CN111665667B - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及显示面板，该阵列基板包括：衬底基板和设置于衬底基板上的多个像素电极，多个所述像素电极中包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极与所述衬底基板的中心之间的距离大于所述第二像素电极与所述衬底基板的中心之间的距离，所述第一像素电极的关键尺寸不大于所述第二像素电极的关键尺寸。本发明通过对靠近所述阵列基板中心的像素电极进行补偿，通过使得靠近中心的所述像素电极的关键尺寸不小于远离中心的所述像素电极的关键尺寸，以抵消显影制程和湿法刻蚀制程中负载效应，从而提升了各像素电极之间关键尺寸的均一性，进而改善了出现的斑点和亮度均一性差等技术问题。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
随着液晶显示器发展成熟，消费者对显示器的品味如亮度均一性，斑点容忍度等特性的要求越来越高；而随着精细度的提高，像素电极(Pixel Indium tin oxide，PixelITO)的关键尺寸(Critical Dimension，CD)和间距(Pitch)越来越小，传统的像素电极设计在同样的制程条件下，显影制程和湿法刻蚀中存在的负载效应对像素电极的关键尺寸影响越来越大，进而出现斑点,亮度均一性差等缺陷。
具体的，负载效应指被刻蚀物质的量与刻蚀速度之间的关系。当被刻蚀物质的量增加时，刻蚀的速度会减慢。在显示面板的外围区域，像素电极的图案密度较小，待显影和刻蚀的面积较大，反应离子消耗快，造成显影和刻蚀液浓度小，显影和刻蚀速度较慢；在显示面板的中心区域，像素电极的图案密度较大，待显影和刻蚀的面积较小，反应离子消耗慢，造成显影和刻蚀液浓度大，显影和刻蚀速度快。在此情况下，显影和刻蚀速度较快的区域容易造成过显影和刻蚀过度，使得显示面板外围区域像素电极的关键尺寸相对显示面板中心区域像素电极的关键尺寸大，从而显示面板的外围区域和中心区域显示不均匀，进而显示面板出现斑点，亮度均一性差等缺陷。
综上所述，目前的显示面板中外围区域和中心区域的关键尺寸存在差异，显示不均匀，出现斑点，亮度均一性差等技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板及显示面板，用于解决目前的显示面板中外围区域和中心区域的关键尺寸存在差异，显示不均匀，出现斑点，亮度均一性差等技术问题。
为解决上述问题，第一方面，本发明提供一种阵列基板，包括：
衬底基板和设置于衬底基板上的多个像素电极，多个所述像素电极中包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极与所述衬底基板的中心之间的距离大于所述第二像素电极与所述衬底基板的中心之间的距离，所述第一像素电极的关键尺寸不大于所述第二像素电极的关键尺寸。
在本发明的一些实施例中，每个所述像素电极的关键尺寸随着与所述衬底基板的中心之间的距离缩小而阶梯递增。
在本发明的一些实施例中，每个所述像素电极包括两条主干电极和多条分支电极，多条所述分支电极从垂直相交的两条所述主干电极延伸出来，且与所述主干电极成预设角度的夹角。
在本发明的一些实施例中，所述第一像素电极的所述主干电极的宽度不大于所述第二像素电极的所述主干电极的宽度，所述第一像素电极的所述分支电极的宽度不大于所述第二像素电极的所述分支电极的宽度。
在本发明的一些实施例中，所述第一像素电极的所述主干电极的长度不大于所述第二像素电极的所述主干电极的长度，所述第一像素电极的所述分支电极的长度不大于所述第二像素电极的所述分支电极的长度。
在本发明的一些实施例中，所述第一像素电极的长宽比与所述第二像素电极的长宽比相同。
在本发明的一些实施例中，所述第一像素电极的深度与所述第二像素电极的深度相同。
在本发明的一些实施例中，每个所述像素电极的关键尺寸为2um～4um。
在本发明的一些实施例中，多个所述像素电极呈阵列排布。
第二方面，本发明提供一种显示面板，所述显示面板采用如第一方面中任一所述的阵列基板制备得到。
相较于现有的显示面板，本发明通过在显影制程和湿法刻蚀制程前的阵列基板内对靠近所述阵列基板中心的像素电极进行补偿，通过使得靠近所述阵列基板中心的所述像素电极的关键尺寸不小于远离所述阵列基板中心的所述像素电极的关键尺寸，以抵消显影制程和湿法刻蚀制程中负载效应，从而提升了显影制程和湿法刻蚀制程完成后各像素电极之间关键尺寸的均一性，进而改善了因各像素电极之间关键尺寸不均匀而出现的斑点和亮度均一性差等技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一个实施例中阵列基板的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
目前的显示面板中外围区域和中心区域的关键尺寸存在差异，显示不均匀，出现斑点，亮度均一性差等技术问题。
基于此，本发明实施例中提供一种阵列基板及显示面板，以下分别进行详细说明。
首先，本发明实施例提供一种阵列基板，如图1所示，图1为本发明一个实施例中阵列基板的示意图。所述阵列基板包括：衬底基板100和设置于衬底基板上的多个像素电极200，多个所述像素电极中包括第一像素电极201和第二像素电极202，所述第一像素电极201与所述衬底基板的中心之间的距离大于所述第二像素电极202与所述衬底基板的中心之间的距离，所述第一像素电极201的关键尺寸(CD1)不大于所述第二像素电极202的关键尺寸(CD2)，CD1≤CD2。
相较于现有的显示面板，本发明通过在显影制程和湿法刻蚀制程前的阵列基板内对靠近所述阵列基板中心的像素电极进行补偿，通过使得靠近所述阵列基板中心的所述像素电极的关键尺寸不小于远离所述阵列基板中心的所述像素电极的关键尺寸，以抵消显影制程和湿法刻蚀制程中负载效应，从而提升了显影制程和湿法刻蚀制程完成后各像素电极之间关键尺寸的均一性，进而改善了因各像素电极之间关键尺寸不均匀而出现的斑点和亮度均一性差等技术问题。
在上述实施例的基础之上，每个所述像素电极200的关键尺寸随着与所述衬底基板100的中心之间的距离缩小而阶梯递增。分布于所述衬底基板100上的每个所述像素电极200呈现出越靠近所述衬底基板100的中心关键尺寸越大的趋势，同时为了便于加工，采用阶梯式的逐级递增也能取得明显改善效果。
优选的，每个所述像素电极200的结构为四畴设计，包括两条主干电极2011和多条分支电极2012，两条所述主干电极2011中心垂直相交，将所述像素分为四个畴，多条所述分支电极2012从所述主干电极2011延伸出来，且与所述主干电极2011成预设角度的夹角。其中，每个畴中的至少两条所述分支电极2012彼此平行且间距相等。
在本发明的另一个实施例中，所述第一像素电极201的所述主干电极2011的宽度不大于所述第二像素电极202的所述主干电极2021的宽度，所述第一像素电极201的所述分支电极2012的宽度不大于所述第二像素电极202的所述分支电极的宽度2022。
所述第一像素电极201的所述主干电极2011的长度不大于所述第二像素电极202的所述主干电极2021的长度，所述第一像素电极201的所述分支电极2012的长度不大于所述第二像素电极202的所述分支电极2022的长度。对靠近所述衬底基板100中心的所述像素电极200进行补偿，在长度和宽度上留出用于抵消过显影和刻蚀过度的余量，以改善负载效应对所述像素电极200的关键尺寸均一性的影响。
为了保证显影制程和湿法刻蚀制程完成后各像素电极之间关键尺寸的均一性，所述第一像素电极201的长宽比与所述第二像素电极202的长宽比相同。所述第一像素电极201的深度与所述第二像素电极202的深度相同。值得一提的是，大多数情况下负载效应不会造成所述像素电极200之间出现深度差异，但需要防止显影和刻蚀不充分，会导致所述衬底基板100上有光阻残留和所述像素电极200残留。
所述第一像素电极201的相邻所述分支电极2012之间的间距不大于所述第二像素电极202的相邻所述分支电极2022之间的间距。由于所述第一像素电极201是所述第二像素电极202的等比缩小图，故所述第一像素电极201的相邻所述分支电极2012之间的间距也相应缩小，即不大于所述第二像素电极202的相邻所属分支电极2022之间的间距。
在本发明的另一个实施例中，每个所述像素电极200主干电极2011的宽度沿相交点向外逐渐减小。由于所述相交点处图案密度较大，而所述主干电极2011的远端边缘图案密度较小，将所述主干电极2011的宽度设计成渐变形式，得以提高均一性。
每个所述像素电极200的关键尺寸可根据产品穿透率，显示模式等具体定义。在本实施例中，优选的，每个所述像素电极200的CD为2um～4um。
多个所述像素电极200呈阵列排布。在一个实施例中，所述衬底基板100的中心设置有一个所述像素电极200，其它的所述像素电极200沿着不同大小的矩形轮廓围绕中心的所述像素电极200设置，同一矩形中的所述像素电极200的关键尺寸相同。
为了更好实施本发明实施例中阵列基板，在所述阵列基板的基础之上，本发明实施例中还提供一种显示面板，所述显示面板包括如上述实施例中所述的阵列基板。通过采用如上实施例中描述的阵列基板，进一步提升了该显示面板的性能。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文针对其他实施例的详细描述，此处不再赘述。具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元、结构或操作的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。
以上对本发明实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板和设置于所述衬底基板上的多个像素电极，多个所述像素电极中包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极与所述衬底基板的中心之间的距离大于所述第二像素电极与所述衬底基板的中心之间的距离，在显影制程和湿法刻蚀制程前的所述阵列基板内对靠近所述阵列基板中心的所述像素电极进行补偿，且使得所述第一像素电极的关键尺寸小于所述第二像素电极的关键尺寸，以使显影制程和湿法刻蚀制程完成后各所述像素电极之间关键尺寸保持均一；
其中，所述像素电极包括主干电极和分支电极，所述第一像素电极的关键尺寸包括所述主干电极的宽度和所述分支电极的宽度，和/或，所述主干电极的长度和所述分支电极的长度；
所述第二像素电极的关键尺寸包括所述主干电极的宽度和所述分支电极的宽度，和/或，所述主干电极的长度和所述分支电极的长度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素电极的关键尺寸随着与所述衬底基板的中心之间的距离缩小而阶梯递增。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素电极包括两条所述主干电极和多条所述分支电极，多条所述分支电极从垂直相交的两条所述主干电极延伸出来，且与所述主干电极成预设角度的夹角。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极的所述主干电极的宽度小于所述第二像素电极的所述主干电极的宽度，所述第一像素电极的所述分支电极的宽度小于所述第二像素电极的所述分支电极的宽度。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极的所述主干电极的长度小于所述第二像素电极的所述主干电极的长度，所述第一像素电极的所述分支电极的长度小于所述第二像素电极的所述分支电极的长度。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极的长宽比与所述第二像素电极的长宽比相同。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极的深度与所述第二像素电极的深度相同。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素电极的所述分支电极的宽度为2um~4um。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个所述像素电极呈阵列排布。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的阵列基板。
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