与选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]的第三值(例如，10)对应地被导通，仅第一子缓冲器BUF_S1和第二子缓冲器BUF_S2可与选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]的第二值(例如,01)对应地被导通，并且仅第三子缓冲器BUF_S3可与选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]第一值(例如，00)对应地被导通。

图10是示出包括在图3的源极驱动器中的斩波控制器的另一实例的框图。

参照图7和图10，图10的斩波控制器320与图7的斩波控制器320的不同之处在于图10的斩波控制器320还包括模拟滤波器(或低通滤波器)740。图10的斩波控制器320的其它元件和部件可与图7的元件和部件相同或基本上相同，并因此，可简化或可不重复其冗余描述。

缓冲器电路730可输出从电平移位器720提供的第二控制信号作为斩波控制信号CCS。与参照图7描述的缓冲器电路730不同，图10中所示的缓冲器电路730可不改变斩波控制信号CCS的压摆率，但是本公开不限于此。

模拟滤波器740可连接在缓冲器电路730的输出端子与斩波电路SW之间，并且可对斩波控制信号CCS的高频分量进行滤波(例如，能够可变地进行滤波)。换言之，模拟滤波器740可控制关断频率，并因此，斩波控制信号CCS的斜率可变化(例如，可改变)。

模拟滤波器740可包括可变电阻器R1和可变电容器C1。可变电阻器R1可连接在缓冲器电路730与斩波电路SW之间，并且可变电容器C1可连接在斩波电路SW与基准电压线VREF(例如，接地)之间。可变电阻器R1可包括多个电阻器和开关元件(例如，可用其实现)。可变电容器C1可包括多个电容器和开关元件(例如，可用其实现)。

可变电阻器R1的电阻和可变电容器C1的电容中的至少一个可根据(例如，基于)选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]而改变(例如，可变化)。参照图9，例如，当选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]具有第一值(例如，00)时，可变电阻器R1的电阻和可变电容器C1的电容中的每个可为最小的。作为另一实例，当选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]具有第四值(例如，11)时，可变电阻器R1的电阻和可变电容器C1的电容中的每个可为最大的。

图11是示出包括在图3的源极驱动器中的斩波控制器的另一实例的框图。

参照图7、图10和图11，图11的斩波控制器320与图7和图10的斩波控制器320的不同之处在于图11的斩波控制器320还包括延迟元件750(例如，代替模拟滤波器740)。图11的斩波控制器320的其它元件和部件可与图7和图10的元件和部件相同或基本上相同，并因此，可简化或可不重复其冗余描述。

延迟元件750可连接在缓冲器电路730与斩波电路SW之间。

延迟元件750可包括电阻器R、第一二极管D1和第二二极管D2以及第一延迟开关元件SW_D1和第二延迟开关元件SW_D2。电阻器R可连接在缓冲器电路730与斩波电路SW之间。第一二极管D1和第一延迟开关元件SW_D1可彼此串联连接，并且可并联连接到电阻器R。第二二极管D2和第二延迟开关元件SW_D2可彼此串联连接，并且可并联连接到电阻器R。第一延迟开关元件SW_D1和第二延迟开关元件SW_D2可响应于选择信号(例如，预设或预定选择信号)来控制(例如，可导通或关断)。

电阻器R可包括可变电阻器(例如，可由其配置)。电阻器R可延迟并传输从缓冲器电路730提供的斩波控制信号CCS(例如，斩波控制信号CCS的上升沿和/或下降沿)。然而，本公开不限于此，例如，代替电阻器R，参照图10描述的模拟滤波器740可被应用。

第一二极管D1和第二二极管D2可在彼此不同的方向上(或不同的极性)连接。第一二极管D1可在没有斩波控制信号CCS的上升沿的延迟的情况下传输从缓冲器电路730提供的斩波控制信号CCS，并且第二二极管D2可在没有斩波控制信号CCS的下降沿的延迟的情况下传输斩波控制信号CCS。

换言之，延迟元件750可使用电阻器R来延迟斩波控制信号CCS或者控制斩波控制信号CCS的压摆率，并且可使用第一二极管D1和第二二极管D2来控制斩波控制信号CCS的上升沿和下降沿中的至少一个的压摆率。

图12是示出根据本公开的另一实施方式的显示装置的视图。图13是示出图12的显示装置的实例的剖面图。

参照图12和图13，显示装置1可显示图像。显示装置1可包括在诸如平板电脑、智能电话、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、手表型电子装置(例如，智能手表、健身手表、健康手表和/或类似物)、游戏机和/或类似物的便携式终端(例如，便携式电子装置)中(例如，可为其一部分)。然而，显示装置1不限于此。例如，显示装置1可包括在诸如电视机、外部广告牌和/或类似物的大型电子装置中(例如，可为其一部分)，或者可包括在诸如个人计算机、笔记本电脑、汽车导航装置、相机和/或类似物的小型或中型电子装置中(例如，可为其一部分)。

显示装置1可包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可限定为显示装置1的显示图像的部分，并且非显示区域NDA可限定为显示装置1的不显示图像的部分。

显示区域DA可位于(例如，可定位在)显示装置1的中心部分(或中心区域)处，并且可具有比非显示区域NDA的面积大的面积(例如，相对大的面积)。显示区域DA可包括(例如，可设置有)参照图1描述的显示单元110，或者显示区域DA可对应于显示单元110。

非显示区域NDA可位于(例如，可定位在)显示区域DA的至少一侧处(例如，其中或其上)，或者可位于显示区域DA的附近(例如，其中或其上)。非显示区域NDA可对应于(例如，可为)从显示区域DA的外边界(例如，从外围)延伸到显示装置1的边缘(例如，外围或边框)的区域(例如，边框区域)。例如，在一些实施方式中，非显示区域NDA可围绕显示区域DA(例如，在其周围)。参照图1描述的扫描驱动器120、源极驱动器130、时序控制器140和/或发光驱动器150可布置在非显示区域NDA上(例如，其中或其上)。

显示装置1可包括基础层(例如，衬底)SUB、显示层(例如，显示面板)DISP和触摸感测层(例如，触摸面板)TSP。

基础层SUB可包括诸如玻璃、树脂和/或类似物的绝缘材料(例如，可由其形成)。基础层SUB可包括具有柔性的材料(例如，可由其形成)以使其可弯曲或可折叠，并且可具有单层结构或多层结构。

显示层DISP可(例如，在基础层SUB的第三方向DR3上或在厚度方向DR3上)形成在基础层SUB上。显示层DISP可与上面参照图1描述的显示装置100相同或基本上相同，并因此，可不重复其冗余描述。

触摸感测层TSP可布置在显示层DISP上。触摸感测层TSP可设置在非显示区域NDA(或非感测区域)和显示区域DA(或感测区域)处(例如，其上或其中)。触摸感测层TSP可包括触摸电极和与触摸电极连接的感测线。

触摸感测层TSP可与显示层DISP一体或直接形成。然而，本公开不限于此。例如，触摸感测层TSP可制造为独立于(例如，不同于)显示层DISP(或显示面板)的单独的触摸面板，并且可通过粘合层(例如，光学透明树脂(OCR)、光学透明粘合剂(OCA)和/或类似物)联接到显示层DISP。

图14是示出包括在图13的显示装置中的触摸感测层的实例的平面图。

参照图13和图14，触摸感测层TSP可包括感测区域SA和非感测区域NSA。感测区域SA可对应于显示装置1的显示区域DA，并且非感测区域NSA可对应于显示装置1的非显示区域NDA。

感测区域SA处(例如，其中或其上)可设置有触摸电极TE。非感测区域NSA处(例如，其中或其上)可设置有感测线SSL和焊盘部PD。

触摸电极TE可包括第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2。第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2可交替地布置，并且可沿不同的方向(例如，沿彼此不同的方向)连接。

第一触摸电极TE1可排列成矩阵形式，并且可沿第二方向(例如，第二前进方向)DR2彼此电连接以形成多个平行的触摸电极行。一个触摸电极行的第一触摸电极TE1可通过第一连接图案(或第一桥接图案)CNP1电连接到一个触摸电极行的相邻的第一触摸电极TE1。

第二触摸电极TE2可排列成矩阵形式，并且可沿与第二方向DR2相交的第一方向DR1彼此电连接以形成多个平行的触摸电极列。一个触摸电极列的第二触摸电极TE2可通过第二连接图案(或第二桥接图案)CNP2电连接到一个触摸电极列的相邻的第二触摸电极TE2。

第一触摸电极TE1(或触摸电极行)和第二触摸电极TE2(或触摸电极列)中的每个可通过对应的感测线SSL电连接到包括在焊盘部PD处(例如，其中或其上)的对应的感测焊盘。

在实施方式中，触摸电极TE以及连接图案CNP1和CNP2中的每个可包括多个导电线(例如，多个导电细线)。例如，如图14中的触摸区域EA的放大图所示，触摸电极TE以及连接图案CNP1和CNP2中的每个可包括在一个方向上延伸并且彼此平行或基本上平行的多个第一导电细线、以及在与第一导电细线相交的另一方向上延伸并且彼此平行或基本上平行的多个第二导电细线。换言之，触摸电极TE以及连接图案CNP1和CNP2中的每个可具有网格结构。

然而，触摸电极TE以及连接图案CNP1和CNP2不限于此。例如，触摸电极TE以及连接图案CNP1和CNP2可包括透明导电材料，诸如ITO和/或IZO。

感测线SSL可将触摸电极TE和驱动电路彼此电连接。感测线SSL可将来自驱动电路的感测输入信号传输到触摸电极TE，或者可将来自触摸电极TE的感测输出信号传输到驱动电路。

图15是示出图13的显示装置的实例的剖面图。图15示出了显示装置1的显示区域DA的放大部分(例如，像素)。

参照图13至图15，显示层DISP可布置在基础层SUB上。显示层DISP可包括像素电路层PCL和发光元件层(或显示元件层)LDL。

像素电路层PCL可布置在基础层SUB上。像素电路层PCL可包括设置在基础层SUB的显示区域DA处(例如，其中或其上)的至少一个晶体管TR、以及一个或多个线(例如，与参照图1描述的数据线DL1至DLm中的一个对应的数据线DL)。

像素电路层PCL可包括缓冲层BUF、半导体层、第一绝缘层INS1、第一导电层GAT、第二绝缘层INS2、第二导电层SD和第三绝缘层INS3。

缓冲层BUF可布置在基础层SUB的表面(例如，整个表面)上。缓冲层BUF可执行表面平坦化功能，防止或基本上防止杂质离子的扩散，和/或防止或基本上防止湿气或外部空气的渗透。缓冲层BUF可包括例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅和/或类似物。然而，本公开不限于此，并且例如缓冲层BUF可根据需要或必要性，根据基础层SUB的类型、工艺条件和/或类似物而被省略。

半导体层可布置在缓冲层BUF上(或在基础层SUB上)。半导体层可包括(例如，可为)形成晶体管TR的沟道的有源层。半导体层可包括分别与源电极SE和漏电极DE接触的源区和漏区，这将在下面更详细地描述。源区和漏区之间的区域可为沟道区ACT。

半导体层可包括多晶硅、非晶硅、氧化物半导体或类似物。半导体图案的沟道区ACT可包括(例如，可为)未掺杂有杂质的半导体图案，并且可为例如本征半导体。源区和漏区可包括(例如，可为)掺杂有杂质的半导体图案。例如，诸如n型杂质、p型杂质、其它金属和/或类似物的杂质可用于掺杂源区和漏区的半导体图案。

第一绝缘层(或栅极绝缘层)INS1可布置在半导体层和缓冲层BUF上(或在基础层SUB上)。第一绝缘层INS1可布置在基础层SUB的表面上方(例如，通常可布置在整个表面上方)。第一绝缘层INS1可包括(例如，可为)具有栅极绝缘功能的栅极绝缘膜。

第一绝缘层INS1可包括无机绝缘材料，诸如硅化合物、金属氧化物和/或类似物。例如，第一绝缘层INS1可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛和/或类似物、或者其组合物。第一绝缘层INS1可包括(例如，可为)单层膜、或者包括不同材料的多个层叠膜形成(例如，由其形成)的多层膜。

第一导电层GAT可布置在第一绝缘层INS1上。第一导电层GAT可包括栅电极GE。栅电极GE可布置成与半导体层重叠(或与半导体层的沟道区ACT重叠)。

第一导电层GAT可包括选自例如钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或多种金属。第一导电层GAT可具有单膜结构或多层膜结构。

第二绝缘层(或层间绝缘层)INS2可布置在第一导电层GAT上。第二绝缘层INS2可布置在基础层SUB的表面上方(例如，通常可布置在整个表面上方)。第二绝缘层INS2可使第一导电层GAT和第二导电层SD彼此绝缘，并且可包括(例如，可为)层间绝缘膜。

第二绝缘层INS2可包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。第二绝缘层INS2可包括(例如，可为)单层膜、或者包括不同材料的多个层叠膜形成(例如，由其形成)的多层膜。

第二导电层SD可布置在第二绝缘层INS2上。第二导电层SD可包括源电极(例如，第一晶体管电极)SE、漏电极(例如，第二晶体管电极)DE和数据线DL。

源电极SE和漏电极DE可通过延伸穿过(例如，通过)第二绝缘层INS2和第一绝缘层INS1的接触孔分别与半导体图案的源区和漏区接触。

与第一导电层GAT相似，第二导电层SD可包括选自例如钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或多种金属。第二导电层SD可具有单膜结构或多层膜结构。

第三绝缘层(或保护层)INS3可定位在第二导电层SD上。

发光元件层LDL可布置在像素电路层PCL上。发光元件层LDL可包括设置在显示区域DA处(例如，其中或其上)并且连接到至少一个晶体管TR的至少一个发光元件EL和封装层TFE。

发光元件EL可布置在第三绝缘层INS3上。

发光元件EL(或发光元件层LDL)可包括第一电极(或下电极)LE、第二电极(或上电极)UE和发光层(或中间层)IL。另外，发光元件EL(或发光元件层LDL)还可包括像素限定膜PDL。第一电极LE和第二电极UE中的一个可为阳极，并且第一电极LE和第二电极UE中的另一个可为阴极。例如，第一电极LE可为阳极，并且第二电极UE可为阴极。

第一电极LE可通过延伸穿过(例如，通过)第三绝缘层INS3的接触孔电连接到晶体管TR的漏电极DE。

像素限定膜PDL可沿第一电极LE的边缘(例如，沿着多个边缘)布置，并且像素限定膜PDL可包括有机绝缘材料。例如，像素限定膜PDL可布置在第一电极LE上，并且可具有暴露第一电极LE的至少一部分(例如，边缘之间的表面部分)的开口。

发光层IL可布置在由像素限定膜PDL暴露的第一电极LE上。发光层IL可包括低分子材料或高分子材料。

第二电极UE可布置在发光层IL上。第二电极UE可为完整地形成在发光层IL和像素限定膜PDL上的公共电极。第二电极UE可为透明电极或半透明电极。

封装层TFE可布置在第二电极UE上。封装层TFE可防止或基本上防止可能从外部引入的湿气、空气和/或类似物渗透到发光元件EL中。封装层TFE可包括薄膜封装结构(例如，可由其形成)，并且可包括一个或多个有机膜和一个或多个无机膜。

尽管图15示出了发光元件层LDL包括有机发光元件，但是本公开不限于此。例如，在另一实施方式中，发光元件层LDL可包括任何合适种类的发光元件，诸如无机发光元件和/或类似物。

触摸感测层TSP可布置在发光元件层LDL上。触摸感测层TSP可包括设置在显示区域DA处(或感测区域SA处)(例如，其中或其上)的触摸电极TE。

触摸感测层TSP可包括第三导电层YTML1、第四绝缘层INS4、第四导电层YTML2和第五绝缘层INS5。

第三导电层YTML1可布置在封装层TFE上，并且可包括第一连接图案CNP1。

第四绝缘层INS4可布置在第三导电层YTML1上。另外，第四绝缘层INS4可布置在第三导电层YTML1上以及在由第三导电层YTML1部分地暴露的封装层TFE上。

第四导电层YTML2可布置在第四绝缘层INS4上，并且可包括第一触摸电极TE1、第二连接图案CNP2和第二触摸电极TE2(例如，参照图14)。第一触摸电极TE1可通过延伸穿过(例如，通过)第四绝缘层INS4的接触孔与第一连接图案CNP1接触或连接到第一连接图案CNP1。

第五绝缘层INS5可布置在第四导电层YTML2上，并且可布置在封装层TFE的表面上方(例如，整个表面上方)。

数据线DL与触摸电极TE(例如，图15中的TE1)之间可形成有第二寄生电容器Cpar2。例如，数据线DL、与数据线DL重叠的触摸电极TE(例如，图15中的TE1)、以及布置在数据线DL与触摸电极TE之间的至少一个绝缘层(例如，第三绝缘层INS3、像素限定膜PDL和/或类似物)可配置(例如，可形成)第二寄生电容器Cpar2。

如上面参照图5所描述的，当因源极驱动器130的斩波控制器320(例如，参照图3)的操作而通过输出缓冲器370(例如，参照图3)在数据线DL中(或在通过数据线DL传输的数据信号中)发生噪声时，第二寄生电容器Cpar2可能影响触摸电极TE(或流过触摸电极TE的驱动信号和/或感测信号)，或者可对应于(例如，可充当)触摸噪声。

触摸感测层TSP可与显示层DISP独立地(例如，分离地)被驱动。例如，用于扫描触摸感测层TSP的周期(或输出感测信号的时间点)可与显示层DISP的驱动周期(或传输斩波控制信号的时间点)不同步(例如，可不对应)。在这种情况下，由于数据线DL的噪声，可能难以排除(例如，去除或忽略)触摸噪声。

根据本公开的各种实施方式，根据显示层DISP的结构、显示层DISP处(例如，其中或其上)的数据线DL的布置、触摸感测层TSP的结构、触摸感测层TSP到显示层DISP的联接结构和/或类似物，触摸噪声的幅度可针对每个显示装置而改变，并且可不发生触摸噪声。

因此，如参照图7至图11所描述的，根据本公开的各种实施方式的显示装置1可包括斩波控制器320，其中，斩波控制器320能够在显示装置1的制造工艺期间变化(或改变)斩波控制信号CCS的压摆率或转换速度，并且斩波控制器320可基于设置的压摆率(或设置的选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0]的值)来进行操作。例如，在各种实施方式中，斩波控制器320可考虑是否发生触摸噪声、触摸噪声的幅度和/或类似物来设置斩波控制信号CCS的压摆率(或用于确定压摆率的选择信号CHOP_SLOPE_CON[1:0](例如，参照图9)的值)。在各种实施方式中，压摆率可随着触摸噪声的增加而降低。

图16是示出由图14的触摸感测层测量的感测信号的实例的视图。图16示出了流过参照图14描述的触摸电极TE(例如，由第二触摸电极TE2配置的触摸电极列)的感测信号。感测信号可沿触摸电极列顺序地传输。

参照图15和图16，当因(例如，由于)图7的斩波控制器320的操作而在数据线DL中发生噪声时，在对应的时间点处通过与数据线DL重叠的触摸电极列输出的感测信号中可能发生触摸噪声。

因此，根据本公开的各种实施方式的显示装置1可通过改变斩波控制信号CCS(例如，参照图7)的压摆率或转换速度来减少或消除触摸噪声。

尽管已参照附图描述了本公开的一个或多个示例性实施方式，但是应理解，本文中描述的示例性实施方式应仅在描述性含义上进行考虑，而不是出于限制的目的。相应地，本领域普通技术人员将理解，在不背离如所附权利要求书及其等同物中所限定的本公开的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的各种修改。

Claims (10)

1.一种源极驱动器，包括：

伽马电压发生器，所述伽马电压发生器配置成生成具有彼此不同的电压电平的伽马电压；

数模转换器，所述数模转换器配置成使用所述伽马电压来生成与灰度值对应的数据电压；

输出缓冲单元，所述输出缓冲单元配置成输出所述数据电压；以及

斩波控制器，所述斩波控制器配置成生成斩波控制信号并且将所述斩波控制信号提供给所述输出缓冲单元；

其中，所述输出缓冲单元包括：

放大器，所述放大器连接到所述数模转换器的输出端子；以及

斩波电路，所述斩波电路配置成响应于所述斩波控制信号而周期性地改变所述放大器的偏移的极性，以及

其中，所述斩波控制器配置成改变所述斩波控制信号的压摆率。

2.根据权利要求1所述的源极驱动器，其中，所述斩波电路包括：

第一开关，所述第一开关连接在输入节点与所述放大器的第一输入端子之间；

第二开关，所述第二开关连接在所述输入节点与所述放大器的第二输入端子之间；

第三开关，所述第三开关连接在所述放大器的所述第一输入端子与所述放大器的输出端子之间；以及

第四开关，所述第四开关连接在所述放大器的所述第二输入端子与所述放大器的所述输出端子之间，以及

其中，所述第一开关至所述第四开关配置成响应于所述斩波控制信号而进行操作。

3.根据权利要求2所述的源极驱动器，其中，输出节点与控制线之间形成有寄生电容器，所述输出节点连接到所述放大器的所述输出端子，并且所述控制线用于将所述斩波控制信号传输到所述第三开关。

4.根据权利要求1所述的源极驱动器，其中，所述斩波控制器包括：

逻辑控制电路，所述逻辑控制电路配置成生成包括脉冲的第一控制信号；

电平移位器，所述电平移位器配置成通过使所述第一控制信号的电平上移来生成第二控制信号；以及

缓冲器电路，所述缓冲器电路配置成输出所述第二控制信号作为所述斩波控制信号并且改变缓冲器大小。

5.根据权利要求4所述的源极驱动器，其中，所述压摆率对应于所述斩波控制信号跟随所述第二控制信号的速率。

6.根据权利要求4所述的源极驱动器，其中，所述缓冲器电路包括：

子缓冲器，所述子缓冲器并联连接到所述斩波电路；以及

子开关，所述子开关分别将所述子缓冲器连接到所述电平移位器的输出端子，以及

其中，所述子开关中的至少一个配置成响应于选择信号而被导通。

7.根据权利要求6所述的源极驱动器，其中，所述子缓冲器具有彼此相同的缓冲器大小。

8.根据权利要求6所述的源极驱动器，其中，所述子缓冲器具有彼此不同的缓冲器大小。

9.根据权利要求4所述的源极驱动器，其中，所述斩波控制信号的所述压摆率随着所述缓冲器电路的所述缓冲器大小减小而减小。

10.一种显示装置，包括：

显示面板，所述显示面板包括数据线和与所述数据线连接的像素；以及

源极驱动器，所述源极驱动器配置成将数据电压提供给所述数据线，所述源极驱动器包括：

数模转换器，所述数模转换器配置成生成所述数据电压；

输出缓冲单元，所述输出缓冲单元配置成将所述数据电压输出到所述数据线；以及

斩波控制器，所述斩波控制器配置成生成斩波控制信号并且将所述斩波控制信号提供给所述输出缓冲单元，

其中，所述输出缓冲单元包括：

放大器，所述放大器连接在所述数模转换器与所述数据线之间；以及

斩波电路，所述斩波电路配置成响应于所述斩波控制信号而周期性地改变所述放大器的偏移的极性，以及

其中，所述斩波控制器配置成改变所述斩波控制信号的压摆率。

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