CN107861301B - 一种阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及显示面板，所述阵列基板包括：基板，所述基板包括显示区域与非显示区域，所述非显示区域包括扇出区；钝化层，设置于所述基板上；像素电极，设置于所述钝化层上对应所述显示区域的位置；扇出线，设置于所述扇出区内，用以与设置在所述基板上的信号线相连；以及浮置电极，设置于所述钝化层上对应所述扇出区的位置，并与所述扇出线相分离；其中，所述浮置电极包括呈块状分布于所述扇出区内的浮置电极块，且相邻两所述浮置电极块之间存在间隙。

Description

一种阵列基板及显示面板
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
液晶显示器(LCD)以其高亮度、长寿命、广视角、大尺寸显示等优点成为目前市场上的主流显示技术，近年来随着半导体显示产业的快速发展，LTPS、AM-OLED、Micro-LED等新技术已经在中小尺寸领域对LCD构成威胁，但LCD凭借因其成熟的技术和制造工艺在大尺寸显示领域仍然占据不可动摇的地位。因此提升LCD显示画质、降低产品成本、提高制程良率从而进一步完善LCD技术，是LCD在面临诸多新技术挑战时的主要任务。
液晶显示器的阵列基板的设计和制作过程中，在扇出(fanout)区域会有浮置电极(Floating ITO)存在，此浮置电极仅为优化制程设计，实际无信号输入，目的是在ITO层蚀刻制程中使面内ITO蚀刻更加均匀。液晶显示器的制作过程中，在模组阶段用纯色画面可能检查出垂直淡线，而在成盒(Cell)点灯测试时，fanout信号相同，无电容耦合(couple)现象，从而无法检出垂直淡线不良，从而导致不良品漏放至模组，造成更大损失。经分析此现象是扇出区域内浮置电极因制程不良导致短路(short)，则造成纯色画面时，相邻扇出信号因发生电容耦合效应而相互干扰，导致信号驱动电压降低，亮度变暗，产生垂直淡线现象。
综上所述，现有技术的液晶显示器的制作过程中，存在因浮置电极制程不良而发生短路，使扇出区域内相邻扇出信号因发生电容耦合效应而相互干扰，导致信号驱动电压降低，亮度变暗，产生垂直淡线现象，从而影响显示效果。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及显示面板，扇出区域内的浮置电极不易产生电容耦合，或能将电容耦合效应降到最低，从而避免相邻扇出信号互相干扰而产生垂直淡线。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种阵列基板，包括：
基板，所述基板包括显示区域与非显示区域，所述非显示区域包括扇出区；
钝化层，设置于所述基板上；
像素电极，设置于所述钝化层上对应所述显示区域的位置；
扇出线，设置于所述扇出区内，用以与设置在所述基板上的信号线相连；以及
浮置电极，设置于所述钝化层上对应所述扇出区的位置，并与所述扇出线相分离；
其中，所述浮置电极包括呈块状分布于所述扇出区内的浮置电极块，且相邻两所述浮置电极块之间存在间隙。
根据本发明一优选实施例，至少两所述扇出线在靠近所述显示区域一端呈发散式分布，在远离所述显示区域的一端呈集中式分布，其中，所述浮置电极与所述扇出线的分布方式一致。
根据本发明一优选实施例，所述浮置电极在所述基板上的投影位于所述扇出线在所述基板上的投影的范围内。
根据本发明一优选实施例，所述浮置电极块对应所述扇出线并沿所述扇出线延伸方向间隔设置于所述钝化层上。
根据本发明一优选实施例，所述浮置电极块的长度为3～30um，相邻两所述浮置电极块的间距为2～10um。
根据本发明一优选实施例，相邻两所述扇出线对应的所述浮置电极块呈错位分布。
根据本发明一优选实施例，包括按列分布的多个所述浮置电极块，位于相邻列内的所述多个所述浮置电极块呈错位分布。
根据本发明一优选实施例，所述浮置电极块的形状为矩形、弧形、圆形、三角形以及U形。
根据本发明一优选实施例，所述浮置电极与所述像素电极均由氧化铟锡制备。
本发明还提供一种由如上述所述的阵列基板制备的显示面板。
本发明的有益效果为：相较于现有的液晶显示器，本发明的阵列基板及显示面板通过将浮置电极形状设计为若干块状，当发生局部短路时，块状的浮置电极与扇出线之间的电容相比传统条状浮置电极与扇出线间电容足够小，能够将电容耦合效应降到最低，从而避免相邻扇出信号互相干扰而产生垂直淡线。另外，将相邻两列/行的浮置电极进行错位分布，增大相邻两浮置电极之间的距离，从而不会发生短路；即使发生局部短路，其电容耦合效应十分有限，也不会影响两条扇出信号，从而避免垂直淡线的发生。本发明能够解决传统条状浮置电极因无法检出垂直淡线不良，而导致不良品漏放至模组，造成更大损失的问题。本发明的浮置电极不仅具有传统条状设计的优点-改善面内ITO蚀刻均匀性，而且能够从根本上解决因浮置电极短路导致的垂直淡线问题。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a为本发明提供的阵列基板结构示意图；
图1b为本发明的阵列基板的扇出区示意图；
图2为本发明的阵列基板在扇出区的剖面结构图；
图3为本发明实施例一提供的浮置电极结构示意图；
图4为本发明实施例一提供的另一种浮置电极结构示意图；
图5为本发明实施例二提供的浮置电极结构示意图；
图6a为现有技术的液晶显示器的一种条形浮置电极的结构示意图；
图6b为现有技术的液晶显示器的另一种条形浮置电极的结构示意图；
图7为现有技术中液晶显示器的浮置电极发生短路示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
如图6a-6b所示，图6a为现有技术的液晶显示器的一种条形浮置电极的结构示意图，浮置电极601呈条形状间隔分布于扇出区600内，所述扇出区600还分布有扇出线，所述扇出线与所述浮置电极601相分离。图6b为现有技术的液晶显示器的另一种条形浮置电极的结构示意图，扇出区包括弯折呈波浪状的条形浮置电极602，以及与所述浮置电极602相分离的扇出线。如图7所示，为现有技术中液晶显示器的浮置电极发生短路示意图，每根扇出线701与对应上方的条形浮置电极702会形成一个电容，当因制程不良而导致两根或者多根所述浮置电极702短路时，所述扇出线701与所述浮置电极702形成的电容的一端相互短接，电容耦合效应明显，相邻扇出信号(Data信号)会通过所述浮置电极702相互影响，纯色画面(尤其是中低灰阶)时，Data信号因电容耦合而使驱动电压降低，亮度变暗，从而发生垂直淡线。
本发明针对现有技术的液晶显示器在制作过程中，因浮置电极制程不良而发生短路，使扇出区域内相邻扇出信号因电容耦合效应而相互干扰，导致信号驱动电压降低，亮度变暗，产生垂直淡线，从而影响显示效果的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
如图1a所示，本发明提供的阵列基板结构示意图，所述阵列基板包括基板，所述基板包括显示区域101与非显示区域102，其中，所述非显示区域102包括靠近所述显示区域101边缘的多个扇出区103，一所述扇出区103对应设置有一端子104；所述扇出区103设置有多条扇出线，所述扇出线与所述阵列基板的信号线(未标示)相连；其中，信号线包括显示区域内的数据线和栅极线等用于传导电流电压的走线。所述显示区101内配置有多个像素以形成像素阵列(未标示)，每个像素包括一薄膜晶体管与该薄膜晶体管相连接的像素电极，且每个像素都被两条相邻的扫描线以及相邻的数据线包围，这些数据线以及扫描线会延伸到周边线路区与所述扇出线相连接，并通过所述扇出线与所述端子104相连，进而完成对所述阵列基板的信号传递。所述扇出区103中，所述扇出线周围均匀分布着浮置电极；所述浮置电极包括呈块状分布于所述扇出区103内的浮置电极块，且相邻两所述浮置电极块之间存在间隙，所述浮置电极分布在所述扇出线的周围并与所述扇出线相分离。
如图1b所示，为本发明的阵列基板的扇出区示意图，扇出区103包括多条扇出线1031，多条所述扇出线1031在靠近显示区域一端呈发散式分布，在远离所述显示区域的一端呈集中式分布，总体排列成扇形，从而形成所述扇出区103，这样的设计可以有效的缩短布线长度并节约布线空间。其中，浮置电极与所述扇出线1031的分布方式一致，所述浮置电极正对于所述扇出线1031上方设置，所述浮置电极在所述基板上的投影位于所述扇出线1031在所述基板上的投影的范围内，所述浮置电极与所述扇出线1031相分离。所述浮置电极也可设置于所述扇出线1031周边的其他位置，比如相邻所述扇出线1031的间隙区域，或者所述扇出线1031的斜上方等。
如图2所示，为本发明的阵列基板在扇出区的剖面结构图，在阵列基板对应扇出区的位置，在基板上依次层叠设置有第一金属层201、栅绝缘层202、有源层203、第二金属层204、钝化层205以及制备于所述钝化层205表面的浮置电极206。在所述阵列基板的显示区域，所述钝化层205表面设置有ITO电极，所述ITO电极可为像素电极。所述扇出区一般为单层金属或者双层金属，由于所述扇出区的所述浮置电极206在所述阵列基板中并不用于接收信号，仅为优化制程设计，实际无信号输入，其目的是在所述像素电极蚀刻制程中使面内所述ITO电极蚀刻更加均匀，区别于所述ITO电极以及所述扇出区的扇出线。所述ITO电极与所述浮置电极206可均由氧化铟锡制备，即氧化铟锡半导体透明导电膜，拥有很高的导电性和透明性。
如图3所示，为本发明实施例一提供的浮置电极结构示意图，浮置电极300位于阵列基板扇出区的钝化层上，且与扇出线相分离。所述浮置电极300包括呈块状分布于所述扇出区内的浮置电极块301，所述浮置电极块301均匀的分布于所述扇出区内，且相邻两所述浮置电极块301之间存在间隙。所述浮置电极300在基板上的投影位于所述扇出线在所述基板上的投影的范围内。所述浮置电极块301正对所述扇出线并沿所述扇出线延伸方向间隔设置于所述钝化层上。每根所述扇出线上方均对应设置有间隔分布的所述浮置电极块301，所述浮置电极块301的长度为3～30um，优选为10～20um；相邻两所述浮置电极块301的间隔间距为2～10um，优选为4～6um；所述浮置电极块301的长度以及间隔间距根据实际情况以机台制程能力而定。一所述扇出线对应的所述浮置电极块301均可与所述扇出线形成电容，即一所述扇出线与对应的所述浮置电极300产生的电容被多个间隔分布的所述浮置电极块301所分担，且所述浮置电极块301彼此之间不影响。该浮置电极块301在制程中可由传统条状浮置电极直接切断排版，若干块状的所述浮置电极块301不仅具有与传统条状浮置电极相同的能使面内ITO电极蚀刻均匀的效果，而且不易发生短路，即便发生局部短路，块状的所述浮置电极块301与所述扇出线之间的电容相比传统条状浮置电极与扇出线间电容足够小，能够将电容耦合效应降到最低，从而避免相邻扇出信号互相干扰而产生垂直淡线。所述浮置电极块301的形状为矩形、弧形、圆形、三角形等，此处不做限制。
如图4所示，为本发明实施例一提供的另一种浮置电极结构示意图，浮置电极400包括呈块状分布于扇出区内的浮置电极块401，且相邻两所述浮置电极块401之间存在间隙。其中，相邻两行/列的所述浮置电极块401呈错位分布，具体地，对应每根扇出线的相应位置设置有间隔分布的所述浮置电极块401，相邻两所述扇出线对应的所述浮置电极块401呈错位分布，即一所述扇出线对应的所述浮置电极块401，正对于相邻所述扇出线对应的所述浮置电极块401之间的间隙处。由此，增大了相邻两所述浮置电极块401之间的距离，从而不易发生短路；即使发生局部短路，一所述浮置电极块401与对应的所述扇出线产生的电容耦合效应十分有限，也不会影响两条扇出信号，从而避免垂直淡线的发生。所述浮置电极块401的分布方式也可以为隔行错位分布，或至少以两根所述扇出线对应的所述浮置电极块401为一组，进行错位分布，此处不做限制。
可以理解的是，当一条扇出线对应设置多列浮置电极块401时，与同一扇出线对应且分别位于相邻两列的浮置电极块401也可呈类似的相互错位分布设置。
如图5所示，为本发明实施例二提供的浮置电极结构示意图，浮置电极500位于阵列基板扇出区的钝化层上，且与扇出线相分离。所述浮置电极500包括若干呈U形分布于所述扇出区内的U形浮置电极块501，且相邻两所述U形浮置电极块501之间存在间隙。所述浮置电极500在基板上的投影位于所述扇出线在所述基板上的投影的范围内。每根所述扇出线上方沿所述扇出线延伸方向均对应设置有间隔分布的所述U形浮置电极块501，所述U形浮置电极块501的长度为3～30um，优选为10～20um；相邻两所述U形浮置电极块501的间隔间距为2～10um，优选为4～6um。相邻两所述扇出线对应的所述U形浮置电极块501呈对向/背向设置，优选的，相邻两所述扇出线对应的所述U形浮置电极块501同时还呈错位分布。所述浮置电极500设计成若干U形块状，不但可以改善面内ITO蚀刻均匀性，而且同时还使单个所述U形浮置电极块501与对应的所述扇出线产生更小的电容，不易发生短路，进一步降低电容耦合效应，间隔错位分布的设计进一步降低了当局部发生短路时，对相邻扇出信号的影响。
本发明还提供一种显示面板，该显示面板采用上述阵列基板制备而成。
相较于现有的液晶显示器，本发明的阵列基板及显示面板通过将浮置电极形状设计为若干块状，当发生局部短路时，块状的浮置电极与扇出线之间的电容相比传统条状浮置电极与扇出线间电容足够小，能够将电容耦合效应降到最低，从而避免相邻扇出信号互相干扰而产生垂直淡线。另外，将相邻两列/行的浮置电极进行错位分布，增大相邻两浮置电极之间的距离，从而不会发生短路；即使发生局部短路，其电容耦合效应十分有限，也不会影响两条扇出信号，从而避免垂直淡线的发生。本发明能够解决传统条状浮置电极因无法检出垂直淡线不良，而导致不良品漏放至模组，造成更大损失的问题。本发明的浮置电极不仅具有传统条状设计的优点-改善面内ITO蚀刻均匀性，而且能够从根本上解决因浮置电极短路导致的垂直淡线问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (7)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板，所述基板包括显示区域与非显示区域，所述非显示区域包括扇出区；
钝化层，设置于所述基板上；
像素电极，设置于所述钝化层上对应所述显示区域的位置；
扇出线，设置于所述扇出区内，用以与设置在所述基板上的信号线相连；以及
浮置电极，设置于所述钝化层上对应所述扇出区的位置，且所述浮置电极对应位于相邻两所述扇出线之间的间隙区域，并与所述扇出线相分离；
其中，所述浮置电极包括呈块状分布于所述扇出区内的浮置电极块，且相邻两所述浮置电极块之间存在间隙。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，至少两所述扇出线在靠近所述显示区域一端呈发散式分布，在远离所述显示区域的一端呈集中式分布，其中，所述浮置电极与所述扇出线的分布方式一致。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述浮置电极块沿所述扇出线延伸方向间隔设置于所述钝化层上。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述浮置电极块的长度为3～30um，相邻两所述浮置电极块的间距为2～10um。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述浮置电极块的形状为矩形、弧形、圆形、三角形以及U形。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述浮置电极与所述像素电极均由氧化铟锡制备。
7.一种由如权利要求1-6中任一项权利要求所述的阵列基板制备的显示面板。
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