CN117529164A - 显示面板和包括该显示面板的显示装置 - Google Patents
显示面板和包括该显示面板的显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117529164A CN117529164A CN202310937934.7A CN202310937934A CN117529164A CN 117529164 A CN117529164 A CN 117529164A CN 202310937934 A CN202310937934 A CN 202310937934A CN 117529164 A CN117529164 A CN 117529164A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gate
- display panel
- power line
- control node
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 115
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 115
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims description 18
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 273
- 102100029469 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Human genes 0.000 description 22
- 101710097421 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Proteins 0.000 description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 13
- 102100040862 Dual specificity protein kinase CLK1 Human genes 0.000 description 10
- 201000005569 Gout Diseases 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 208000036971 interstitial lung disease 2 Diseases 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 10
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 9
- 101100309717 Arabidopsis thaliana SD22 gene Proteins 0.000 description 8
- 101100214491 Solanum lycopersicum TFT3 gene Proteins 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 102100040858 Dual specificity protein kinase CLK4 Human genes 0.000 description 7
- 101000749294 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK1 Proteins 0.000 description 7
- 101000749298 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK4 Proteins 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- 101100033865 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RFA1 gene Proteins 0.000 description 6
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 208000036252 interstitial lung disease 1 Diseases 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 101000908384 Bos taurus Dipeptidyl peptidase 4 Proteins 0.000 description 3
- 102100031102 C-C motif chemokine 4 Human genes 0.000 description 3
- 102100026620 E3 ubiquitin ligase TRAF3IP2 Human genes 0.000 description 3
- 101710140859 E3 ubiquitin ligase TRAF3IP2 Proteins 0.000 description 3
- HEFNNWSXXWATRW-UHFFFAOYSA-N Ibuprofen Chemical compound CC(C)CC1=CC=C(C(C)C(O)=O)C=C1 HEFNNWSXXWATRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101000777470 Mus musculus C-C motif chemokine 4 Proteins 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100524516 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RFA2 gene Proteins 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100016388 Arabidopsis thaliana PAS2 gene Proteins 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 2
- 101100060179 Drosophila melanogaster Clk gene Proteins 0.000 description 2
- 101100297150 Komagataella pastoris PEX3 gene Proteins 0.000 description 2
- 101150038023 PEX1 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 101100315760 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PEX4 gene Proteins 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 101150014555 pas-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100082028 Arabidopsis thaliana PLL2 gene Proteins 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000029523 Interstitial Lung disease Diseases 0.000 description 1
- 230000027311 M phase Effects 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000750042 Vini Species 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
- G06F1/163—Wearable computers, e.g. on a belt
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
公开了一种显示面板和包括该显示面板的显示装置。显示面板包括：像素阵列，在像素阵列上显示输入图像；以及边框区域，边框区域位于像素阵列的外部。像素阵列包括：像素电路区域，在像素电路区域中设置有与数据线、选通线和电力线连接的多个像素电路；以及选通驱动电路区域，在选通驱动电路区域中设置有向选通线提供选通信号的选通驱动器。由像素电路驱动的发光元件的发光区域设置在像素电路区域和选通驱动电路区域中。电力线设置在发光元件的阳极下方。
Description
技术领域
本公开涉及一种显示面板和包括该显示面板的可穿戴显示装置。
背景技术
电致发光显示装置可以根据发光层的材料被划分为无机发光显示装置和有机发光显示器。有源矩阵有机发光显示装置包括有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，OLED)，其本身产生光，并且具有高响应率、高发光效率、高亮度以及大视角等优点。在有机发光显示装置中，OLED形成在每个像素处。有机发光显示装置具有高响应率、高发光效率、高亮度以及大视角，并且能够在完美或接近完美的黑色下表达黑色渐变(gradation)，从而实现高对比度和高颜色还原率。
背景部分中提供的描述不应仅仅因为其在背景部分中被提及或与背景部分相关联而被认为是现有技术。背景部分可以包括描述本主题技术的一个或更多个方面的信息。
发明内容
有机发光显示装置的显示面板应用于各种类型的可穿戴显示装置。已经进行了各种尝试来减少可穿戴显示装置的显示面板中的窄边框，但是难以设计窄边框。当内部补偿电路被应用到像素时，选通信号增加。在这种情况下，由于设置在显示面板的外边框区域中的选通驱动电路变得较大，因此窄边框的设计变得更加困难。
本公开旨在解决上述需求和/或问题。
本公开提供了一种显示面板和包括该显示面板的可穿戴显示装置。
应当注意，本公开的目的不限于上述目的，并且本公开的其他目的对于本领域技术人员来说将从以下描述中显而易见。
根据本公开的一个实施方式的显示面板可以包括：像素阵列，在像素阵列上显示输入图像；以及边框区域，边框区域位于像素阵列的外部。像素阵列可以包括：像素电路区域，在像素电路区域中设置有与数据线、选通线和电力线连接的多个像素电路；以及选通驱动电路区域，在选通驱动电路区域中设置有向选通线提供选通信号的选通驱动器。由像素电路驱动的发光元件的发光区域可以设置在像素电路区域和选通驱动电路区域中。电力线可以设置在发光元件的阳极下方。
设置有红色发光元件的阳极的红色发光区域、设置有绿色发光元件的阳极的绿色发光区域、以及设置有蓝色发光元件的阳极的蓝色发光区域可以设置在选通驱动电路区域与像素电路区域之间。
显示面板还可以包括：第一平坦化层，第一平坦化层被配置为覆盖选通驱动器和像素电路；以及第二平坦化层，第二平坦化层被配置为覆盖第一平坦化层。电力线可以与选通驱动器和像素电路交叠，其中第一平坦化层插置在电力线与选通驱动器和像素电路之间，并且电力线可以与阳极交叠，其中第二平坦化层插置在电力线与阳极之间。
显示面板还可以包括金属图案，金属图案通过穿透第一平坦化层的接触孔与像素电路的晶体管连接，并且通过穿透第二平坦化层的接触孔与阳极连接。电力线和金属图案可以在第一平坦化层上彼此间隔开。选通驱动器的信号传输部分中的每一个包括与上拉晶体管的栅极连接的第一控制节点、与下拉晶体管的栅极连接的第二控制节点以及与选通线连接的输出节点。电力线可以与选通驱动电路区域中的选通驱动器交叠，其中第一平坦化层在选通驱动电路区域中插置在电力线与选通驱动器之间，并且电力线可以与像素电路区域中的像素电路交叠，其中第一平坦化层在像素电路区域中插置在电力线与像素电路之间。
显示面板还可以包括：第一平坦化层，第一平坦化层被配置为覆盖选通驱动器和像素电路；以及第二平坦化层，第二平坦化层被配置为覆盖第一平坦化层。电力线可以包括：第一电力线，第一电力线设置在选通驱动电路区域中，第一电力线与选通驱动器交叠，其中第一平坦化层插置在第一电力线与选通驱动器之间，并且第一电力线与阳极交叠，其中第二平坦化层插置在第一电力线与阳极之间；以及第二电力线，第二电力线的线宽小于第一电力线的线宽，并且第二电力线设置在像素电路区域中，并且第二电力线与像素电路交叠，其中第一平坦化层插置在第二电力线与像素电路之间。
选通驱动器的信号传输部分中的每一个可以包括与上拉晶体管的栅极连接的第一控制节点、与下拉晶体管的栅极连接的第二控制节点以及与选通线连接的输出节点。第一平坦化层可以覆盖第一控制节点、第二控制节点和输出节点。第二平坦化层可以覆盖电力线。阳极可以设置在第二平坦化层上。电力线可以与第一控制节点、第二控制节点和输出节点交叠，其中第一平坦化层在选通驱动电路区域中插置在电力线与第一控制节点、第二控制节点和输出节点之间，并且电力线可以与阳极交叠，其中第二平坦化层插置在电力线与阳极之间。
显示面板还可以包括：金属图案，金属图案通过穿透第一平坦化层的接触孔与像素电路的晶体管连接，并且通过穿透第二平坦化层的接触孔与阳极连接。电力线和金属图案在第一平坦化层上彼此间隔开。
显示面板还可以包括：解复用器阵列，解复用器阵列与数据线连接；以及数据链路部分，数据链路部分与解复用器的输入端子连接。解复用器阵列和数据链路部分设置在显示面板的不具有选通驱动器的拐角部分处。
根据本公开的一个实施方式的可穿戴显示装置可以包括：显示面板，显示面板被配置为包括像素电路区域、选通驱动电路区域、解复用器阵列以及数据链路部分，在像素电路区域中设置有与数据线、选通线和电力线连接的多个像素电路，在选通驱动电路区域中设置有向选通线提供选通信号的选通驱动器，解复用器阵列与数据线连接，数据链路部分与解复用器的输入端子连接；以及驱动IC，驱动IC与数据链路部分和选通驱动器连接。由像素电路驱动的发光元件的发光区域可以设置在像素电路区域和选通驱动电路区域中。电力线可以设置在发光元件的阳极下方。
根据本公开，可以通过在显示面板的像素阵列中嵌入选通驱动器来减小可穿戴显示装置的边框。
根据本公开，可以通过将电力线设置在发光元件的阳极下方来阻挡由于从电力线下方的选通驱动器产生的电压波动而产生的电场传输至发光元件的路径。结果，当选通驱动器设置在像素阵列中时，来自选通驱动器的电场不影响发光装置，使得可以在整个像素阵列中实现稳定的图像质量。
根据本公开，在发光装置的阳极的下方设置电力线和平坦化层，以增加阳极的平坦度，从而根据视角改善光反射可见性的差异。
本公开可以实现的效果不限于上述效果。也就是说，本公开所属领域的技术人员将从以下描述中明显地理解未提及的其它目的。
应当理解，上述一般描述和以下详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在对所要求保护的发明概念提供进一步解释。
附图说明
通过参照附图来详细描述本公开的示例性实施方式，本公开的上述和其他目的、特征和优点对于本领域的普通技术人员而言将变得更加显而易见，在附图中：
图1是示出根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置的框图；
图2是示意性地示出根据本公开的示例性实施方式的图1所示的显示面板的截面结构的截面图；
图3是示意性地示出根据本公开的示例性实施方式的图1所示的选通驱动器的框图；
图4是示出根据本公开的示例性实施方式的可穿戴显示装置的框图；
图5是示出根据本公开的示例性实施方式的智能手表型可穿戴装置的外观的视图；
图6是根据本公开的实施方式的显示面板的拐角部分的放大平面图；
图7是示意性地示出根据本公开的示例性实施方式的像素电路的电路图；
图8是根据本公开的一个示例性实施方式的显示面板的部分的放大平面图；
图9是示出根据本公开的示例性实施方式的图8所示的像素电路区域和选通驱动电路区域的截面结构的截面图；
图10是根据本公开的另一示例性实施方式的显示面板的部分的放大平面图；以及
图11是示出根据本公开的示例性实施方式的图10所示的像素电路区域和选通驱动电路区域的截面结构的截面图。
在整个附图和详细描述中，除非另有说明，否则相同的附图标记应当理解为指代相同的元件、特征和结构。为了清楚、说明和方便起见，这些元件的相对尺寸和描述可能被夸大了。
具体实施方式
现在将详细参照本公开的实施方式，其示例可以在附图中示出。在以下描述中，当确定对与本文档相关的公知功能或配置的详细描述不必要地模糊了本发明概念的要点时，将省略其详细描述。所描述的处理步骤和/或操作的进展是示例；然而，步骤和/或操作的顺序不限于本文所述的顺序，并且可以如本领域中已知的那样进行改变，除了必须以特定顺序发生的步骤和/或者操作以外。在以下说明中使用的各个元件的名称可以仅仅是为了便于书写说明书而选择的，因此可以与实际产品中使用的那些名称不同。
从下面参照附图描述的实施方式中将更清楚地理解本公开的优点和特征以及用于实现本公开的方法。然而，本公开不限于以下实施方式，而是可以以各种不同的形式实现。相反，本实施方式将使本公开的公开内容完整并且允许本领域技术人员完全理解本公开的范围。本公开仅在所附权利要求的范围内限定。
在附图中示出的用于描述本公开的实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数字等仅仅是示例，并且本公开不限于此。贯穿本说明书，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在描述本公开时，可以省略对已知相关技术的详细描述以避免不必要地模糊本公开的主题。本文中描述为“示例”的任何实施方式不一定被解释为比其他实施方式更优选或更有利。
本文中使用的诸如“包含”、“包括”、“具有”和“由…组成”等术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则任何对单数的引用都可以包括复数。
部件被解释为包括普通的错误范围，即使没有明确说明。
当在两个部件之间描述位置或互连关系时，诸如“在…上”、“在…上方”、“在…下方”、“紧挨着”、“与…连接或联接”、“交叉”、“相交”等，除非使用“紧挨着地”或“直接地”，否则一个或多个其他部件可以插置在它们之间。
当描述时间先行关系时，诸如“之后”、“紧接着”、“紧挨着”、“之前”等，除非使用“紧挨着地”或“直接地”，否则其在时间基础上可能不是连续的。
诸如“下面”、“下方”、“上方”、“上面”等之类的术语可以用于描述如图所示的(一个或更多个)元件之间的关系。将理解的是，这些术语在空间上是相对的并且是基于附图中所描绘的定向的。
术语“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(a)”和“(b)”等可以用于区分部件彼此，但部件的功能或结构不受部件前面的序数或部件名称的限制。
术语“至少一个”应当理解为包括相关联的所列项中的一个或更多个的任何和所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义包括所有三个所列元素的组合、三个元素中的任何两个元素的组合、以及每个单独的元素(第一元素、第二元素和第三元素)。
以下实施方式可以部分地或完全地彼此结合或组合，并且可以在技术上以各种方式链接和操作。实施方式可以独立于彼此或彼此关联地执行。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与示例实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，诸如在常用词典中定义的术语之类的术语应当解释为具有例如与其在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文中明确定义。例如，如本领域普通技术人员应当理解的那样，术语“部分”或“单元”可以应用于例如单独的电路或结构、集成电路、电路器件的计算块或被配置为执行所描述的功能的任何结构。
在显示面板中，像素可以包括例如具有用于颜色实现的不同颜色的多个子像素。子像素可以包括像素电路，该像素电路包括开关元件和驱动发光元件的驱动元件。开关元件和驱动元件用薄膜晶体管(TFT)结构的晶体管来实现。
在本公开的显示装置中，像素电路和选通驱动器包括晶体管，例如包括氧化物半导体的氧化物TFT、包括低温多晶硅(low temperature poly silicon，LTPS)的LTPS TFT，或包括诸如非晶硅和化合物半导体等之类的其他半导体的TFT。
晶体管是包括栅极、源极和漏极的三电极元件。源极是向晶体管提供载流子的电极。在晶体管中，载流子开始从源极流动。漏极是载流子从晶体管离开的电极。在晶体管中，载流子从源极流向漏极。在n沟道晶体管的情况下，由于载流子是电子，所以源极电压是低于漏极电压的电压，使得电子可以从源极流向漏极。n沟道晶体管具有从漏极流向源极的电流方向。在p沟道晶体管(例如，p沟道金属氧化物半导体(PMOS))的情况下，由于载流子是空穴，所以源极电压高于漏极电压，使得空穴可以从源极流向漏极。在p沟道晶体管中，由于空穴从源极流向漏极，所以电流从源极流向漏极。需要说明的是，晶体管的源极和漏极不是固定的。例如，可以根据所施加的电压来改变源极和漏极。因此，本公开不限制晶体管的源极和漏极。在以下描述中，晶体管的源极和漏极将被称为第一电极和第二电极。
选通信号可以被配置为在栅极导通电压与栅极截止电压之间摆动。响应于栅极导通电压而使得晶体管导通，而响应于栅极截止电压而使得晶体管截止。在n沟道晶体管的情况下，栅极导通电压可以是栅极高电压，并且栅极截止电压可以是栅极低电压。在p沟道晶体管的情况下，栅极导通电压可以是栅极低电压，并且栅极截止电压可以是栅极高电压。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的各种实施方式。
参照图1和图2，根据本公开的示例性实施方式的显示装置包括显示面板100、用于向显示面板100的像素写入像素数据的显示面板驱动器、以及产生驱动像素和显示面板驱动器所需的功率的电源140。根据本公开的所有实施方式的每个显示装置的所有部件被可操作地联接和配置。
显示面板100可以具有在X轴方向上具有长度、在Y轴方向上具有宽度以及在Z轴方向上具有厚度的矩形结构，但不限于此。例如，显示面板100可以具有沿Y轴方向的长度、沿X轴方向的宽度的矩形结构，或者甚至诸如正方形结构、圆形结构、三角形结构、椭圆形结构、多边形结构等之类的其它结构。显示面板100包括在屏幕上显示输入图像的像素阵列AA。像素阵列AA可以包括多条数据线102、与数据线102相交的多条选通线103、以及以矩阵形式设置在由数据线102和选通线103限定的区域中的的像素。显示面板100还可以包括共同连接到像素的电力线。电力线为像素101提供驱动像素101所需的恒定电压。例如，显示面板100可以包括被施加有像素驱动电压ELVDD的电力线、被施加有低电位电源电压ELVSS的电力线等。
图2是示意性地示出图1所示的显示面板的截面结构的截面图，显示面板100的截面结构可以至少包括层叠在基板10上的电路层12、发光元件层14、封装层16和触摸传感器层18。为了便于描述，上述层在图2中示出，但是显示面板100可以包括更多层，诸如缓冲层、有源层、绝缘层、钝化层等。
电路层12可以至少包括如下电路元件，诸如TFT阵列、解复用器阵列112、选通驱动器120等，其中TFT阵列包括与诸如数据线、选通线和电力线等之类的布线连接的像素电路。电路层的布线和电路元件可以包括多个绝缘层、在其间具有(一个或多个)绝缘层而彼此分离的两个或更多个金属层、以及包括半导体材料(例如，多晶半导体材料或氧化物半导体材料)的有源层。
发光元件层14可以包括被配置为由像素电路驱动的发光元件EL。发光元件EL可以包括红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件。但是实施方式不限于此。例如，发光元件EL还可以包括白色发光元件。又例如，发光元件EL可以包括不同颜色组合(例如，青色、品红色和黄色)的发光元件。在另一实施方式中，发光元件层14可以包括白色发光元件和滤色器。发光元件层14的发光元件EL可以覆盖有诸如包括有机膜和无机膜的多层保护层之类的保护层或单层保护层。
发光元件EL可以用OLED来实现，但不限于此。例如，发光元件EL可以用LED或微型LED等来实现。OLED包括形成在阳极和阴极之间的有机化合物层作为发光层。有机化合物层可以包括发光层(EML)。例如，有机化合物层还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个，但不限于此。当向OLED的阳极和阴极施加电压时，空穴(例如，穿过空穴传输层(HTL)的空穴)和电子(例如，穿过电子传输层(ETL)的电子)可以移动到发光层(EML)以形成激子。在这种情况下，从发光层(EML)发射可见光。例如，用作发光元件EL的OLED可以具有层叠有多个发光层的串联结构。具有串联结构的OLED可以改善像素的亮度和寿命。发光元件EL还可以包括选择性地透射红色、绿色和蓝色波长的光的滤色器阵列。
封装层16覆盖发光元件层14。例如，封装层16可以密封电路层12和发光元件层14。封装层16可以具有交替地层叠有有机膜和无机膜的多层绝缘膜结构或单层绝缘膜结构。例如，无机封装层例如可以由可以在低温下沉积的、诸如氮化硅SiNx、氧化硅SiOx、氮氧化硅SiON或氧化铝Al2O3之类的无机绝缘材料制成，并且有机绝缘层PCL例如可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯、碳氧化硅SiOC等之类的有机绝缘材料制成。无机膜可以阻挡水分和氧气的渗透。有机膜可以平坦化无机膜的表面。当有机膜和无机膜层叠成多层时，水分或氧气的移动路径变得比单层中的水分或氧气的移动路径长，从而可以有效地阻挡或降低水分和氧气的渗透对发光元件层14的影响。
可以在封装层16上可选地形成触摸传感器层18。例如，还可以在触摸传感器层18上设置偏振板或滤色器层。触摸传感器层18可以包括电容式触摸传感器，该电容式触摸传感器基于触摸输入之前和之后的电容变化来感测触摸输入。触摸传感器层18可以包括形成触摸传感器的电容的绝缘膜和金属布线图案。绝缘膜可以使金属布线图案中的相交部分绝缘，和/或可以使触摸传感器层18的表面平坦化。又例如，触摸传感器层18的感测电极和线可以由金属网格或诸如氧化铟锡(ITO)之类的透明材料制成，从而增加透光率。偏振板可以通过转换由电路层12和/或触摸传感器层18的金属反射的光(例如，外部光)的偏振来改善可见性和对比度，例如，偏振板可以减少来自显示面板100的表面的光的反射并且阻挡从电路层12的金属反射的光，从而提高像素的亮度。偏振板可以实现为圆形偏振板或者其中线性偏振板和相位延迟膜接合在一起的偏振板。盖板玻璃可以接合到偏振板。滤色器层可以包括红色、绿色和/或蓝色滤色器等。滤色器层还可以包括黑色矩阵图案。滤色器层可以吸收从电路层12和触摸传感器层18反射的光的波长的一部分，并增加像素阵列AA中再现的图像的颜色纯度。例如，滤色器层可以代替偏振板。根据需要，可以省略触摸传感器层18、偏振板、盖板玻璃和滤色器层中的至少一个。
像素阵列AA可以包括多个像素行L1至Ln。像素行L1至Ln中的每一行包括沿着显示面板100的像素阵列AA中的行方向(X轴方向)布置的一行像素。例如，布置在一个像素行中的至少一些像素可以共享选通线103。例如，选通线103可以沿着行方向(X轴方向)延伸。例如，在沿着数据线方向的列方向Y上布置的至少一些子像素可以共享同一数据线102。一个水平周期可以是通过将一帧周期除以像素行L1至Ln的总数而获得的时间周期，但不限于此。
每个像素101可以被划分为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素以实现颜色。但是实施方式不限于此。例如，一个像素中的不同颜色组合的子像素也是可能的。尽管在附图中未示出，但是每个像素还可以包括白色子像素。每个子像素可以包括像素电路和发光元件(例如，有机发光二极管：OLED)。在下文中，“像素”可以被解释为具有与子像素相同的含义。每个像素电路可以连接到数据线、选通线和/或电力线。
像素可以被布置为真实颜色像素和/或pentile像素。通过使用预设像素渲染算法将具有不同颜色的两个子像素驱动为一个像素101，pentile像素可以实现比真实颜色像素更高的分辨率。像素渲染算法可以利用从相邻像素发射的光的颜色来补偿每个像素中的不足的颜色表示(例如，亮度和/或颜色)。
电源140可以例如通过使用DC-DC转换器来产生用于驱动显示面板100的像素阵列AA和显示面板驱动器的DC电压或恒定电压，诸如伽马参考电压、栅极截止电压VGH/VEH、栅极导通电压VGL/VEL、像素驱动电压ELVDD、低电位电源电压ELVSS、初始化电压Vini、参考电压Vref。DC-DC转换器可以包括电荷泵、调节器、降压转换器、升压转换器等。例如，电源140可以调整例如从未在图中示出的主机系统施加的DC输入电压的电平以产生恒定电压，例如伽马参考电压VGMA、栅极导通电压、栅极截止电压、像素驱动电压、低电位电源电压等。伽马参考电压被提供给数据驱动器110。栅极导通电压和栅极截止电压可以被提供给选通驱动器120。可以通过(例如，共同)连接到像素101的电力线将恒定电压(例如，像素驱动电压、低电位电源电压等)提供给像素101。施加到像素电路的恒定电压可以具有不同电压电平。
显示面板驱动器可以在定时控制器130的控制下将输入图像的像素数据写入显示面板100的像素。
显示面板驱动器可以至少包括数据驱动器110和选通驱动器120。例如，显示面板驱动器还可以包括设置在数据驱动器110和数据线102之间的解复用器阵列112。
解复用器阵列112可以使用多个解复用器DEMUX将从数据驱动器110的通道输出的数据电压顺序地提供给数据线102。解复用器可以包括设置在显示面板100上的多个开关元件。当解复用器设置在数据驱动器110的输出端子与数据线102之间时，可以减少数据驱动器110的通道的数量。例如，解复用器阵列112可以将通过数据驱动器110的通道输出的数据电压Vdata时分地分配给多条数据线DL。然而，本公开不一定限于此，并且可以省略解复用器阵列112。
显示面板驱动器还可以包括用于驱动触摸传感器的触摸传感器驱动器。触摸传感器驱动器未在图1中示出。在可穿戴显示装置中，数据驱动器110、定时控制器130、电源140等可以集成到如图4所示的一个驱动集成电路DIC中。例如，驱动IC DIC可以接合到显示面板100上的像素阵列外部的边框区域以驱动像素阵列AA。驱动IC DIC可以向数据链路部分的布线提供像素数据的数据电压。通过解复用器阵列112将提供给数据链路部分的数据电压提供给像素阵列AA的数据线。从驱动IC DIC输出的选通定时控制信号被提供给选通驱动器120(例如，像素阵列AA中的选通驱动器120)以控制选通驱动器120。
数据驱动器110可以接收从定时控制器130作为数字信号接收的输入图像的像素数据，并且可以输出数据电压。数据驱动器110的通道包括数模转换器(DAC)。DAC将要写入到像素的像素数据转换为伽马补偿电压，以产生数据电压Vdata。输入到DAC的伽马参考电压VGMA可以通过分压器电路被分为用于每个灰度级的伽马补偿电压。伽马补偿电压可以被提供给数据驱动器110的DAC。数据电压Vdata可以通过输出缓冲器从数据驱动器110的每个通道输出。
例如，选通驱动器120可以与像素电路一起设置在像素阵列AA中，例如，选通驱动器120可以实现为与像素阵列的TFT阵列一起直接形成在显示面板100上的边框区域BZ中的面板内栅极(GIP)电路。选通驱动器120可以在定时控制器130的控制下将选通信号顺序地输出到选通线103。选通驱动器120可以通过使用移位寄存器向选通线103顺序地提供选通信号来移位选通信号。由于选通驱动器120嵌入在再现输入图像的像素阵列AA中，所以显示面板100中的诸如左边框区域和右边框区域(左边框区域和右边框区域为非显示区域)之类的边框区域可以被减小或最小化。
主机系统可以是可穿戴显示装置的系统控制器。主机系统可以缩放来自视频源的图像信号以适配显示面板100的分辨率并且将图像信号连同定时信号一起发送到定时控制器130。例如，主机系统可以是电视系统的主电路板、摄像头、机顶盒、导航系统、个人计算机(PC)、车辆系统、家庭影院系统、移动装置或可穿戴装置。
定时控制器130可以产生用于控制数据驱动器110的操作定时的数据定时控制信号、用于控制解复用器阵列112的操作定时的控制信号、和/或用于控制选通驱动器120的操作定时的选通定时控制信号。定时控制器130可以控制显示面板驱动器的操作定时以使数据驱动器110、解复用器阵列112、触摸传感器驱动器和/或选通驱动器120同步。例如，定时控制器130可以从主机系统接收输入图像的像素数据和与像素数据同步的定时信号。定时信号可以包括垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、时钟CLK、数据使能信号DE等。
从定时控制器130产生的选通定时控制信号可以通过图1中省略的电平移位器输入到选通驱动器120的移位寄存器。电平移位器可以接收选通定时控制信号以产生开始脉冲和移位时钟，并且可以向选通驱动器120的移位寄存器提供开始脉冲和移位时钟。
图3是示意性地示出选通驱动器120的框图。
参照图3，选通驱动器120使用移位寄存器来顺序地输出选通脉冲Gout(n-1)至Gout(n+2)。移位寄存器包括级联的信号传输部分ST(n-1)至ST(n+2)。
信号传输部分ST(n-1)至ST(n+2)共同连接到时钟线91，移位时钟CLK1至CLK4被施加到时钟线91。信号传输部分ST(n-1)至ST(n+2)通过进位线以级联方式连接，进位脉冲CAR(n-1)至CAR(n+2)被施加到进位线。
信号传输部分ST(n-1)至ST(n+2)中的每一个包括输入起始脉冲VST或进位脉冲CAR(n-1)至CAR(n+1)中的一个的VST节点、输入移位时钟CLK1至CLK4中的一个的CLK节点、输出选通脉冲Gout(n-1)至Gout(n+2)中的一个的第一输出节点、以及输出进位脉冲CAR(n-1)至CAR(n+2)中的一个的第二输出节点。输出选通脉冲的第一输出节点连接到显示面板的选通线。选通脉冲Gout(n-1)至Gout(n+2)和进位脉冲CAR(n-1)至CAR(n+2)可以通过公共输出节点输出。在这种情况下，第二输出节点和第一输出节点可以连接到一个公共输出节点。然而，本公开不一定限于此，第二输出节点和第一输出节点可以连接到不同的输出节点。
开始脉冲VST通常输入到第一信号传输部分。在图3的示例中，第n-1信号传输部分ST(n-1)可以是第一信号传输部分。移位时钟CLK1至CLK4可以是其中相位被顺序地移位的4相时钟，但不限于此。例如，移位时钟CLK1至CLK4可以是M相时钟，其中M是大于或等于2的正整数。
以级联方式连接到第n-1信号传输部分ST(n-1)的信号传输部分ST(n)至ST(n+2)从先前的信号传输部分接收进位脉冲CAR(n-1)至CAR(n+2)作为开始脉冲并开始驱动。信号传输部分ST(n-1)至ST(n+2)中的每一个通过第一输出节点来输出选通脉冲Gout(n-1)至Gout(n+2)，并且通过第二输出节点来同时输出进位脉冲CAR(n-1)至CAR(n+2)。
信号传输部分ST(n-1)至ST(n+2)中的每一个包括第一控制节点Q、第二控制节点QB和缓冲电路。缓冲电路通过上拉晶体管Tu和下拉晶体管Td将选通脉冲通过输出节点输出到选通线103。
当在第一控制节点Q被充电的同时输入移位时钟CLK1至CLK4时，缓冲电路将移位时钟CLK1至CLK4的电压提供给输出节点，使得第一输出节点的电压上升到栅极导通电压VGH，并且当第二控制节点QB被充电时，第一输出节点被放电。因此，选通脉冲Gout(n-1)至Gout(n+2)的电压被反相为栅极截止电压VGL。
上拉晶体管Tu包括与第一控制节点Q连接的栅极、与输入移位时钟CLK1至CLK4中的一个的CLK节点连接的第一电极、以及与第一输出节点连接的第二电极。下拉晶体管Td包括与第二控制节点QB连接的栅极、与第一输出节点连接的第一电极、以及与被施加栅极截止电压VGL的VSS节点连接的第二电极。尽管上拉晶体管Tu和下拉晶体管Td被示出为N-MOS晶体管，但是P-MOS晶体管也是可应用的。
图中省略的反相器可以连接在第一控制节点Q与第二控制节点QB之间。因此，当第一控制节点Q具有高电压时，第二控制节点QB具有低电压，并且当第一控制节点Q具有低电压时，第二控制节点QB具有高电压。
信号传输部分ST(n-1)至ST(n+2)中的每一个可以使用至少一个晶体管对第一控制节点Q和第二控制节点QB进行充电和放电。
例如，复位脉冲(例如，来自诸如下一信号传输部分之类的另一信号传输部分)可以被输入到信号传输部分ST(n-1)至ST(n+2)的复位节点。信号传输部分ST(n-1)至ST(n+2)可以响应于复位脉冲而使第一控制节点Q放电。
图4是示出根据本公开的示例性实施方式的显示装置的框图。图5是示出根据本公开的示例性实施方式的智能手表型可穿戴装置的外观的视图。
参照图4和图5，本公开的可穿戴显示装置连接到系统控制器200、传感器210、输入部分220、通信部分230、输出部分250、接口部分260、存储器270、电源部分280等。
在图4中，附图标记“111”表示将驱动IC DIC的输出端子连接到解复用器阵列112的输入端子的数据链路部分。通常，解复用器阵列112的输入端子的间距等于或大于驱动ICDIC的输出端子的间距。数据链路部分111包括例如以1:1的比率连接驱动IC DIC的输出端子和解复用器阵列112的输入端子的多个导电布线(例如，金属布线)。
系统控制器200连接到传感器210、输入部分220、通信部分230、输出部分250、接口部分260、存储器270和/或电源部分280以控制这些部件。
传感器210包括设置在显示面板100上的除触摸传感器之外的各种传感器。传感器210可以包括感测可穿戴显示装置的周围环境信息和用户信息中的至少一者的各种传感器。传感器210可以包括摄像头51、心率传感器52、接近传感器、照明传感器、加速度传感器、磁传感器、重力传感器(G-sensor)、陀螺仪传感器、运动传感器、RGB传感器、红外传感器、手指扫描传感器、超声波传感器、生物识别传感器(指纹传感器、虹膜识别传感器)等，但不限于此。摄像头51可以包括图像传感器。
输入部分220可以包括麦克风、机械键、用于用户输入的触摸键等。通信部分230可以包括广播接收模块、移动通信模块、无线互联网模块、短距离通信模块和/或位置信息模块中的至少一个。输出部分250用于产生与除显示面板之外的视觉、听觉和/或触觉相关的输出，并且可以包括音频输出模块、触觉模块、光学输出模块等。
接口部分260提供与外部装置的接口。接口部分260包括有线/无线耳机端口、外部充电器端口、有线/无线数据端口、存储卡端口、连接具有识别模块的装置的端口、音频输入/输出(I/O)端口、视频I/O端口和/或耳机端口等中的至少一个。
存储器270可以存储系统控制器200的设置值，和/或用于控制应用程序或应用的数据和命令。可以通过无线或有线通信从诸如外部服务器、PC、移动装置或另一可穿戴显示装置等之类的外部装置下载或传输至少一些应用程序。此外，当执行应用程序的至少基本功能的可穿戴显示装置被运送时，至少一些应用程序可以基本上被存储在存储器中。基本功能为例如呼叫进入功能、呼叫输出功能、消息接收功能和/或消息发送功能等。
电源部分280接收外部/内部电源并产生驱动用于驱动可佩戴显示装置所需的所有电路部件所需的驱动功率。电源部分280可以包括电池。
图6是根据本公开的示例性实施方式的显示面板的拐角部分的放大平面图。
选通驱动器120设置在显示面板100的像素电路中，并且选通驱动器120不设置在显示面板100的拐角部分处。结果，在显示面板100的拐角部分中，没有像素的拐角部分的边框区域的宽度W减小。数据链路部分111的一些布线和/或解复用器阵列112的一些开关元件和布线可以设置在显示面板100的拐角部分的边框区域中，但不限于此。
图7是示意性地示出根据本公开的示例性实施方式的像素电路的电路图。
参照图7，像素电路可以包括发光元件EL、驱动元件DT以及电路部分S1、S2和S3。电路部分S1、S2和S3中的至少一个可以包括开关元件。此外，电路部分S1、S2和S3中的至少一个可以包括电容器。电路部分S1、S2和S3中的每个开关元件和驱动元件DT可以实现为NMOS和/或PMOS晶体管。
第一电路部分S1向驱动元件DT提供像素驱动电压ELVDD。驱动元件DT包括栅极、第一电极以及第二电极。第二电路部分S2对连接到驱动元件DT的栅极的电容器进行充电，并维持电容器的电压达一个帧周期。第三电路部分S3提供从像素驱动电压ELVDD通过驱动元件DT提供给发光元件EL的电流。发光元件EL可以通过根据从驱动元件DT提供的电流而被驱动来发光。第一连接部分71连接第一电路部分S1和第二电路部分S2。第二连接部分72连接第二电路部分S2和第三电路部分S3。第三连接部分73连接第三电路部分S3和第一电路部分S1。
例如，电路部分S1、S2和S3中的至少一个可以包括内部补偿电路。内部补偿电路可以感测驱动元件DT的阈值电压Vth，并且通过应用内部补偿技术以阈值电压来补偿像素数据的数据电压。
图8是根据本公开的一个示例性实施方式的显示面板100的部分的放大平面图。图9是示出根据本公开的示例性实施方式的图8所示的像素电路区域PXLS和选通驱动电路区域GIA的截面结构的截面图。在图8中，“AND”、“AND1”和“AND2”表示发光元件EL的阳极。在图9中，“BZ”是边框区域BZ，其是显示面板100中没有像素的非显示区域。“TFT1”是构成选通驱动器120的晶体管中的一个晶体管。例如，第一TFT TFT1可以是上拉晶体管Tu和下拉晶体管Td、以及用于对每个信号传输部分的第一控制节点Q和第二控制节点QB进行充电和放电的晶体管中的至少一个。“TFT2”是第二TFT，其是设置在像素电路区域PXLS中的TFT中的一个。例如，第二TFT可以是LTPS TFT。“TFT3”是第三TFT，其是设置在像素电路区域PXLS中的氧化物TFT中的一个。例如，第三TFT可以是氧化物TFT，
参照图8和图9，在显示面板的像素电路区域PXLS中，可以设置与像素电路连接的多个子像素电路和布线。像素电路区域中的像素电路可以包括驱动红色发光元件的红色子像素的像素电路、驱动绿色发光元件的绿色子像素的像素电路以及驱动蓝色发光元件的蓝色子像素的像素电路。但是实施方式不限于此。例如，可以省略红色子像素的像素电路、绿色子像素的像素电路和蓝色子像素的像素电路中的至少一个。又例如，像素电路区域中的像素电路还可以包括驱动除了红色、绿色和蓝色之外的其他颜色的发光元件的子像素的像素电路。像素电路区域PXLS在像素阵列AA内沿着显示面板的X轴方向被划分为多个电路区域。
选通驱动电路区域GIA设置在显示面板的像素阵列AA内沿X轴方向间隔开的像素电路区域PXL的电路区域之间。选通驱动电路区域GIA可以被划分为沿X轴方向在显示面板的像素阵列中以预定间隔而间隔开的电路区域。在同一行中的N(N是大于0的正整数。例如，N可以介于1至50之间或10至20之间)个子像素可以设置在沿X轴方向相邻的选通驱动电路区域GIA的电路区域之间。
子像素的发光区域设置在像素电路区域PXLS和选通驱动电路区域GIA两者中。在图7中，“R”是红光从红色子像素发射的红色发光区域。“G”是绿光从绿色子像素发射的绿色发光区域。“B”是蓝光从蓝色子像素发射的蓝色发光区域。每个颜色的发光区域由例如图9所示的堤图案BNK限定。至少一个发光元件的发光区域可以设置在选通驱动电路区域和像素电路区域之间。例如，如图8和图10所示，在像素电路区域PXLS与选通驱动电路区域GIA之间的Y轴方向边界线处，红色发光区域R、绿色发光区域G和/或蓝色发光区域B可以交叠。
显示面板可以至少包括层叠在基板SUBS上的电路层CIR、发光元件层OEL、封装层ENC和触摸传感器层OCT，如图9所示，但不限于此。例如，可以省略触摸传感器层OCT。
基板SUBS可以是透明基板或不透明基板。例如，基板SUBS可以是透明玻璃或塑料基板。又例如，基板SUBS可以是诸如金属箔之类的刚性基板。例如，基板SUBS可以是单层或其中交替地层叠有有机材料层和无机材料层的多层结构。例如，基板SUBS可以制造为其中层叠有第一聚酰亚胺(以下称为“PI”)基板PI1、无机膜IPD和第二PI基板PI2的结构，但不限于此。无机膜IPD可以阻挡或者减少水分渗透。例如，聚酰亚胺基板PI1和PI2可以由以下项中的任何一项制成：聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚砜(PSF)或环烯烃共聚物(COC)、三乙酰纤维素(TAC)膜、聚乙烯醇(PVA)膜和聚苯乙烯(PS)。
电路层CIR包括像素电路、选通驱动器120、解复用器阵列112等。第一缓冲层BUF1可以可选地形成在第二PI基板PI2上。第一缓冲层BUF1可以由单层绝缘膜或其中层叠有两个或更多个氧化物层SiO2和氮化物层SiNx的多层绝缘膜形成。在第一缓冲层BUF1上形成第一半导体层。第一半导体层可以包括例如在光刻工艺中图案化的半导体层(例如，多晶硅半导体层或氧化物半导体层)。例如，第一半导体层可以包括在第一TFT TFT1和第二TFT TFT2中形成半导体沟道的多晶硅有源图案ACT1和ACT2。
第一栅极绝缘层GI1沉积在第一缓冲层BUF1上，以覆盖第一半导体层的有源图案ACT1和ACT2。第一栅极绝缘层GI1包括无机绝缘材料层，但不限于此。例如，第一栅极绝缘层GI1可以包括SiOx或SiNx。在第一栅极绝缘层GI1上形成诸如第一金属层之类的第一导电层。第一金属层通过第一栅极绝缘层GI1与第一半导体层绝缘。例如，第一金属层可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)或铜(Cu)或其合金中的任何一种制成，但本公开不限于此。
第一金属层包括例如在光刻工艺中图案化的单个金属层或其中层叠有两个或更多个金属层的金属图案。第一金属层可以包括第一TFT TFT1和第二TFT TFT2的栅极GE1和GE2以及可选的第三TFT TFT3下方的遮光图案BSM。
在第一栅极绝缘层GI1上形成第一层间绝缘层ILD1以覆盖第一金属层的图案。第一层间绝缘层ILD1包括无机绝缘材料，但不限于此。在第一层间绝缘层ILD1上形成第二缓冲层BUF2。第二缓冲层BUF2包括单层或多层无机绝缘材料，但不限于此。
第二半导体层包括形成第三TFT TFT3中的半导体沟道的半导体图案(例如，氧化物半导体图案)ACT3。在第二缓冲层BUF2上沉积第二栅极绝缘层GI2以覆盖第二半导体层的有源图案ACT3。第二栅极绝缘层GI2包括单层或多层无机绝缘材料，但不限于此。在第二栅极绝缘层GI2上形成第二金属层。第二金属层通过第二栅极绝缘层GI2与第二半导体层绝缘。
第二金属层包括例如在光刻工艺中图案化的单个金属层或其中层叠有两个或更多个金属层的金属图案。第二金属层包括第三TFT TFT3的栅极GE3和可选的下电容器电极CE1。
在第二栅极绝缘层GI2上形成第二层间绝缘层ILD2以覆盖第二金属层的图案。第二层间绝缘层ILD2包括单层或多层无机绝缘材料，但不限于此。在第二层间绝缘层ILD2上形成第三金属层。第三金属层通过第二层间绝缘层ILD2与第二金属层绝缘。
第三金属层包括例如在光刻工艺中图案化的单个金属层或其中层叠有两个或更多个金属层的金属图案。第三金属层包括上电容器电极CE2。像素电路的电容器Cst包括上电容器电极CE2、下电容器电极CE1以及位于上电容器电极CE2与下电容器电极CE1之间的介电层，即第二层间绝缘层ILD2。
在第二层间绝缘层ILD2上形成覆盖第三金属层的图案的第三层间绝缘层ILD3。第三层间绝缘层ILD3包括单层或多层无机绝缘材料，但不限于此。在第三层间绝缘层ILD3上形成第四金属层。第四金属层通过第三层间绝缘层ILD3与第三金属层绝缘。
第四金属层包括例如在光刻工艺中图案化的单个金属层或其中层叠有两个或更多个金属层的金属图案。第四金属层包括第一TFT TFT1的第一电极E11和第二电极E12、第二TFT TFT2的第一电极E21和第二电极E22、以及第三TFT TFT3的第一电极E31和第二电极E32，但不限于此。例如，这些电极也可以形成在不同的层上。第一TFT TFT1的第一电极E11和第二电极E12通过穿透绝缘层GI1、ILD1、BUF2、GI2、ILD2和ILD3的第一接触孔连接到第一有源图案ACT1。移位时钟可以被施加到第一TFT TFT1的第一电极E11和第二电极E12中的一者。第二TFT TFT2的第一电极E21和第二电极E22通过穿透绝缘层GI1、ILD1、BUF2、GI2、ILD2和ILD3的第二接触孔连接到第二有源图案ACT2。第三TFT TFT3的第一电极E31和第二电极E32通过穿透绝缘层GI2、ILD2和ILD3的第三接触孔连接到第三有源图案ACT3。第三TFTTFT3的第一电极E31可以通过穿透绝缘层ILD1、BUF2、GI2、ILD2和ILD3的第四接触孔连接到遮光图案BSM。
第四金属层包括图3所示的选通驱动器120的主节点。第四金属层包括连接到第一控制节点Q的金属图案E13、连接到输出选通脉冲的第一输出节点的金属图案E14、连接到第二控制节点QB的金属图案E15等。在这种情况下，例如，子像素的发光区域可以与金属图案E11至E15中的至少一个交叠。又例如，阳极AND1可以与金属图案E11至E15中的至少一个交叠。
第一平坦化层PLN1覆盖第四金属层的图案E11至E32。第一平坦化层PLN1为有机绝缘材料，并且较厚地覆盖电路层12的像素电路区域PXLS和选通驱动电路区域GIA。当第一平坦化层PLN1被涂覆在电路层12上时，有机绝缘材料流至显示面板100的边缘并覆盖边框区域BZ中的电路层12的侧表面。
在第一平坦化层PLN1上形成第五金属层。第五金属层通过第一平坦化层PLN1与第四金属层绝缘。第五金属层包括例如在光刻工艺中图案化的单个金属层或其中层叠有两个或更多个金属层的金属图案。第五金属层包括被施加有像素驱动电压ELVDD的电力线SD21和/或将发光元件EL连接到第三TFT TFT3的金属图案SD22，但不限于此。例如，可以省略金属图案SD22。电力线SD21和金属图案SD22在同一平面上彼此间隔开。电力线SD21在像素电路区域PXLS和选通驱动电路区域GIA中与第四金属层的设置在其下部上的图案E11至E31交叠，其中第一平坦化层PLN1插置在电力线SD21与第四金属层的图案E11至E31之间。电力线SD21可以以网格形状被图案化。金属图案SD22通过穿透第一平坦化层PLN1的第五接触孔连接到第三TFT TFT3的第二电极E32。第五金属层还可以可选地包括多个DAM图案，以抑制在涂覆第二平坦化层PLN2的过程中有机绝缘材料流入边框区域BZ的现象。
由于在栅极导通电压与栅极截止电压之间摆动的电压具有大电压差，因此可以在第四金属层的金属图案E11至E31中产生强电场。第五金属层的电力线SD21位于第四金属层的金属图案E11至E31与发光元件EL的阳极AND1和AND2之间以阻挡电场，使得当施加到第四金属层的金属图案的电压变化时产生的电场不影响发光元件EL的阳极AND1和AND2。此外，电力线SD21可以增加阳极AND1和AND2的平坦度，以根据视角改善从金属反射的光反射可见性的差异。
在第一平坦化层PLN1上形成第二平坦化层PLN2以覆盖第五金属层的金属图案。第二平坦化层PLN2为有机绝缘材料，并且较厚地覆盖电路层12的像素电路区域PXLS、选通驱动电路区域GIA以及边框区域BZ。在第二平坦化层PLN2上形成第六金属层。第二平坦化层PLN2使得形成第六金属层的表面平坦化。例如，第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLL2可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯中的一种或更多种材料形成。
第六金属层包括例如在光刻工艺中图案化的单个金属层或其中层叠有两个或更多个金属层的金属图案。第六金属层包括发光元件EL的阳极AND1和AND2。阳极AND1和AND2与第五金属层的电力线SD21交叠，其中第二平坦化层PLN2插置在阳极AND1和AND2与第五金属层的电力线SD21之间。阳极AND1和AND2通过穿透第二平坦化层PLN2的第六接触孔与连接到像素电路的第三TFT TFT3的金属图案SD22接触。设置在选通驱动电路区域GIA中的阳极AND1可以通过与像素电路区域PXLS交叠的部分处的第六接触孔连接到像素电路的第三TFTTFT3。例如，阳极AND1和AND2可以由诸如氧化铟锡、氧化铟锌等之类的透明导电材料形成。
在发光元件层OEL中，在第二平坦化层PLN2上形成堤图案BNK，以覆盖阳极AND1和AND2的边缘。堤图案BNK限定像素电路区域PXLS和选通驱动电路区域GIA中的每一个子像素的发光区域R、G和B。堤图案BNK可以包括绝缘材料(例如，光敏有机绝缘材料)和/或例如在光刻工艺中被图案化。可以可选地在堤图案BNK上形成具有预定高度的间隔体图案。堤图案BNK可以包括绝缘材料。例如，堤图案BNK可以包括有机绝缘材料，例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂等。另选地，堤图案BNK可以包括无机绝缘材料，例如氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝或氧化钛等。
在子像素的每个发光区域R、G和B中，包括发光层的有机化合物层OE1和OE2形成为与阳极AND1和AND2接触。有机化合物层OE1和OE2通过堤图案BNK在子像素之间分离。
在堤图案BNK和有机化合物层OE1和OE2上形成用作发光元件EL的阴极CAT的第七金属层。第七金属层连接在像素电路区域PXLS中的子像素与选通驱动电路区域GIA之间。例如，阴极CAT可以由诸如镁(Mg)、银镁合金等之类的金属材料形成。此外，阴极CAT可以是基于氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锡锌、氧化锌、氧化锡等的透明导电氧化物。
封装层ENC包括覆盖发光元件EL的阴极CAT的多个绝缘层以减少或防止处于较低位置的部件由于来自外部的湿气、氧气或杂质而被氧化和/或损坏。。多个绝缘层包括覆盖阴极CAT的第一无机绝缘层PAS1、覆盖第一无机绝缘层PAS1的厚有机绝缘层PCL和覆盖有机绝缘层PCL的第二无机绝缘层PAS2，例如氮化硅或氧化铝，但不限于此。
触摸传感器层OCT包括覆盖第二无机绝缘层PAS2的第三缓冲层BUF3、形成在第三缓冲层BUF3上的传感器电极布线TE1至TE4以及覆盖传感器电极布线TE1至TE4的有机绝缘层PAC，但不限于此。
图10是根据本公开的另一示例性实施方式的显示面板100的部分的放大平面图。图11是示出根据本公开的另一示例性实施方式的图10所示的像素电路区域PXLS和选通驱动电路区域GIA的截面结构的截面图。在图10和图11中，对与上述实施方式基本上相同的部件赋予相同的附图标记，并且将省略详细描述。
参照图10和图11，在第一平坦化层PLN1上形成第五金属层。第五金属层通过第一平坦化层PLN1与第四金属层绝缘。第五金属层包括被施加有像素驱动电压ELVDD的电力线SD23和SD24，以及可选的将发光元件EL连接到第三TFT TFT3的金属图案SD22。电力线SD23和SD24以及金属图案SD22在同一平面上彼此间隔开。
电力线SD23和SD24包括第一电力线SD23和第二电力线SD24，第一电力线SD23设置在选通驱动电路区域GIA中以与选通驱动器120交叠，其中第一平坦化层PLN1插置在第一电力线SD23与选通驱动器120之间，并且与阳极AND1交叠，其中第二平坦化层PLN2插置在第一电力线SD23与阳极AND1之间，第二电力线SD24的线宽小于第一电力线SD23的线宽并且设置在像素电路区域PXLS中以与像素电路交叠，其中第一平坦化层PLN1插置在第二电力线SD24与像素电路之间。
电力线SD23沿着Y轴方向设置在选通驱动电路区域GIA中。电力线SD23可以在选通驱动电路区域GIA中与第四金属层的设置在其下部上的图案E11至E15中的至少一个交叠，其中第一平坦化层PLN1插置在电力线SD23与第四金属层的图案E11至E15之间。发光元件EL的阳极AND1与第五金属层的第一电力线SD23交叠，其中第二平坦化层PLN2插置在发光元件EL的阳极AND1与第五金属层的第一电力线SD23之间。第一电力线SD23阻挡来自第四金属层的电场，使得从第四金属层的设置在其下部上的金属图案E11至E15产生的电场不影响发光元件EL的阳极AND1。此外，第一电力线SD23可以增加阳极AND1的平坦度，以根据视角改善从金属反射的光反射可见性的差异。
设置在像素电路区域PXLS中的第二电力线SD24可以被图案化为窄布线，使得其不与形成在与该第二电力线SD24同一层上并且连接到第三TFT TFT3的金属图案SD22短路。如图8和图9所示，当电力线SD21被广泛地设置在选通驱动电路区域GIA和像素电路区域PXLS中时，由于外部光在该电力线SD21上的反射，可见性可能劣化。如图10和图11所示，可以减小设置在像素电路区域PXLS中的第二电力线SD24的线宽，从而减少外部光的反射并且将像素驱动电压ELVDD均匀地传输到整个像素阵列AA。同时，为了进一步减少外部光的反射，可以省略设置在像素电路区域PXLS中的第二电力线SD24。
第五金属层的电力线SD23位于第四金属层的金属图案E11至E15与发光元件EL的阳极AND1之间以阻挡电场，使得当施加到第四金属层的金属图案E11至E15的电压变化时产生的电场不影响发光元件EL的阳极AND1。此外，第五金属层的电力线SD23可以增加阳极AND1的平坦度，以根据视角改善从金属反射的光反射可见性的差异。
以说明性的方式图示了层叠层的顺序，从而可以根据需要以各种方式进行改变。此外，根据需要可以省略层叠层中的至少一个。
尽管说明书的大部分是在可穿戴显示装置的场景下描述的，但是本公开的实施方式不限于此。例如，根据本公开的实施方式的显示面板还可以应用于任何其他显示装置，诸如移动设备、视频电话、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)、MP3播放器、移动医疗装置、台式个人计算机(PC)、膝上型PC、上网本计算机、工作站、导航设备、汽车导航设备、车辆显示设备、汽车设备、剧院设备、剧院显示设备、电视、壁纸显示设备、标识设备、游戏机、笔记本电脑、监视器、相机、摄像机、家用电器等。
本公开要实现的目的、用于实现上述目的的装置以及上述本公开的效果不指定权利要求的必要特征，并且因此，权利要求的范围不限于本公开的公开内容。
尽管已经参照附图更详细地描述了本公开的实施方式，但是本公开不限于此，并且在不脱离本公开的技术构思的情况下，可以以许多不同的形式体现。因此，本公开中公开的实施方式仅出于说明性目的而被提供，并且不旨在限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述实施方式在所有方面都是说明性的，并且不限制本公开。本公开的保护范围应当基于所附权利要求来理解，并且其等效范围内的所有技术构思均应当被理解为落入本公开的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年8月4日提交的韩国专利申请No.10-2022-0097185的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容出于所有目的通过引用以其整体并入本文。
Claims (21)
1.一种显示面板，所述显示面板包括：
像素阵列，
其中，所述像素阵列包括：
像素电路区域，在所述像素电路区域中设置有与数据线、选通线和电力线连接的多个像素电路；以及
选通驱动电路区域，在所述选通驱动电路区域中设置有用于向所述选通线提供选通信号的选通驱动器，并且
其中，由所述像素电路驱动的发光元件的发光区域设置在所述像素电路区域和所述选通驱动电路区域中，并且
所述电力线设置在所述发光元件的阳极下方。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，至少一个发光元件的发光区域设置在所述选通驱动电路区域和所述像素电路区域之间。
3.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
第一平坦化层，所述第一平坦化层被配置为覆盖所述选通驱动器和所述像素电路；以及
第二平坦化层，所述第二平坦化层被配置为覆盖所述第一平坦化层，
其中，所述电力线与所述选通驱动器和所述像素电路交叠，其中，所述第一平坦化层插置在所述电力线与所述选通驱动器和所述像素电路之间，并且所述电力线与所述阳极交叠，其中，所述第二平坦化层插置在所述电力线与所述阳极之间。
4.根据权利要求3所述的显示面板，所述显示面板还包括：
金属图案，所述金属图案通过穿透所述第一平坦化层的接触孔与所述像素电路的晶体管连接，并且通过穿透所述第二平坦化层的接触孔与所述阳极连接，
其中，所述电力线和所述金属图案在所述第一平坦化层上彼此间隔开。
5.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
第一平坦化层，所述第一平坦化层被配置为覆盖所述选通驱动器和所述像素电路；以及
第二平坦化层，所述第二平坦化层被配置为覆盖所述第一平坦化层，
其中，所述电力线包括：
第一电力线，所述第一电力线设置在所述选通驱动电路区域中，所述第一电力线与所述选通驱动器交叠，其中所述第一平坦化层插置在所述第一电力线与所述选通驱动器之间，并且所述第一电力线与所述阳极交叠，其中所述第二平坦化层插置在所述第一电力线与所述阳极之间；以及
第二电力线，所述第二电力线设置在所述像素电路区域中，并且所述第二电力线与所述像素电路交叠，其中所述第一平坦化层插置在所述第二电力线与所述像素电路之间。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述第二电力线的线宽小于所述第一电力线的线宽。
7.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述选通驱动器的信号传输部分中的每一个包括与上拉晶体管的栅极连接的第一控制节点、与下拉晶体管的栅极连接的第二控制节点以及与所述选通线连接的输出节点，
所述第一平坦化层覆盖所述第一控制节点、所述第二控制节点和所述输出节点，并且
所述电力线与所述第一控制节点、所述第二控制节点和所述输出节点中的至少一个交叠，并且所述第一平坦化层在所述选通驱动电路区域中插置在所述电力线与所述第一控制节点、所述第二控制节点和所述输出节点中的至少一个之间。
8.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述选通驱动器的信号传输部分中的每一个包括与上拉晶体管的栅极连接的第一控制节点、与下拉晶体管的栅极连接的第二控制节点以及与所述选通线连接的输出节点，并且
所述第一平坦化层覆盖所述第一控制节点、所述第二控制节点和所述输出节点，并且
所述第一电力线与所述第一控制节点、所述第二控制节点和所述输出节点中的至少一个交叠，其中所述第一平坦化层在所述选通驱动电路区域中插置在所述第一电力线与所述第一控制节点、所述第二控制节点和所述输出节点中的至少一个之间。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述选通驱动电路区域中的每一个设置在沿所述选通线延伸的第一方向间隔开的所述像素电路区域的电路区域之间。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，至少一个像素设置在沿所述第一方向彼此相邻的所述选通驱动电路区域之间。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其中，10至20个像素设置在沿所述第一方向彼此相邻的所述选通驱动电路区域之间。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其中，至少一个发光元件的阳极设置为与所述选通驱动器交叠，其中所述电力线插置在所述至少一个发光元件的阳极与所述选通驱动器之间。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其中，至少一个发光元件的所述发光区域设置为与所述选通驱动器交叠，其中所述电力线插置在所述至少一个发光元件的发光区域与所述选通驱动器之间。
14.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述选通驱动器的信号传输部分中的每一个包括与上拉晶体管的栅极连接的第一控制节点、与下拉晶体管的栅极连接的第二控制节点、在所述上拉晶体管和所述下拉晶体管之间连接并且连接到所述选通线的输出节点、以及用于对所述第一控制节点和所述第二控制节点进行充电或放电的至少一个晶体管，并且
其中，所述第一控制节点、所述第二控制节点、所述输出节点、所述上拉晶体管、所述下拉晶体管和所述至少一个晶体管中的至少一个与所述发光元件的阳极交叠。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述第一控制节点、所述第二控制节点、所述输出节点、所述上拉晶体管、所述下拉晶体管和所述至少一个晶体管中的至少一个与所述发光元件的发光区域交叠。
16.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述第一控制节点、所述第二控制节点、所述输出节点、所述上拉晶体管、所述下拉晶体管和所述至少一个晶体管中的至少一个与所述发光元件的阳极交叠，其中所述电力线插置在所述第一控制节点、所述第二控制节点、所述输出节点、所述上拉晶体管、所述下拉晶体管和所述至少一个晶体管中的至少一个与所述发光元件的阳极之间。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其中，所述电力线与所述第一控制节点、所述第二控制节点、所述输出节点、所述上拉晶体管、所述下拉晶体管和所述至少一个晶体管交叠，同时所述电力线在与所述选通线延伸的第一方向垂直的第二方向上延伸。
18.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
解复用器阵列，所述解复用器阵列与所述数据线连接；以及
数据链路部分，所述数据链路部分与解复用器的输入端子连接，
其中，所述解复用器阵列和所述数据链路部分设置在所述显示面板的不具有所述选通驱动器的拐角部分处。
19.一种显示装置，所述显示装置包括根据权利要求1至17中的任一项所述的显示面板。
20.根据权利要求19所述的显示装置，所述显示装置还包括：
解复用器阵列，所述解复用器阵列与所述数据线连接；以及
数据链路部分，所述数据链路部分与解复用器的输入端子连接，
其中，所述解复用器阵列和所述数据链路部分设置在所述显示面板的不具有所述选通驱动器的拐角部分处。
21.根据权利要求19所述的显示装置，
其中，所述显示面板还包括：
解复用器阵列，所述解复用器阵列与所述数据线连接；以及
数据链路部分，所述数据链路部分与解复用器的输入端子连接，并且
其中，所述显示装置还包括与所述数据链路部分和所述选通驱动器连接的驱动集成电路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2022-0097185 | 2022-08-04 | ||
| KR1020220097185A KR20240019495A (ko) | 2022-08-04 | 2022-08-04 | 표시패널과 이를 포함한 웨어러블 표시장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117529164A true CN117529164A (zh) | 2024-02-06 |
Family
ID=89742699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310937934.7A Pending CN117529164A (zh) | 2022-08-04 | 2023-07-27 | 显示面板和包括该显示面板的显示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20240019495A (zh) |
| CN (1) | CN117529164A (zh) |
-
2022
- 2022-08-04 KR KR1020220097185A patent/KR20240019495A/ko unknown
-
2023
- 2023-07-27 CN CN202310937934.7A patent/CN117529164A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20240019495A (ko) | 2024-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3671413A1 (en) | Touch display panel, method for driving same, and electronic device | |
| KR102410631B1 (ko) | Oled 표시 장치 | |
| US11600685B2 (en) | Display panel and display device using same | |
| CN109949701B (zh) | 显示设备 | |
| US20230337481A1 (en) | Display device | |
| TWI818705B (zh) | 顯示面板和包含該顯示面板的電子裝置 | |
| KR20220051619A (ko) | 표시패널과 이를 이용한 표시장치 | |
| CN115602126A (zh) | 选通驱动器及使用该选通驱动器的显示装置 | |
| CN112951886B (zh) | 显示装置 | |
| US10475384B2 (en) | Display device comprising a lighting part | |
| US20230178033A1 (en) | Data driving circuit and display device including the same | |
| US20230096265A1 (en) | Gate driving circuit and display device including the same | |
| US20230008552A1 (en) | Pixel circuit and display panel including same | |
| US11031447B2 (en) | Flexible display | |
| CN117529164A (zh) | 显示面板和包括该显示面板的显示装置 | |
| US11862104B2 (en) | Gate driver and display device including the same | |
| US11887548B2 (en) | Gate driver and display device including the same | |
| CN114639343B (zh) | 有机发光显示装置 | |
| US20240005859A1 (en) | Display device and method for operating pixels of the display device | |
| US20230075073A1 (en) | Display panel and display device including the same | |
| US20240185786A1 (en) | Pixel circuit and display device, and mobile terminal including the display device | |
| CN118155543A (zh) | 显示面板和显示设备 | |
| CN117409715A (zh) | 显示装置和驱动该显示装置的像素的方法 | |
| KR20230035203A (ko) | 표시패널과 이를 포함한 전자장치 | |
| CN117456926A (zh) | 显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |