CN111650632B - 一种光电探测电路、其驱动方法及探测基板、射线探测器 - Google Patents

一种光电探测电路、其驱动方法及探测基板、射线探测器 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种光电探测电路、其驱动方法及探测基板、射线探测器，包括：存储模块、放大模块、第一读取模块和第二读取模块；其中存储模块、放大模块和第一读取模块相互配合实现了主动模式的光电探测功能，存储模块和第二读取模块相互配合实现了被动模式的光电探测功能，因此本发明的射线探测器兼容了主动模式和被动模式。

Description

一种光电探测电路、其驱动方法及探测基板、射线探测器
技术领域
本发明涉及光电探测技术领域，尤其涉及一种光电探测电路、其驱动方法及探测基板、射线探测器。
背景技术
X射线检测技术广泛应用于工业无损检测、集装箱扫描、电路板检查、医疗、安防、工业等领域，具有广阔的应用前景。传统的X-Ray成像技术属于模拟信号成像，分辨率不高，图像质量较差。20世纪90年代末出现的X射线数字化成像技术(Digital Radio Graphy，DR)采用X射线平板探测器直接将X影像转换为数字图像，以其操作便捷、成像速度快、成像分辨率高、转换的数字图像清晰、数字图像易于保存和传送等显著优点，成为数字X线摄影技术的主导方向，并得到世界各国的临床机构和影像学专家认可。
发明内容
本发明实施例提供一种光电探测电路、其驱动方法及探测基板、射线探测器，用以兼容主动(APS)模式与被动(PPS)模式。
因此，本发明实施例提供的一种光电探测电路，包括：存储模块、放大模块、第一读取模块和第二读取模块；
所述存储模块与光电传感器的输出端耦接，所述存储模块被配置为存储所述光电传感器根据所接收第一辐射剂量的射线生成的第一光电流信号，并将所述第一光电流信号写入所述放大模块的控制端；或者，存储所述光电传感器根据所接收第二辐射剂量的所述射线生成的第二光电流信号，并将所述第二光电流信号写入所述第二读取模块的输入端；其中，所述射线的第一辐射剂量小于第二辐射剂量；
所述第一读取模块与探测信号接收端耦接，所述第一读取模块被配置为在第一扫描信号端的控制下，将经所述放大模块放大后的所述第一光电流信号写入所述探测信号接收端；
所述第二读取模块与所述探测信号接收端耦接，所述第二读取模块被配置为在第二扫描信号端的控制下，将所述第二光电流信号写入所述探测信号接收端。
可选地，在本发明实施例提供的上述光电探测电路中，所述探测信号接收端唯一；或者所述探测信号接收端包括第一探测信号端和第二探测信号端，所述第一探测信号端与所述第一读取模块耦接，所述第二探测信号端与所述第二读取模块耦接。
可选地，在本发明实施例提供的上述光电探测电路中，所述存储模块，包括：电容，所述电容的一端接地，另一端与所述光电传感器的输出端耦接。
可选地，在本发明实施例提供的上述光电探测电路中，所述放大模块，包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述光电传感器的输出端耦接，第一极与第一电源端耦接。
可选地，在本发明实施例提供的上述光电探测电路中，所述第一读取模块，包括：第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与所述第一扫描信号端耦接，第一极与所述第一晶体管的第二极耦接，第二极与所述探测信号端耦接。
可选地，在本发明实施例提供的上述光电探测电路中，所述第二读取模块，包括：第三晶体管，所述第三晶体管的栅极与所述第二扫描信号端耦接，第一极与所述光电传感器的输出端耦接，第二极与所述探测信号端耦接。
可选地，在本发明实施例提供的上述光电探测电路中，还包括：复位模块；
所述复位模块与所述光电传感器的输出端耦接，所述复位模块被配置为在第三扫描信号端的控制下，采用第二电源端对所述光电传感器的输出端进行复位。
可选地，在本发明实施例提供的上述光电探测电路中，所述复位模块，包括：第四晶体管，所述第四晶体管的栅极与所述第三扫描信号端耦接，第一极与所述第二电源端耦接，第二极与所述光电传感器的输出端耦接。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种上述光电探测电路的驱动方法，包括：
积分阶段，对光电传感器加载第一辐射剂量的射线，使存储模块存储所述光电传感器根据所述第一辐射剂量的射线生成的第一光电流信号；或者，对所述光电传感器加载第二辐射剂量的所述射线，使所述存储模块存储所述光电传感器根据所述第二辐射剂量的射线生成的第二光电流信号；其中，所述射线的第一辐射剂量小于第二辐射剂量；
读取阶段，对第一扫描信号端加载第一扫描信号，使所述第一读取模块将经所述放大模块放大后的所述第一光电流信号写入探测信号接收端；或者，对第二扫描信号端加载第二扫描信号，使所述第二读取模块将所述存储模块存储的所述第二光电流信号写入所述探测信号接收端。
可选地，在本发明实施例提供的上述驱动方法中，在所述积分阶段之前，还包括：
复位阶段，对第三扫描信号端加载第三扫描信号，使复位模块采用第二电源端对所述光电传感器的输出端进行复位。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种探测基板，包括：衬底基板，在所述衬底基板上呈阵列排布的上述光电探测电路，以及位于各所述光电探测电路所在层背离所述衬底基板一侧且与各所述光电探测电路一一对应耦接的光电传感器。
可选地，在本发明实施例提供的上述探测基板中，所述光电探测电路包含的各晶体管的相同膜层同层设置，电容的一端与所述晶体管的栅极同层设置，另一端与所述晶体管的第一极和第二极同层设置。
可选地，在本发明实施例提供的上述探测基板中，所述光电传感器包括：与对应所述光电探测电路耦接的第一电极，位于所述第一电极背离所述衬底基板一侧的第二电极，以及在所述第一电极与所述第二电极之间层叠设置的P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层。
可选地，在本发明实施例提供的上述探测基板中，所述光电传感器包括：与对应所述光电探测电路耦接的第一电极，与所述第一电极同层设置的第二电极，位于所述第一电极与所述第二电极所在层背离所述衬底基板一侧的介电层，以及位于所述介电层背离所述衬底基板一侧的半导体层；其中，所述第一电极与所述第二电极构成叉指电极。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种射线探测器，包括上述探测基板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的光电探测电路、其驱动方法及探测基板、射线探测器，包括：存储模块、放大模块、第一读取模块和第二读取模块；存储模块与光电传感器的输出端耦接，存储模块被配置为存储光电传感器根据所接收第一辐射剂量的射线生成的第一光电流信号，并将第一光电流信号写入放大模块的控制端；或者，存储光电传感器根据所接收第二辐射剂量的射线生成的第二光电流信号，并将第二光电流信号写入第二读取模块的输入端；其中，射线的第一辐射剂量小于第二辐射剂量；第一读取模块与探测信号接收端耦接，第一读取模块被配置为在第一扫描信号端的控制下，将经放大模块放大后的第一光电流信号写入探测信号接收端；第二读取模块与探测信号接收端耦接，第二读取模块被配置为在第二扫描信号端的控制下，将第二光电流信号写入探测信号接收端。相关技术中，射线探测器中的光电探测电路包括主动型和被动型两种。被动型光电探测电路适用于高剂量射线探测成像，具有高空间分辨率、高量子探测效率(DQE)、高信噪比的特定，可直接将光电传感器产生的光电流信号输出。主动型光电探测电路能够满足低剂量射线探测的需求，在实际探测过程中会首先对光电传感器产生的光电流信号进行放大，然后再将放大后的光电流信号输出。在本发明中，存储模块、放大模块和第一读取模块相互配合实现了主动模式的光电探测功能，存储模块和第二读取模块相互配合实现了被动模式的光电探测功能，因此本发明的射线探测器兼容了主动模式和被动模式。
附图说明
图1和图2分别为本发明实施例提供的光电探测电路的结构示意图；
图3和图4分别为本发明实施例提供的光电探测电路的具体结构示意图；
图5为本发明实施例提供的光电探测电路在主动模式下的工作时序图；
图6为本发明实施例提供的光电探测电路在被动模式下的工作时序图；
图7至图10分别为本发明实施例提供的探测基板的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
相关技术中，被动(PPS)型的射线探测器适用于高剂量射线(例如X射线、γ射线或其他射线)探测，具有高空间分辨率，高量子探测效率，高信噪比的特点，但由于射线剂量较大，当用于动态探测与多幅图像的图像重建时，总剂量难以控制到较低的状态。而主动(APS)型的射线探测器能够满足低剂量射线探测的需求，但在高剂量射线下，成像质量没有显著提高，甚至对量子探测效率和信噪比有一定的劣化作用。二者优势难以在高、低剂量探测同时发挥出来。
针对相关技术中存在的上述问题，本发明实施例提供了一种光电探测电路，如图1所示，包括：存储模块101、放大模块102、第一读取模块103和第二读取模块104；
存储模块101与光电传感器Sensor的输出端耦接，存储模块101被配置为存储光电传感器根据所接收第一辐射剂量的射线生成的第一光电流信号，并将第一光电流信号写入放大模块102的控制端；或者，存储光电传感器根据所接收第二辐射剂量的射线生成的第二光电流信号，并将第二光电流信号写入第二读取模块104的输入端；其中，射线的第一辐射剂量小于第二辐射剂量；
第一读取模块103与探测信号接收端Test耦接，第一读取模块103被配置为在第一扫描信号端V1的控制下，将经放大模块102放大后的第一光电流信号写入探测信号接收端Test；
第二读取模块104与探测信号接收端Test耦接，第二读取模块104被配置为在第二扫描信号端V2的控制下，将第二光电流信号写入探测信号接收端Test。
在本发明实施例提供的上述光电探测电路中，由于存储模块101所存储的光电传感器产生的第一光电流信号经放大模块102放大后，被第一读取模块103写入探测信号接收端Test，实现了主动(APS)模式的光电探测功能；存储模块101所存储的光电传感器产生的第一光电流信号，被第二读取模块104直接写入探测信号接收端Test，实现了被动(PPS)模式的光电探测功能；因此，本发明的射线探测器兼容了主动(APS)模式和被动(PPS)模式，同时具备两种模式的优势。示例性地，医生先选择低剂量APS模式寻找到病灶，然后手动切换到高剂量PPS模式对病灶处进行高分辨率成像。
可选地，在本发明实施例提供的上述光电探测电路中，如图1所示，探测信号接收端Test唯一，也就是说第一读取模块103和第二读取模块104共用一个探测信号接收端，提高外部IC通道利用率；或者如图2所示，探测信号接收端Test包括第一探测信号接收端Test1和第二探测信号接收端Test2，第一探测信号接收端Test1与第一读取模块103耦接，第二探测信号接收端Test2与第二读取模块104耦接。
下面结合本发明实施例提供的上述光电探测电路对应的工作时序图和具体实施例，对本发明实施例提供的上述光电探测电路的工作原理进行介绍。并且，需要说明的是，以下仅是举例说明各模块的具体结构，在具体实施时，各模块的具体结构不限于本发明实施例提供的下述结构，还可以是本领域技术人员可知的其他结构，在此不做限定。
可选地，在本发明实施例提供的上述光电探测电路中，如图3和图4所示，存储模块101，包括：电容C，电容C的一端接地GND，另一端与光电传感器Sensor的输出端耦接。
具体地，如图5所示，在主动(APS)模式下的积分阶段t2，各晶体管均处于截止状态，辐射剂量较小(例如1μGy)的射线被射线探测器的闪烁体层转换成可见光后照射至光电传感器，光电传感器响应于所接收的可见光而产生第一光电流信号，并由电容C进行存储。如图6所示，在被动(PPS)模式下的积分阶段t2，各晶体管均处于截止状态，辐射剂量较大(例如20μGy)的射线被射线探测器的闪烁体层转换成可见光后照射至光电传感器，光电传感器响应于所接收的可见光而产生第二光电流信号，并由电容C进行存储。
可选地，在本发明实施例提供的上述光电探测电路中，如图3和图4所示，放大模块102，包括：第一晶体管T1，第一晶体管T1的栅极与光电传感器Sensor的输出端耦接，第一极与第一电源端VDD1耦接。第一读取模块103，包括：第二晶体管T2，第二晶体管T2的栅极与第一扫描信号端V1耦接，第一极与第一晶体管T1的第二极耦接，第二极与探测信号接收端Test耦接。
具体地，如图5所示，在主动(APS)模式下的读取阶段t3，第一晶体管T1在电容C存储的第一光电流信号的控制下导通，并将第一光电流信号进行放大后写入第二晶体管T2；第二晶体管T2在第一扫描信号端V1的控制下导通，并将放大后的第一光电流信号写入探测信号接收端Test。
可选地，在本发明实施例提供的上述光电探测电路中，如图3和图4所示，第二读取模块104，包括：第三晶体管T3，第三晶体管T3的栅极与第二扫描信号端V2耦接，第一极与光电传感器Sensor的输出端耦接，第二极与探测信号接收端Test耦接。
具体地，如图6所示，在被动(PPS)模式下的读取阶段t3，第三晶体管T3在第二扫描信号端V2的控制下导通，并将电容C存储的第二光电流信号写入探测信号接收端Test。
可选地，在本发明实施例提供的上述光电探测电路中，如图1和图2所示，还包括：复位模块105；
复位模块105与光电传感器Sensor的输出端耦接，复位模块105被配置为在第三扫描信号端V3的控制下，采用第二电源端VDD2对光电传感器Sensor的输出端进行复位，以避免前一帧探测过程中的光电流残留而影响当前帧的光电探测结果。
可选地，在本发明实施例提供的上述光电探测电路中，如图5和图6所示，复位模块105，包括：第四晶体管T4，第四晶体管T4的栅极与第三扫描信号端V3耦接，第一极与第二电源端VDD2耦接，第二极与光电传感器Sensor的输出端耦接。
具体地，在图5所示主动(APS)模式或图6所示被动(PPS)模式下的复位阶段t1，第四晶体管T4在第三扫描信号端V3的控制下导通，使得第二电源端VDD2通过导通的第四晶体管T4对光电传感器Sensor的输出端进行复位。
需要说明的是，在本发明实施例提供的上述光电探测电路中，晶体管一般均采用相同材质的晶体管，在具体实施时，为了简化制作工艺，上述第一至第四晶体管均采用P型晶体管或N型晶体管。并且，上述晶体管的第一极和第二极分别为源极和漏极，根据晶体管类型以及输入信号的不同，其功能可以互换，在此不做具体区分。另外，第一电源端VDD1和第二电源端VDD2上所加载信号需根据第一晶体管T1和第四晶体管T4的类型，及第一晶体管T1和第四晶体管T4的栅极电位进行设置，使得第一晶体管T1和第四晶体管T4在上述三个阶段相应导通或截止，此不做具体限定。
由上述内容可知，本发明实施例提供的光电探测电路的一种具体实施方式中仅包括四个晶体管和一个电容即可实现主动(APS)模式与被动(PPS)模式的切换功能，结构比较简单。另外较多晶体管的引入会导致噪声较大，影响探测准确度，而本发明中的晶体管数量较少，故在一定程度上降低了噪声，提高了信噪比。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种光电探测电路的驱动方法，由于该驱动方法解决问题的原理与上述光电探测电路解决问题的原理相同，因此，该驱动方法的实施可参见上述光电探测电路的具体实施例，重复之处不再赘述。
具体地，本公开实施例提供的一种上述光电探测电路的驱动方法，具体可以包括以下步骤：
积分阶段，对光电传感器加载第一辐射剂量的射线，使存储模块存储光电传感器根据第一辐射剂量的射线生成的第一光电流信号；或者，对光电传感器加载第二辐射剂量的射线，使存储模块存储光电传感器根据第二辐射剂量的射线生成的第二光电流信号；其中，射线的第一辐射剂量小于第二辐射剂量；
读取阶段，对第一扫描信号端加载第一扫描信号，使第一读取模块将经放大模块放大后的第一光电流信号写入探测信号接收端；或者，对第二扫描信号端加载第二扫描信号，使第二读取模块将存储模块存储的第二光电流信号写入探测信号接收端。
可选地，在本发明实施例提供的上述驱动方法中，在积分阶段之前，还可以执行以下步骤：
复位阶段，对第三扫描信号端加载第三扫描信号，使复位模块采用第二电源端对光电传感器的输出端进行复位。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种探测基板，如图7和图8所示，包括：衬底基板701，在衬底基板701上呈阵列排布的光电探测电路702，以及位于各光电探测电路702所在层背离衬底基板701一侧且与各光电探测电路702一一对应耦接的光电传感器Sensor。由于该探测基板解决问题的原理与上述光电探测电路解决问题的原理相同，因此，该探测基板的实施可参见上述光电探测电路的具体实施例，重复之处不再赘述。
可选地，在本发明实施例提供的上述探测基板中，如图7和图8所示，光电探测电路702包含的各晶体管(具体包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和第四晶体管T4)的相同膜层(包括有源层、栅极和源漏极)同层设置，电容C的一端与晶体管的栅极同层设置，另一端与晶体管的第一极和第二极同层设置。
可选地，在本发明实施例提供的上述探测基板中，光电传感器Sensor可以为PIN型的光敏器件703，也可以为MSM型的光敏器件703。
具体地，在光电传感器Sensor为PIN型的光敏器件703时，如图7所示，光电传感器Sensor包括：与对应光电探测电路702耦接的第一电极7031，位于第一电极7031背离衬底基板701一侧的第二电极7032，以及在第一电极7031与第二电极7032之间层叠设置的P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层。具体地，图7中的7033表示P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层的层叠结构。
具体地，在光电传感器Sensor为MSM型的光敏器件703时，如图8所示，光电传感器Sensor包括：与对应光电探测电路702耦接的第一电极7031，与第一电极7031同层设置的第二电极7032，位于第一电极7031与第二电极7032所在层背离衬底基板701一侧的介电层7034，以及位于介电层7034背离衬底基板701一侧的半导体层7035；其中，第一电极7031与第二电极7032构成叉指电极，如图9和图10所示。在具体实施时，可设置第一电源端VDD1、第二电源端VDD2、探测信号接收端Test与各晶体管的源漏极同层设置。并且由图9和图10可见，第一电源端VDD1、第二电源端VDD2、探测信号接收端Test在衬底基板701上的正投影与第一电极7031的正投影相互交叠；各晶体管在衬底基板701上的正投影与第一电极7031的正投影、第二电极7032的正投影分别相互交叠；数据线(图9和图10中未示出)的延伸方向与叉指电极的延伸方向(即图9和图10中的水平方向)相同，扫描线(图9和图10中未示出)的延伸方向与叉指电极延伸方向垂直的方向(即图9和图10中的竖直方向)相同。由于晶体管与MSM型的光电传感器Sensor是垂直结构，因此晶体管的数量不会影响MSM型的光电传感器Sensor的感应面积。基于此，将被动(PPS)模式与主动(APS)模式融合在同一个MSM型射线检测器中，不仅可以有效增加检测器的动态范围和增益，而且可以通过使用高低两个剂量成像得到彩色X射线(color X-ray)图像。
一般地，在本公开实施例提供的上述探测基板中，如图7和图8所示，还可以包括：栅绝缘层704、层间介电层705、绝缘层706和钝化层707。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种射线探测器，包括本发明实施例提供的上述探测基板。对于射线探测器的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。另外，由于该射线探测器解决问题的原理与上述探测基板解决问题的原理相似，因此，该射线探测器的实施可以参见上述探测基板的实施例，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的上述光电探测电路、其驱动方法及探测基板、射线探测器，包括：存储模块、放大模块、第一读取模块和第二读取模块；存储模块与光电传感器的输出端耦接，存储模块被配置为存储光电传感器根据所接收第一辐射剂量的射线生成的第一光电流信号，并将第一光电流信号写入放大模块的控制端；或者，存储光电传感器根据所接收第二辐射剂量的射线生成的第二光电流信号，并将第二光电流信号写入第二读取模块的输入端；其中，射线的第一辐射剂量小于第二辐射剂量；第一读取模块与探测信号接收端耦接，第一读取模块被配置为在第一扫描信号端的控制下，将经放大模块放大后的第一光电流信号写入探测信号接收端；第二读取模块与探测信号接收端耦接，第二读取模块被配置为在第二扫描信号端的控制下，将第二光电流信号写入探测信号接收端。由于存储模块所存储的光电传感器产生的第一光电流信号经放大模块放大后，被第一读取模块写入探测信号接收端，实现了主动模式的光电探测功能；存储模块所存储的光电传感器产生的第一光电流信号，被第二读取模块直接写入探测信号接收端，实现了被动模式的光电探测功能；因此，本发明的射线探测器兼容了主动模式和被动模式，同时具备两种模式的优势。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种光电探测电路，其特征在于，包括：存储模块、放大模块、第一读取模块、第二读取模块和复位模块；
所述存储模块与光电传感器的输出端耦接，所述存储模块被配置为存储所述光电传感器根据所接收第一辐射剂量的射线生成的第一光电流信号，并将所述第一光电流信号写入所述放大模块的控制端；或者，存储所述光电传感器根据所接收第二辐射剂量的所述射线生成的第二光电流信号，并将所述第二光电流信号写入所述第二读取模块的输入端；其中，所述射线的第一辐射剂量小于第二辐射剂量；
所述第一读取模块与探测信号接收端耦接，所述第一读取模块被配置为在第一扫描信号端的控制下，将经所述放大模块放大后的所述第一光电流信号写入所述探测信号接收端；
所述第二读取模块与所述探测信号接收端耦接，所述第二读取模块被配置为在第二扫描信号端的控制下，将所述第二光电流信号写入所述探测信号接收端；
所述复位模块与所述光电传感器的输出端耦接，所述复位模块被配置为在第三扫描信号端的控制下，采用第二电源端对所述光电传感器的输出端进行复位；
所述存储模块，包括：电容，所述电容的一端接地，另一端与所述光电传感器的输出端耦接；
所述放大模块，包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述光电传感器的输出端耦接，第一极与第一电源端耦接；
所述复位模块，包括：第四晶体管，所述第四晶体管的栅极与所述第三扫描信号端耦接，第一极与所述第二电源端耦接，第二极与所述光电传感器的输出端耦接。
2.如权利要求1所述的光电探测电路，其特征在于，所述探测信号接收端唯一；或者所述探测信号接收端包括第一探测信号端和第二探测信号端，所述第一探测信号端与所述第一读取模块耦接，所述第二探测信号端与所述第二读取模块耦接。
3.如权利要求1所述的光电探测电路，其特征在于，所述第一读取模块，包括：第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与所述第一扫描信号端耦接，第一极与所述第一晶体管的第二极耦接，第二极与所述探测信号接收 端耦接。
4.如权利要求1所述的光电探测电路，其特征在于，所述第二读取模块，包括：第三晶体管，所述第三晶体管的栅极与所述第二扫描信号端耦接，第一极与所述光电传感器的输出端耦接，第二极与所述探测信号接收 端耦接。
5.一种如权利要求1～4任一项所述的光电探测电路的驱动方法，其特征在于，包括：
复位阶段，对第三扫描信号端加载第三扫描信号，使复位模块采用第二电源端对光电传感器的输出端进行复位；
积分阶段，对光电传感器加载第一辐射剂量的射线，使存储模块存储所述光电传感器根据所述第一辐射剂量的射线生成的第一光电流信号；或者，对所述光电传感器加载第二辐射剂量的所述射线，使所述存储模块存储所述光电传感器根据所述第二辐射剂量的射线生成的第二光电流信号；其中，所述射线的第一辐射剂量小于第二辐射剂量；
读取阶段，对第一扫描信号端加载第一扫描信号，使所述第一读取模块将经所述放大模块放大后的所述第一光电流信号写入探测信号接收端；或者，对第二扫描信号端加载第二扫描信号，使所述第二读取模块将所述存储模块存储的所述第二光电流信号写入所述探测信号接收端。
6.一种探测基板，其特征在于，包括：衬底基板，在所述衬底基板上呈阵列排布的如权利要求1～4任一项所述的光电探测电路，以及位于各所述光电探测电路所在层背离所述衬底基板一侧且与各所述光电探测电路一一对应耦接的光电传感器，所述光电探测电路包含的各晶体管与所述光电传感器为垂直结构。
7.如权利要求6所述的探测基板，其特征在于，所述光电探测电路包含的各晶体管的相同膜层同层设置，电容的一端与所述晶体管的栅极同层设置，另一端与所述晶体管的第一极和第二极同层设置。
8.如权利要求6所述的探测基板，其特征在于，所述光电传感器包括：与对应所述光电探测电路耦接的第一电极，位于所述第一电极背离所述衬底基板一侧的第二电极，以及在所述第一电极与所述第二电极之间层叠设置的P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层。
9.如权利要求6所述的探测基板，其特征在于，所述光电传感器包括：与对应所述光电探测电路耦接的第一电极，与所述第一电极同层设置的第二电极，位于所述第一电极与所述第二电极所在层背离所述衬底基板一侧的介电层，以及位于所述介电层背离所述衬底基板一侧的半导体层；其中，所述第一电极与所述第二电极构成叉指电极。
10.一种射线探测器，其特征在于，包括如权利要求6～9任一项所述的探测基板。
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