CN111655907A - 电磁波屏蔽用镀覆层叠体、电磁波屏蔽材料和电磁波屏蔽材料的制造方法 - Google Patents

电磁波屏蔽用镀覆层叠体、电磁波屏蔽材料和电磁波屏蔽材料的制造方法 Download PDF

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Abstract

提供一种电磁波屏蔽用镀覆层叠体，其具备：镀钴层、和形成于前述镀钴层上的镀镍层，前述镀镍层的厚度TNi相对于前述镀钴层的厚度TCo和前述镀镍层的厚度TNi的总计之比(TNi/(TCo+TNi))为0.2～0.9，前述镀镍层的最表面的(220)面的晶体取向性指数为0.8以上。

Description

电磁波屏蔽用镀覆层叠体、电磁波屏蔽材料和电磁波屏蔽材 料的制造方法
技术领域
本发明涉及电磁波屏蔽用镀覆层叠体、电磁波屏蔽材料和电磁波屏蔽材料的制造方法。
背景技术
以往，发动机控制单元(ECU)等汽车用电子设备、移动电话、平板电脑那样的移动设备、个人电脑、复印机等办公设备、空调等家电制品等各种电子设备中，为了防止来自外部的电磁波所导致的故障、或不使这些电子设备本身产生的电磁波泄漏至外部，使用有电磁波屏蔽材料。
例如，专利文献1中公开了一种电磁波屏蔽材料，其是将含有碳纳米管的镀铜膜的晶体取向控制为特定的状态而成的。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010-192669号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，以往使用了镀铜膜或铜箔的电磁波屏蔽材料在近年来电磁波产生量增大的电子设备的周围使用的情况下，存在电磁波屏蔽性不充分的问题。此处，关于上述专利文献1中公开的镀铜膜，虽然镀铜膜中含有的碳纳米管有利于改善电磁波屏蔽性，但难以使碳纳米管均匀地分散在镀铜膜中，由此，还存在如下问题：会产生镀铜膜中的碳纳米管的厚度的不均匀化(碳纳米管的垂直方向分散的不均匀化)、镀铜膜中的碳纳米管的水平方向分散的不均匀化，得到的镀铜膜的电磁波屏蔽性会变得不均匀。进而，上述专利文献1中公开的镀铜膜由于使用碳纳米管，材料成本会增加，并且需要使碳纳米管包含于镀铜膜中的工序，因此，还存在难以制造、成本上不利的问题。
本发明的目的在于，提供：电磁波屏蔽性优异的电磁波屏蔽用镀覆层叠体。
用于解决问题的方案
本发明人等发现：通过层叠特定的镀钴层和镀镍层，从而可以达成上述目的，至此完成了本发明。
即，根据本发明，提供一种电磁波屏蔽用镀覆层叠体，其具备：镀钴层、和形成于前述镀钴层上的镀镍层，前述镀镍层的厚度TNi相对于前述镀钴层的厚度TCo和前述镀镍层的厚度TNi的总计之比(TNi/(TCo+TNi))为0.2～0.9，前述镀镍层的最表面的(220)面的晶体取向性指数为0.8以上。
本发明的电磁波屏蔽用镀覆层叠体中，优选前述镀钴层的厚度为0.1～10μm。
本发明的电磁波屏蔽用镀覆层叠体中，优选前述镀镍层的厚度为0.1～10μm。
另外，根据本发明，提供一种电磁波屏蔽材料，其为具备上述电磁波屏蔽用镀覆层叠体的电磁波屏蔽材料，所述电磁波屏蔽材料是在基材上依次形成前述镀钴层和前述镀镍层而成的。
本发明的电磁波屏蔽材料中，优选前述基材为钢材。
本发明的电磁波屏蔽材料中，优选前述钢材的厚度为0.025～1.5mm。
进而，根据本发明，提供一种电磁波屏蔽材料的制造方法，其具备如下工序：在基材上的至少一部分形成镀钴层的工序；和，在前述镀钴层上形成镀镍层的工序，形成前述镀钴层和前述镀镍层，使得前述镀镍层的厚度TNi相对于前述镀钴层的厚度TCo和前述镀镍层的厚度TNi的总计之比(TNi/(TCo+TNi))成为0.2～0.9，形成前述镀镍层，使得前述镀镍层的最表面的(220)面的晶体取向性指数成为0.8以上。
发明的效果
根据本发明，可以提供电磁波屏蔽性优异的电磁波屏蔽用镀覆层叠体。
附图说明
图1为示出应用了在基材上层叠本发明的电磁波屏蔽用镀覆层叠体而成的电磁波屏蔽材料的ECU的第1实施方式的剖视图。
图2为图1的II部的放大剖视图。
图3为示出本发明的电磁波屏蔽材料的另一实施方式的剖视图。
图4为示出应用了在基材上层叠本发明的电磁波屏蔽用镀覆层叠体而成的电磁波屏蔽材料的ECU的第2实施方式的剖视图。
图5为示出应用了在基材上层叠本发明的电磁波屏蔽用镀覆层叠体而成的电磁波屏蔽材料的ECU的第3实施方式的剖视图。
图6为示出应用了在基材上层叠本发明的电磁波屏蔽用镀覆层叠体而成的电磁波屏蔽材料的线束的一实施方式的立体图。
具体实施方式
以下，基于附图，对本发明的一实施方式进行说明。本发明的电磁波屏蔽用镀覆层叠体通过层叠在基材上，从而可以用作电磁波屏蔽材料。本实施方式的电磁波屏蔽材料没有特别限定，可以用于电子设备、与该电子设备连接的线束等。作为电子设备，没有特别限定，可以举出发动机控制单元(ECU)等汽车用电子设备、移动电话、平板电脑那样的移动设备、个人电脑、复印机等办公设备、空调等家电制品等。以下中，以对于汽车用的ECU、使用在基材上层叠本发明的电磁波屏蔽用镀覆层叠体而成的电磁波屏蔽材料的实施方式，对本发明进行说明。
图1为示出应用在基材11上层叠本发明的电磁波屏蔽用镀覆层叠体12而成的电磁波屏蔽材料1(参照图2)作为外层21的ECU2的一实施方式的剖视图。另外，图2为图1的II部的放大剖视图，示出作为外层21的电磁波屏蔽材料1的剖视图。本实施方式的ECU2在外层21的内部具备主体部22和连接器23，主体部22借助连接器23与电线24连接。ECU2的外层21如图2所示那样，通过在基材11上层叠电磁波屏蔽用镀覆层叠体12而形成。
图1所示的ECU2的外层21例如可以如下得到：将在基材11上层叠电磁波屏蔽用镀覆层叠体12而成的电磁波屏蔽材料1成型加工为期望的形状，从而可以得到。或者，也可以如下得到：在预先成型为期望的形状的基材11上，形成电磁波屏蔽用镀覆层叠体12，从而也可以得到。以下，参照图2，对本发明的电磁波屏蔽用镀覆层叠体12和电磁波屏蔽材料1的构成进行说明。
本实施方式的电磁波屏蔽用镀覆层叠体12如图2所示那样，具备：镀钴层121、和形成于镀钴层121上的镀镍层122，镀镍层122的厚度TNi相对于镀钴层121的厚度TCo(单位为μm)和镀镍层122的厚度TNi(单位为μm)的总计之比(TNi/(TCo+TNi))为0.2～0.9，镀镍层122的最表面的(220)面的晶体取向性指数为0.8以上。由此，本实施方式的电磁波屏蔽用镀覆层叠体12在经薄壁化的情况下也变得可以实现优异的电磁波屏蔽性，由此，可以得到：边实现轻量化和体积减少边可以形成电磁波屏蔽性优异者的显著的效果。
＜基材11＞
本实施方式的电磁波屏蔽材料1是在基材11上形成电磁波屏蔽用镀覆层叠体12(镀钴层121和镀镍层122)而成的。需要说明的是，图2所示的例子中，示出了在基材11的两面层叠有电磁波屏蔽用镀覆层叠体12的例子，但作为电磁波屏蔽材料1，只要将电磁波屏蔽用镀覆层叠体12设置于基材11的至少一个面(至少一部分)即可。此时，电磁波屏蔽用镀覆层叠体12可以设置于图1所示的ECU2的内表面侧，也可以设置于ECU2的外表面侧。
作为基材11，没有特别限定，例如可以使用：被称为普通钢的碳钢、以不锈钢为代表的合金钢所形成的钢材、铝系材料、铜系材料、镁系材料、树脂等。它们之中，从相对磁导率高、容易吸收磁通量的方面出发，出于磁场的屏蔽性优异的观点，优选钢材。
需要说明的是，在基材11上设置本实施方式的电磁波屏蔽用镀覆层叠体12的情况下，优选根据基材11的种类而进行去除基材11表面的有机物、氧化物层的前处理。例如，使用碳钢作为基材11的情况下，作为前处理，优选进行利用碱液的电解中的脱脂和酸洗。另外，使用不锈钢作为基材11的情况下，优选在脱脂和酸洗后，在不锈钢上进行冲击镀(例如冲击镀镍)。使用铝系材料作为基材11的情况下，优选利用碱液的浸渍脱脂和除污后，进行锌置换(锌酸盐)。使用铜系材料作为基材11的情况下，优选在脱脂和酸洗后，在铜系材料上进行冲击镀(冲击镀铜)。使用镁系材料作为基材11的情况下，与铝系材料的情况同样地，优选进行锌置换。使用树脂作为基材11的情况下，为了给树脂的表面赋予导电性，优选利用蚀刻使树脂的表面粗糙化后，使钯催化剂吸附在树脂上，进一步将该钯催化剂作为核，利用化学镀镍设置极薄的镍层。或者，也优选利用蒸镀、溅射等手法，在树脂的表面设置极薄的金属层(例如铜层)。需要说明的是，进行锌置换(锌酸盐)时的、由锌置换形成的镀锌层的形成量没有特别限定，形成镀钴层121时，锌会从镀锌层少量溶解，因此优选的是，在形成镀钴层121和镀镍层122后的状态下，优选成为5～500mg/m2的量、更优选成为30～400mg/m2的量。需要说明的是，镀锌层的形成量例如可以通过调整锌酸盐浴中含有的锌离子浓度而进行控制，也可以在进一步进行第二Zn置换镀覆时通过调整第二Zn置换镀覆中的、在锌酸盐浴中的浸渍时间而进行控制。镀锌层的形成量如果过少，则镀锌层、与镀钴层121和镀镍层122的密合性降低，进行弯曲加工等时，有镀钴层121和镀镍层122会剥离的担心。另一方面，镀锌层的形成量如果过多，则有镀钴层121和镀镍层122变得不均匀的担心。
作为钢材，没有特别限定，例如可以使用：低碳铝镇静钢(碳量0.01～0.15重量％)、碳量为0.003重量％以下的极低碳钢、或极低碳钢中添加Ti、Nb等而成的非时效性极低碳钢。
另外，使用不锈钢作为钢材的情况下，作为不锈钢，只要为铬或含有铬和镍的合金钢、且通常铬含量为约10.5％以上的钢就没有特别限定，可以使用马氏体系、铁氧体系、奥氏体系等的不锈钢。
使用钢材作为基材11的情况下，钢材的厚度优选0.025～1.5mm、更优选0.025～1.0mm、进一步优选0.025～0.8mm。特别是，将得到的电磁波屏蔽材料1缠绕于要屏蔽的对象物的用途等中使用时，作为基材11的钢材优选为箔，该箔的厚度优选0.025～0.28mm。另外，将得到的电磁波屏蔽材料1用于要屏蔽的对象物本身、使其自立在其附近而使用时，作为基材11的钢材的厚度优选0.35～1.0mm。通过使钢材的厚度为上述范围，从而可以使得到的电磁波屏蔽材料1的磁场的屏蔽性与电磁波屏蔽材料1的轻量化和体积减少得到更高度的平衡。
本实施方式中，可以使用将这些钢的热轧板酸洗而去除表面的氧化皮(氧化膜)后进行冷轧、接着电解清洗后进行退火、表面光轧而成者、或在前述冷轧、电解清洗后、不进行退火的情况下实施表面光轧而成者作为基材11。
使用铝系材料作为基材11的情况下，作为铝系材料，没有特别限定，可以使用纯铝、JIS标准的1000系、2000系、3000系、5000系、6000系、7000系中的任意铝合金等。
使用铜系材料作为基材11的情况下，作为铜系材料，没有特别限定，除纯铜之外，还可以使用JIS标准的无氧铜、韧铜、磷青铜、黄铜、铜铍系合金(例如铍2％、余量为铜的合金等)、铜银系合金(例如银3～5％、余量为铜的合金等)等铜合金等。
使用镁系材料作为基材11的情况下，作为镁系材料，没有特别限定，可以使用纯镁、添加有JIS标准的铝和锌的合金、例如AZ31、AZ61、AZ91等、以及添加有Li的镁合金等。
使用树脂作为基材11的情况下，作为树脂，没有特别限定，可以使用以聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯为代表的工程塑料等。
＜镀钴层121＞
镀钴层121为成为镀镍层122的基底的层，可以通过在基材11上实施镀镍从而形成。例如，镀钴层121可以如下形成：使用硫酸钴：200～300g/L、氯化钴：50～150g/L、氯化钠：10～50g/L的浴组成的镀钴浴，在pH：2～5、浴温：40～80℃的条件下形成。浴温更优选50～70℃。
实施镀钴时的电流密度优选1～40A/dm2、更优选5～30A/dm2、进一步优选5～20A/dm2。通过使电流密度为上述范围，从而对于得到的镀钴层121，如后述，形成镀镍层122时，变得容易将镀镍层122的最表面的(220)面的晶体取向性指数控制为更高的值。
镀钴层121的厚度TCo如后述，只要以与镀镍层122的厚度TNi的关系进行调整即可，优选0.1～10μm、更优选0.5～5μm、进一步优选0.5～4μm。通过将镀钴层121的厚度TCo控制为上述范围，从而对于得到的电磁波屏蔽材料1，变得可以使电磁波屏蔽性与电磁波屏蔽材料1的轻量化和体积减少更高度地平衡。需要说明的是，镀钴层121的厚度TCo可以如下求出：通过荧光X射线分析测定镀钴量(g/m2)，基于钴的密度(g/m3)，将测得的镀钴量换算为厚度(镀覆量除以密度)，从而可以求出。对于后述的镀镍层122、后述的比较例中形成的各种金属镀层的厚度，也同样地，基于各种金属的密度，将测得的镀覆量换算为厚度，从而可以求出。
＜镀镍层122＞
镀镍层122可以通过在上述镀钴层121上实施镀镍而形成。本实施方式的电磁波屏蔽用镀覆层叠体12中，镀镍层122的最表面的(220)面的晶体取向性指数为0.8以上、优选0.85以上、更优选0.9以上。根据本实施方式，通过将(220)面的晶体取向性指数如上述控制为较高的值，从而可以进一步增大镀镍层122的表面的凹凸，由此，可以使镀镍层122的表面形成电磁波更容易反射的状态。需要说明的是，通常，通过电镀镍形成的镀镍层存在(200)面的晶体优先生长的倾向。与此相对，根据本实施方式，如上述，通过将(220)面的晶体取向性指数控制为较高的值，从而可以抑制容易进行优先取向的(200)面的晶体的生长(可以降低(200)面的晶体取向性指数)，可以使得到的镀镍层122的表面的晶体取向以无规取向(优先取向性变小)。由此，本实施方式的电磁波屏蔽用镀覆层叠体12中，镀镍层122不仅上述镀镍层122的表面的凹凸变得更大，而且晶体间的晶界在厚度方向和水平方向上增加，晶界间处的电磁波的反射损耗和吸收损耗变得显著增加。需要说明的是，(220)面的晶体取向性指数如果过低，则镀镍层122的表面的凹凸变小，反射镀镍层122所产生的电磁波的性能降低，得到的电磁波屏蔽材料1的电磁波屏蔽性会降低。而且，近年来的电子设备由于电磁波的产生量增大，因此，如果在这样的电子设备的周围使用(220)面的晶体取向性指数过低的电磁波屏蔽材料1，则电磁波屏蔽性会变得不充分。特别是，这样的电子设备中，对于发动机控制单元(ECU)等汽车用电子设备，将来，在车辆的自动驾驶等要求精密的控制的用途等中的应用扩大，因此，为了寻求以更高的精度屏蔽成为ECU的故障的原因的电磁波的材料，如果在这样的电子设备的周围使用(220)面的晶体取向性指数过低的电磁波屏蔽材料1，则电磁波屏蔽性会变得不充分。需要说明的是，镀镍层122的最表面的(220)面的晶体取向性指数的上限没有特别，但出于可以进一步改善连续生产的稳定性的观点，优选7.0以下，更优选6.0以下。
镀镍层122的最表面的(220)面的晶体取向性指数可以通过如下的方法而求出。即，可以利用X射线衍射装置测定镀镍层122的各晶面的衍射强度后，使用得到的衍射峰和标准镍粉末的衍射峰，利用Willson和Rogers的方法(“K.S.Willson and J.A.Rogers；Tech.Proceeding Amer.Electroplaters Soc.,51,92(1964)”中记载的方法)，基于下述式(1)而算出。需要说明的是，作为衍射强度的数据，使用CuKα作为X射线源的管球的情况下，可以使用衍射角度(2θ)在30～100°的范围内出现的、(111)面、(200)面、(220)面和(311)面的数据。另外，作为衍射强度的测定，可以使用公知的方法，X射线源除CuKα射线之外，还可以使用CoKα射线等。
(220)面的晶体取向性指数＝IF(220)/IFR(220)···(1)
上述式(1)中，IF(220)为来自(220)面的X射线衍射相对强度，可以根据下述式(2)求出。另外，IFR(220)为无取向性的标准镍粉末的X射线衍射相对强度(JCPDS卡No.01-078-7533记载)，可以根据下述式(3)而求出。
IF(220)＝I(220)/[I(111)+I(200)+I(220)+I(311)+I(222)]···(2)
IFR(220)＝IR(220)/[IR(111)+IR(200)+IR(220)+IR(311)+IR(222)]···(3)
上述式(2)中，I(hkl)为来自(hkl)面的X射线衍射强度。另外，上述式(3)中，IR(hkl)为上述标准镍粉末的JCPDS卡中记载的来自(hkl)面的X射线衍射强度。
作为将镀镍层122的最表面的(220)面的晶体取向性指数控制为上述范围的方法，没有特别限定，例如可以举出如下方法：方法(1)，将形成成为镀镍层122的基底的镀钴层121时的镀钴的电流密度控制为上述范围，使得镀钴层121的晶体状态成为镀镍层122的(220)面的晶体容易生长的状态；方法(2)，将由镀镍形成镀镍层122时的电流密度控制为后述的范围，使镀镍层122的(220)面的晶体生长；等。另外，这些(1)的方法和(2)的方法可以组合而使用。
即，根据上述(1)的方法，通过将形成镀钴层121时的镀钴的电流密度控制为上述范围，从而形成于该镀钴层121上的镀镍层122的最表面的(220)面的晶体变得容易生长，可以将(220)面的晶体取向性指数控制为较高的值。
另外，根据上述(2)的方法，将由镀镍形成镀镍层122时的电流密度控制为后述的范围，具体而言，将电流密度控制为较低的值，从而可以抑制通常容易优先取向的(200)面的晶体的生长，可以促进(220)面的晶体的生长，由此，可以将(220)面的晶体取向性指数控制为较高的值。
作为形成镀镍层122的方法，没有特别限定，可以利用瓦特浴、氨基磺酸浴、氟化硼浴、氯化物浴等通常使用的镀镍浴，在pH1.5～5.0、浴温40～80℃的条件下形成。作为镀镍浴，例如可以使用浴组成为硫酸镍200～350g/L、氯化镍20～60g/L、硼酸10～50g/L的瓦特浴。另外，镀浴中可以含有所谓半光泽剂、光泽剂。但是，添加包含硫的光泽剂的情况下，镀镍层12容易变得极端平滑，有无法得到电磁波屏蔽性改善的效果的担心，因此，优选不添加包含硫的光泽剂，另外，镀镍层122中的硫含有率优选0.1重量％以下。
实施镀镍时的电流密度优选电流密度1～40A/dm2、更优选5～30A/dm2、进一步优选5～20A/dm2。考虑连续生产率的情况下，优选10A/dm2以上。通过使电流密度为上述范围，从而变得可以更适当地控制镀镍层122的晶体取向。
镀镍层122的厚度TNi以与镀钴层121的厚度TCo的关系而进行调整即可。具体而言，本实施方式的电磁波屏蔽用镀覆层叠体12中，镀镍层122的厚度TNi相对于镀钴层121的厚度TCo和镀镍层122的厚度TNi的总计之比(TNi/(TCo+TNi))只要为0.2～0.9即可，优选0.4～0.9、更优选0.5～0.9。通过将厚度之比控制为上述范围，从而在镀钴层121内和镀镍层122内电磁波反射而电磁波衰减有效地发挥作用，由此，可以显著地改善得到的电磁波屏蔽材料1的电磁波屏蔽性。另外，对于(220)面的晶体取向性指数被控制为上述范围的镀镍层122的厚度TNi，将与镀钴层121的厚度TCo之比控制为上述范围，从而变得可以增大镀镍层122内的电磁波的吸收损耗和反射损耗。此外，由于这样的吸收损耗和反射损耗的增大而衰减的电磁波进一步在镀钴层121与镀镍层122的层间发生多重反射，且在镀钴层121内被吸收，从而可以使电磁波更显著地衰减。此外，根据本实施方式，通过由上述金属的组合、即、钴(镀钴层121)与镍(镀镍层122)的组合构成电磁波屏蔽用镀覆层叠体12，从而与由其他金属的组合所形成的以往的电磁波屏蔽材料相比，上述使电磁波衰减的作用变得更显著。
需要说明的是，镀镍层122本身的厚度TNi只要与镀钴层121的厚度TCo的关系成为上述关系就没有特别限定，优选0.1～10μm、更优选0.5～5μm、进一步优选1.0～4.5μm。通过将镀镍层122的厚度TNi控制为上述范围，从而变得可以使得到的电磁波屏蔽材料1的电磁波屏蔽性、与电磁波屏蔽材料1的轻量化和体积减少更高度地平衡。另外，镀钴层121与镀镍层122的总计的厚度(TCo+TNi)优选0.2～20μm、更优选1.0～10μm、进一步优选2.0～8.0μm。
如以上，构成本实施方式的电磁波屏蔽用镀覆层叠体12和电磁波屏蔽材料1。
本实施方式的电磁波屏蔽用镀覆层叠体12是将上述特定的镀钴层121和镀镍层122层叠而成的，因此，在薄壁化的情况下(例如通过使基材11薄壁化，从而使电磁波屏蔽用镀覆层叠体整体的厚度薄壁化的情况、减少基材11上的全部镀层的厚度的总计值而薄壁化的情况)，也变得可以实现优异的电磁波屏蔽性，可以得到：边实现轻量化和体积减少边使电磁波屏蔽性优异的显著的效果。特别是，本实施方式的电磁波屏蔽用镀覆层叠体12中，通过将镀镍层122的表面处的(220)面的晶体取向性指数如上述控制为较高的值，从而可以进一步增大镀镍层122的表面的凹凸，由此，可以使镀镍层122的表面形成电磁波更容易反射的状态。需要说明的是，通常，通过镀镍形成的镀镍层有(200)面的晶体优先生长的倾向。与此相对，根据本实施方式，通过将镀镍层122的(220)面的晶体取向性指数控制为较高的值，从而可以抑制容易优先取向的(200)面的晶体的生长(可以降低(200)面的晶体取向性指数)，可以使得到的镀镍层122的表面的晶体取向无规地取向。由此，本实施方式的电磁波屏蔽用镀覆层叠体12中，镀镍层122的晶体间的晶界在厚度方向和水平方向上增加，晶界间的电磁波的反射损耗和吸收损耗显著增加，变得可以显著改善得到的电磁波屏蔽材料1的电磁波屏蔽性。进一步，本实施方式的电磁波屏蔽用镀覆层叠体12中，通过形成镀钴层121和镀镍层122使其成为特定的厚度比，从而可以增大镀镍层122内的电磁波的吸收损耗和反射损耗，此外，由于这样的吸收损耗和反射损耗的增大而衰减的电磁波进一步在镀钴层121与镀镍层122的层间进行多重反射，且在镀钴层121内被吸收，从而可以使电磁波进一步衰减，变得可以显著改善得到的电磁波屏蔽材料1的电磁波屏蔽性。
此外，本实施方式的电磁波屏蔽用镀覆层叠体12与以往用作电磁波屏蔽材料的铜板或铜箔相比，更容易吸收磁通量，磁场的屏蔽性优异。而且，将本实施方式的电磁波屏蔽用镀覆层叠体12层叠于钢板上而成的电磁波屏蔽材料1由于将相对磁导率高的铁用于基材，因此，与由钴和镍形成的各层(镀钴层121和镀镍层122)所产生的上述效果相辅地，可以体现进一步高的电磁波屏蔽性。
因此，本实施方式的电磁波屏蔽用镀覆层叠体12的电磁波屏蔽性显著优异，因此，适合作为电磁波的产生量大的电子设备、例如发动机控制单元(ECU)等汽车用电子设备、移动电话、平板电脑那样的移动设备、个人电脑、复印机等办公设备、空调等家电制品等电子设备、连接于该电子设备的线束等的周围使用的电磁波屏蔽材料。而且，本实施方式的电磁波屏蔽用镀覆层叠体12如上述，薄壁化的情况下，也可以实现优异的电磁波屏蔽性，可以实现轻量化和体积减少，因此，与以往的铜板或铜箔所形成的电磁波屏蔽材料相比，能以更小的体积(更少的构件)实现屏蔽，变得可以使ECU等中使用的半导体的载置密度更高。
需要说明的是，上述图1、2所示的例子中，示出了在基材11的两面层叠了电磁波屏蔽用镀覆层叠体12的例子，但作为电磁波屏蔽材料1，可以将电磁波屏蔽用镀覆层叠体12仅设置于基材11的一个面(图1所示的ECU2的内表面侧或外表面侧)。此时，在基材11上的未层叠电磁波屏蔽用镀覆层叠体12的面，如图3所示那样，可以设置用于对电磁波屏蔽材料1赋予特定的功能的功能层13。作为功能层13，没有特别限定，可以举出：用于改善导电性的镍层等导电层、用于改善焊接性和焊料接合性的锡层、用于改善耐腐蚀性的锌层、锡层等镀层、用于赋予绝缘性的薄膜、涂膜所形成的树脂层、用于改善加工性、强度的镀层、薄膜所形成的保护层、用于改善散热性的黑色覆膜等。
以往使用了镀铜膜的电磁波屏蔽材料在近年来电磁波产生量增大的电子设备的周围使用的情况下，存在电磁波屏蔽性不充分的问题。如果增大镀铜膜的厚度，则虽然电磁波屏蔽性得到改善，但是存在随着厚度的增大而镀铜膜的重量会增大的问题，进一步铜的密度高，厚度的增加容易直接联系到重量的增大，特别是存在无法用于要求轻量化、体积减少的电子设备的问题。与此相对，本实施方式的电磁波屏蔽材料1中，即使将镀钴层121的厚度TCo、镀镍层122的厚度TNi如上述范围控制为较薄的范围，也可以得到充分的电磁波屏蔽性，可以实现电磁波屏蔽性优异的电磁波屏蔽材料1。
另外，以往使用了铜箔的电磁波屏蔽材料在近年来电磁波产生量增大的电子设备的周围也使用的情况下，存在电磁波屏蔽性不充分的问题。如果增大铜箔厚度，则虽然电磁波屏蔽性得到改善，但是存在随着厚度的增大而箔的重量会增大的问题，进一步铜的密度高，厚度的增加容易直接联系到重量的增大，特别是存在无法用于要求轻量化、体积减少的电子设备的问题。与此相对，本申请发明人等发现：特别是在钢材上依次层叠本申请的镀钴层和镀镍层，从而对于总厚度比其还厚的铜箔，可以得到电磁波屏蔽性优异的电磁波屏蔽材料。亦即，发现如下构成：通过薄壁化，从而能实现轻量化/体积减少，且即使薄壁化也可以具有充分的电磁波屏蔽性。
特别是，电子设备中，对于发动机控制单元(ECU)等汽车用电子设备使用的情况下，将来，在车辆的自动驾驶等要求精密的控制的用途等中的应用扩大，因此，寻求以更高的精度屏蔽成为ECU的故障原因的电磁波的材料。进而，为了实现汽车的轻量化，还要求这样的汽车用电子设备中使用的电磁波屏蔽材料的轻量化、体积减少。与此相对，本实施方式的电磁波屏蔽材料1即使薄壁化也可以具有充分的电磁波屏蔽性，因此，即使减薄电磁波屏蔽材料1的基材11的厚度、镀镍层122和镀钴层121的厚度而实现轻量化和体积减少，也可以使电磁波屏蔽材料1的电磁波屏蔽性优异。使用钢材作为本实施方式的电磁波屏蔽材料1的基材的情况下，钢材为相对磁导率高、且容易吸收磁通量的材料，因此，即使减薄电磁波屏蔽材料1的基材的厚度、镀镍层122的厚度TNi而实现轻量化和体积减少，也可以使电磁波屏蔽材料1的电磁波屏蔽性优异。另外发现：使用钢材作为基材11的情况下，钢材的相对磁导率高、且容易吸收磁通量，而且与本实施方式的镀镍层122和镀钴层121组合，从而可以显著地改善电磁波屏蔽。
另外，上述图1所示的例子中，外层21(电磁波屏蔽材料1)示出了以覆盖ECU2的主体部22和连接器23的方式成型的例子，但电磁波屏蔽材料1的形态不限定于这样的例子，例如，如图4所示的ECU2a的外层21a那样，以不仅可以覆盖ECU2的主体部22和连接器23，还可以覆盖至连接器23与电线24的连接部分的方式进行成型。此时，外层21a优选以追随连接器23、电线24的形状的方式，由加工性优异的材料形成构成外层21a的基材(构成本实施方式的电磁波屏蔽材料1的基材11)。另外，电磁波屏蔽材料1的形态可以如图5所示的ECU2b的外层21b那样，以覆盖主体部22的一部分的方式进行成型，或者也可以在主体部22上设置成型为壁状的电磁波屏蔽材料1。
另外，将本实施方式的电磁波屏蔽材料1用于线束的情况下，例如，如图6所示那样，以绝缘层33覆盖电线31而成的线束3中，作为覆盖电线31的电磁波屏蔽层32，可以使用电磁波屏蔽材料1。如此，将电磁波屏蔽材料1缠绕于要屏蔽的对象物而使用的情况下，作为构成电磁波屏蔽材料1的基材11，优选为箔状态者(例如使用钢材的情况下，厚度处于上述范围者)。
实施例
以下列举实施例，对本发明更具体地进行说明，但本发明不限定于这些实施例。需要说明的是，各特性的评价方法如以下所述。
＜镀镍层的晶体取向性指数＞
对于电磁波屏蔽材料，利用X射线衍射装置(Rigaku Corporation制、型号：RINT-2500)，使用CuKα作为X射线源，根据上述方法，求出镀镍层的表面的(220)面的晶体取向性指数。同样地，还求出(200)面的晶体取向性指数。
＜电磁波屏蔽性＞
对于电磁波屏蔽材料，通过KEC法(基于关西电子工业振兴中心的电磁波屏蔽特性测定法)，在形成有电磁波屏蔽用镀覆层叠体(镀镍层和镀钴层)的面朝向电磁波的发生源的状态下，分别测定测定频率10MHz、100MHz、和1GHz下的电场(电磁波)的屏蔽性(单位为dB)和磁场(磁通量)的屏蔽性(单位为dB)。需要说明的是，通过KEC法测定的屏蔽性以表示屏蔽电磁波和磁通量的程度的值测定，屏蔽性如果为40dB，则表示能屏蔽99％以上的电磁波(或磁通量)，如果为60dB，则表示能屏蔽99.9％以上的电磁波(或磁通量)，如果为80dB，则表示能屏蔽99.99％以上的电磁波(或磁通量)。
《实施例1》
首先，作为基材，准备将低碳铝镇静钢的冷轧板(厚度0.05mm)退火而得到的钢板(钢材)。
然后，对于准备好的钢板，进行碱电解脱脂、硫酸浸渍的酸洗后，在下述条件下，进行电镀，在钢板的一个面，形成厚度1.0μm的电镀钴层(以后，记作镀钴层)。需要说明的是，镀钴层的厚度如下求出：通过荧光X射线分析测定镀钴量，基于钴的密度，将测得的镀钴量换算为厚度，从而求出。对于后述的镀镍层、镀铜层、和镀锌层的厚度，也同样地，基于各种金属的密度，将测得的镀覆量换算为厚度，从而求出。
镀钴浴组成：硫酸钴250g/L、氯化钴90g/L、硼酸30g/L、氯化钠20g/L
pH：3.5～5.0
浴温：60℃
电流密度：10A/dm2
接着，对于形成有镀钴层的钢板，在下述条件下进行电镀，在镀钴层上形成厚度4.0μm的电镀镍层(以后，记作镀镍层)，从而得到在钢板的一个面依次形成镀钴层和镀镍层而成的电磁波屏蔽材料(制作好的电磁波屏蔽材料的镀钴和镀镍仅对钢板的单面实施。)。
镀镍浴组成：硫酸镍250g/L、氯化镍45g/L、硼酸30g/L
pH：3.5～5.0
浴温：60℃
电流密度：1A/dm2
然后，对于得到的电磁波屏蔽材料，依据上述方法，进行镀镍层的晶体取向性指数、和电磁波屏蔽性的测定。将结果示于表1。需要说明的是，表1中，将直接形成于钢板上的层(实施例1中，为镀钴层)作为第1层，将形成于该第1层上的层(实施例1中，为镀镍层)作为第2层，记载第1层和第2层的形成条件和厚度。另外，表1中，基于作为第1层形成的镀钴层的厚度TCo、和作为第2层形成的镀镍层的厚度TNi，求出TNi相对于TCo和TNi的总计之比(TNi/(TCo+TNi))，示出其结果。另外，对于实施例1的电磁波屏蔽材料，不仅求出镀镍层的(220)面和(200)面的晶体取向性指数，还求出(111)面的晶体取向性指数。实施例1的电磁波屏蔽材料的(111)面的晶体取向性指数为0.365。
《实施例2～9》
分别如表1所示那样变更形成镀钴层时的电镀的电流密度、镀钴层的厚度、形成镀镍层时的电镀的电流密度、和镀镍层的厚度，除此之外，与实施例1同样地得到电磁波屏蔽材料，同样地进行评价。将结果示于表1。
《比较例1～4》
分别如表1所示那样变更形成镀钴层时的电镀的电流密度、镀钴层的厚度、形成镀镍层时的电镀的电流密度、和镀镍层的厚度，除此之外，与实施例1同样地得到电磁波屏蔽材料，同样地进行评价。将结果示于表1。
《比较例5》
在钢板上，首先，使用上述镀镍浴，在pH：3.5～5.0、浴温：60℃、电流密度：10A/dm2的条件下，形成厚度1.0μm的镀镍层后，在镀镍层上，使用上述镀钴浴，在pH：3.5～5.0、浴温：60℃、电流密度：10A/dm2的条件下，形成厚度4.0μm的镀钴层，除此之外，与实施例1同样地得到电磁波屏蔽材料，同样地进行评价。将结果示于表1。
《比较例6》
分别如表1所示那样变更镀镍层的厚度、和镀钴层的厚度，除此之外，与比较例5同样地得到电磁波屏蔽材料，同样地进行评价。将结果示于表1。
《比较例7》
对于钢板，进行碱电解脱脂、硫酸浸渍的酸洗后，在下述条件下进行电镀，在钢板的一个面形成厚度2.5μm的镀铜层后，在该镀铜层上，使用上述镀镍浴，在pH：3.5～5.0、浴温：60℃、电流密度：10A/dm2的条件下，形成厚度2.5μm的镀镍层，除此之外，与实施例1同样地得到电磁波屏蔽材料，同样地进行评价。将结果示于表1。需要说明的是，表1中，记载基于作为第1层的镀铜层的厚度TCu、和作为第2层的镀镍层的厚度TNi的TNi/(TCu+TNi)的值代替TNi/(TCo+TNi)的值。
镀铜浴组成：硫酸铜：200g/L、盐酸：45g/L
pH：0.5～2.5
浴温：35℃
电流密度：10A/dm2
《比较例8》
在钢板上，首先，使用上述镀镍浴，在pH：3.5～5.0、浴温：60℃、电流密度：10A/dm2的条件下，形成厚度2.5μm的镀镍层后，在镀镍层上，使用上述镀铜浴，在pH：0.5～2.5、浴温：35℃、电流密度：10A/dm2的条件下，形成厚度2.5μm的镀铜层，除此之外，与比较例7同样地，得到电磁波屏蔽材料，同样地进行评价。将结果示于表1。
《比较例9》
在钢板上，首先，使用上述镀镍浴，在pH：3.5～5.0、浴温：60℃、电流密度：10A/dm2的条件下，形成厚度2.5μm的镀镍层后，在下述条件下，进行电镀，在镀镍层上形成厚度2.5μm的镀锌层，除此之外，与实施例1同样地得到电磁波屏蔽材料，同样地进行评价。将结果示于表1。
镀锌浴组成：硫酸锌：250g/L、硫酸钠：60g/L
pH：0.5～3.0
浴温：40℃
电流密度：10A/dm2
《比较例10》
在钢板上，使用上述镀镍浴，在pH：3.5～5.0、浴温：60℃、电流密度：10A/dm2的条件下，仅形成厚度5.0μm的镀镍层，除此之外，与实施例1同样地得到电磁波屏蔽材料，同样地进行评价。将结果示于表1。
《比较例11》
将镀铜层的厚度变更为5.0μm，在镀铜层上不形成镀镍层，除此之外，与比较例7同样地，得到电磁波屏蔽材料，进行电磁波屏蔽性的评价。将结果示于表1。
《比较例12》
在钢板上，使用上述镀锌浴，在pH：0.5～3.0、浴温：40℃、电流密度：10A/dm2的条件下，仅形成厚度5.0μm的镀锌层，除此之外，与比较例9同样地，得到电磁波屏蔽材料，进行电磁波屏蔽性的评价。将结果示于表1。
《比较例13、14》
如表1所示那样变更形成镀镍层时的电镀的电流密度，除此之外，与比较例10同样地，得到电磁波屏蔽材料，同样地进行评价。将结果示于表1。需要说明的是，对于比较例14的电磁波屏蔽材料，与实施例1同样地，还求出(111)面的晶体取向性指数。比较例14的电磁波屏蔽材料的(111)面的晶体取向性指数为0.929，与实施例1的电磁波屏蔽材料的(111)面的晶体取向性指数即0.365相比，为高的值。
《比较例15》
对于实施例1中准备的钢板，不形成镀层，依据上述方法，进行电磁波屏蔽性的评价。将结果示于表1。
《比较例16》
作为基材，准备无氧铜(C1020)的铜板(厚度0.1mm)。然后，对于准备好的铜板，依据上述方法，进行电磁波屏蔽性的评价。将结果示于表1。
《参考例》
在钢板上，使用上述镀钴浴，在pH：3.5～5.0、浴温：60℃、电流密度：10A/dm2的条件下，仅形成厚度5.0μm的镀钴层，除此之外，与实施例1同样地得到电磁波屏蔽材料，进行电磁波屏蔽性的评价。将结果示于表1。
[表1]
Figure BDA0002607484510000191
如表1所示那样，对于依次形成镀钴层和镀镍层、镀镍层的厚度TNi相对于镀钴层的厚度TCo和镀镍层的厚度TNi的总计之比(TNi/(TCo+TNi))为0.2～0.9、且镀镍层的最表面的(220)面的晶体取向性指数为0.8以上的电磁波屏蔽材料，测定频率100MHz下的电场的屏蔽性为90dB以上，且测定频率100MHz下的磁场的屏蔽性为80dB以上，确认了电磁波屏蔽性优异(实施例1～9)。特别是，实施例1～9的电磁波屏蔽材料与以往的铜板所形成的电磁波屏蔽材料(比较例16)相比，为如下结构：虽然将基材薄壁化而实现轻量化，但是电磁波屏蔽性优异。
另一方面，如表1所示那样，对于即使在镀钴层上形成镀镍层、镀镍层的最表面的(220)面的晶体取向性指数也小的电磁波屏蔽材料，测定频率100MHz下的电场的屏蔽性、或测定频率100MHz下的磁场的屏蔽性的测定值低，确认了电磁波屏蔽性差(比较例1～3)。另外，在镀钴层上形成镀镍层，而且镀镍层的最表面的(220)面的晶体取向性指数为0.8以上、这些层的厚度之比(TNi/(TCo+TNi))过小的电磁波屏蔽材料也同样地确认了电磁波屏蔽性差(比较例4)。进而，未依次形成镀钴层和镀镍层的电磁波屏蔽材料也同样地确认了电磁波屏蔽性差(比较例5～15)。
另外，铜板所形成的电磁波屏蔽材料同样地也确认了电磁波屏蔽性差(比较例16)。
需要说明的是，在钢材上仅形成有厚度5.0μm的镀钴层的参考例的电磁波屏蔽材料的测定频率100MHz下的电场的屏蔽性、和测定频率100MHz下的磁场的屏蔽性的测定值为高的值。然而，参考例的电磁波屏蔽材料虽然电磁波屏蔽性优异，但是最表面与镀镍层相比为容易氧化的镀钴层，因此，随着经时而镀钴层氧化会黑变，难以得到均匀的电磁波屏蔽性。而且，参考例的电磁波屏蔽材料的镀钴层的厚度大(价格比镍贵好几倍的钴的用量多)，因此，与实施例1～9的电磁波屏蔽材料相比，成本上是不利的。
《实施例10》
准备将低碳铝镇静钢的冷轧板(厚度0.25mm)退火而得到的钢板(钢材)。然后，使用准备好的厚度0.25mm的钢板，除此之外，与实施例3同样地，得到在钢板的一个面依次形成镀钴层和镀镍层而成的电磁波屏蔽材料，同样地进行评价。将结果示于表2。
《实施例11》
准备厚度0.25mm的铝板(A1100-0)。然后，对于准备好的铝板，进行碱电解脱脂、硫酸浸渍的酸洗后，在下述条件下，使其浸渍于下述浴组成的锌酸盐浴中，从而进行锌酸盐处理(第一Zn置换镀覆处理)。
锌酸盐浴组成：氢氧化钠150g/L、罗谢耳盐50g/L、氧化锌25g/L、氯化亚铁1.5g/L
浴温：常温(23℃)
处理时间：几秒～10秒
然后，使用进行了锌酸盐处理的厚度0.25mm的铝板，除此之外，与实施例3同样地，得到在铝板的一个面依次形成镀钴层和镀镍层而成的电磁波屏蔽材料，同样地进行评价。将结果示于表2。
《实施例12》
准备厚度0.25mm的不锈钢板(SUS304)。然后，对于准备好的不锈钢板，进行碱电解脱脂、硫酸浸渍的酸洗后，用下述浴组成的冲击镀镍浴，在下述条件下，进行电解(冲击镀镍)。
冲击镀镍浴组成：硫酸镍250g/L、硫酸50g/L
pH：1.0以下
浴温：60℃
电流密度：30A/dm2
镀覆时间：5秒
然后，使用进行了冲击镀镍的厚度0.25mm的不锈钢板，除此之外，与实施例3同样地，得到在不锈钢板的一个面依次形成镀钴层和镀镍层而成的电磁波屏蔽材料，同样地进行评价。将结果示于表2。
《比较例17》
对于实施例10中准备好的厚度0.25mm的钢板，不形成镀层，依据上述方法，进行电磁波屏蔽性的评价。将结果示于表2。
《比较例18》
对于实施例11中准备好的厚度0.25mm的铝板，不形成镀层，依据上述方法，进行电磁波屏蔽性的评价。将结果示于表2。
《比较例19》
对于实施例12中准备好的厚度0.25mm的不锈钢板，不形成镀层，依据上述方法，进行电磁波屏蔽性的评价。将结果示于表2。
《比较例20》
作为基材，准备无氧铜(C1100)的铜板(厚度0.25mm)。然后，对于准备好的铜板，依据上述方法，进行电磁波屏蔽性的评价。将结果示于表2。
[表2]
Figure BDA0002607484510000231
如表2所示那样，可以确认即使使用厚度0.25mm的钢板、铝板和不锈钢板作为基材的情况下，通过形成本发明规定的镀钴层和镀镍层，与不形成它们的情况、铜板(厚度均为0.25mm)相比，可以使测定频率100MHz下的电场的屏蔽性、和测定频率100MHz下的磁场的屏蔽性优异(实施例10～12、比较例17～19)。
附图标记说明
1…电磁波屏蔽材料
11…基材
12…电磁波屏蔽用镀覆层叠体
121…镀钴层
122…镀镍层
13…功能层
2…ECU
21、21a、21b…外层
22…主体部
23…连接器
24…电线
3…线束
31…电线
32…电磁波屏蔽层
33…绝缘层

Claims (7)

1.一种电磁波屏蔽用镀覆层叠体，其具备：
镀钴层、和
形成于所述镀钴层上的镀镍层，
所述镀镍层的厚度TNi相对于所述镀钴层的厚度TCo和所述镀镍层的厚度TNi的总计之比即TNi/(TCo+TNi)为0.2～0.9，
所述镀镍层的最表面的(220)面的晶体取向性指数为0.8以上。
2.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽用镀覆层叠体，其中，所述镀钴层的厚度为0.1～10μm。
3.根据权利要求1或2所述的电磁波屏蔽用镀覆层叠体，其中，所述镀镍层的厚度为0.1～10μm。
4.一种电磁波屏蔽材料，其为具备权利要求1～3中任一项所述的电磁波屏蔽用镀覆层叠体的电磁波屏蔽材料，
所述电磁波屏蔽材料是在基材上依次形成所述镀钴层和所述镀镍层而成的。
5.根据权利要求4所述的电磁波屏蔽材料，其中，所述基材为钢材。
6.根据权利要求5所述的电磁波屏蔽材料，其中，所述钢材的厚度为0.025～1.5mm。
7.一种电磁波屏蔽材料的制造方法，其具备如下工序：
在基材上的至少一部分形成镀钴层的工序；和，
在所述镀钴层上形成镀镍层的工序，
形成所述镀钴层和所述镀镍层，使得所述镀镍层的厚度TNi相对于所述镀钴层的厚度TCo和所述镀镍层的厚度TNi的总计之比即TNi/(TCo+TNi)成为0.2～0.9，
形成所述镀镍层，使得所述镀镍层的最表面的(220)面的晶体取向性指数成为0.8以上。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005350761A (ja) * 2004-04-19 2005-12-22 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 非水電解液二次電池の負極集電体用の複合箔及びその製造方法、並びに該複合箔を用いた負極集電体、非水電解液二次電池用電極及び非水電解液二次電池
CN1922947A (zh) * 2004-02-17 2007-02-28 日矿金属株式会社 具有黑化处理表面或层的铜箔

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1922947A (zh) * 2004-02-17 2007-02-28 日矿金属株式会社 具有黑化处理表面或层的铜箔
JP2005350761A (ja) * 2004-04-19 2005-12-22 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 非水電解液二次電池の負極集電体用の複合箔及びその製造方法、並びに該複合箔を用いた負極集電体、非水電解液二次電池用電極及び非水電解液二次電池

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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张忠伦: "《室内电磁辐射indoor污染控制与防护技术》", 30 September 2016 *

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