CN111609573B - 利用多重光子异质结构界面的太阳能选择性吸收材料 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种利用多重光子异质结构界面的太阳能选择性吸收材料,其异质膜系结构为:A[T1A]nT2[BC]mT3[DE]k,包括:①干涉吸收层结构A[T1A]n,②可见光调控膜层结构[BC]m,③红外调控膜层[DE]k,④异质结构界面吸收层T2、T3;其中,A、B、C、D、E均为电介质层,膜层排列周期系数m、n、k取值≥2的整数。本发明通过特殊的光子异质电介质人造结构复合材料,利用多重光子晶体异质结构界面的局域态与光子禁带效应,以达到控制不同波长区段的光波在材料结构内的传播状态,使其对0.3~2μm的可见光‑近红外波长区段具有高吸收率,却在≥2.5μm的中远红外区域具有高反射特性,兼顾了太阳辐射能量的高效吸收与红外热辐射的低发射损耗,便于提高太阳能的光‑热转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种利用多重光子异质结构界面的太阳能高效选择性吸收材料,属于太阳能选择性吸收材料技术领域。
背景技术
人类文明的进步发展与能源紧密相联,无法分割。当前世界的能源消耗量已远远超过6000千兆瓦,不可再生的化石能源已经面临严重危机。太阳能作为清洁、可再生新能源,是解决当前全球能源危机与生态失衡的最有效途径。太阳能量是由热核聚变反应而产生的,以电磁辐射的方式给地球带来“取之不尽,用之不竭”的光热。集热器是光—热转换过程中的一个重要元件,而集热器的太阳能吸收表面材料决定了光热转换效率。因此,开发高性能、高稳定性、长寿命等优势的太阳光谱选择性吸收薄膜材料一直是相关领域科研工作者的热点方向。
目前太阳能选择性吸收薄膜结构主要可分为本征吸收、电介质-金属复合、电介质金属干涉、多层渐变、表面微结构等型式。太阳能选择性吸收薄膜材料已由最初的黑镍涂层,陆续发展成Ag/SiO2、TiAlSiN/TiAlSiON/SiO2、TiAlN/TiAlON/Si3N4、NbAlN/NbAlON/Si3N4、TiAlN/CrAlON/Si3N4、TiAlN/AlON、Ge/A12O3、AlNxOy/Al2O3、Si/SiC、PbS/TiO2、CuO/TiO2等多样化的复合材料涂层体系。然而,当前的一些太阳能选择性吸收薄膜结构与材料尚存在吸收效率低、耐高温性差、光热转换效率低等局限性。太阳能吸收薄膜即会吸收并贮存太阳能量,但也会发生红外热辐射而散耗掉能量。因为太阳辐射能量主要集中于0.3~2μm的可见光-近红外波长区段,而物体表面红外辐射主要集中于2.5~50μm的中远红外波长区段。因此,太阳能吸收薄膜应该具备选择性吸收功能,即在可见光-近红外波长区段有高吸收率,但在中远红外波段却有高反射率,由此避免吸收的短波能量被以长波的红外辐射形式散失掉。
发明内容
针对上述现有技术,本发明提供了一种利用多重光子异质结构界面的太阳能选择性吸收材料。本发明利用多重光子晶体异质结构之间的界面局域、光子禁带、薄膜干涉等特性,达到协同控制材料在不同波段区间的吸收、反射、透射等光谱特性,使其对0.3~2μm的可见光-近红外波长区段具有高吸收率,却在≥2.5μm的中远红外区域具有高反射特性,便于提高太阳能的光-热转换效率。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种利用多重光子异质结构界面的太阳能选择性吸收材料,其异质膜系结构为:A[T1A]nT2[BC]mT3[DE]k,包括:①干涉吸收层结构A[T1A]n,②可见光调控膜层结构[BC]m,③红外调控膜层[DE]k,④异质结构界面吸收层T2、T3;其中,A、B、C、D、E均为电介质层,电介质选自ZnS、ZnSe、PbTe、Al2O3、SiO2、TiO2、Si3N4、MgF2、PbF2等光学薄膜材料;T1、T2、T3的材料选自Ti、Si、石墨烯以及MoS2、WS2、MoSe2、WSe2等过渡金属硫属化合物二维材料;膜层排列周期系数m、n、k均代表对应的周期性结构交替排列的次数,取值≥2的整数。
所述干涉吸收层结构A[T1A]n为电介质层A与吸收层T1交替构成的层状结构,实现多层干涉的主要吸收作用。若电介质层A在太阳能高能波长中心550nm折射率为nA,则电介质层A的厚度dA为550nm/4nA;吸收层T1的厚度dT1≤15nm。
所述可见光调控膜层结构[BC]m为电介质层B与C交替构成的周期性层状结构,主要实现0.4~0.78可见光吸收波段的高反射。若B、C两膜层电介质的折射率分别为nB、nC,膜层厚度分别为dB、dC,则存在关系:nBdB+nCdC=λ1/2,λ1在450~700μm范围内取值。
所述红外调控膜层[EF]k为电介质层E与F交替构成的层状结构,主要实现2.5~15μm中远红外波段的高反射。若E、F两膜层介质的折射率分别为nE、nF,膜层厚度分别为dE、dF,则存在关系:nEdE+nFdF=λ2/2,λ2在4~14μm范围内取值。
进一步地,所述异质结构界面吸收层T2、T3的厚度为1.0~15.0nm。
本发明的利用多重光子异质结构界面的太阳能高效选择性吸收膜层材料,结构简单、性能优异。利用多重光子晶体异质结构之间的界面态局域特性、特殊的人造周期性电介质结构去协同控制材料的光谱特性,使其对0.3~2μm的可见光-近红外波长区段具有高吸收率,却在≥2.5μm的中远红外区域具有高反射特性,兼顾了太阳辐射能量的高效吸收与红外热辐射的低发射损耗,便于提高太阳能的光-热转换效率。
本发明通过特殊的光子异质电介质人造结构复合材料,利用多重光子晶体异质结构界面的局域态与光子禁带效应,以达到控制不同波长区段的光波在材料结构内的传播状态,进而控制光子晶体材料对不同光波段的吸收、反射、透过等光谱特性,从而解决太阳能光谱的选择性高吸收与高反射兼顾问题,提高光-热转换效率。
本发明使用的各种术语和短语具有本领域技术人员公知的一般含义。本发明中所述的厚度,均指单周期厚度。
附图说明
图1:异质膜系结构A[T1A]2T2[BC]3T3[DE]4的结构示意图。
图2:在200nm~2000nm可见光-近红外波段的吸收光谱特性示意图(实施例1)。
图3:在2500nm~15000nm的红外波段的反射光谱特性示意图(实施例1)。
图4:在200nm~2000nm可见光-近红外波段的吸收光谱特性示意图(实施例2)。
图5:在2500nm~15000nm的红外波段的反射光谱特性示意图(实施例2)。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的说明。然而,本发明的范围并不限于下述实施例。本领域的专业人员能够理解,在不背离本发明的精神和范围的前提下,可以对本发明进行各种变化和修饰。
下述实施例中所涉及的仪器、试剂、材料等,若无特别说明,均为现有技术中已有的常规仪器、试剂、材料等,可通过正规商业途径获得。下述实施例中所涉及的实验方法,检测方法等,若无特别说明,均为现有技术中已有的常规实验方法,检测方法等。
利用多重光子异质结构界面的太阳能选择性吸收材料的异质膜系结构如图1所示。
实施例1
当n=2,m=3,k=4时,异质膜系结构为A[T1A]2T2[BC]3T3[DE]4。
干涉吸收层结构A[T1A]n利用多膜层干涉起到主要吸收作用。A介质膜层材料为氮化硅(Si3N4),在太阳能高能波长中心550nm处折射率nA为2,则厚度dA=550nm/4nA≈70nm;吸收膜层T1为金属钛Ti,厚度dT1为10nm。
可见光调控膜层结构[BC]m利用光子禁带效应起到0.4~0.78可见光吸收波段的高反射吸作用。B介质膜层材料为氟化镁(MgF2),折射率nB为1.38;C介质膜层材料为氧化钛(TiO2),折射率nC为2.6。存在尺寸设计关系为nBdB+nCdC=λ1/2,λ1在450~700nm范围内取值,此处,λ1取值550nm,B介质膜层厚度dB取值为100nm,C介质膜层厚度dC取值为55nm。
红外调控膜层[DE]k利用光子禁带效应起到调控3~15μm中远红外波段的高反射作用。D介质膜层材料为碲化铅(PbTe),折射率nD为5.6;E介质膜层材料为氟化镁(MgF2),折射率nE为1.38。存在尺寸设计关系为nEdE+nDdD=λ2/2,λ2在4~14μm范围内取值。此处,λ2取值10μm,E介质膜层厚度dE取值为500nm,F介质膜层厚度dF取值为1600nm。
异质结构界面吸收层T2、T3均采用3层二维材料石墨烯,厚度约为1.7nm。
模拟分析表明,在200nm~2000nm可见光-近红外波段的吸收光谱特性如图2所示,在300~600nm存在高的吸收率,并在750~1000nm也存在一定的吸收峰,具有较好的吸收效率。在2500nm~15000nm的红外波段的反射光谱特性如图3所示,在3~5μm以及大于8μm的中远红外波段具有高反射特性,利于避免吸收的短波能量以长波的红外辐射形式散失掉。由此,异质膜系结构材料提高了太阳能的光-热转换效率。
实施例2
当n=3,m=4,k=6时,异质膜系结构为A[T1A]3T2[BC]4T3[DE]6。
干涉吸收层结构A[T1A]n利用多膜层干涉起到主要吸收作用。A介质膜层材料为氧化钛(TiO2),在太阳能高能波长中心550nm处折射率nA为2.6,则厚度dA=550nm/4nA≈52nm;吸收膜层T1为多晶硅(Si),厚度dT1为10nm。
可见光调控膜层结构[BC]m利用光子禁带效应起到0.4~0.78可见光吸收波段的高反射吸作用。B介质膜层材料为氧化钛(TiO2),折射率nC为2.6;C介质膜层材料为氧化硅(SiO2),折射率nE为1.46。存在尺寸设计关系为nBdB+nCdC=λ1/2,450~700nm范围内取值。此处,λ1取值500nm,B介质膜层厚度dB取值为50nm,C介质膜层厚度dC取值为85nm。
红外调控膜层[DE]k利用光子禁带效应起到调控3~15μm中远红外波段的高反射作用。D介质膜层材料为氧化硅(SiO2),折射率nD为1.46;E介质膜层材料为碲化铅(PbTe),折射率nE为5.6。存在尺寸设计关系为:nDdD+nEdE=λ2/2,λ2在4~14μm范围内取值。此处,λ2取值4μm,D介质膜层厚度dD取值为685nm,E介质膜层厚度dE取值为180nm。
异质结构界面吸收层T2、T3均采用2层过渡金属硫属化合物二维材料MoS2,厚度约为1.3nm。
模拟分析表明,在200nm~2000nm可见光-近红外波段的吸收光谱特性如图4所示,在300~800nm波段区域内吸收率通常大于50%,有较高的吸收效率。在2500nm~15000nm的红外波段的反射光谱特性与吸收光谱特性如图5所示,在3~7μm的中红外波段具有高反射特性,利于避免吸收的短波能量以中红外辐射形式散失掉。由此,异质膜系结构材料提高了太阳能的光-热转换效率。
给本领域技术人员提供上述实施例,以完全公开和描述如何实施和使用所主张的实施方案,而不是用于限制本文公开的范围。对于本领域技术人员而言显而易见的修饰将在所附权利要求的范围内。
Claims (9)
1.一种利用多重光子异质结构界面的太阳能选择性吸收材料,其特征在于:其异质膜系结构为:A[T1A]nT2[BC]mT3[DE]k,包括:①干涉吸收层结构A[T1A]n,②可见光调控膜层结构[BC]m,③红外调控膜层[DE]k,④异质结构界面吸收层T2、T3;其中,A、B、C、D、E均为电介质层,膜层排列周期系数m、n、k均代表对应的周期性结构交替排列的次数,取值≥2的整数;
所述干涉吸收层结构A[T1A]n为电介质层A与吸收层T1交替构成的层状结构,若电介质层A在太阳能高能波长中心550nm折射率为nA,则电介质层A的厚度dA为550nm/4nA;吸收层T1的厚度dT1≤15nm;
所述可见光调控膜层结构[BC]m为电介质层B与C交替构成的周期性层状结构,若B、C两膜层电介质的折射率分别为nB、nC,膜层厚度分别为dB、dC,则存在关系:nBdB+nCdC=λ1/2,λ1在450~700μm范围内取值;
所述红外调控膜层[EF]k为电介质层E与F交替构成的层状结构,若E、F两膜层介质的折射率分别为nE、nF,膜层厚度分别为dE、dF,则存在关系:nEdE+nFdF=λ2/2,λ2在4~14μm范围内取值。
2.根据权利要求1所述的利用多重光子异质结构界面的太阳能选择性吸收材料,其特征在于:所述电介质选自ZnS、ZnSe、PbTe、Al2O3、SiO2、TiO2、Si3N4、MgF2、PbF2。
3.根据权利要求1所述的利用多重光子异质结构界面的太阳能选择性吸收材料,其特征在于:所述T1、T2、T3的材料选自Ti、Si、石墨烯、MoS2、WS2、MoSe2、WSe2。
4.根据权利要求3所述的利用多重光子异质结构界面的太阳能选择性吸收材料,其特征在于:所述T1的材料为金属钛Ti,T2、T3的材料均为3层二维材料石墨烯。
5.根据权利要求3所述的利用多重光子异质结构界面的太阳能选择性吸收材料,其特征在于:所述T1的材料为多晶硅,T2、T3的材料均为2层过渡金属硫属化合物二维材料MoS2。
6.根据权利要求1所述的利用多重光子异质结构界面的太阳能选择性吸收材料,其特征在于:所述异质结构界面吸收层T2、T3的厚度为1.0~15.0nm。
7.根据权利要求1所述的利用多重光子异质结构界面的太阳能选择性吸收材料,其特征在于:n=2,m=3,k=4;或:n=3,m=4,k=6。
8.根据权利要求1~4、6、7中任一项所述的利用多重光子异质结构界面的太阳能选择性吸收材料,其特征在于:n=2,m=3,k=4;
干涉吸收层结构A[T1A]n,A介质膜层材料为氮化硅,在太阳能高能波长中心550nm处折射率nA为2,厚度dA≈70nm;吸收膜层T1为金属钛Ti,厚度dT1为10nm;
可见光调控膜层结构[BC]m,B介质膜层材料为氟化镁,折射率nB为1.38;C介质膜层材料为氧化钛,折射率nC为2.6;B介质膜层厚度dB为100nm,C介质膜层厚度dC为55nm;
红外调控膜层[DE]k,D介质膜层材料为碲化铅,折射率nD为5.6;E介质膜层材料为氟化镁,折射率nE为1.38;E介质膜层厚度dE为500nm,F介质膜层厚度dF为1600nm;
异质结构界面吸收层T2、T3均采用3层二维材料石墨烯,厚度为1.7nm。
9.根据权利要求1~3、5~7中任一项所述的利用多重光子异质结构界面的太阳能选择性吸收材料,其特征在于:n=3,m=4,k=6;
干涉吸收层结构A[T1A]n,A介质膜层材料为氧化钛,在太阳能高能波长中心550nm处折射率nA为2.6,厚度dA≈52nm;吸收膜层T1为多晶硅,厚度dT1为10nm;
可见光调控膜层结构[BC]m,B介质膜层材料为氧化钛,折射率nC为2.6;C介质膜层材料为氧化硅,折射率nE为1.46;B介质膜层厚度dB为50nm,C介质膜层厚度dC为85nm;
红外调控膜层[DE]k,D介质膜层材料为氧化硅,折射率nD为1.46;E介质膜层材料为碲化铅,折射率nE为5.6;D介质膜层厚度dD取值为685nm,E介质膜层厚度dE取值为180nm;
异质结构界面吸收层T2、T3均采用2层过渡金属硫属化合物二维材料MoS2,厚度为1.3nm。
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GR01 | Patent grant | ||
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