CN111613511A - 一种电离发生器芯片结构和制造方法 - Google Patents

一种电离发生器芯片结构和制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111613511A
CN111613511A CN202010495955.4A CN202010495955A CN111613511A CN 111613511 A CN111613511 A CN 111613511A CN 202010495955 A CN202010495955 A CN 202010495955A CN 111613511 A CN111613511 A CN 111613511A
Authority
CN
China
Prior art keywords
voltage electrode
layer
low
substrate layer
electrode substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010495955.4A
Other languages
English (en)
Inventor
孙懿
凌钧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Xianjing Plasma Technology Research Institute Co ltd
Original Assignee
Jiangsu Xianjing Plasma Technology Research Institute Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Xianjing Plasma Technology Research Institute Co ltd filed Critical Jiangsu Xianjing Plasma Technology Research Institute Co ltd
Priority to CN202010495955.4A priority Critical patent/CN111613511A/zh
Publication of CN111613511A publication Critical patent/CN111613511A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • H01J37/32568Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/327Arrangements for generating the plasma

Abstract

本发明涉及等离子体应用技术领域,尤其是一种电离发生器芯片的制造方法。其结构包括相对设置的高压电极层和低压电极层,所述低压电极层在高压电极层上的投影完全覆盖高压电极层,高压电极层固定连接在高压电极基材层表面,低压电极层固定连接在低压电极基材层表面。其方法包括:高压电极基材层、低压电极基材层和连接结构的形成,高压电极层的形成,高压电极保护层的形成和低压电极层的形成。本发明的制造方法能够有效提升电离发生器的一致性,进而提升电离效果;能够改善或解决电极裸露带来的打火问题;能够提升电离发生器的使用寿命。

Description

一种电离发生器芯片结构和制造方法
技术领域
本发明涉及等离子体应用技术领域,尤其是一种电离发生器芯片的制造方法。
背景技术
目前,电离发生器芯片在具体制作时会由于结构、加工精度、材料等原因造成产品出现各类问题:(1)电离发生器的一致性不高,导致电离效果难以提升;(2)电离发生器的电极裸露,导致打火等问题;(3)电离发生器电极裸露,导致产品使用寿命不长;(4)电离发生器的电极没有有效固定,导致放电不稳定;(5)电离发生器结构复杂,制造、安装、维修、保养都存在较大成本;(6)电离发生器芯片不适用于模块化组合应用。
发明内容
本申请人针对上述现有生产技术中的缺点,提供一种电离发生器芯片结构和制造方法,能够有效提升电离发生器中电极的一致性,进而提升电离效果,大幅度降低电离发生器的制造、安装、维修、保养等成本。
本发明所采用的技术方案如下:
一种电离发生器芯片结构,包括相对设置的高压电极层和低压电极层,所述低压电极层在高压电极层上的投影完全覆盖高压电极层,高压电极层固定连接在高压电极基材层表面,低压电极层固定连接在低压电极基材层表面;所述高压电极层面向低压电极层一端设有高压电极保护层,高压电极保护层完全覆盖在高压电极层面向低压电极层一端面,所述高压电极基材层和低压电极基材层通过连接结构连接成一体。
进一步的,高压电极层和低压电极层采用导电材料制作。
进一步的,高压电极基材层、高压电极保护层、低压电极基材层和连接结构采用绝缘材料制作,高压电极基材层、低压电极基材层和连接结构为一体成型并形成U形结构。
进一步的,高压电极基材层上设有两个沿着高压电极基材层厚度方向贯通的第一安装孔,两个第一安装孔分别设置在高压电极基材层长度方向的两端。
进一步的,低压电极基材层上设有两个沿着低压电极基材层厚度方向贯通的第二安装孔,两个第二安装孔分别设置在低压电极基材层长度方向的两端,低压电极基材层和低压电极层上相同位置处设有沿厚度方向贯通的第三安装孔,低压电极层通过第三安装孔内设置的紧固件固定连接在低压电极基材层上。
进一步的,高压电极层一端通过压板固定连接在高压电极基材层表面。
进一步的,连接结构表面设有沿厚度方向贯通的第四安装孔,连接结构通过第四安装孔内的紧固件能够实现紧固安装。
一种电离发生器芯片的制作方法,包括如下步骤:
高压电极基材层、低压电极基材层和连接结构的形成:采用绝缘薄板材料制作相对设置的高压电极基材层、低压电极基材层和用于连接高压电极基材层、低压电极基材层的连接结构,高压电极基材层、低压电极基材层和连接结构能够一体成型或分开单独成型后连接成一体;
高压电极层的形成:根据产品的具体设计情况,在高压电极基材层的表面固定导电材料形成高压电极层,高压电极层在低压电极层上的投影位于低压电极层内;
高压电极保护层的形成:在高压电极层背向高压电极基材层一端形成高压电极保护层;
低压电极层的形成:根据产品的具体设计情况,在低压电极基材层面向高压电极层一端表面固定导电材料形成低压电极层,低压电极层在高压电极层上的投影完全覆盖高压电极层。
进一步的,高压电极基材层的形成高压电极层表面粗糙度要求为90nm~60μm。
进一步的,低压电极基材层的形成低压电极层表面粗糙度要求为90nm~60μm。
本发明的有益效果如下:
本发明结构紧凑、合理,操作方便,通过本发明的制造方法能够有效提升电离发生器的一致性,进而提升电离效果;能够改善或解决电极裸露带来的打火问题;能够提升电离发生器的使用寿命;能够使电离发生器的电极实现有效固定,放电更稳定;能够大幅度降低电离发生器的制造、安装、维修、保养等成本。
附图说明
图1为本发明的电离发生器芯片结构原理图。
图2为本发明的电离发生器芯片结构的实施例主视图。
图3为本发明的电离发生器芯片结构的实施例第一视角立体图。
图4为本发明的电离发生器芯片结构的实施例第二视角立体图。
其中:1、高压电极基材层;2、高压电极层;3、高压电极保护层;4、低压电极基材层;5、低压电极层;6、连接结构;7、第一安装孔;8、第二安装孔;9、第三安装孔;10、压板;11、第四安装孔。
具体实施方式
下面结合附图,说明本发明的具体实施方式。
如图1所示,本发明的结构主要包括相对设置的高压电极层2和低压电极层5,低压电极层5在高压电极层2上的投影完全覆盖高压电极层2,高压电极层2固定连接在高压电极基材层1表面,低压电极层5固定连接在低压电极基材层4表面。
如图1所示,高压电极层2面向低压电极层5一端设有高压电极保护层3,高压电极保护层3完全覆盖在高压电极层2面向低压电极层5一端面。
如图1所示,高压电极基材层1和低压电极基材层4通过连接结构6连接成一体。
高压电极层2和低压电极层5采用导电材料制作,高压电极基材层1、高压电极保护层3和低压电极基材层4采用绝缘材料制作。
如图2、图3和图4所示的实施例中,高压电极基材层1、低压电极基材层4和连接结构6为一体成型并形成U形结构。
如图3所示,高压电极基材层1上设有两个沿着高压电极基材层1厚度方向贯通的第一安装孔7,两个第一安装孔7分别设置在高压电极基材层1长度方向的两端。
如图3所示,低压电极基材层4上设有两个沿着低压电极基材层4厚度方向贯通的第二安装孔8,两个第二安装孔8分别设置在低压电极基材层4长度方向的两端。
如图3和图4所示,低压电极基材层4和低压电极层5上相同位置处设有沿厚度方向贯通的第三安装孔9,低压电极层5通过第三安装孔9内设置的紧固件固定连接在低压电极基材层4上。
如图3所示,高压电极层2一端通过压板10固定连接在高压电极基材层1表面。
如图3所示,连接结构6表面设有沿厚度方向贯通的第四安装孔11,连接结构6通过第四安装孔11内的紧固件能够实现紧固安装。
本发明的制造方法主要包括如下步骤:
(1).高压电极基材层1、低压电极基材层4和连接结构6的形成:采用绝缘薄板材料制作相对设置的高压电极基材层1、低压电极基材层4和用于连接高压电极基材层1、低压电极基材层4的连接结构6,高压电极基材层1、低压电极基材层4和连接结构6能够一体成型或分开单独成型后连接成一体。
(2).高压电极层2的形成:根据产品的具体设计情况,在高压电极基材层1的表面固定导电材料形成高压电极层2,高压电极层2在低压电极层5上的投影位于低压电极层5内。
为了便于形成高压电极层2,高压电极基材层1的形成高压电极层2表面粗糙度要求为90nm~60μm。
导电材料的固定连接方式能够选用印刷或涂布或气相沉积或粘贴或通过紧固件可拆卸的连接。
高压电极层2的形状根据需要能够为丝状或丝网状或点状阵列或针尖状或锯齿状。
(3).高压电极保护层3的形成:在高压电极层2背向高压电极基材层1一端形成高压电极保护层3。高压电极保护层3能够采用耐高压的绝缘材料制作。
(4)低压电极层5的形成:根据产品的具体设计情况,在低压电极基材层4面向高压电极层2一端表面固定导电材料形成低压电极层5,低压电极层5在高压电极层2上的投影完全覆盖高压电极层2。
为了便于形成低压电极层5,低压电极基材层4的形成低压电极层5表面粗糙度要求为90nm~60μm。
导电材料的固定连接方式能够选用印刷或涂布或气相沉积或粘贴或通过紧固件可拆卸的连接。
低压电极层5的形状根据需要能够为丝状或丝网状或点状阵列或针尖状或锯齿状。
以上描述是对本发明的解释,不是对发明的限定,本发明所限定的范围参见权利要求,在本发明的保护范围之内,可以作任何形式的修改。

Claims (10)

1.一种电离发生器芯片结构,包括相对设置的高压电极层(2)和低压电极层(5),其特征在于:所述低压电极层(5)在高压电极层(2)上的投影完全覆盖高压电极层(2),高压电极层(2)固定连接在高压电极基材层(1)表面,低压电极层(5)固定连接在低压电极基材层(4)表面;所述高压电极层(2)面向低压电极层(5)一端设有高压电极保护层(3),高压电极保护层(3)完全覆盖在高压电极层(2)面向低压电极层(5)一端面,所述高压电极基材层(1)和低压电极基材层(4)通过连接结构(6)连接成一体。
2.如权利要求1所述的一种电离发生器芯片结构,其特征在于:所述高压电极层(2)和低压电极层(5)采用导电材料制作。
3.如权利要求1所述的一种电离发生器芯片结构,其特征在于:所述高压电极基材层(1)、高压电极保护层(3)、低压电极基材层(4)和连接结构(6)采用绝缘材料制作,高压电极基材层(1)、低压电极基材层(4)和连接结构(6)为一体成型并形成U形结构。
4.如权利要求1所述的一种电离发生器芯片结构,其特征在于:所述高压电极基材层(1)上设有两个沿着高压电极基材层(1)厚度方向贯通的第一安装孔(7),两个第一安装孔(7)分别设置在高压电极基材层(1)长度方向的两端。
5.如权利要求1所述的一种电离发生器芯片结构,其特征在于:所述低压电极基材层(4)上设有两个沿着低压电极基材层(4)厚度方向贯通的第二安装孔(8),两个第二安装孔(8)分别设置在低压电极基材层(4)长度方向的两端,低压电极基材层(4)和低压电极层(5)上相同位置处设有沿厚度方向贯通的第三安装孔(9),低压电极层(5)通过第三安装孔(9)内设置的紧固件固定连接在低压电极基材层(4)上。
6.如权利要求1所述的一种电离发生器芯片结构,其特征在于:所述高压电极层(2)一端通过压板(10)固定连接在高压电极基材层(1)表面。
7.如权利要求1所述的一种电离发生器芯片结构,其特征在于:所述连接结构(6)表面设有沿厚度方向贯通的第四安装孔(11),连接结构(6)通过第四安装孔(11)内的紧固件能够实现紧固安装。
8.一种电离发生器芯片的制作方法,其特征在于:包括如下步骤:
高压电极基材层(1)、低压电极基材层(4)和连接结构(6)的形成:采用绝缘薄板材料制作相对设置的高压电极基材层(1)、低压电极基材层(4)和用于连接高压电极基材层(1)、低压电极基材层(4)的连接结构(6),高压电极基材层(1)、低压电极基材层(4)和连接结构(6)能够一体成型或分开单独成型后连接成一体;
高压电极层(2)的形成:根据产品的具体设计情况,在高压电极基材层(1)的表面固定导电材料形成高压电极层(2),高压电极层(2)在低压电极层(5)上的投影位于低压电极层(5)内;
高压电极保护层(3)的形成:在高压电极层(2)背向高压电极基材层(1)一端形成高压电极保护层(3);
低压电极层(5)的形成:根据产品的具体设计情况,在低压电极基材层(4)面向高压电极层(2)一端表面固定导电材料形成低压电极层(5),低压电极层(5)在高压电极层(2)上的投影完全覆盖高压电极层(2)。
9.如权利要求8所述的一种电离发生器芯片的制作方法,其特征在于:所述高压电极基材层(1)的形成高压电极层(2)表面粗糙度要求为90nm~60μm。
10.如权利要求8所述的一种电离发生器芯片的制作方法,其特征在于:所述低压电极基材层(4)的形成低压电极层(5)表面粗糙度要求为90nm~60μm。
CN202010495955.4A 2020-06-03 2020-06-03 一种电离发生器芯片结构和制造方法 Pending CN111613511A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010495955.4A CN111613511A (zh) 2020-06-03 2020-06-03 一种电离发生器芯片结构和制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010495955.4A CN111613511A (zh) 2020-06-03 2020-06-03 一种电离发生器芯片结构和制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111613511A true CN111613511A (zh) 2020-09-01

Family

ID=72202294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010495955.4A Pending CN111613511A (zh) 2020-06-03 2020-06-03 一种电离发生器芯片结构和制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111613511A (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1421380A (zh) * 2001-11-22 2003-06-04 三菱电机株式会社 臭氧发生器
CN110028043A (zh) * 2019-05-15 2019-07-19 北京清源中科环保科技有限公司 沿面放电臭氧发生器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1421380A (zh) * 2001-11-22 2003-06-04 三菱电机株式会社 臭氧发生器
CN110028043A (zh) * 2019-05-15 2019-07-19 北京清源中科环保科技有限公司 沿面放电臭氧发生器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5383491B2 (ja) 大電力放電燃料点火装置
US4733056A (en) Heater backed with a ceramic substrate
CA2546791A1 (en) Fuel cell manufacturing method and fuel cell having a dielectric layer formed in pores of an electrolyte layer
WO2009144996A1 (ja) 太陽電池、太陽電池の製造方法および太陽電池モジュール
JPH09502567A (ja) 沿面放電区間を有する点火プラグ
DE202008018180U1 (de) Gehäuse für eine lichtemittierende Vorrichtung
DE102014213561A1 (de) Bandförmige Leuchtmittelvorrichtung, Lampe und Verfahren zum Herstellen der bandförmigen Leuchtmittelvorrichtung
WO1998034280B1 (en) Charge dissipation field emission device
US5120618A (en) Electroluminescent panel
EP3979315A1 (en) Heat dissipating substrate for semiconductor and preparation method thereof
CN111613511A (zh) 一种电离发生器芯片结构和制造方法
CN206742357U (zh) 一种方形动力锂离子电池模组汇流排
DE102012204159A1 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung desselben
DE3727825A1 (de) Serienverschaltetes duennschichtsolarmodul aus kristallinem silizium
KR100622534B1 (ko) 전자빔 장치
JP2013131698A (ja) 配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび太陽電池セルの製造方法
AT18044U1 (de) Solarmodul
US5604397A (en) Improved terminal lead structure for a flourescent display device
JPH0348622Y2 (zh)
DE112009004391B4 (de) Überspannungsabsorber
CN209896020U (zh) 一种表面覆瓷熔体
CN220629633U (zh) 一种介质阻挡均匀电离空气装置
CN214957813U (zh) 一种纳米水离子装置
US20030042841A1 (en) Vacuum fluorescent display with rib grid
CN114284393B (zh) 一种太阳能电池组件及其制备方法、太阳能装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200901

RJ01 Rejection of invention patent application after publication