CN111610667B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置，缩小遮光范围并抑制静电电容的变动。显示装置具备：液晶层，其包含液晶分子；在液晶层被施加电压时液晶分子的取向方向不同的多个畴；取向边界部，其位于多个畴的边界；取向膜，其使液晶分子取向；像素电极；连接部，其连接到像素电极且以与取向边界部的至少一部分重叠的方式配置；电容形成部，其以一部分隔着绝缘膜与连接部的一部分重叠的方式配置，在其与连接部之间形成静电电容，连接部和电容形成部分别具有均沿着取向边界部的至少一部分延伸且在与其延伸方向交叉的交叉方向上相互不重叠的非重叠部，并以在延伸方向上的一侧与其相反侧将非重叠部的在交叉方向上的配置调换的方式设置。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
作为现有的液晶显示装置的一例，已知下述专利文献1记载的显示装置。专利文献1所记载的液晶显示装置具有：垂直取向型的液晶层、第1基板以及第2基板；设置于第1基板的液晶层侧的第1电极和设置于第2基板的液晶层侧的第2电极；以及以与液晶层接触的方式设置的至少1个取向膜。像素区域具有被施加电压时的液晶层的层面内和厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向为预先确定的第1方向的第1液晶畴，第1液晶畴与第1电极的边缘的至少一部分接近，至少一部分包含与其正交且朝向第1电极的内侧的方位角方向与第1方向成超过90°的角的第1边缘部，第1基板或第2基板具有遮光构件，遮光构件包含对第1边缘部的至少一部分选择性地遮光的第1遮光部。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2006/132369号公报
发明内容
发明要解决的问题
在上述的专利文献1记载的液晶显示装置中的副像素电极的中央部，形成有包括漏极引出配线的延伸设置部、CS总线的延伸设置部以及它们之间的绝缘层(例如栅极绝缘层)的辅助电容(CS)。CS总线的延伸设置部与漏极引出配线的延伸设置部相比宽度较大，具有从漏极引出配线的延伸设置部的两侧缘分别向外侧露出的部分。能由该露出的部分吸收制造时在CS总线与漏极引出配线产生的位置偏移。然而，CS总线的延伸设置部的宽度往往变大，CS总线的延伸设置部的遮光范围变大，有可能无法充分确保副像素电极的透射光量。
本发明是基于上述的情况而完成的，其目的在于缩小遮光范围并且抑制静电电容的变动。
用于解决问题的方案
(1)本发明的一实施方式为一种显示装置，具备：液晶层，其包含液晶分子；在上述液晶层被施加电压时上述液晶分子的取向方向不同的多个畴；取向边界部，其位于上述多个畴的边界；取向膜，其使上述液晶分子取向；像素电极；连接部，其连接到上述像素电极且以与上述取向边界部的至少一部分重叠的方式配置；以及电容形成部，其以一部分隔着绝缘膜与上述连接部的一部分重叠的方式配置，在其与上述连接部之间形成静电电容，上述连接部和上述电容形成部分别具有均沿着上述取向边界部的至少一部分延伸且在与其延伸方向交叉的交叉方向上相互不重叠的非重叠部，并以在上述延伸方向上的一侧与其相反侧将上述非重叠部的在上述交叉方向上的配置调换的方式设置。
(2)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(1)的构成的基础上，上述连接部和上述电容形成部以在上述延伸方向上的一侧与其相反侧，上述非重叠部的在上述延伸方向上的尺寸相等的方式设置。
(3)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(1)或上述(2)的构成的基础上，上述连接部和上述电容形成部以在上述延伸方向上的一侧与其相反侧，上述非重叠部的在上述交叉方向上的尺寸相等的方式设置。
(4)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(1)至上述(3)中的任意1个构成的基础上，上述连接部和上述电容形成部实质上为旋转对称形状。
(5)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(1)至上述(4)中的任意1个构成的基础上，上述像素电极为长条状，上述连接部和上述电容形成部以上述延伸方向与上述像素电极的长边方向一致的方式设置。
(6)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(1)至上述(5)中的任意1个构成的基础上，上述取向边界部构成为包含：第1取向边界部，其沿着上述延伸方向延伸，与上述连接部重叠；以及第2取向边界部，其沿着上述交叉方向延伸，具备沿着上述交叉方向延伸且以与上述第2取向边界部重叠的方式配置的遮光部。
(7)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(6)的构成的基础上，上述遮光部包含与上述连接部包括相同导电膜且与上述连接部相连的第1遮光部。
(8)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(7)的构成的基础上，上述遮光部包含与上述电容形成部包括相同导电膜且以与上述电容形成部相连并且与上述第1遮光部的至少一部分重叠的方式配置的第2遮光部。
(9)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(8)的构成的基础上，上述第1遮光部和上述第2遮光部分别具有在上述延伸方向上相互不重叠的第2非重叠部，并以在上述交叉方向上的一侧与其相反侧将上述第2非重叠部的在上述延伸方向上的配置调换的方式设置。
(10)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(1)至上述(9)中的任意1个构成的基础上，具备边缘遮光部，上述边缘遮光部以与上述像素电极的外周缘部所包含的如下缘部的至少一部分重叠的方式配置：与该缘部正交且朝向上述像素电极的内侧的方位角方向相对于在上述液晶层被施加电压时的上述液晶层的厚度方向上的中央附近的上述液晶分子的倾斜方向成钝角。
(11)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(10)的构成的基础上，上述边缘遮光部与上述连接部包括相同导电膜且与上述连接部相连。
(12)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(10)的构成的基础上，具备：开关元件，其具有上述连接部；以及扫描配线，其沿着上述延伸方向延伸并连接到上述开关元件，传送对上述开关元件进行驱动的信号，上述边缘遮光部包括上述扫描配线的一部分。
(13)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(12)的构成的基础上，上述扫描配线相对于上述像素电极隔着绝缘膜配置在与上述液晶层相反的一侧。
(14)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(1)至上述(13)中的任意1个构成的基础上，上述取向边界部构成为包含：第1取向边界部，其沿着上述延伸方向延伸，与上述连接部重叠；以及第2取向边界部，其沿着上述交叉方向延伸，上述连接部具有连接电极，上述连接电极隔着绝缘膜与上述像素电极的一部分重叠，通过在上述绝缘膜开口形成的接触孔连接到上述像素电极，上述连接电极配置在上述第1取向边界部与上述第2取向边界部的交叉位置。
(15)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(1)至上述(14)中的任意1个构成的基础上，具备：开关元件，其具有上述连接部；扫描配线，其沿着上述延伸方向延伸并连接到上述开关元件，传送对上述开关元件进行驱动的信号；以及图像配线，其沿着上述交叉方向延伸并连接到上述开关元件，传送对上述像素电极进行充电的信号，上述电容形成部与上述扫描配线包括相同导电膜，上述连接部与上述图像配线包括相同导电膜。
(16)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(1)至上述(15)中的任意1个构成的基础上，上述取向膜被进行了使上述液晶分子的取向方向不同的多个取向处理，被进行了上述多个取向处理的部分的边界与上述取向边界部对应。
发明效果
根据本发明，能缩小遮光范围并且抑制静电电容的变动。
附图说明
图1是本发明的实施方式1的液晶面板的截面图。
图2是示出构成液晶面板的阵列基板中的像素排列的俯视图。
图3是阵列基板的图2的A-A线截面图。
图4是液晶面板的图2的B-B线截面图。
图5是液晶面板的图2的C-C线截面图。
图6是液晶面板的图2的D-D线截面图。
图7是用于说明阵列基板的取向膜中的取向处理的图。
图8是用于说明构成液晶面板的CF基板的取向膜的取向处理的图。
图9是用于说明液晶面板的1个像素部中的液晶分子的倾斜方向等的图。
图10是将阵列基板中的连接部和电容形成部附近放大的俯视图。
图11是示出构成本发明的实施方式2的液晶面板的阵列基板中的像素排列的俯视图。
图12是示出构成本发明的实施方式3的液晶面板的阵列基板中的像素排列的俯视图。
图13是将阵列基板中的连接部和电容形成部附近放大的俯视图。
图14是示出构成本发明的实施方式4的液晶面板的阵列基板中的像素排列的俯视图。
图15是将阵列基板中的栅极配线附近放大的俯视图。
图16是液晶面板的图2的C-C线截面图。
图17是液晶面板的图2的D-D线截面图。
图18是构成本发明的另一实施方式的液晶面板的阵列基板中的像素排列的俯视图。
附图标记说明
10…液晶面板(显示装置)；10C、310C…液晶层；10E…取向膜；11、311…TFT(开关元件)；12、112、212、312…像素电极；13、113、313…栅极配线(扫描配线)；14、314…源极配线(图像配线)；18、218…第1金属膜(导电膜)；19、319…栅极绝缘膜(绝缘膜)；21…第2金属膜(导电膜)；22、322…层间绝缘膜(绝缘膜)；23、323…平坦化膜(绝缘膜)；25、225…取向边界部；25A…第1取向边界部；25B、225B…第2取向边界部；27、227…电容形成部；27A…电容形成部侧非重叠部(非重叠部)；28、128、228…连接部；28A…连接部侧非重叠部(非重叠部)；29…连接电极；30、130、230…遮光部；30A、130A、230A…第1遮光部；31、331…边缘遮光部；31A…第2边缘遮光部(边缘遮光部)；32…第1遮光部侧非重叠部(第2非重叠部)；33…第2遮光部侧非重叠部(第2非重叠部)；230B…第2遮光部；CH…接触孔；PXD…畴。
具体实施方式
＜实施方式1＞
根据图1至图10说明本发明的实施方式1。在本实施方式中，例示构成液晶面板(显示装置)10的阵列基板10A。此外，在各附图的一部分中示出了X轴、Y轴以及Z轴，以各轴方向成为在各附图中所示的方向的方式进行了描绘。另外，以图1、图3、图4、图5以及图6的上侧为表侧，以下侧为里侧。
图1是液晶面板10的概略性的截面图。如图1所示，液晶面板10具备：阵列基板10A；CF基板(相对基板)10B，其以与阵列基板10A相对的方式配置；液晶层10C，其介于两基板10A、10B之间；密封部10D，其包围液晶层10C并将液晶层10C密封；以及一对取向膜10E，其设置于一对基板10A、10B中的面对液晶层10C的最内面。另外，在两基板10A、10B的外面侧分别贴附有偏振板。
液晶面板10被划分为其显示面能显示图像的显示区域和包围显示区域的非显示区域。图2是表示阵列基板10A的显示区域中的像素排列的俯视图。此外，图2中也部分地图示了CF基板10B侧的构成。在阵列基板10A中的显示区域，如图2所示，TFT(开关元件、薄膜晶体管)11和连接到TFT11的像素电极12分别沿着X轴方向和Y轴方向按矩阵状(行列状)排列设置有多个。呈大致格子状的栅极配线(扫描配线)13和源极配线(图像配线、数据配线)14以包围的方式配设在TFT11和像素电极12的周围。TFT11至少具有：栅极电极11A，其连接到栅极配线13；源极电极11B，其连接到源极配线14；以及漏极电极11C，其连接到像素电极12。TFT11相对于像素电极12(源极配线14)在X轴方向上偏置于图2所示的左右。TFT11为相对于像素电极12(源极配线14)偏置于左侧的TFT与相对于像素电极12(源极配线14)偏置于右侧的TFT在Y轴方向上交替反复排列的配置，并平面配置为之字形状(锯齿状)。此外，优选在阵列基板10A中单片地设置有用于向栅极配线13供应扫描信号的栅极电路部。另外，在阵列基板10A中以COG(Chip On Glass：玻璃上芯片)方式安装有用于向源极配线14供应图像信号的驱动器。
如图2所示，像素电极12在俯视时呈横长的长条状，具体地说呈大致长方形，其长边方向与X轴方向一致，短边方向与Y轴方向一致。像素电极12的长边尺寸相对于短边尺寸的比率例如为约3。栅极配线13介于在短边方向(Y轴方向)上相邻的像素电极12之间，源极配线14介于在长边方向(X轴方向)上相邻的像素电极12之间。像素电极12以在俯视时与栅极配线13以及源极配线14不重叠的方式配置。栅极配线13沿着像素电极12的长边方向(X轴方向)延伸，在短边方向上空开像素电极12的短边尺寸程度的间隔地排列配置有多个。栅极配线13在与源极配线14的交叉部位具有俯视时呈横长的方形的环状的部分(以下，称为环状部13A)。在栅极配线13与源极配线14的交叉部位发生栅极配线13和源极配线14短路的不良的情况下，利用环状部13A，能通过对短路部分照射激光等而将其从栅极配线13分离。栅极配线13的设置数量与Y轴方向上的像素电极12的排列数量一致。源极配线14沿着像素电极12的短边方向延伸，在长边方向上空开像素电极12的长边尺寸程度的间隔地排列配置有多个。源极配线14与栅极配线13大致正交(交叉)。源极配线14的设置数量与X轴方向上的像素电极12的排列数量一致。根据这种构成，若与将像素电极设为纵长的长条状的情况相比，源极配线14的排列间隔为将像素电极12的短边尺寸除以长边尺寸所得的比率(例如约1/3)的程度，伴随于此，在X轴方向上的每单位长度的源极配线14的设置数量为与上述同样的比率(例如约1/3)的程度。此外，若与将像素电极设为纵长的长条状的情况相比，栅极配线13的排列间隔为将像素电极12的长边尺寸除以短边尺寸所得的比率(例如约3)的程度，伴随于此，在X轴方向上的每单位长度的栅极配线13的设置数量为与上述同样的比率(例如约3)的程度。由此，能削减源极配线14的设置数量，因此供应给源极配线14的图像信号的数量被削减。因此，能削减用于向源极配线14供应信号的驱动器的设置数量或者能使用低价的驱动器，因此即使在推进了液晶面板10的高清晰化的情况下也能实现液晶面板10的窄边框化、低成本化。
图3是阵列基板10A的图2的A-A线截面图。使用图2和图3详细说明TFT11的构成。如图2和图3所示，TFT11为在X轴方向上图2所示的左侧或右侧与作为连接对象的像素电极12相邻的配置。TFT11具有与栅极配线13相连的栅极电极11A。栅极电极11A以从栅极配线13的环状部13A按图2所示的向下突出的方式分支，在俯视时呈纵长的方形。TFT11具有与源极配线14相连的源极电极11B。源极电极11B呈沿着栅极电极11A的3个边弯曲而在俯视时朝向图2所示的下侧开口的沟道型。TFT11具有配置在与源极电极11B之间空开间隔的位置的漏极电极11C。漏极电极11C与源极电极11B的3个边部呈相对状，并且从源极电极11B的开口部分沿着Y轴方向伸出后弯曲而沿着X轴方向延伸。漏极电极11C的沿着X轴方向延伸的部分在俯视时与像素电极12的一部分重叠且连接到该部分，构成针对像素电极12的连接部28。稍后将再次说明该连接部28的详细构成。TFT11具有与栅极电极11A重叠且连接到源极电极11B和漏极电极11C的沟道部11D。沟道部11D与栅极电极11A同样平面形状呈方形，其3个边部连接到源极电极11B，包含剩余的1个边部的部分连接到漏极电极11C。并且，当传送给栅极配线13的扫描信号被供应到栅极电极11A从而TFT11被驱动时，传送给源极配线14的图像信号(数据信号)会从源极电极11B经由沟道部11D向漏极电极11C供应。其结果是，像素电极12被充电到基于图像信号的电位。
图4是液晶面板10的图2的B-B线截面图，图5是液晶面板10的图2的C-C线截面图。图6是液晶面板10的图2的D-D线截面图。如图4至图6所示，在CF基板10B的显示区域设置有呈现蓝色(B)、绿色(G)以及红色(R)的3色的彩色滤光片15。彩色滤光片15以在俯视时与阵列基板10A侧的各像素电极12重叠的方式在X轴方向和Y轴方向上各排列有多个而配置为矩阵状。彩色滤光片15中的呈现相互不同的颜色的彩色滤光片沿着源极配线14(Y轴方向)反复排列，呈现相同颜色的彩色滤光片沿着栅极配线13(X轴方向)连续排列。在该液晶面板10中，沿着Y轴方向排列的R、G、B的彩色滤光片15和与各彩色滤光片15相对的3个像素电极12分别构成3色的像素部PX。并且，在该液晶面板10中，由沿着Y轴方向相邻的R、G、B的3色的像素部PX构成能进行规定的灰度级的彩色显示的显示像素。在CF基板10B的显示区域中设置有将相邻的彩色滤光片15之间分隔开的大致格子状的黑矩阵(像素间遮光部)16。该黑矩阵16使得光难以在相邻的像素部PX之间往来，从而防止了混色等。另外，在彩色滤光片15的内面侧形成有相对电极17。相对电极17至少在显示区域中设置为满面状，夹着液晶层10C与全部的像素电极12相对。相对电极17通过被充电基准电位(共用电位)，从而在其与由TFT11充电的像素电极12之间产生电位差。基于该电位差，液晶层10C的液晶分子的取向状态发生变化，从而能按每个像素部PX进行规定的灰度级显示。另外，优选为了平坦化而在彩色滤光片15与相对电极17之间形成有覆膜。
如图3至图6所示，阵列基板10A是在玻璃基板(基板)的内面侧层叠形成各种膜而得到的。具体地说，阵列基板10A具有：第1金属膜(导电膜、栅极金属膜)18；栅极绝缘膜(第1绝缘膜)19，其配置在第1金属膜18的上层侧；半导体膜20，其配置在栅极绝缘膜19的上层侧；第2金属膜(导电膜、源极金属膜)21，其配置在半导体膜20的上层侧；层间绝缘膜(绝缘膜、第2绝缘膜)22，其配置在第2金属膜21的上层侧；平坦化膜(绝缘膜、第3绝缘膜)23，其配置在层间绝缘膜22的上层侧；透明电极膜24，其配置在平坦化膜23的上层侧；以及取向膜10E，其配置在透明电极膜24的上层侧。
第1金属膜18和第2金属膜21均为包括1种金属材料的单层膜或者包括不同种类的金属材料的层叠膜、合金，从而具有导电性和遮光性。如图3至图6所示，第1金属膜18构成栅极配线13、TFT11的栅极电极11A等。第2金属膜21构成源极配线14、TFT11的源极电极11B等。半导体膜20为例如使用氧化物半导体作为材料的氧化物半导体膜。半导体膜20构成TFT11的沟道部11D等。透明电极膜24例如包括ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)、IZO(IndiumZinc Oxide：氧化铟锌)等透明电极材料，构成像素电极12等。
栅极绝缘膜19和层间绝缘膜22均包括作为一种无机绝缘材料(无机树脂材料)的SiO2(氧化硅、硅氧化物)、SiNx(氮化硅)等。平坦化膜23包括作为一种有机绝缘材料(有机材料)的PMMA(丙烯酸树脂)等。栅极绝缘膜19介于第1金属膜18与半导体膜20之间并将它们绝缘。特别是，栅极绝缘膜19中的介于包括第1金属膜18的栅极配线13与包括第2金属膜21的源极配线14的交叉部间的部分将两配线13、14间绝缘。层间绝缘膜22和平坦化膜23介于半导体膜20及第2金属膜21与透明电极膜24之间并将它们绝缘。其中的平坦化膜23其膜厚比包括无机树脂材料的其它绝缘膜19、22大，为了将阵列基板10A的表面平坦化而发挥功能。在层间绝缘膜22和平坦化膜23中的与TFT11的漏极电极11C和像素电极12的重叠部位重叠的位置，开口形成有接触孔CH。因此，相互重叠的漏极电极11C的连接部28和像素电极12的一部分通过接触孔CH连接。
在此，使用图7至图9详细说明取向膜10E。图7是用于说明阵列基板10A的取向膜10E的取向处理的图，是从液晶层10C侧观看阵列基板10A的图。图8是用于说明CF基板10B的取向膜10E的取向处理的图，是从与液晶层10C侧相反的一侧，即从贴附有偏振板的一侧观看CF基板10B的图。图9是用于说明液晶面板10的1个像素部PX中的液晶分子的倾斜方向(取向方向)等的图，是以阵列基板10A为下，以CF基板10B为上，从CF基板10B侧观看的图。设置于两基板10A、10B的各自的最内面的取向膜10E为在液晶层10C未被施加电压的状态下均使液晶层10C所包含的液晶分子的长轴相对于基板的膜面大致垂直地取向的垂直取向膜。即，本实施方式的液晶面板10的显示模式为VA(Vertical Alignment：垂直取向)模式，更详细地说，液晶分子的取向按划分像素部PX的4个畴PXD中的每个畴PXD而不同，例如为4D-RTN(4-Domain Reverse Twisted Nematic：4畴反向扭曲向列)模式。具体地说，取向膜10E为通过对其表面进行光取向处理从而能对液晶分子赋予取向限制力的光取向膜，光取向处理为与上述的多个畴PXD相应的光取向处理。即，如图7所示，针对阵列基板10A侧的取向膜10E，对在制造过程中以各像素部PX的在X轴方向上的中央位置为边界沿着X轴方向排列的2个区域分别照射沿着Y轴方向相互反向的取向处理光(偏振紫外线)。图7中由中空箭头图示出取向处理光的照射方向，由实线箭头图示出液晶分子的倾斜方向(取向方向、液晶层被施加电压时液晶分子倾倒的方向)。在本实施方式中，对图7所示的左侧的区域照射了该图的向上的取向处理光，对图7所示的右侧的区域照射了该图的向下的取向处理光。此外，当照射相互反向的取向处理光时，使用掩模以使不需要的部分不被照射取向处理光。另一方面，如图8所示，针对CF基板10B侧的取向膜10E，对在制造过程中以各像素部PX的在Y轴方向上的中央位置为边界在Y轴方向上排列的2个区域分别照射沿着X轴方向相互反向的取向处理光。图8中由中空箭头图示出取向处理光的照射方向，由实线箭头图示出液晶分子的倾斜方向。在本实施方式中，对图8所示的上侧的区域照射了该图的向左的取向处理光，对图8所示的下侧的区域照射了该图的向右的取向处理光。
如图9所示，像素部PX被进行这种光取向处理的一对取向膜10E分割为液晶分子的倾斜方向相互不同的4个畴PXD。图9中由实线箭头图示出液晶层10C的厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向。4个畴PXD在X轴方向和Y轴方向上各排列2个而配置为矩阵状。在4个畴PXD的边界位置，液晶分子的取向与4个畴PXD均不同，该处为取向边界部25。取向膜10E具有在俯视时为大致十字型的取向边界部25。取向边界部25为包含沿着X轴方向延伸的第1取向边界部25A和沿着Y轴方向延伸的第2取向边界部25B的构成。此外，在图2和图9中，由单点划线图示出4个畴PXD的取向边界部25。该取向边界部25难以适当控制液晶分子的取向状态，有易于成为光量局部少的暗部的趋势。此外，在图9中，以阴影状图示了暗部的产生区域。在本实施方式中，4个畴PXD中的液晶分子的倾斜方向设定为彼此各相差90度的整数倍。即，在图9所示的右上的畴PXD中，液晶分子的倾斜方向为左斜向上，在图9所示的左上的畴PXD中，液晶分子的倾斜方向为左斜向下，在图9所示的左下的畴PXD中，液晶分子的倾斜方向为右斜向下，在图9所示的右下的畴PXD中，液晶分子的倾斜方向为右斜向上。这样，配置于各畴PXD的液晶分子的取向由一对取向膜10E分别限制为不同的方向，因此显示于液晶面板10的图像的视野角特性被平均化，从而能得到良好的显示性能。
如图2和图5所示，在构成本实施方式的液晶面板10的阵列基板10A中设置有电容配线26。电容配线26沿着X轴方向即沿着像素电极12的长边方向延伸，换句话说以与栅极配线13并行的方式延伸。电容配线26具有隔着层间绝缘膜22和平坦化膜23(绝缘膜)与像素电极12重叠的电容形成部27。电容配线26沿着X轴方向排列并横穿成为1个列的多个像素电极12中的全部像素电极，并以与这些像素电极12分别重叠的方式具有多个电容形成部27。1个电容配线26所具有的电容形成部27的数量与像素电极12在X轴方向上的排列数一致。电容配线26在Y轴方向上空开像素电极12的短边尺寸程度的间隔地排列配置有多个。电容配线26的排列间隔与栅极配线13的排列间隔以及Y轴方向上的像素电极12的排列间隔大致相等。电容配线26的设置数与栅极配线13的设置数以及Y轴方向上的像素电极12的排列数一致。电容配线26被确保为基准电位(例如可以是与相对电极17相同的电位，也可以是与相对电极17之间保持特定的电位差的电位)，并且在电容配线26与重叠于电容形成部27的像素电极12及连接于像素电极12的连接部28之间形成静电电容，因此当像素电极12被充电时会保持其电位。另外，电容配线26与栅极配线13包括相同的第1金属膜18。由此，若与电容配线和栅极配线13包括不同的金属膜的情况相比，能实现制造成本的低廉化。另外，虽然栅极配线13和电容配线26均沿着X轴方向延伸且为与源极配线14交叉的关系，但是由于包括与源极配线14之间隔着栅极绝缘膜19的第1金属膜18，因此避免了与源极配线14的短路。
在此，再次说明漏极电极11C所具有的连接部28。如图2所示，漏极电极11C配置为连接到像素电极12的连接部28与取向边界部25的至少一部分重叠。详细地说，连接部28呈沿着X轴方向延伸的规定宽度的带状(线状)，配置为与取向边界部25中的以与连接部28的延伸方向(X轴方向)并行的形式延伸的第1取向边界部25A重叠。该取向边界部25如已叙述的那样，难以适当控制液晶分子的取向状态，有易于成为光量局部少的暗部的趋势。特别是，取向边界部25所引起的暗部有时会由于对形成于阵列基板10A的取向膜10E的表面进行光取向处理时使用的掩模的对准精度而位置、宽度发生变动，当在显示区域中存在暗部的宽度不同的部分时，会有易于被视觉识别为显示不均的趋势。通过将连接部28与这种取向边界部25的第1取向边界部25A重叠配置，从而由于连接部28而不易视觉识别到第1取向边界部25A所引起的显示不均，并且连接部28与像素电极12重叠配置所引起的亮度降低被抑制。而且，如图3所示，连接部28与源极配线14包括相同的第2金属膜21。由此，若与连接部和源极配线14包括不同的金属膜的情况相比，能实现制造成本的低廉化。如图2所示，连接部28的自身的延伸方向上的长度尺寸与像素电极12的长边尺寸以及第1取向边界部25A的长度尺寸是同等的。因此，连接部28在大致整个长度上与第1取向边界部25A重叠配置。连接部28配置为与像素电极12的Y轴方向上的中央部重叠，并如图3所示，配置为相对于像素电极12在其间隔着层间绝缘膜22和平坦化膜23而重叠。
如图2和图3所示，连接部28具有与像素电极12的一部分连接的连接电极29。连接电极29配置在连接部28的X轴方向上的中央位置。在连接电极29与像素电极12之间存在的层间绝缘膜22和平坦化膜23中的连接电极29和像素电极12的重叠位置，开口形成有接触孔CH。连接电极29和接触孔CH配置在像素电极12的X轴方向和Y轴方向的中央位置，换句话说配置在构成取向边界部25的第1取向边界部25A与第2取向边界部25B的交叉位置。在将连接部28与像素电极12的一部分连接的接触孔CH的周边，液晶层10C所包含的液晶分子的取向易于紊乱，因此本来存在对显示的贡献度低的趋势。另一方面，在取向边界部25中的第1取向边界部25A与第2取向边界部25B的交叉位置，有特别难以适当控制液晶分子的取向状态的趋势。对此，由于连接电极29配置在第1取向边界部25A与第2取向边界部25B的交叉位置，因此若与连接电极配置为从第1取向边界部25A与第2取向边界部25B的交叉位置偏离的情况相比，能确保像素电极12中被有效地利用于显示的范围广。由此，能确保显示质量良好。
如图2和图5所示，在这种构成的连接部28的一部分，以重叠的方式配置有电容形成部27的一部分。电容形成部27呈沿着作为连接部28的延伸方向的X轴方向延伸的规定宽度的带状(线状)。电容形成部27与连接部28同样以与取向边界部25的至少一部分重叠的方式配置，具体地说是以与第1取向边界部25A重叠的方式配置。电容形成部27与连接部28同样在大致整个长度上与第1取向边界部25A重叠配置。电容形成部27与连接部28同样配置为与像素电极12的Y轴方向上的中央部重叠，并配置为相对于像素电极12在其间隔着栅极绝缘膜19、层间绝缘膜22、平坦化膜23以及连接部28的一部分而重叠。此外，在本实施方式中，X轴方向为“电容形成部27和连接部28的延伸方向”，Y轴方向为“与电容形成部27和连接部28的延伸方向交叉的交叉方向”。
如图5、图6以及图10所示，电容形成部27配置为相对于连接部28在Y轴方向上部分地偏离。图10是将阵列基板10A中的电容形成部27和连接部28附近放大的俯视图。因此，电容形成部27和连接部28分别具有相互重叠的重叠部，并且分别具有相互不重叠的非重叠部27A、28A。非重叠部27A、28A包含作为电容形成部27的一部分的电容形成部侧非重叠部27A和作为连接部28的一部分的连接部侧非重叠部28A。电容形成部侧非重叠部27A和连接部侧非重叠部28A分别包括电容形成部27和连接部28中的沿着X轴方向延伸的侧缘部。电容形成部侧非重叠部27A和连接部侧非重叠部28A配置为在Y轴方向上将电容形成部27和连接部28的重叠部夹在之间。即，电容形成部侧非重叠部27A和连接部侧非重叠部28A中的一方相对于上述的重叠部在Y轴方向上配置在一侧，而另一方相对于上述的重叠部在Y轴方向上配置在另一侧。电容形成部侧非重叠部27A和连接部侧非重叠部28A是在电容形成部27和连接部28设置于按设计那样的位置的情况下产生的，在实际的制造时电容形成部27和连接部28从设计的位置在Y轴方向上发生了位置偏移的情况下，其一部分可能会与电容形成部27或连接部28重叠。同样地，在电容形成部27和连接部28设置于按设计那样的位置的情况下会重叠的重叠部如果发生了上述的这种Y轴方向上的位置偏移，则其一部分可能变得与电容形成部27、连接部28不重叠。
并且，如图5、图6以及图10所示，电容形成部侧非重叠部27A和连接部侧非重叠部28A以在电容形成部27和连接部28中在X轴方向上的一侧与其相反侧将在Y轴方向上的配置调换的方式配置。详细地说，电容形成部侧非重叠部27A和连接部侧非重叠部28A在以连接部28和电容形成部27中的X轴方向上的中央位置为边界的图10所示的左侧与右侧在Y轴方向上调换了图10所示的上下的配置。此外，以下，在将电容形成部侧非重叠部27A和连接部侧非重叠部28A区别开来的情况下，将配置在图10所示的左侧的非重叠部作为“第1电容形成部侧非重叠部27A1和第1连接部侧非重叠部28A1”并对其附图标记添加后缀“1”，将配置在图10所示的右侧的非重叠部作为“第2电容形成部侧非重叠部27A2和第2连接部侧非重叠部28A2”并对其附图标记添加后缀“2”，在不区别而进行总称的情况下，不对附图标记添加后缀。具体地说，第1电容形成部侧非重叠部27A1相对于连接部28在Y轴方向上向图10所示的上侧进行了位置偏移，而第1连接部侧非重叠部28A1相对于电容形成部27在Y轴方向上向图10所示的下侧进行了位置偏移。第2电容形成部侧非重叠部27A2相对于连接部28在Y轴方向上向图10所示的下侧进行了位置偏移，而第2连接部侧非重叠部28A2相对于电容形成部27在Y轴方向上向图10所示的上侧进行了位置偏移。第1电容形成部侧非重叠部27A1和第2电容形成部侧非重叠部27A2相对于连接部28在Y轴方向上相互向相反侧进行了位置偏移。第1连接部侧非重叠部28A1和第2电容形成部侧非重叠部27A2相对于电容形成部27在Y轴方向上相互向相反侧进行了位置偏移。
根据以上的构成，如图10所示，即使伴随着电容形成部27和连接部28由于制造上的理由从设计的位置在Y轴方向上发生位置偏移，而在X轴方向上的一侧，电容形成部27和连接部28的重叠面积增加或减少了，在延伸方向上的其相反侧，电容形成部27和连接部28的重叠面积也会减少或增加。此外，图10中用双点划线图示了连接部28从设计的位置在Y轴方向上发生了位置偏移的状态。例如，在连接部28相对于电容形成部27从设计的位置在Y轴方向上向上侧发生了位置偏移的情况下，在电容形成部27和连接部28的X轴方向上的图10所示的左侧部分，第1电容形成部侧非重叠部27A1和第1连接部侧非重叠部28A1的各宽度变窄并且重叠部的宽度增加。另一方面，在电容形成部27和连接部28的X轴方向上的图10所示的右侧部分，第2电容形成部侧非重叠部27A2和第2连接部侧非重叠部28A2的各宽度变宽并且重叠部的宽度减小。与上述相反地，在连接部28相对于电容形成部27从设计的位置在Y轴方向上向下侧发生了位置偏移的情况下，在电容形成部27和连接部28的X轴方向上的图10所示的左侧部分，第1电容形成部侧非重叠部27A1和第1连接部侧非重叠部28A1的各宽度变宽并且重叠部的宽度减小。另一方面，在电容形成部27和连接部28的X轴方向上的图10所示的右侧部分，第2电容形成部侧非重叠部27A2和第2连接部侧非重叠部28A2的各宽度变窄并且重叠部的宽度增加。因此，即使由于制造上的理由而电容形成部27和连接部28从设计的位置在Y轴方向上发生位置偏移，也能避免电容形成部27和连接部28的整体的重叠面积发生变动。由此，还能避免在电容形成部27与连接部28之间形成的静电电容发生变动。并且，与如以往那样CS总线的延伸设置部具有从漏极引出配线的延伸设置部的两侧缘分别露出的部分的情况相比，电容形成部27和连接部28的遮光范围变窄了。
如图2所示，电容形成部27和连接部28以在X轴方向上的一侧与其相反侧，非重叠部27A、28A的在X轴方向上的尺寸相等的方式设置。而且，电容形成部27和连接部28以在X轴方向上的一侧与其相反侧，非重叠部27A、28A的在Y轴方向上的尺寸相等的方式设置。详细地说，第1电容形成部侧非重叠部27A1和第2电容形成部侧非重叠部27A2的长度尺寸和宽度尺寸分别大致相等。同样地，第1连接部侧非重叠部28A1和第2连接部侧非重叠部28A2的长度尺寸和宽度尺寸分别大致相等。而且，电容形成部27和连接部28实质上为旋转对称形状。详细地说，电容形成部27和连接部28除了X轴方向上的中央部(连接电极29附近)以外整体上为大致旋转对称形状。根据这种构成，即使由于制造上的理由而电容形成部27和连接部28从设计的位置在Y轴方向上发生了位置偏移，电容形成部27和连接部28的整体的重叠面积也被确保为固定，因此形成在电容形成部27与连接部28之间的静电电容也会被确保为固定。除此以外，电容形成部27和连接部28在Y轴方向上发生位置偏移时允许的位置偏移允许尺寸在Y轴方向上的一侧与其相反侧是同等的。
在构成本实施方式的液晶面板10的阵列基板10A中，如图2和图4所示，设置有沿着Y轴方向延伸且以与取向边界部25中的第2取向边界部25B重叠的方式配置的遮光部30。遮光部30配置在像素电极12的X轴方向上的大致中央位置，以与取向边界部25中的沿着Y轴方向延伸的第2取向边界部25B的大部分重叠的方式配置。第2取向边界部25B与第1取向边界部25A同样，产生的暗部的位置、宽度由于对形成于CF基板10B的取向膜10E的表面进行光取向处理时所使用的掩模的对准精度而发生变动，易于视觉识别到显示不均。通过将遮光部30与这种第2取向边界部25B重叠配置，从而由于遮光部30而变得不易视觉识别到第2取向边界部25B所引起的显示不均，并且遮光部30与像素电极12重叠配置所引起的亮度降低被抑制。而且，本实施方式的遮光部30包括第1遮光部30A，第1遮光部30A与连接部28包括相同的第2金属膜21并且与连接部28相连。这样，若与第1遮光部包括与连接部28之间隔着绝缘膜的别的金属膜(导电膜)，利用在该绝缘膜开口形成的接触孔将遮光部和连接部28连接的情况相比，能避免产生这种接触孔所引起的暗部。
在此，参照图9详细说明像素电极12的外周缘部与液晶层10C的厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向的关系。如图9所示，像素电极12的外周缘部构成了像素部PX的4个畴PXD的除了取向边界部25侧的各2边以外的外侧的各2边。相对于此，液晶层10C所包含的液晶分子的倾斜方向如已叙述的那样在各畴PXD中彼此各相差90度的整数倍。因此，在图9所示的右上的畴PXD中，与像素电极12的短边侧的缘部12S正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向与液晶分子的倾斜方向成锐角(不超过90度的角度)，而与像素电极12的长边侧的缘部12L正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向与液晶分子的倾斜方向成钝角(超过90度的角度)。同样地，在图9所示的左上的畴PXD中，与像素电极12的短边侧的缘部12S正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向与液晶分子的倾斜方向成钝角，而与像素电极12的长边侧的缘部12L正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向与液晶分子的倾斜方向成锐角。同样地，在图9所示的左下的畴PXD中，与像素电极12的短边侧的缘部12S正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向与液晶分子的倾斜方向成锐角，而与像素电极12的长边侧的缘部12L正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向与液晶分子的倾斜方向成钝角。在图9所示的右下的畴PXD中，与像素电极12的短边侧的缘部12S正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向与液晶分子的倾斜方向成钝角，而与像素电极12的长边侧的缘部12L正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向与液晶分子的倾斜方向成锐角。然而，在像素电极12的外周缘部附近，存在在栅极配线13、源极配线14与像素电极12之间产生的电场，该电场可能对液晶层10C所包含的液晶分子作用取向限制力。在作为像素电极12的外周缘部所包含的缘部、并且与该缘部正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成钝角的缘部附近产生的电场对液晶分子作用与上述的倾斜方向为反向的取向限制力，因此在该缘部附近，液晶分子的取向易于紊乱，有可能被视觉识别为暗部。特别是，上述的液晶分子的取向紊乱所引起的暗部可能会根据在作为像素电极12的外周缘部所包含的缘部、并且与该缘部正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成钝角的缘部附近产生的电场的强度而宽度略有变动。上述的电场的强度根据像素电极12的缘部与栅极配线13、源极配线14的侧缘部的距离、层间绝缘膜22、平坦化膜23的膜厚等而发生变动。因此，当在显示区域中存在暗部的宽度不同的部分时，会有易于被视觉识别为显示不均的趋势。
因此，在构成本实施方式的液晶面板10的阵列基板10A中，如图2、图5以及图6所示，设置有以与作为像素电极12的外周缘部所包含的缘部、并且与该缘部正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向相对于在液晶层10C被施加电压时的液晶层10C的厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向成钝角的缘部的至少一部分重叠的方式配置的边缘遮光部31。边缘遮光部31是以与作为像素电极12的外周缘部所包含的缘部、并且与该缘部正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向相对于倾斜方向成钝角的长边侧的缘部12L的至少一部分重叠的方式配置。具体地说，边缘遮光部31以与图2所示的右上的畴PXD中的像素电极12的长边侧的缘部12L和图2所示的左下的畴PXD中的像素电极12的长边侧的缘部12L分别重叠的方式配置有2个。边缘遮光部31沿着X轴方向延伸而与上述的像素电极12的长边侧的各缘部12L的大致整个区域重叠。根据这种构成，即使在由于通过在作为像素电极12的外周缘部所包含的缘部、并且与该缘部正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成钝角的长边侧的缘部12L与栅极配线13之间产生的电场作用到液晶分子的取向限制力而液晶分子的取向发生了紊乱的情况下，也会由于与上述的方位角方向相对于上述的液晶分子的倾斜方向成钝角的长边侧的缘部12L重叠配置的边缘遮光部31，而不易视觉识别到取向紊乱所引起的暗部。由此，即使在显示区域中产生了暗部的宽度不同的部分，也不易被视觉识别为显示不均，能确保显示质量良好。而且，上述的方位角方向相对于上述的液晶分子的倾斜方向成钝角的长边侧的缘部12L与短边侧的缘部12S相比，其形成范围广，因此虽然有暗部的产生范围也变广的趋势，但是通过将边缘遮光部31与长边侧的缘部12L重叠配置，不易视觉识别到在长边侧的缘部12L附近可能在大范围内产生的暗部。由此，能确保显示质量更良好。此外，虽然在图2所示的左上的畴PXD和右下的畴PXD的短边侧的各缘部12S未重叠配置有边缘遮光部31，但是由于与长边侧的缘部12L相比，可能产生的暗部的范围比较窄，因此不会使显示质量显著劣化。另外，即使在通过用黑矩阵16隐藏暗部来改善显示质量的情况下，与长边侧的缘部12L相比，在短边侧的各缘部12S可能产生的暗部的范围也比较窄，因此对亮度降低带来的影响小。
如图2、图5以及图6所示，边缘遮光部31与连接部28包括相同的第2金属膜21且与连接部28相连。边缘遮光部31与构成遮光部30的第1遮光部30A直接相连，并隔着第1遮光部30A与连接部28间接相连。边缘遮光部31电连接到连接部28，因此能将在作为像素电极12的外周缘部所包含的缘部、并且与该缘部正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向相对于上述的倾斜方向成钝角的长边侧的缘部12L附近产生的电场屏蔽。由此，在上述的方位角方向相对于上述的倾斜方向成钝角的长边侧的缘部12L附近更不易发生液晶分子的取向紊乱，因此更不易视觉识别到暗部而有利于显示质量的改善。另外，若与边缘遮光部包括与连接部28之间隔着绝缘膜的别的金属膜(导电膜)，利用在该绝缘膜开口形成的接触孔将边缘遮光部和连接部28连接的情况相比，能避免产生这种接触孔所引起的暗部。
如图2、图5以及图6所示，边缘遮光部31以与栅极配线13不重叠且与栅极配线13的侧缘部13E相邻的方式配置。这样，能由以与栅极配线13的侧缘部13E相邻的方式配置的边缘遮光部31将在栅极配线13的侧缘部13E与像素电极12的长边侧的缘部12L之间可能产生的电场屏蔽。由此，在上述的方位角方向相对于上述的倾斜方向成钝角的长边侧的缘部12L附近更不易发生液晶分子的取向紊乱，因此更不易视觉识别到暗部而有利于显示质量的改善。另外，由于边缘遮光部31以与栅极配线13不重叠的方式配置，因此在栅极配线13与连接部28之间可能产生的寄生电容被抑制。
如以上说明所示，本实施方式的液晶面板(显示装置)10具备：液晶层10C，其包含液晶分子；在液晶层10C被施加电压时液晶分子的取向方向不同的多个畴PXD；取向边界部25，其位于多个畴PXD的边界；取向膜10E，其使液晶分子取向；像素电极12；连接部28，其连接到像素电极12且以与取向边界部25的至少一部分重叠的方式配置；以及电容形成部27，其以一部分隔着栅极绝缘膜(绝缘膜)19与连接部28的一部分重叠的方式配置，在其与连接部28之间形成静电电容，连接部28和电容形成部27分别具有均沿着取向边界部25的至少一部分延伸且在与其延伸方向交叉的交叉方向上相互不重叠的非重叠部27A、28A，以在延伸方向上的一侧与其相反侧将非重叠部27A、28A的在交叉方向上的配置调换的方式设置。
这样，通过在与像素电极12连接的连接部28的一部分，以隔着栅极绝缘膜19重叠的方式配置电容形成部27的一部分，从而在连接部28与电容形成部27之间形成静电电容。由此，能保持像素电极12的电位。连接部28以与位于液晶层10C所包含的液晶分子的取向方向不同的多个畴PXD的边界的取向边界部25的至少一部分重叠的方式配置。该取向边界部25难以适当控制液晶分子的取向状态，易于成为光量局部少的暗部。如果将连接部28与这种取向边界部25的至少一部分重叠配置，则会由于连接部28而变得不易视觉识别到在取向边界部25附近产生的暗部的宽度等的差别所引起的显示不均。
然而，连接部28和电容形成部27分别具有均沿着取向边界部25的至少一部分延伸且在与其延伸方向交叉的交叉方向上相互不重叠的非重叠部27A、28A。该非重叠部27A、28A是在连接部28和电容形成部27设置于按设计那样的位置的情况下产生的，在连接部28和电容形成部27从设计的位置在交叉方向上发生了位置偏移的情况下，其一部分可能会与连接部28、电容形成部27重叠。同样地，在连接部28和电容形成部27设置于按设计那样的位置的情况下会重叠的部分如果发生了上述的这种交叉方向上的位置偏移，则其一部分可能变得与连接部28、电容形成部27不重叠。连接部28和电容形成部27是以在延伸方向上的一侧与其相反侧将非重叠部27A、28A的在交叉方向上的配置调换的方式设置的，因此即使伴随着发生上述的这种交叉方向上的位置偏移，而在延伸方向上的一侧，连接部28和电容形成部27的重叠面积增加或减少了，在延伸方向上的其相反侧，连接部28和电容形成部27的重叠面积也会减少或增加。因此，即使发生上述的这种交叉方向上的位置偏移，连接部28和电容形成部27的整体的重叠面积也不易发生变动，由此，在连接部28与电容形成部27之间形成的静电电容也不易发生变动。并且，与如以往那样CS总线的延伸设置部具有从漏极引出配线的延伸设置部的两侧缘分别露出的部分的情况相比，连接部28和电容形成部27的遮光范围变窄了。
另外，连接部28和电容形成部27以在延伸方向上的一侧与其相反侧，非重叠部27A、28A的在延伸方向上的尺寸相等的方式设置。这样，在如上述的那样连接部28和电容形成部27在交叉方向上发生了位置偏移时，在延伸方向上的一侧与其相反侧，连接部28和电容形成部27的重叠面积的增减是同等的。因此，即使发生上述的这种交叉方向上的位置偏移，连接部28和电容形成部27的整体的重叠面积也被确保为固定，因此在连接部28与电容形成部27之间形成的静电电容也被确保为固定。
另外，连接部28和电容形成部27以在延伸方向上的一侧与其相反侧，非重叠部27A、28A的在交叉方向上的尺寸相等的方式设置。这样，在如上述的那样连接部28和电容形成部27在交叉方向上发生位置偏移时允许的位置偏移允许尺寸在交叉方向上的一侧与其相反侧是同等的。
另外，连接部28和电容形成部27实质上为旋转对称形状。这样，在连接部28和电容形成部27中，在延伸方向上的一侧与其相反侧，非重叠部27A、28A的在延伸方向上的尺寸相等，并且在延伸方向上的一侧与其相反侧，非重叠部27A、28A的在交叉方向上的尺寸相等。因此，即使发生上述的这种交叉方向上的位置偏移，连接部28和电容形成部27的整体的重叠面积也被确保为固定，因此在连接部28与电容形成部27之间形成的静电电容也被确保为固定。除此以外，连接部28和电容形成部27在交叉方向上发生位置偏移时允许的位置偏移允许尺寸在交叉方向上的一侧与其相反侧是同等的。
另外，像素电极12为长条状，连接部28和电容形成部27以延伸方向与像素电极12的长边方向一致的方式设置。这样，连接部28以与取向边界部25中的沿着像素电极12的长边方向延伸的部分重叠的方式配置。因此，利用连接部28能使得在大范围内不易视觉识别到取向边界部25所引起的暗部。
另外，取向边界部25构成为包含：第1取向边界部25A，其沿着延伸方向延伸，与连接部28重叠；以及第2取向边界部25B，其沿着交叉方向延伸，具备沿着交叉方向延伸且以与第2取向边界部25B重叠的方式配置的遮光部30。这样，会由沿着连接部28和电容形成部27的延伸方向延伸的第1取向边界部25A以及沿着交叉方向延伸的第2取向边界部25B划分出液晶分子的取向方向不同的4个畴PXD，因此在实现视野角特性的提高上是优选的。通过在取向边界部25中的第1取向边界部25A以重叠的方式配置连接部28，从而不易视觉识别到在第1取向边界部25A附近产生的暗部的宽度等的差别所引起的显示不均。相对于此，通过在第2取向边界部25B以重叠的方式配置遮光部30，从而不易视觉识别到在第2取向边界部25B附近产生的暗部的宽度等的差别所引起的显示不均。由此，不易视觉识别到在取向边界部25附近产生的暗部的宽度等的差别所引起的显示不均。
另外，遮光部30包含与连接部28包括相同的第2金属膜(导电膜)21且与连接部28相连的第1遮光部30A。这样，若与第1遮光部包括与连接部28之间隔着绝缘膜的别的导电膜，利用在该绝缘膜开口形成的接触孔将第1遮光部和连接部28连接的情况相比，能避免产生这种接触孔所引起的暗部。
另外，具备边缘遮光部31，边缘遮光部31以与像素电极12的外周缘部所包含的如下缘部的至少一部分重叠的方式配置：与该缘部正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向相对于在液晶层10C被施加电压时的液晶层10C的厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向成钝角。在像素电极12的外周缘部附近存在与其它导电体之间产生的电场，该电场可能对液晶层10C所包含的液晶分子作用取向限制力。像素电极12的外周缘部包含如下这样的缘部。即，该缘部是如下缘部：与该缘部正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向相对于在液晶层10C被施加电压时的液晶层10C的厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向成钝角。在该缘部附近产生的电场使与上述的倾斜方向为反向的取向限制力作用于液晶分子，因此在该缘部附近，液晶分子的取向易于变得紊乱。关于这一点，由于边缘遮光部31是以与像素电极12的外周缘部中的上述的方位角方向相对于上述的倾斜方向成钝角的缘部的至少一部分重叠的方式配置，因此即使通过上述的电场作用了取向限制力而液晶分子的取向发生了紊乱，也不易视觉识别到液晶分子的取向紊乱所引起的显示不良。由此，能确保显示质量良好。
另外，边缘遮光部31与连接部28包括相同的第2金属膜(导电膜)21且与连接部28相连。这样，在像素电极12的外周缘部中的上述的方位角方向相对于上述的倾斜方向成钝角的缘部的至少一部分附近产生的电场被与连接部28相连的边缘遮光部31屏蔽。由此，在上述的方位角方向相对于倾斜方向成钝角的缘部附近更不易发生液晶分子的取向紊乱，因此更不易视觉识别到显示不良而有利于显示质量的改善。另外，若与边缘遮光部包括与连接部28之间隔着绝缘膜的别的导电膜，利用在该绝缘膜开口形成的接触孔将边缘遮光部和连接部28连接的情况相比，能避免产生这种接触孔所引起的暗部。
另外，取向边界部25构成为包含：第1取向边界部25A，其沿着延伸方向延伸，与连接部28重叠；以及第2取向边界部25B，其沿着交叉方向延伸，连接部28具有连接电极29，连接电极29隔着层间绝缘膜22以及平坦化膜23(绝缘膜)与像素电极12的一部分重叠，通过在层间绝缘膜22和平坦化膜23开口形成的接触孔CH连接到像素电极12，连接电极29配置在第1取向边界部25A与第2取向边界部25B的交叉位置。这样，会由沿着连接部28和电容形成部27的延伸方向延伸的第1取向边界部25A和沿着交叉方向延伸的第2取向边界部25B划分出液晶分子的取向方向不同的4个畴PXD，因此在实现视野角特性的提高上是优选的。连接部28的连接电极29通过在介于中间的层间绝缘膜22和平坦化膜23开口形成的接触孔CH连接到像素电极12。在此，在将连接部28和像素电极12的一部分连接的接触孔CH的周边，液晶层10C所包含的液晶分子的取向易于紊乱，因此本来存在对显示的贡献度低的趋势。另一方面，在取向边界部25中的第1取向边界部25A与第2取向边界部25B的交叉位置，有特别难以适当控制液晶分子的取向状态的趋势。对此，由于连接电极29配置在第1取向边界部25A与第2取向边界部25B的交叉位置，因此若与连接电极为从第1取向边界部25A与第2取向边界部25B的交叉位置偏离的配置的情况相比，能确保在像素电极12中被有效利用于显示的范围广。由此，能确保显示质量良好。
另外，具备：TFT11，其具有连接部28；栅极配线13，其沿着延伸方向延伸并连接到TFT11，传送对TFT11进行驱动的信号；以及源极配线(图像配线)14，其沿着交叉方向延伸并连接到TFT11，传送对像素电极12进行充电的信号，电容形成部27与栅极配线13包括相同的第1金属膜(导电膜)18，连接部28与源极配线14包括相同的第2金属膜(导电膜)21。由于栅极配线13沿着电容形成部27的延伸方向延伸，因此即使它们包括相同的第1金属膜18也能避免短路。相对于此，虽然源极配线14沿着与连接部28的延伸方向交叉的交叉方向延伸，但是由于连接部28的形成范围是有限的，因此即使它们包括相同的第2金属膜21也能避免短路。这样，电容形成部27和栅极配线13、以及连接部28和源极配线14分别包括相同的第1金属膜18和第2金属膜21，从而在实现制造成本的低廉化上是优选的。
另外，取向膜10E被进行了使液晶分子的取向方向不同的多个取向处理，被进行了多个取向处理的部分的边界与取向边界部25对应。当对取向膜10E进行了取向处理时，被进行了该取向处理的部分会使得液晶分子取向为特定的方向。取向膜10E以使液晶分子的取向方向不同的方式被进行了多个取向处理，被进行了多个取向处理的部分的边界与多个畴PXD的边界为对应的关系。
＜实施方式2＞
根据图11说明本发明的实施方式2。在该实施方式2中，示出省略了上述的实施方式1所记载的边缘遮光部31的实施方式。此外，对与上述的实施方式1同样的结构、作用以及效果省略重复的说明。
如图11所示，在本实施方式的连接部128，虽然构成遮光部130的第1遮光部130A是与其相连的，但是上述的实施方式1所记载的边缘遮光部31被省略而不连接。当不形成边缘遮光部31时，在由于通过在作为像素电极112的外周缘部所包含的缘部、并且与该缘部正交且朝向像素电极112的内侧的方位角方向相对于在液晶层被施加电压时的液晶层的厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向成钝角的长边侧的缘部112L与栅极配线113之间产生的电场作用于液晶分子的取向限制力而液晶分子的取向发生了紊乱的情况下，易于视觉识别到该取向紊乱所引起的暗部。另一方面，由于与像素电极112重叠的遮光结构物会减少，因此，像素电极112的透射光量增加。由此，在实现亮度的提高上是优选的。
＜实施方式3＞
根据图12或图13说明本发明的实施方式3。在该实施方式3中，示出从上述的实施方式2变更了遮光部230的构成的实施方式。此外，对与上述的实施方式2同样的结构、作用以及效果省略重复的说明。
如图12所示，本实施方式的遮光部230不仅包含上述的实施方式1所记载的第1遮光部230A，还包含与电容形成部227包括相同的第1金属膜(导电膜)218且与电容形成部227相连的第2遮光部230B。第2遮光部230B沿着作为第1遮光部230A的延伸方向的Y轴方向延伸且以与取向边界部225中的第2取向边界部225B重叠的方式配置。并且，第2遮光部230B以与第1遮光部230A的至少一部分重叠的方式配置。这样，在电容形成部227与连接部228之间形成的静电电容变大。由此，能更良好地保持像素电极212的电位。另外，若与第2遮光部包括与电容形成部227之间隔着绝缘膜的别的导电膜，利用在该绝缘膜开口形成的接触孔将第2遮光部和电容形成部227连接的情况相比，能避免产生这种接触孔所引起的暗部。
如图13所示，第2遮光部230B以相对于第1遮光部230A在X轴方向上部分地偏离的方式配置。因此，第1遮光部230A和第2遮光部230B分别具有相互重叠的重叠部，并且分别具有相互不重叠的第2非重叠部32、33。第2非重叠部32、33包含作为第1遮光部230A的一部分的第1遮光部侧非重叠部32和作为第2遮光部230B的一部分的第2遮光部侧非重叠部33。第1遮光部侧非重叠部32和第2遮光部侧非重叠部33分别包括第1遮光部230A和第2遮光部230B中的沿着Y轴方向延伸的侧缘部。第1遮光部侧非重叠部32和第2遮光部侧非重叠部33以在X轴方向上将第1遮光部230A和第2遮光部230B的重叠部夹在中间的方式配置。即，第1遮光部侧非重叠部32和第2遮光部侧非重叠部33中的一方相对于上述的重叠部在X轴方向上配置在一侧，另一方相对于上述的重叠部在X轴方向上配置在另一侧。第1遮光部侧非重叠部32和第2遮光部侧非重叠部33是在第1遮光部230A和第2遮光部230B设置于按设计那样的位置的情况下产生的，在实际的制造时第1遮光部230A和第2遮光部230B从设计的位置在X轴方向上发生了位置偏移的情况下，其一部分可能会与第1遮光部230A、第2遮光部230B重叠。同样地，在第1遮光部230A和第2遮光部230B设置于按设计那样的位置的情况下会重叠的重叠部如果发生了上述的这种X轴方向上的位置偏移，则其一部分可能变得与第1遮光部230A、第2遮光部230B不重叠。
并且，如图13所示，第1遮光部侧非重叠部32和第2遮光部侧非重叠部33以在第1遮光部230A和第2遮光部230B中在Y轴方向上的一侧与其相反侧将在X轴方向上的配置调换的方式配置。详细地说，第1遮光部侧非重叠部32和第2遮光部侧非重叠部33在以第1遮光部230A和第2遮光部230B中的Y轴方向上的中央位置为边界的图13所示的上侧和下侧在X轴方向上调换了图13所示的左右的配置。此外，以下，在将第1遮光部侧非重叠部32和第2遮光部侧非重叠部33区别开来的情况下，将配置在图13所示的上侧的非重叠部作为“一方第1遮光部侧非重叠部32A和一方第2遮光部侧非重叠部33A”并对其附图标记添加后缀“A”，将配置在图13所示的下侧的非重叠部作为“另一方第1遮光部侧非重叠部32B和另一方第2遮光部侧非重叠部33B”并对其附图标记添加后缀“B”，在不区别而进行总称的情况下，不对附图标记添加后缀。具体地说，一方第1遮光部侧非重叠部32A相对于第2遮光部230B在X轴方向上向图13所示的右侧进行了位置偏移，而一方第2遮光部侧非重叠部33A相对于第1遮光部230A在X轴方向上向图13所示的左侧进行了位置偏移。另一方第1遮光部侧非重叠部32B相对于第2遮光部230B在X轴方向上向图13所示的左侧进行了位置偏移，而另一方第2遮光部侧非重叠部33B相对于第1遮光部230A在X轴方向上向图13所示的右侧进行了位置偏移。一方第1遮光部侧非重叠部32A和另一方第2遮光部侧非重叠部33B相对于第2遮光部230B在X轴方向上相互向相反侧进行了位置偏移。一方第2遮光部侧非重叠部33A和另一方第2遮光部侧非重叠部33B相对于第1遮光部230A在X轴方向上相互向相反侧进行了位置偏移。
根据以上的构成，如图13所示，即使伴随着第1遮光部230A和第2遮光部230B由于制造上的理由从设计的位置在X轴方向上发生位置偏移，而在X轴方向上的一侧，第1遮光部230A和第2遮光部230B的重叠面积增加或减少了，在延伸方向上的其相反侧，第1遮光部230A和第2遮光部230B的重叠面积也会减少或增加。此外，图13中用双点划线图示了第1遮光部230A从设计的位置在X轴方向上发生了位置偏移的状态。例如，在第1遮光部230A相对于第2遮光部230B从设计的位置在X轴方向上向左侧发生了位置偏移的情况下，在第1遮光部230A和第2遮光部230B的Y轴方向上的图13所示的上侧部分，一方第1遮光部侧非重叠部32A和一方第2遮光部侧非重叠部33A的各宽度变窄并且重叠部的宽度增加。另一方面，在第1遮光部230A和第2遮光部230B的Y轴方向上的图13所示的下侧部分，另一方第1遮光部侧非重叠部32B和另一方第2遮光部侧非重叠部33B的各宽度变宽并且重叠部的宽度减小。与上述相反地，在第1遮光部230A相对于第2遮光部230B从设计的位置在X轴方向上向右侧发生了位置偏移的情况下，在第1遮光部230A和第2遮光部230B的Y轴方向上的图13所示的上侧部分，一方第1遮光部侧非重叠部32A和一方第2遮光部侧非重叠部33A的各宽度变宽并且重叠部的宽度减小。另一方面，在第1遮光部230A和第2遮光部230B的Y轴方向上的图13所示的下侧部分，另一方第1遮光部侧非重叠部32B和另一方第2遮光部侧非重叠部33B的各宽度变窄并且重叠部的宽度增加。因此，即使由于制造上的理由而第1遮光部230A和第2遮光部230B从设计的位置在X轴方向上发生位置偏移，也能避免第1遮光部230A和第2遮光部230B的整体的重叠面积发生变动。由此，还能避免在第1遮光部230A与第2遮光部230B之间形成的静电电容发生变动。
如以上说明所示，根据本实施方式，遮光部230包含与电容形成部227包括相同的第1金属膜(导电膜)218且以与电容形成部227相连并且与第1遮光部230A的至少一部分重叠的方式配置的第2遮光部230B。这样，若与第2遮光部包括与电容形成部227之间隔着绝缘膜的别的导电膜，利用在该绝缘膜开口形成的接触孔将第2遮光部和电容形成部227连接的情况相比，能避免产生这种接触孔所引起的暗部。而且，与电容形成部227相连的第2遮光部230B以重叠于与连接部228相连的第1遮光部230A的至少一部分的方式配置，因此在电容形成部227与连接部228之间形成的静电电容变大。由此，能更良好地保持像素电极212的电位。
另外，第1遮光部230A和第2遮光部230B分别具有在延伸方向上相互不重叠的第2非重叠部32、33，并以在交叉方向上的一侧与其相反侧将第2非重叠部32、33的在延伸方向上的配置调换的方式设置。上述的第2非重叠部32、33是在第1遮光部230A和第2遮光部230B设置于按设计那样的位置的情况下产生的，在第1遮光部230A和第2遮光部230B从设计的位置在延伸方向上发生了位置偏移的情况下，其一部分可能会与第1遮光部230A、第2遮光部230B重叠。同样地，在第1遮光部230A和第2遮光部230B设置于按设计那样的位置的情况下会重叠的部分如果发生了上述的这种延伸方向上的位置偏移，则其一部分可能变得与第1遮光部230A、第2遮光部230B不重叠。由于第1遮光部230A和第2遮光部230B是以在交叉方向上的一侧与其相反侧将第2非重叠部32、33的在延伸方向上的配置调换的方式设置，因此即使伴随着发生上述的这种延伸方向上的位置偏移，而在交叉方向上的一侧，第1遮光部230A和第2遮光部230B的重叠面积增加或减少了，在交叉方向上的其相反侧，第1遮光部230A和第2遮光部230B的重叠面积也会减少或增加。因此，即使发生上述的这种延伸方向上的位置偏移，第1遮光部230A和第2遮光部230B的整体的重叠面积也不易发生变动，由此，在连接部228与电容形成部227之间形成的静电电容也不易发生变动。
＜实施方式4＞
根据图14至图17说明本发明的实施方式4。在该实施方式4中，示出从上述的实施方式1变更了边缘遮光部331的构成的实施方式。此外，对与上述的实施方式1同样的结构、作用以及效果省略重复的说明。
如图14所示，本实施方式的边缘遮光部331包括栅极配线313的一部分。详细地说，如图15所示，栅极配线313在像素电极312的X轴方向上的中央位置附近以及与源极配线314的交叉位置附近分别弯曲为曲柄状，整体上配设为之字形状。栅极配线313中的沿着X轴方向延伸的部分构成了边缘遮光部331。边缘遮光部331以与作为像素电极312的外周缘部所包含的缘部、并且与该缘部正交且朝向像素电极312的内侧的方位角方向相对于在液晶层310C被施加电压时的液晶层310C的厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向成钝角的长边侧的缘部312L重叠的方式配置。利用包括栅极配线313的一部分的边缘遮光部331，在由于通过在作为像素电极312的外周缘部所包含的缘部、并且与该缘部正交且朝向像素电极312的内侧的方位角方向相对于在液晶层310C被施加电压时的液晶层310C的厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向成钝角的长边侧的缘部312L与栅极配线313之间产生的电场作用于液晶分子的取向限制力而液晶分子的取向发生了紊乱的情况下，该取向紊乱所引起的暗部变得不易视觉识别到。
如图16和图17所示，栅极配线313相对于作为重叠对象的像素电极312隔着栅极绝缘膜319、层间绝缘膜322以及平坦化膜323配置在下层侧，即配置在与液晶层310C相反的一侧。这样，在栅极配线313附近产生的电场由像素电极312屏蔽而不易影响液晶层310C。由此，液晶层310C所包含的液晶分子不易发生取向紊乱。
如以上说明所示，根据本实施方式，具备：TFT(开关元件)311，其具有连接部328；栅极配线(扫描配线)313，其沿着延伸方向延伸并连接到TFT311，传送对TFT311进行驱动的信号，边缘遮光部331包括栅极配线313的一部分。这样，当TFT311基于传送到栅极配线313的信号而被驱动时，与TFT311的连接部328连接的像素电极312会被充电。利用包括栅极配线313的一部分的边缘遮光部331，在作为像素电极312的外周缘部所包含的缘部、并且与该缘部正交且朝向像素电极312的内侧的方位角方向相对于在液晶层310C被施加电压时的液晶层310C的厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向成钝角的缘部附近产生的液晶分子的取向紊乱所引起的显示不良变得不易视觉识别到。
另外，栅极配线313相对于像素电极312隔着栅极绝缘膜319、层间绝缘膜322以及平坦化膜323(绝缘膜)配置在与液晶层310C相反的一侧。这样，在栅极配线313与像素电极312之间产生的电场不易影响液晶层310C。由此，液晶层310C所包含的液晶分子不易发生取向紊乱。
＜其它实施方式＞
本发明不限于根据上述记载和附图所说明的实施方式，例如如下的实施方式也包含于本发明的技术范围。
(1)除了上述的各实施方式以外，也能适当变更像素部的各畴中的液晶分子的倾斜方向的设定。例如，在构成像素部的4个畴的液晶层被施加电压时的液晶层的厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向也可以设定为与上述的实施方式1相反的配置。
(2)除了上述的(1)以外，在4个畴中液晶分子的倾斜方向也可以设定为朝向像素部的中心。在该情况下，在像素电极的外周缘部的整个区域中，与其缘部正交且朝向像素电极的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成锐角，因此在外周缘部附近在整周上不易产生暗部。因此，可以说该构成对于省略边缘遮光部是优选的。
(3)除了上述的(1)、(2)以外，在4个畴中液晶分子的倾斜方向也可以设定为从像素部的中心按辐射状朝向外侧。在该情况下，在像素电极的外周缘部的整个区域中，与其缘部正交且朝向像素电极的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成钝角，因此在外周缘部附近在整周上易于产生暗部。在这种构成中，最优选将边缘遮光部以与像素电极的外周缘部在整周上重叠的方式配置，但即使是使其与像素电极的长边侧的缘部在整个长度上重叠也能充分地抑制暗部的视觉识别，因而是优选的。
(4)除了上述的各实施方式的图示以外，也能适当变更电容形成部和连接部中的非重叠部的具体配置。另外，也能适当变更非重叠部的宽度相对于电容形成部和连接部的宽度或重叠部的宽度(电容形成部和连接部的位置偏移量)的具体比率。
(5)在上述的各实施方式中，例示了电容形成部和连接部为大致相同宽度的情况，但是电容形成部和连接部的宽度也可以相互不同。同样地，电容形成部侧非重叠部和连接部侧非重叠部的宽度也可以相互不同。
(6)在上述的各实施方式中，示出了电容形成部和连接部实质上为旋转对称形状的情况，但是电容形成部和连接部也可以为旋转非对称形状。例如，电容形成部和连接部也可以在X轴方向上的一侧与其相反侧使非重叠部的在X轴方向上的尺寸不同。另外，电容形成部和连接部也可以在X轴方向上的一侧与其相反侧使非重叠部的在Y轴方向上的尺寸不同。
(7)在上述的各实施方式中，示出了电容形成部和连接部以在X轴方向上的一侧与其相反侧，其在Y轴方向上的位置分别不同的方式形成的情况，但是也可以形成为电容形成部和连接部中的一方在X轴方向上的一侧与其相反侧，在Y轴方向上的位置不变，另一方在X轴方向上的一侧与其相反侧，在Y轴方向上的位置不同。
(8)在上述的各实施方式中，示出了漏极电极和电容形成部在整个长度上分别具有非重叠部的情况，但是漏极电极与电容形成部的一部分彼此也可以不具有非重叠部而为重叠的关系。
(9)也能将上述的实施方式3记载的构成与上述的实施方式1的构成组合。
(10)也能将上述的实施方式4记载的构成与上述的实施方式3的构成组合。
(11)在上述的实施方式1、4中，示出了边缘遮光部以仅与像素电极的外周缘部中的长边侧的缘部重叠的方式配置的情况，但是边缘遮光部也可以是以与像素电极的外周缘部中的短边侧的缘部重叠的方式配置。在该情况下，也能将边缘遮光部以仅与像素电极的外周缘部中的短边侧的缘部重叠的方式配置，但是也能将边缘遮光部以与像素电极的外周缘部中的长边侧的缘部以及短边侧的缘部双方重叠的方式配置。例如，也可以如图18所示，同时设置有以与电容形成部27相连且沿着Y轴方向延伸并且与像素电极12的短边侧的缘部12S重叠的方式配置的第2边缘遮光部(边缘遮光部)31A、以及与像素电极12的长边侧的缘部12L重叠的边缘遮光部31。第2边缘遮光部31A与电容形成部27包括相同的第1金属膜。第2边缘遮光部31A设置于在Y轴方向上夹着栅极配线13而相邻的2个电容形成部27中的每个电容形成部27，从各电容形成部27沿着Y轴方向在靠近栅极配线13的方向上伸出。这些边缘遮光部31A分别连接到跨越栅极配线13并沿着Y轴方向延伸的桥接电极34。桥接电极34优选与像素电极12包括相同透明电极膜。包括透明电极膜的桥接电极34不仅横穿包括第1金属膜的栅极配线13也横穿包括第2金属膜的边缘遮光部31，但是避免了与它们短路。在介于边缘遮光部31A与桥接电极34之间的栅极绝缘膜、层间绝缘膜以及平坦化膜，开口形成有用于将边缘遮光部31A和桥接电极34连接的接触孔35。根据这种构成，电容配线26的冗余性提高，能抑制显示区域中的电容配线26的电阻分布变大。此外，也能从图18所示的构成中省略与像素电极12的长边侧的缘部12L重叠的边缘遮光部31。另外，在桥接电极34为不横穿边缘遮光部31的配置的情况下，也能使桥接电极34包括第2金属膜。另外，第2边缘遮光部31A不限于必定与电容形成部27相连，也可以与边缘遮光部31同样与连接部28相连。
(12)在上述的各实施方式中，示出了遮光部与连接部(漏极电极)包括相同的第2金属膜的情况，但是遮光部与连接部也可以包括不同的金属膜、透明电极膜、半导体膜(特别是，以使得电阻比构成TFT的沟道部的半导体膜低的方式进行了处理的半导体膜)，也可以将它们层叠。例如，也可以使用以使得电阻比构成TFT的沟道部的半导体膜低的方式进行了处理的半导体膜形成第2遮光部，将该第2遮光部与实施方式1等所说明的遮光部30(参照图2)相连。此时，第2遮光部不隔着绝缘膜而形成在遮光部30的紧邻下层从而实现了与遮光部30的导通。与上述同样地，实施方式1、4所记载的边缘遮光部与连接部也可以包括不同的金属膜、透明电极膜、半导体膜(特别是，以使得电阻比构成TFT的沟道部的半导体膜低的方式进行了处理的半导体膜)，也可以将它们层叠。此外，为了将与连接部包括不同的金属膜的遮光部、边缘遮光部连接到连接部，只要在介于其与连接部之间的绝缘膜开口形成接触孔即可。即使遮光部、边缘遮光部包括透明电极膜等，也能得到增大静电电容，将在栅极配线、源极配线与像素电极之间产生的电场屏蔽的效果。
(13)在上述的各实施方式中，示出了遮光部电连接到连接部的情况，但是遮光部也可以不与连接部电连接。与上述同样地，实施方式1、4所记载的边缘遮光部也可以不与连接部电连接。在该情况下，对于与连接部不连接的遮光部、边缘遮光部，也能使其与连接部包括不同的金属膜(导电膜)，但是也可以使其与连接部包括相同的第2金属膜。
(14)除了上述的各实施方式以外，也能省略遮光部。同样地，也能省略实施方式1、4所记载的边缘遮光部。
(15)在上述的各实施方式中，示出了像素部中的畴的数量为4的情况，像素部中的畴的数量也可以是4以外(例如2、6、8等)。
(16)在上述的各实施方式中，示出了取向膜通过被进行光取向处理从而成为对液晶分子发挥取向限制力的光取向膜的情况，但是取向膜也可以为不是光取向膜的垂直取向膜。在该情况下，例如优选在阵列基板或CF基板的表面形成肋(凸部)或狭缝(凹部)，利用该肋或狭缝得到对液晶分子的取向限制力。
(17)在上述的各实施方式中，示出了在阵列基板和CF基板两者设置有取向膜的情况，但是也可以仅在阵列基板和CF基板中的任意一方设置有取向膜。
(18)在上述的各实施方式中，示出了在阵列基板中TFT被平面配置为之字形状的情况，但是TFT也可以被平面配置为矩阵状。
(19)在上述的各实施方式中，示出了在阵列基板设置有栅极电路部的情况，但是也可以省略栅极电路部，在阵列基板安装具有与栅极电路部同样的功能的栅极驱动器。
(20)在上述的各实施方式中，示出了在阵列基板以COG方式安装驱动器的情况，但驱动器也可以是以COF(Chip On Film：膜上芯片)方式安装于柔性基板。在该情况下，柔性基板以FOG(Film On Glass：玻璃上膜)方式安装到阵列基板。
(21)在上述的各实施方式中，示出了构成TFT的沟道部的半导体膜包括氧化物半导体的情况，但是半导体膜也可以包括非晶硅。另外，半导体膜也可以是多晶硅，在该情况下，优选TFT设为底栅型，或者设为在沟道部的下层(贴附阵列基板侧的偏振板的一侧)具备遮光膜的顶栅型。
(22)在上述的各实施方式中，示出了像素电极为横长的长条状的情况，但是像素电极也可以为纵长的长条状。另外，像素电极也可以为正方形等非长条状的平面形状。
(23)在上述的各实施方式中，例示了具备透射型的液晶面板的液晶显示装置，但也可以是具备反射型的液晶面板或半透射型的液晶面板的液晶显示装置。

Claims (15)

1.一种显示装置，其特征在于，具备：
液晶层，其包含液晶分子；
在上述液晶层被施加电压时上述液晶分子的取向方向不同的多个畴；
取向边界部，其位于上述多个畴的边界；
取向膜，其使上述液晶分子取向；
像素电极；
连接部，其连接到上述像素电极且以与上述取向边界部的至少一部分重叠的方式配置；以及
电容形成部，其以一部分隔着绝缘膜与上述连接部的一部分重叠的方式配置，在其与上述连接部之间形成静电电容，
上述取向边界部构成为包含：第1取向边界部，其沿着规定的延伸方向延伸，与上述连接部重叠；第2取向边界部，其沿着与上述延伸方向交叉的交叉方向延伸；以及上述第1取向边界部与上述第2取向边界部交叉的交叉位置，
上述连接部和上述电容形成部均沿着上述第1取向边界部的至少一部分在上述延伸方向上延伸，并且均以与上述交叉位置重叠的方式延伸，
上述连接部包含从上述交叉位置向上述延伸方向上的两侧延伸的第1连接部和第2连接部，
上述电容形成部包含从上述交叉位置向上述延伸方向上的两侧延伸的第1电容形成部和第2电容形成部，
上述第1电容形成部的一部分隔着上述绝缘膜与上述第1连接部的一部分重叠，
上述第2电容形成部的一部分隔着上述绝缘膜与上述第2连接部的一部分重叠，
上述第1连接部具有设置在上述交叉方向上的一侧并且与上述第1电容形成部不重叠的第1连接部侧非重叠部，
上述第1电容形成部具有设置在上述交叉方向上的另一侧并且与上述第1连接部不重叠的第1电容形成部侧非重叠部，
上述第2连接部具有设置在上述交叉方向上的另一侧并且与上述第2电容形成部不重叠的第2连接部侧非重叠部，
上述第2电容形成部具有设置在上述交叉方向上的一侧并且与上述第2连接部不重叠的第2电容形成部侧非重叠部。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
上述连接部和上述电容形成部以在上述延伸方向上的一侧和另一侧，上述非重叠部的在上述延伸方向上的尺寸相等的方式设置。
3.根据权利要求1所述的显示装置，
上述连接部和上述电容形成部以在上述延伸方向上的一侧和另一侧，上述非重叠部的在上述交叉方向上的尺寸相等的方式设置。
4.根据权利要求1所述的显示装置，
上述连接部和上述电容形成部实质上为旋转对称形状。
5.根据权利要求1所述的显示装置，
上述像素电极为长条状，
上述连接部和上述电容形成部以上述延伸方向与上述像素电极的长边方向一致的方式设置。
6.根据权利要求1所述的显示装置，
具备沿着上述交叉方向延伸且以与上述第2取向边界部重叠的方式配置的遮光部。
7.根据权利要求6所述的显示装置，
上述遮光部包含与上述连接部包括相同导电膜且与上述连接部相连的第1遮光部。
8.根据权利要求7所述的显示装置，
上述遮光部包含与上述电容形成部包括相同导电膜且以与上述电容形成部相连并且与上述第1遮光部的至少一部分重叠的方式配置的第2遮光部。
9.根据权利要求8所述的显示装置，
上述第1遮光部和上述第2遮光部分别具有在上述延伸方向上相互不重叠的第2非重叠部，并以在上述交叉方向上的一侧和另一侧将上述第2非重叠部的在上述延伸方向上的配置调换的方式设置。
10.一种显示装置，其特征在于，具备：液晶层，其包含液晶分子；
在上述液晶层被施加电压时上述液晶分子的取向方向不同的多个畴；
取向边界部，其位于上述多个畴的边界；
取向膜，其使上述液晶分子取向；
像素电极；
连接部，其连接到上述像素电极且以与上述取向边界部的至少一部分重叠的方式配置；以及
电容形成部，其以一部分隔着绝缘膜与上述连接部的一部分重叠的方式配置，在其与上述连接部之间形成静电电容，
上述连接部和上述电容形成部分别具有均沿着上述取向边界部的至少一部分延伸且在与其延伸方向交叉的交叉方向上相互不重叠的非重叠部，并以在上述延伸方向上的一侧与其相反侧将上述非重叠部的在上述交叉方向上的配置调换的方式设置，
还具备边缘遮光部，上述边缘遮光部以与上述像素电极的外周缘部所包含的如下缘部的至少一部分重叠的方式配置：与该缘部正交且朝向上述像素电极的内侧的方位角方向相对于在上述液晶层被施加电压时的上述液晶层的厚度方向上的中央附近的上述液晶分子的倾斜方向成钝角。
11.根据权利要求10所述的显示装置，
上述边缘遮光部与上述连接部包括相同导电膜且与上述连接部相连。
12.根据权利要求10所述的显示装置，具备：
开关元件，其具有上述连接部；以及
扫描配线，其沿着上述延伸方向延伸并连接到上述开关元件，传送对上述开关元件进行驱动的信号，
上述边缘遮光部包括上述扫描配线的一部分。
13.根据权利要求12所述的显示装置，
上述扫描配线相对于上述像素电极隔着绝缘膜配置在与上述液晶层相反的一侧。
14.一种显示装置，其特征在于，具备：
液晶层，其包含液晶分子；
在上述液晶层被施加电压时上述液晶分子的取向方向不同的多个畴；
取向边界部，其位于上述多个畴的边界；
取向膜，其使上述液晶分子取向；
像素电极；
连接部，其连接到上述像素电极且以与上述取向边界部的至少一部分重叠的方式配置；以及
电容形成部，其以一部分隔着绝缘膜与上述连接部的一部分重叠的方式配置，在其与上述连接部之间形成静电电容，
上述连接部和上述电容形成部分别具有均沿着上述取向边界部的至少一部分延伸且在与其延伸方向交叉的交叉方向上相互不重叠的非重叠部，并以在上述延伸方向上的一侧与其相反侧将上述非重叠部的在上述交叉方向上的配置调换的方式设置，
上述取向边界部构成为包含：第1取向边界部，其沿着上述延伸方向延伸，与上述连接部重叠；以及第2取向边界部，其沿着上述交叉方向延伸，
上述连接部具有连接电极，上述连接电极隔着绝缘膜与上述像素电极的一部分重叠，通过在上述绝缘膜开口形成的接触孔连接到上述像素电极，
上述连接电极配置在上述第1取向边界部与上述第2取向边界部的交叉位置。
15.一种显示装置，其特征在于，具备：
液晶层，其包含液晶分子；
在上述液晶层被施加电压时上述液晶分子的取向方向不同的多个畴；
取向边界部，其位于上述多个畴的边界；
取向膜，其使上述液晶分子取向；
像素电极；
连接部，其连接到上述像素电极且以与上述取向边界部的至少一部分重叠的方式配置；以及
电容形成部，其以一部分隔着绝缘膜与上述连接部的一部分重叠的方式配置，在其与上述连接部之间形成静电电容，
上述连接部和上述电容形成部分别具有均沿着上述取向边界部的至少一部分延伸且在与其延伸方向交叉的交叉方向上相互不重叠的非重叠部，并以在上述延伸方向上的一侧与其相反侧将上述非重叠部的在上述交叉方向上的配置调换的方式设置，
还具备：
开关元件，其具有上述连接部；
扫描配线，其沿着上述延伸方向延伸并连接到上述开关元件，传送对上述开关元件进行驱动的信号；以及
图像配线，其沿着上述交叉方向延伸并连接到上述开关元件，传送对上述像素电极进行充电的信号，
上述电容形成部与上述扫描配线包括相同导电膜，上述连接部与上述图像配线包括相同导电膜。
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