CN111653521A - 一种oled显示结构及制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 176
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 176
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000032005 Spinocerebellar ataxia with axonal neuropathy type 2 Diseases 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 208000033361 autosomal recessive with axonal neuropathy 2 spinocerebellar ataxia Diseases 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- ZBFOLPMOGPIUGP-UHFFFAOYSA-N dizinc;oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zn+2].[Zn+2] ZBFOLPMOGPIUGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明公开一种OLED显示结构及制作方法，其中制作方法包括如下步骤：在基板上的一侧制作栅极金属，在基板上的另一侧制作触控电极；制作第一绝缘层，并在触控电极区域上的第一绝缘层上制作连通触控电极的孔；制作半导体层；沉积第二金属层并蚀刻，在半导体层上形成源极金属和漏极金属，在触控电极区域上形成触控信号线，触控信号线通过第一绝缘层上的孔与触控电极连接；制作像素膜层。上述技术方案在以不增加制程和光罩数的前提下，同时制作触控电极与栅极金属、同时制作源漏极金属与触控信号线，能够有效地降低触控电极的电阻，提高了触控的精确度和灵敏度。
Description
技术领域
本发明涉及OLED技术领域,尤其涉及一种OLED显示结构及制作方法。
背景技术
目前触控技术主要分为On-Cell技术和In-Cell技术，其中In-cell是指将触摸面板功能嵌入到Array基板上。采用In-Cell技术的屏幕具有产品更轻，厚度更低，透光性更好，减少屏幕贴合的时间，提高了生产效率的优点。但是由于技术的限制，目前的采用In-Cell技术的显示面板主要是TFT-LCD 显示面板。AMOLED作为一个热门的先进显示技术，将In-Cell嵌入到AMOLED 的面板上从而降低产品的厚度具有很大的研究价值。
OLED是先在玻璃基板上进行曝光蚀刻后含有许多TFT和像素膜层的基板，然后在采用蒸镀技术，将RGB发光材料和阴极电极蒸镀到上述TFT基板上。由于蒸镀的FMM的精度限制，我们难以将AMOLED面板像TFT-LCD一样，将阴极分割成多块后与底层的信号线打洞相连，导致显示面板的厚度无法有效的减薄。
发明内容
为此，需要提供一种OLED显示结构及制作方法，解决显示面板的厚度过大的问题。
为实现上述目的，发明人提供了一种OLED显示结构制作方法，包括如下步骤：
沉积第一金属层并蚀刻，在基板上的一侧形成栅极金属，在基板上的另一侧形成触控电极；
制作第一绝缘层，并在触控电极区域上的第一绝缘层上制作连通触控电极的孔；
制作半导体层，半导体层位于栅极金属区域上方；
沉积第二金属层并蚀刻，在半导体层上形成源极金属和漏极金属，在触控电极区域上形成触控信号线，触控信号线通过第一绝缘层上的孔与触控电极连接；
制作像素膜层，像素膜层与源极金属或者漏极金属连接，像素膜层、源极金属、漏极金属、触控信号线、半导体层、第一绝缘层、触控电极和栅极金属组成子像素。
进一步地，子像素为多个，多个的子像素按行列排列，组成触控区块；
每个触控区块中位于同一行的子像素的触控电极通过触控电极连线相连接，每个触控区块中位于同一列的子像素的触控信号线互相连接。
进一步地，所述触控区块为多个，一个触控区块中的触控信号线向该触控区块的一侧延伸并穿过同一列其他的触控区块且与其他触控区块的触控电极间隔有所述第一绝缘层，延伸的触控信号线用于连接外部器件，相邻行的触控区块延伸的触控信号线间隔一个子像素或者多个子像素。
进一步地，一个触控区块中的触控信号线还向该触控区块的另一侧延伸并穿过同一列其他的触控区块且与其他触控区块的触控电极间隔有所述第一绝缘层。
进一步地，像素膜层的制作包括如下步骤：
制作第二绝缘层，在源极金属区域的第二绝缘层上制作连通源极金属的过孔或者在漏极金属区域的第二绝缘层上制作连通漏极金属的过孔；
制作有机平坦层，并在有机平坦层上位于第二绝缘层上的过孔处蚀刻出过孔，有机平坦层上的过孔的底部为源极金属或者漏极金属；
制作阳极，阳极通过有机平坦层上的过孔连接源极金属或者漏极金属；
制作第三绝缘层，并在第三绝缘层上制作连通阳极的过孔；
在第三绝缘层上连通阳极的过孔处制作OLED发光层；
制作阴极，阴极覆盖OLED发光层。
发明人提供一种OLED显示结构，包括：
在基板上的一侧设置有栅极金属，在基板上的另一侧设置有触控电极；
在栅极金属和触控电极上设置有第一绝缘层，在触控电极区域上的第一绝缘层上设置有连通触控电极的孔；
在栅极金属区域上的第一绝缘层上设置有半导体层；
在半导体层上设置有源极金属和漏极金属，在触控电极区域上设置有触控信号线，触控信号线通过第一绝缘层上的孔与触控电极连接；
在第二金属层和触控信号线上设置有像素膜层，像素膜层与源极金属或者漏极金属连接，像素膜层、源极金属、漏极金属、触控信号线、半导体层、第一绝缘层、触控电极和栅极金属组成子像素。
进一步地，子像素为多个，多个的子像素按行列排列，组成触控区块；
每个触控区块中位于同一行的子像素的触控电极通过触控电极连线相连接，每个触控区块中位于同一列的子像素的触控信号线互相连接。
进一步地，所述触控区块为多个，一个触控区块中的触控信号线向该触控区块的一侧延伸并穿过同一列其他的触控区块且与其他触控区块的触控电极间隔有所述第一绝缘层，延伸的触控信号线用于连接外部器件，相邻行的触控区块延伸的触控信号线间隔一个子像素或者多个子像素。
进一步地，一个触控区块中的触控信号线还向该触控区块的另一侧延伸并穿过同一列其他的触控区块且与其他触控区块的触控电极间隔有所述第一绝缘层。
进一步地，所述像素膜层包括：
在源极金属、漏极金属上设置有第二绝缘层；
在第二绝缘层上设置有有机平坦层，有机平坦层上设置有孔，孔贯穿有机平坦层与第二绝缘层，有机平坦层上的过孔的底部为源极金属或者漏极金属；
在有机平坦层上的过孔处设置有阳极，阳极连接源极金属或者漏极金属；
在阳极上设置有第三绝缘层，第三绝缘层上设置有连通阳极的过孔；
在第三绝缘层上连通阳极的过孔处设置有OLED发光层；
在OLED发光层上设置有阴极。
区别于现有技术，上述技术方案在以不增加制程和光罩数的前提下，同时制作触控电极与TFT的栅极金属、同时制作源漏极金属与触控信号线，能够有效地降低触控电极的电阻，提高了触控的精确度和灵敏度。同时，还能够将触控模组内嵌入显示结构中，进一步降低显示结构的厚度，使其应用前景更加广阔。
附图说明
图1为本实施例在基板上制作栅极金属和触控电极的剖面结构示意图；
图2为本实施例在基板上制作第一绝缘层和孔的剖面结构示意图；
图3为本实施例在基板上制作半导体层的剖面结构示意图；
图4为本实施例在基板上制作第二金属层和触控信号线的剖面结构示意图；
图5为本实施例在基板上制作第二绝缘层的剖面结构示意图；
图6为本实施例在基板上制作有机平坦层的剖面结构示意图；
图7为本实施例在基板上制作阳极的剖面结构示意图；
图8为本实施例在基板上制作第三绝缘层的剖面结构示意图；
图9为本实施例在基板上制作OLED发光层的剖面结构示意图；
图10为本实施例在基板上制作阴极的剖面结构示意图；
图11为本实施例所述触控方式一和触控方式二中触控区块的结构示意图；
图12为本实施例所述触控方式一中子像素的结构示意图；
图13为本实施例所述触控方式二中子像素的结构示意图；
图14为本实施例所述触控方式三和触控方式四中触控区块的结构示意图；
图15为本实施例所述触控方式三中子像素的结构示意图；
图16为本实施例所述触控方式四中子像素的结构示意图。
附图标记说明：
1、基板；
2、栅极金属；
3、触控电极；
4、第一绝缘层；
41、孔；
5、半导体层；
6、源漏极金属；
61、源极金属；
62、漏极金属；
7、触控信号线；
8、像素膜层；
81、第二绝缘层；
82、阳极；
83、第三绝缘层；
84、OLED发光层；
85、阴极；
TP、触控区块。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
请参阅图1至图16，本实施例提供一种OLED显示结构制作方法，该制作方法可以在基板上制作，如玻璃基板、塑料基板等具有相似特性的材料，其中优选为玻璃基板。包括如下步骤：在基板1上制作栅极金属2和触控电极3；请参阅图1，具体的，在基板1上涂布光阻，图形化光阻，即对光阻进行曝光和显影，使得待制作栅极金属和待制作触控电极的区域开口。然后镀上(通过电镀、蒸镀或者溅镀的方式)薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的第一金属层，第一金属层如铝、钼、钛、镍、铜、银、铬等导电性优良金属一种或多种，以及合金。从而在基板1上的一侧形成栅极金属2，栅极金属 2可以作为TFT的栅极，同时在基板1上的另一侧形成触控电极3，最后清除光阻。
现有技术中由于蒸镀精度的限制，我们在制作OLED面板时难以像制作LCD 面板时将阴极分割成多块后再通过孔与底层的触控信号线相连。为了解决这个问题，本申请在不增加制程和光罩数的前提下，同时制作触控电极与TFT 的栅极金属，能够有效地降低触控电极的电阻，提高了触控的精确度和灵敏度。同时，还能够将触控模组内嵌入显示结构中，进一步降低显示结构的厚度，使其应用前景更加广阔。
栅极金属和触控电极2制作完毕后，在栅极金属上制作薄膜晶体管的其余膜层。其中，薄膜晶体管的其余膜层不同，导致薄膜晶体管的种类也不同，如BCE结构的薄膜晶体管、ESL结构的薄膜晶体管等。
以BCE结构的薄膜晶体管为例，在栅极金属2上制作第一绝缘层4；请参阅图2，具体的，在栅极金属2上镀上绝缘的材料，如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅、二氧化硅)或者其他绝缘的材料。在栅极金属2上形成第一绝缘层4，作为薄膜晶体管的栅极绝缘层，用于实现对金属层的保护，避免其它结构(半导体层)与金属层的直接接触。同时，可以让第一绝缘层4也延伸至触控电极3上，避免触控电极3与其它金属之间的接触。
本申请的触控信号线7与源漏极金属6(包括源极金属61和漏极金属62) 同一个制程，这时为了让触控电极3与触控信号线7形成连接，先在第一绝缘层4上制作连通触控电极的孔41，作为触控电极3与触控信号线7的连接点，结构如图2所示。
在第一绝缘层4及连通触控电极的孔41制作完毕后，可以在第一绝缘层上制作半导体层5；请参阅图3，具体的，在栅极金属区域的第一绝缘层上制作半导体层，半导体层的材料如铟镓锌氧化物(indiumgallium zinc oxide,IGZO)、铟锌锡氧化物(indium zinctin oxide,IZTO)、铟镓锌钛氧化物(indium gallium zinc tioxide,IGZTO)或其他具有相似特性的材料。
然后在半导体层5上制作源漏极金属6和触控信号线7；请参阅图4，具体的，涂布光阻，随后图形化光阻，即对光阻进行曝光和显影，使得待制作栅极金属和漏极金属的区域开口。然后镀上(通过电镀、蒸镀或者溅镀的方式)第二金属层，在半导体层5上形成源极金属61和漏极金属62，源极金属 61位于半导体层5上的一侧，漏极金属62位于半导体层5上的另一侧。其中，在图形化光阻的过程中，还使待制作触控信号线的区域开口，镀上第二金属层时后，也在触控电极3区域上形成触控信号线7，触控信号线7通过第一绝缘层上的孔41与触控电极3连接。制作完毕后清除光阻。
要说明的是，如要制作ESL结构的薄膜晶体管，只需要在半导体层上制作一层蚀刻阻挡层，而后在半导体层区域的蚀刻阻挡层上制作源漏极即可。或者本申请也可以制作顶栅结构的TFT。
在源漏极金属和触控信号线上制作像素膜层8，薄膜晶体管与像素膜层8 组成子像素。请参阅图5至图10，像素膜层8包括：依次成形的第二绝缘层 81、有机平坦层、阳极82、第三绝缘层83、OLED发光层84、阴极85等。在此进行说明，在第二金属层6、触控信号线7上制作第二绝缘层81；第二绝缘层81的材料与制作工艺同上述第一绝缘层相同，第二绝缘层81起到隔离下方的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)、触控电极3、触控信号线7与其他结构的接触。一般地，第二绝缘层81主要起到隔离的作用，有机平坦层起到铺平基板上因为多个制程导致的高度差。或者，可以增加第二绝缘层81的厚度替代有机平坦层，结构如图5和图6所示。
第二绝缘层81制作完毕的同时，在漏极金属(或者源极金属)区域的第二绝缘层上制作出过孔，过孔的底部为漏极金属(或者源极金属)，用于作为漏极金属(或者源极金属)与阳极的连接点，结构如图5所示。有机平坦层制作完毕的同时，第二绝缘层81上连通漏极金属(或者源极金属)的过孔处继续蚀刻出过孔，过孔的底部依然为漏极金属(或者源极金属)。要说明的是，只需要源极金属或者漏极金属中的一个与阳极连接即可。
然后在有机平坦层上制作(通过蒸镀或者溅镀的方式镀上阳极材料)透明的阳极82，阳极82通过有机平坦层上的过孔与漏极金属(或者源极金属) 连接，结构如图7所示。透明的阳极82如氧化铟或者碳纳米管等具有相似特性的材料。在阳极82上制作有第三绝缘层83，并在第三绝缘层83上制作连通阳极82的过孔，该过孔用于制作OLED发光层84，结构如图8所示。在第三绝缘层83上的过孔处制作OLED发光层84，OLED发光层84与阳极82连接，结构如图9所示。最后在第三绝缘层84和OLED发光层83上制作(通过蒸镀或者溅镀的方式镀上阴极材料)透明的阴极85，结构如图10所示。阴极85 可以是高反射率的Al(铝)、Ag(银)、Au(金)中的一种或者多种金属。
薄膜晶体管与像素膜层作为子像素的组成部分，OLED显示结构中存在多个这样的子像素，以实现屏幕的显示与触控功能。请参阅图11至图16，触控区块TP是一个矩形的方块，它有许多个的子像素连接构成的，多个的子像素呈行列排列。且每个触控区块TP中位于同一行的子像素的触控电极3通过触控电极连线相连接，触控电极连线在制作触控电极的同时一并制作即可，每个触控区块TP中位于同一列的子像素通过触控信号线7互相连接。本申请提供了四种触控方式，在此进行说明：
在触控方式一中，请参阅图11和图12，将子像素分为两个区块：一是子像素发光区a，另一个是子像素的触控方块b(包含有触控电极)，触控方块在进行TFT栅极同一制程的金属。左右子像素通过触控电极连线连接(如B)；对于上下子像素的触控方块是通过孔41与触控信号线相连后再进行左右连接 (如C)；触控区块通过孔41与触控信号线进行连接(如D)。当触控信号线 L1与触控方块TP1相连时，触控信号线L1经过别的触控区块(如TP2、TP3 等)时，不会再与别的触控区块中的子像素的触控方块连接，即一个触控区块中的触控信号线向该触控区块的一侧延伸并穿过同一列其他的触控区块且与其他触控区块的触控电极间隔有所述第一绝缘层。同时当触控信号线L2与触控方块TP2相连时，触控信号线L2不会继续延伸进入到触控方块TP1。上述技术方案不仅可以在OLED显示结构上具有In-Cell的触控方式，还避免了短路的问题。同时，由于模块方块由金属组成，降低了由于电阻造成的信号延迟，使触控具备更好的灵敏度。
在触控方式二中，请参阅图11和图13，虚线的方块A1为AMOLED的一个子像素组成单元，它包括了三个子像素。将子像素分为两个区块：一是像素发光区a1，另一个是像素触控方块b1(包含触控电极)。触控区域是一个矩形的方块，它有许多个的像素连接构成的，左右子像素通过触控电极连接(如 B1)；对于上下子像素的触控方块是通过孔41与触控信号线相连后再进行左右连接(如C1)；触控区块通过孔41与触控信号线进行连接(如D1)。当触控信号线T1与触控方块TP1相连时，触控信号线T1经过别的触控区块(如 TP2、TP3等)时，不会再与别的触控区块中的子像素的触控方块连接。这样的结构可以避免了短路的问题。同时当触控信号线T2与触控方块TP2相连时，触控信号线T2会继续延伸进入到触控方块TP1但不相连。由于具有触控功能的触控方块由金属组成，降低了由于电阻造成的信号延迟，显示结构具有更佳的触控灵敏度，而且该子像素设计是有一个子像素加一个触控方块，能够有效的提高子像素的开口率。并且是的每一条触控线的R(电容)C(电容) 都是一样的，提高触控时的均匀性。
请参阅图12和图13，其中，触控设计方式一与触控设计方式二的区别还在于相邻行的触控区块延伸的触控信号线间隔一个子像素或者多个子像素。如在触控方式一中，触控信号线L1与触控信号线L2间隔三个子像素；如在触控方式二中，触控信号线T1与触控信号线T2只间隔一个子像素。这又提供了多种的连接方式，使得触控信号线连接的方式具备多样化。
请参阅图14和图15，在触控设计方式三中，虚线的方块A为OLED显示结构的一个子像素组成单元，它包括了三个子像素。将子像素分为两个区块：一是子像素发光区a，另一个是子像素的触控方块b(包含有触控电极)，触控方块在进行TFT栅极同一制程的金属。触控区块是一个矩形的方块，它有许多个的子像素连接构成的。对于左右子像素的触控方块通过触控电极连接 (如B)；对于上下子像素的触控方块通过孔41与触控信号线相连后再进行左右连接(如C)；触控区块通过孔41与触控信号线进行连接(如D)。采用该设计方式，当触控信号线L1与触控方块TP1相连时，触控信号线L1经过别的触控区块(如TP2)不会再与该区块的子像素触控方块相连。同时当触控信号线L2与触控方块TP2相连时，触控信号线L2会继续延伸进入到触控方块 TP1但不与其触控电极连接。
请参阅图14和图16，在触控设计方式四中，虚线的方块A1为AMOLED的一个像素组成单元，它包括了三个子像素组成，在本方式的设计中，将像素分为了两个区块：一是像素发光区a1，另一个是像素触控方块b1，像素触控方块与在进行TFT栅极同一制程和金属。触控区域是一个矩形的方块，它有许多个的像素连接构成的，对于左右像素的触控小方块采用M1金属连接(如 B1)；上下的像素触控小方块采用打洞与触控信号线SD相连后再进行左右连接；触控区块与触控线是采用打洞与触控信号线进行连接的(如D1)。采用触控设计方式二的设计方法，当触控信号线T1与触控方块TP1相连时，触控信号线T1经过别的触控区块(如TP2)不会再与该区块的子像素触控小方块相连，避免了短路的问题，同时当触控信号线T2与触控方块TP2相连时，触控信号线T2会继续延伸进入到触控方块TP1但不相连。采用该设计的像素可以在AMOLED面板具有In-Cell的触控方式，同时，由于触控的模块小方块由金属组成，降低了由于电阻造成的信号延迟，使得触控更佳的灵敏，而且该像素设计是有一个像素加一个触控方块，能够有效的提高像素的开口率。并且是的每一条触控线的RC都是一样的，提高了触控的均匀性。同样的，触控设计方式三与触控设计方式四的区别也还在于相邻行的触控区块延伸的触控信号线间隔一个子像素或者多个子像素。
上述技术方案不仅可以在AMOLED显示结构上实现In-Cell的触控方式，还避免了短路的问题。同时，由于模块方块由金属组成，降低了由于电阻造成的信号延迟，使得触控更佳的灵敏，并且是的每一条触控线的RC都是一样的，提高了触控的均匀性。
在触控设计方式一至触控设计方式四中，OLED显示结构还包括触控单元，所述触控单元设置在多个触控区块的一侧。一般地，是将触控单元置于OLED 显示面板的底部，多个触控区块中位于不同列的子像素分别通过一条触控信号线连接触控单元。优选的，是多个触控区块最左侧且最上面的一个触控区块的第一列子像素通过一条触控信号线T1连接触控单元，最左侧且第二高的一个触控区块的第二列子像素通过一条触控信号线T2连接触控单元，最左侧且第三高的一个触控区块的第三列子像素T3通过一条触控信号线连接触控单元，接下来按这个规律依次连接，该结构可以大大优化走线的布局。
当然，OLED显示结构还包括一些数据线(如Scan线和Date线)和GIP 电路。GIP电路通过Scan线连接一行子像素，如Scan1连接第一行的子像素， Scan2连接第二行的子像素等。触控单元通过Date线连接一列的子像素，如 Date1连接第一列的子像素，Date2连接第二列的子像素等。
本实施例还提供了一种OLED显示结构，请参阅图1至图16，由上述实施例所述的一种OLED显示结构制作方法制得。在基板1上的一侧设置有栅极金属2，在基板1上的另一侧设置有触控电极3，结构如图1所示。要说明的是，基板1如玻璃基板、塑料极板等具有相似特性的材料，其中优选为玻璃基板。要说明的是，栅极金属2和触控电极3的材料相同，如铝、钼、钛、镍、铜、银、铬等导电性优良金属一种或多种，以及合金。要说明的是，栅极金属2 作为薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的组成部分，触控电极3作为触控模组的组成部分。上述技术方案能够有效地降低触控电极的电阻，提高了触控的精确度和灵敏度。同时，还能够将触控模组内嵌入显示结构中，进一步降低显示结构的厚度，使其应用前景更加广阔。
为了实现对金属层的保护，避免金属层与其它结构的直接接触，在栅极金属2和触控电极3上设置有第一绝缘层4。在触控电极3区域上的第一绝缘层4上设置有连通触控电极3的孔41，该孔41用于后续制作触控电极3与触控信号线7的连接点，结构如图2所示。
在栅极金属区域上的第一绝缘层4上设置有半导体层5，结构如图3所示。在半导体层5上设置有源漏极金属6，源漏极金属6包括源极金属61和漏极金属62，源极金属61位于半导体层5上的一侧，漏极金属62位于半导体层 5上的另一侧，结构如图4所示。在触控电极3区域上设置有触控信号线7，触控信号线7通过第一绝缘层上的孔41与触控电极3连接，结构如图4所示。源极金属、漏极金属、栅极金属、半导体层作为TFT的组成部分。当然，TFT 的结构可以为BCE结构、ESL结构或者顶栅结构等。
在第二金属层和触控信号线上设置有像素膜层8，像素膜层8、源极金属、漏极金属、触控信号线7、半导体层5、第一绝缘层4、触控电极3和栅极金属2组成子像素。请参阅图5至图10，像素膜层8包括：第二绝缘层81、有机平坦层、阳极82、第三绝缘层83、OLED发光层84、阴极85等。具体的，在源极极金属、漏极金属、触控信号线7上设置有第二绝缘层81，第二绝缘层81起到隔离下方的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)、触控电极3、触控信号线7与其他结构的接触。在第二绝缘层上设置有有机平坦层。第二绝缘层主要起到隔离的作用，有机平坦层起到铺平基板上因为多个制程导致的高度差，结构如图5和图6所示。或者，可以增加第二绝缘层的厚度替代有机平坦层。在有机平坦层上设置有连通漏极金属(或者源极金属)的过孔，该过孔贯穿有机平坦层与第二绝缘层，用于作为漏极金属(或者源极金属) 与阳极的连接点，结构如图6所示。
在有机平坦层上设置有透明的阳极82，阳极82通过有机平坦层上的过孔与漏极连接，结构如图7所示。透明的阳极82如氧化铟或者碳纳米管等具有相似特性的材料。在阳极82上设置有第三绝缘层83，并在第三绝缘层83上设置有连通阳极82的过孔，该过孔用于设置OLED发光层84，结构如图8所示。在第三绝缘层83上的过孔处设置有OLED发光层84，OLED发光层84与阳极82连接，结构如图9所示。最后在第三绝缘层84和OLED发光层83上设置有透明的阴极85，结构如图10所示。阴极85可以是高反射率的Al(铝)、 Ag(银)、Au(金)中的一种或者多种金属。
薄膜晶体管与像素膜层作为子像素的组成部分，OLED显示结构中存在多个这样的子像素，以实现屏幕的显示与触控功能。请参阅图11至图16，触控区块TP是一个矩形的方块，它有许多个的子像素连接构成的，多个的子像素呈行列排列。且每个触控区块TP中位于同一行的子像素的触控电极3通过触控电极连线相连接，触控电极连线在制作触控电极的同时一并制作即可，每个触控区块TP中位于同一列的子像素通过触控信号线7互相连接。本申请提供了四种触控方式，在此进行说明：
在触控方式一中，请参阅图11和图12，将子像素分为两个区块：一是子像素发光区a，另一个是子像素的触控方块b(包含有触控电极)，触控方块在进行TFT栅极同一制程的金属。左右子像素通过触控电极连线连接(如B)；对于上下子像素的触控方块是通过孔41与触控信号线相连后再进行左右连接 (如C)；触控区块通过孔41与触控信号线进行连接(如D)。当触控信号线 L1与触控方块TP1相连时，触控信号线L1经过别的触控区块(如TP2、TP3 等)时，不会再与别的触控区块中的子像素的触控方块连接，即一个触控区块中的触控信号线向该触控区块的一侧延伸并穿过同一列其他的触控区块且与其他触控区块的触控电极间隔有所述第一绝缘层。同时当触控信号线L2与触控方块TP2相连时，触控信号线L2不会继续延伸进入到触控方块TP1。上述技术方案不仅可以在OLED显示结构上具有In-Cell的触控方式，还避免了短路的问题。同时，由于模块方块由金属组成，降低了由于电阻造成的信号延迟，使触控具备更好的灵敏度。
在触控方式二中，请参阅图11和图13，虚线的方块A1为AMOLED的一个子像素组成单元，它包括了三个子像素。将子像素分为两个区块：一是像素发光区a1，另一个是像素触控方块b1(包含触控电极)。触控区域是一个矩形的方块，它有许多个的像素连接构成的，左右子像素通过触控电极连接(如 B1)；对于上下子像素的触控方块是通过孔41与触控信号线相连后再进行左右连接(如C1)；触控区块通过孔41与触控信号线进行连接(如D1)。当触控信号线T1与触控方块TP1相连时，触控信号线T1经过别的触控区块(如 TP2、TP3等)时，不会再与别的触控区块中的子像素的触控方块连接。这样的结构可以避免了短路的问题。同时当触控信号线T2与触控方块TP2相连时，触控信号线T2会继续延伸进入到触控方块TP1但不相连。由于具有触控功能的触控方块由金属组成，降低了由于电阻造成的信号延迟，显示结构具有更佳的触控灵敏度，而且该子像素设计是有一个子像素加一个触控方块，能够有效的提高子像素的开口率。并且是的每一条触控线的R(电容)C(电容) 都是一样的，提高触控时的均匀性。
请参阅图12和图13，其中，触控设计方式一与触控设计方式二的区别还在于相邻行的触控区块延伸的触控信号线间隔一个子像素或者多个子像素。如在触控方式一中，触控信号线L1与触控信号线L2间隔三个子像素；如在触控方式二中，触控信号线T1与触控信号线T2只间隔一个子像素。这又提供了多种的连接方式，使得触控信号线连接的方式具备多样化。
请参阅图14和图15，在触控设计方式三中，虚线的方块A为OLED显示结构的一个子像素组成单元，它包括了三个子像素。将子像素分为两个区块：一是子像素发光区a，另一个是子像素的触控方块b(包含有触控电极)，触控方块在进行TFT栅极同一制程的金属。触控区块是一个矩形的方块，它有许多个的子像素连接构成的。对于左右子像素的触控方块通过触控电极连接 (如B)；对于上下子像素的触控方块通过孔41与触控信号线相连后再进行左右连接(如C)；触控区块通过孔41与触控信号线进行连接(如D)。采用该设计方式，当触控信号线L1与触控方块TP1相连时，触控信号线L1经过别的触控区块(如TP2)不会再与该区块的子像素触控方块相连。同时当触控信号线L2与触控方块TP2相连时，触控信号线L2会继续延伸进入到触控方块 TP1但不与其触控电极连接。
请参阅图14和图16，在触控设计方式四中，虚线的方块A1为AMOLED的一个像素组成单元，它包括了三个子像素组成，在本方式的设计中，将像素分为了两个区块：一是像素发光区a1，另一个是像素触控方块b1，像素触控方块与在进行TFT栅极同一制程和金属。触控区域是一个矩形的方块，它有许多个的像素连接构成的，对于左右像素的触控小方块采用M1金属连接(如 B1)；上下的像素触控小方块采用打洞与触控信号线SD相连后再进行左右连接；触控区块与触控线是采用打洞与触控信号线进行连接的(如D1)。采用触控设计方式二的设计方法，当触控信号线T1与触控方块TP1相连时，触控信号线T1经过别的触控区块(如TP2)不会再与该区块的子像素触控小方块相连，避免了短路的问题，同时当触控信号线T2与触控方块TP2相连时，触控信号线T2会继续延伸进入到触控方块TP1但不相连。采用该设计的像素可以在AMOLED面板具有In-Cell的触控方式，同时，由于触控的模块小方块由金属组成，降低了由于电阻造成的信号延迟，使得触控更佳的灵敏，而且该像素设计是有一个像素加一个触控方块，能够有效的提高像素的开口率。并且是的每一条触控线的RC都是一样的，提高了触控的均匀性。同样的，触控设计方式三与触控设计方式四的区别也还在于相邻行的触控区块延伸的触控信号线间隔一个子像素或者多个子像素。
上述技术方案不仅可以在AMOLED显示结构上实现In-Cell的触控方式，还避免了短路的问题。同时，由于模块方块由金属组成，降低了由于电阻造成的信号延迟，使得触控更佳的灵敏，并且是的每一条触控线的RC都是一样的，提高了触控的均匀性。
在触控设计方式一至触控设计方式四中，OLED显示结构还包括触控单元，所述触控单元设置在多个触控区块的一侧。一般地，是将触控单元置于OLED 显示面板的底部，多个触控区块中位于不同列的子像素分别通过一条触控信号线连接触控单元。优选的，是多个触控区块最左侧且最上面的一个触控区块的第一列子像素通过一条触控信号线T1连接触控单元，最左侧且第二高的一个触控区块的第二列子像素通过一条触控信号线T2连接触控单元，最左侧且第三高的一个触控区块的第三列子像素T3通过一条触控信号线连接触控单元，接下来按这个规律依次连接，该结构可以大大优化走线的布局。
当然，OLED显示结构还包括一些数据线(如Scan线和Date线)和GIP 电路。GIP电路通过Scan线连接一行子像素，如Scan1连接第一行的子像素， Scan2连接第二行的子像素等。触控单元通过Date线连接一列的子像素，如 Date1连接第一列的子像素，Date2连接第二列的子像素等。
需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围之内。
Claims (10)
1.一种OLED显示结构制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
沉积第一金属层并蚀刻，在基板上的一侧形成栅极金属，在基板上的另一侧形成触控电极；
制作第一绝缘层，并在触控电极区域上的第一绝缘层上制作连通触控电极的孔；
制作半导体层，半导体层位于栅极金属区域上方；
沉积第二金属层并蚀刻，在半导体层上形成源极金属和漏极金属，在触控电极区域上形成触控信号线，触控信号线通过第一绝缘层上的孔与触控电极连接；
制作像素膜层，像素膜层与源极金属或者漏极金属连接，像素膜层、源极金属、漏极金属、触控信号线、半导体层、第一绝缘层、触控电极和栅极金属组成子像素。
2.根据权利要求1所述的一种OLED显示结构制作方法，其特征在于，子像素为多个，多个的子像素按行列排列，组成触控区块；
每个触控区块中位于同一行的子像素的触控电极通过触控电极连线相连接，每个触控区块中位于同一列的子像素的触控信号线互相连接。
3.根据权利要求2所述的一种OLED显示结构制作方法，其特征在于，所述触控区块为多个，一个触控区块中的触控信号线向该触控区块的一侧延伸并穿过同一列其他的触控区块且与其他触控区块的触控电极间隔有所述第一绝缘层，延伸的触控信号线用于连接外部器件，相邻行的触控区块延伸的触控信号线间隔一个子像素或者多个子像素。
4.根据权利要求3所述的一种OLED显示结构制作方法，其特征在于，一个触控区块中的触控信号线还向该触控区块的另一侧延伸并穿过同一列其他的触控区块且与其他触控区块的触控电极间隔有所述第一绝缘层。
5.根据权利要求1所述的一种OLED显示结构制作方法，其特征在于，像素膜层的制作包括如下步骤：
制作第二绝缘层，在源极金属区域的第二绝缘层上制作连通源极金属的过孔或者在漏极金属区域的第二绝缘层上制作连通漏极金属的过孔；
制作有机平坦层，并在有机平坦层上位于第二绝缘层上的过孔处蚀刻出过孔，有机平坦层上的过孔的底部为源极金属或者漏极金属；
制作阳极，阳极通过有机平坦层上的过孔连接源极金属或者漏极金属；
制作第三绝缘层，并在第三绝缘层上制作连通阳极的过孔；
在第三绝缘层上连通阳极的过孔处制作OLED发光层；
制作阴极，阴极覆盖OLED发光层。
6.一种OLED显示结构，其特征在于，包括：
在基板上的一侧设置有栅极金属，在基板上的另一侧设置有触控电极；
在栅极金属和触控电极上设置有第一绝缘层，在触控电极区域上的第一绝缘层上设置有连通触控电极的孔；
在栅极金属区域上的第一绝缘层上设置有半导体层；
在半导体层上设置有源极金属和漏极金属，在触控电极区域上设置有触控信号线，触控信号线通过第一绝缘层上的孔与触控电极连接；
在第二金属层和触控信号线上设置有像素膜层，像素膜层与源极金属或者漏极金属连接，像素膜层、源极金属、漏极金属、触控信号线、半导体层、第一绝缘层、触控电极和栅极金属组成子像素。
7.根据权利要求6所述的一种OLED显示结构，其特征在于，子像素为多个，多个的子像素按行列排列，组成触控区块；
每个触控区块中位于同一行的子像素的触控电极通过触控电极连线相连接，每个触控区块中位于同一列的子像素的触控信号线互相连接。
8.根据权利要求7所述的一种OLED显示结构，其特征在于，所述触控区块为多个，一个触控区块中的触控信号线向该触控区块的一侧延伸并穿过同一列其他的触控区块且与其他触控区块的触控电极间隔有所述第一绝缘层，延伸的触控信号线用于连接外部器件，相邻行的触控区块延伸的触控信号线间隔一个子像素或者多个子像素。
9.根据权利要求8所述的一种OLED显示结构，其特征在于，一个触控区块中的触控信号线还向该触控区块的另一侧延伸并穿过同一列其他的触控区块且与其他触控区块的触控电极间隔有所述第一绝缘层。
10.根据权利要求6所述的一种OLED显示结构，其特征在于，所述像素膜层包括：
在源极金属、漏极金属上设置有第二绝缘层；
在第二绝缘层上设置有有机平坦层，有机平坦层上设置有孔，孔贯穿有机平坦层与第二绝缘层，有机平坦层上的过孔的底部为源极金属或者漏极金属；
在有机平坦层上的过孔处设置有阳极，阳极连接源极金属或者漏极金属；
在阳极上设置有第三绝缘层，第三绝缘层上设置有连通阳极的过孔；
在第三绝缘层上连通阳极的过孔处设置有OLED发光层；
在OLED发光层上设置有阴极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010467244.6A CN111653521A (zh) | 2020-05-28 | 2020-05-28 | 一种oled显示结构及制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202010467244.6A CN111653521A (zh) | 2020-05-28 | 2020-05-28 | 一种oled显示结构及制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111653521A true CN111653521A (zh) | 2020-09-11 |
Family
ID=72344607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010467244.6A Pending CN111653521A (zh) | 2020-05-28 | 2020-05-28 | 一种oled显示结构及制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |