CN111599733A - 一种精准控制扩张程度的扩晶机及其工作方法 - Google Patents
一种精准控制扩张程度的扩晶机及其工作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111599733A CN111599733A CN202010619868.5A CN202010619868A CN111599733A CN 111599733 A CN111599733 A CN 111599733A CN 202010619868 A CN202010619868 A CN 202010619868A CN 111599733 A CN111599733 A CN 111599733A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystal
- expansion
- plate
- baffle
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 159
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 78
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 42
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 94
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 34
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 33
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 16
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 8
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 7
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 86
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
本发明公开了一种精准控制扩张程度的扩晶机及其工作方法，所述扩晶机主体内部设置有加热冷却室，所述加热冷却室侧壁上设置有若干组散热通孔，所述扩晶机主体上端设置有扩晶槽，所述扩晶槽四周侧壁上均设置有凹槽，位于左右两侧的凹槽内安装有第一气缸，所述第一气缸输出端与第一扩晶挡板相连，位于前后两侧的凹槽内安装有第二气缸，所述第二气缸输出端与第二扩晶挡板相连，所述第一扩晶挡板和第二扩晶挡板均滑动设置在扩晶槽内，本发明通过可调节式扩晶挡板对扩晶的大小进行调节，并且通过刻度标尺对扩晶挡板位置进行读取确保扩晶扩张的精准，并且第一扩晶挡板两侧弹性设置的滑动板确保在扩晶大小调节时对晶片的限位效果。
Description
技术领域
本发明涉及扩晶机技术领域，具体涉及一种精准控制扩张程度的扩晶机及其工作方法。
背景技术
扩晶机是将排列紧密的LED晶片均匀分开，使之更好地植入焊接工件上，它利用LED薄膜的加热可塑性，采用气缸上下控制，将单张LED晶片均匀地向四周扩散，达到满意的晶片间隙后自动成型，膜片紧绷不变形，是LED封装设备之一。
现有的扩晶机多采用机械式的扩晶装置，机械式拉伸方式进行扩晶容易导致晶片膜受力不均匀，晶片膜的形变量不可控，从而导致晶片扩张程度差异较大，影响晶粒检测和分选，并且现有的扩晶机无法对扩晶扩张大小进行快速精准调节，导致扩晶加工大小规格出现偏差，对扩晶加工的晶片不具有冷却功能，影响扩晶加工效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种精准控制扩张程度的扩晶机及其工作方法，通过可调节式扩晶挡板对扩晶的大小进行调节，并且通过刻度标尺对扩晶挡板位置进行读取确保扩晶扩张的精准，并且第一扩晶挡板两侧弹性设置的滑动板确保在扩晶大小调节时对晶片的限位效果。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种精准控制扩张程度的扩晶机及其工作方法，包括扩晶机主体、第一气缸、第一扩晶挡板、支撑柱、顶板、液压缸、升降板、安装板、扩晶压板、水冷机构、加热器、加热管、冷却水管、第二气缸和第二扩晶挡板、；
所述扩晶机主体内部设置有加热冷却室，所述加热冷却室侧壁上设置有若干组散热通孔，所述扩晶机主体上端设置有扩晶槽，所述扩晶槽四周侧壁上均设置有凹槽，位于左右两侧的凹槽内安装有第一气缸，所述第一气缸输出端与第一扩晶挡板相连，位于前后两侧的凹槽内安装有第二气缸，所述第二气缸输出端与第二扩晶挡板相连，所述第一扩晶挡板和第二扩晶挡板均滑动设置在扩晶槽内；
所述支撑柱竖直向上固定安装在扩晶机主体上端，所述支撑柱设置有四组且分别位于扩晶机主体四角位置，所述顶板固定安装在支撑柱顶端，所述顶板中心位置固定安装有竖直向下的液压缸，所述液压缸输出伸缩杆向下穿过顶板与升降板相连，所述升降板下端安装有安装板，所述扩晶压板可拆卸连接在安装板下端；
所述加热器安装在加热冷却室内，所述加热器上连接有加热管，所述加热管铺设在扩晶槽下方，所述水冷机构设置在加热冷却室内，所述水冷机构上连接有冷却水管，所述冷却水管铺设在扩晶槽下方。
优选的，所述第二扩晶挡板长度大于第一扩晶挡板，所述第一扩晶挡板包括挡板主体、滑动板、导向杆和伸缩弹簧；所述挡板主体两侧对称设置有安装槽，所述滑动板滑动连接在安装槽内，所述滑动板位于安装槽内的一侧设置有盲孔，所述导向杆一端滑动连接在盲孔内，所述导向杆另一端与挡板主体相连，所述伸缩弹簧套设在导向杆外周，所述伸缩弹簧一端连接在挡板主体上，所述伸缩弹簧另一端与滑动板相连。
优选的，所述扩晶槽槽底设置有十字型刻度标尺。
优选的，所述支撑柱上滑动设置有连接套，所述升降板四角固定安装在连接套上。
优选的，所述升降板上滑动贯穿设置有若干组连杆，若干组连杆以液压缸为中心圆周阵列分布，所述连杆上端固定设置有限位板，所述连杆下端与安装板相连，所述连杆外周套设有缓冲弹簧，所述缓冲弹簧两端分别连接在升降板和安装板上。
优选的，所述加热管和冷却水管均呈连续的S型结构，所述加热管与冷却水管相互交叉分布。
优选的，所述水冷机构包括水冷机箱、进水管、出水管、循环水箱、循环水泵、第一冷凝器、第二冷凝器和连接管，所述循环水箱和循环水泵设置在水冷机箱内，所述循环水泵进水端通过连接管与循环水箱相连通，所述循环水泵出水端通过连接管与第一冷凝器进水端相连，所述第一冷凝器出水端通过连接管与第二冷凝器进水端相连，所述第二冷凝器出水端与进水管相连，所述进水管与冷却水管一端相连，所述出水管连接在冷却水管另一端，所述出水管与循环水箱相连通。
优选的，所述水冷机箱包括前后侧板和左右侧板，所述前后侧板上设置有若干透气通孔，所述左右侧板上均安装有冷却风扇，所述冷却风扇吹风方向朝向水冷机箱内部。
一种精准控制扩张程度的扩晶机的工作方法，该工作方法的具体步骤包括：
步骤一：将需要进行扩晶加工的LED晶片放置到扩晶槽内，根据晶片需要进行扩张的大小调节第一扩晶挡板和第二扩晶挡板的位置，通过第二气缸带动第二扩晶挡板进行移动，第一气缸带动第一扩晶挡板移动，并通过扩晶槽槽底设置的十字形刻度标尺对第一扩晶挡板和第二扩晶挡板移动位置进行读取，确保对扩晶扩张的精准控制，并且第一扩晶挡板两侧设置的滑动板在伸缩弹簧的弹性作用下与第二扩晶挡板保持相交的状态；
步骤二：当扩晶扩张位置调节完成后，加热器工作带动加热管对扩晶槽进行加热，从而对晶片进行加热，液压缸工作带动升降板沿着支撑柱向下滑动，根据扩晶程度的规格在安装板上安装对应的扩晶压板，通过扩晶压板下压对晶片进行扩晶，扩晶压板在下压过程中缓冲弹簧起到缓冲的作用；
步骤三：当扩晶加工完成后扩晶压板在液压缸的作用下向上复位，加热器停止对晶片进行加热，循环水泵工作将循环水箱内冷却水抽出，通过第一冷凝器和第二冷凝器的冷却降温后流入到冷却水管内，通过热传导对挤压扩张后的晶片进行冷却降温，冷却水通过出水管返回到循环水箱内，通过两组冷凝器进行冷却降温实现循环水冷，冷却风扇工作对循环水箱进行吹风冷却，实现对循环水箱的冷却降温。
本发明的有益效果：将需要进行扩晶加工的LED晶片放置到扩晶槽内，根据晶片需要进行扩张的大小调节第一扩晶挡板和第二扩晶挡板的位置，通过第二气缸带动第二扩晶挡板进行移动，第一气缸带动第一扩晶挡板移动，并通过扩晶槽槽底设置的十字形刻度标尺对第一扩晶挡板和第二扩晶挡板移动位置进行读取，确保对扩晶扩张的精准控制，并且第一扩晶挡板两侧设置的滑动板在伸缩弹簧的弹性作用下与第二扩晶挡板保持相交的状态，通过可调节式扩晶挡板对扩晶的大小进行调节，并且通过刻度标尺对扩晶挡板位置进行读取确保扩晶扩张的精准，并且第一扩晶挡板两侧弹性设置的滑动板确保在扩晶大小调节时对晶片的限位效果；
当扩晶扩张位置调节完成后，加热器工作带动加热管对扩晶槽进行加热，从而对晶片进行加热，液压缸工作带动升降板沿着支撑柱向下滑动，根据扩晶程度的规格在安装板上安装对应的扩晶压板，通过扩晶压板下压对晶片进行扩晶，扩晶压板在下压过程中缓冲弹簧起到缓冲的作用，通过设置加热管对扩晶晶片进行加热，有效提高对晶片的扩晶效率和质量，扩晶压板在液压缸的作用下对晶片进行压合，连接套与支撑柱的滑动配合对升降板移动起到导向限位的作用，提高移动的稳定性，通过缓冲弹簧的缓冲作用对晶片起到保护的作用；
当扩晶加工完成后扩晶压板在液压缸的作用下向上复位，加热器停止对晶片进行加热，循环水泵工作将循环水箱内冷却水抽出，通过第一冷凝器和第二冷凝器的冷却降温后流入到冷却水管内，通过热传导对挤压扩张后的晶片进行冷却降温，冷却水通过出水管返回到循环水箱内，通过两组冷凝器进行冷却降温实现循环水冷，冷却风扇工作对循环水箱进行吹风冷却，实现对循环水箱的冷却降温，通过设置循环水冷机构对晶片扩晶加工进行快速冷却，提高对晶片扩晶加工效率。
附图说明
为了便于本领域技术人员理解，下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1为本发明整体结构示意图；
图2为本发明扩晶机主体的俯视结构示意图；
图3为本发明第一扩晶挡的结构示意图；
图4为本发明加热管与冷却水管的位置结构示意图；
图5为本发明水冷机构的结构示意图；
图6为本发明水冷机构的内部结构示意图；
图中：1、扩晶机主体；2、加热冷却室；3、扩晶槽；4、凹槽；5、散热通孔；6、第一气缸；7、第一扩晶挡板；71、挡板主体；72、安装槽；73、滑动板；74、盲孔；75、导向杆；76、伸缩弹簧；8、支撑柱；9、顶板；10、液压缸；11、升降板；12、连接套；13、连杆；14、限位板；15、缓冲弹簧；16、安装板；17、扩晶压板；18、水冷机构；19、加热器；20、加热管；21、冷却水管；22、水冷机箱；23、前后侧板；24、左右侧板；25、进水管；26、出水管；27、冷却风扇；28、循环水箱；29、循环水泵；30、第一冷凝器；31、第二冷凝器；32、连接管；33、第二气缸；34、第二扩晶挡板；35、刻度标尺。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-6所示，一种精准控制扩张程度的扩晶机及其工作方法，包括扩晶机主体1、第一气缸6、第一扩晶挡板7、支撑柱8、顶板9、液压缸10、升降板11、安装板16、扩晶压板17、水冷机构18、加热器19、加热管20、冷却水管21、第二气缸33和第二扩晶挡板34、；
所述扩晶机主体1内部设置有加热冷却室2，所述加热冷却室2侧壁上设置有若干组散热通孔5，所述扩晶机主体1上端设置有扩晶槽3，所述扩晶槽3四周侧壁上均设置有凹槽4，位于左右两侧的凹槽4内安装有第一气缸6，所述第一气缸6输出端与第一扩晶挡板7相连，位于前后两侧的凹槽4内安装有第二气缸33，所述第二气缸33输出端与第二扩晶挡板34相连，所述第一扩晶挡板7和第二扩晶挡板34均滑动设置在扩晶槽3内；
所述支撑柱8竖直向上固定安装在扩晶机主体1上端，所述支撑柱8设置有四组且分别位于扩晶机主体1四角位置，所述顶板9固定安装在支撑柱8顶端，所述顶板9中心位置固定安装有竖直向下的液压缸10，所述液压缸10输出伸缩杆向下穿过顶板9与升降板11相连，所述升降板11下端安装有安装板16，所述扩晶压板17可拆卸连接在安装板16下端；
所述加热器19安装在加热冷却室2内，所述加热器19上连接有加热管20，所述加热管20铺设在扩晶槽3下方，所述水冷机构18设置在加热冷却室2内，所述水冷机构18上连接有冷却水管21，所述冷却水管21铺设在扩晶槽3下方。
所述第二扩晶挡板34长度大于第一扩晶挡板7，所述第一扩晶挡板7包括挡板主体71、滑动板73、导向杆75和伸缩弹簧76；所述挡板主体71两侧对称设置有安装槽72，所述滑动板73滑动连接在安装槽72内，所述滑动板73位于安装槽72内的一侧设置有盲孔74，所述导向杆75一端滑动连接在盲孔74内，所述导向杆75另一端与挡板主体71相连，所述伸缩弹簧76套设在导向杆75外周，所述伸缩弹簧76一端连接在挡板主体71上，所述伸缩弹簧76另一端与滑动板73相连。
所述扩晶槽3槽底设置有十字型刻度标尺35。
所述支撑柱8上滑动设置有连接套12，所述升降板11四角固定安装在连接套12上。
所述升降板11上滑动贯穿设置有若干组连杆13，若干组连杆13以液压缸10为中心圆周阵列分布，所述连杆13上端固定设置有限位板14，所述连杆13下端与安装板16相连，所述连杆13外周套设有缓冲弹簧15，所述缓冲弹簧15两端分别连接在升降板11和安装板16上。
所述加热管20和冷却水管21均呈连续的S型结构，所述加热管20与冷却水管21相互交叉分布。
所述水冷机构18包括水冷机箱22、进水管25、出水管26、循环水箱28、循环水泵29、第一冷凝器30、第二冷凝器31和连接管32，所述循环水箱28和循环水泵29设置在水冷机箱22内，所述循环水泵29进水端通过连接管32与循环水箱28相连通，所述循环水泵29出水端通过连接管32与第一冷凝器30进水端相连，所述第一冷凝器30出水端通过连接管32与第二冷凝器31进水端相连，所述第二冷凝器31出水端与进水管25相连，所述进水管25与冷却水管21一端相连，所述出水管26连接在冷却水管21另一端，所述出水管26与循环水箱28相连通。
所述水冷机箱22包括前后侧板23和左右侧板24，所述前后侧板23上设置有若干透气通孔，所述左右侧板24上均安装有冷却风扇27，所述冷却风扇27吹风方向朝向水冷机箱22内部。
一种精准控制扩张程度的扩晶机的工作方法，该工作方法的具体步骤包括：
步骤一：将需要进行扩晶加工的LED晶片放置到扩晶槽3内，根据晶片需要进行扩张的大小调节第一扩晶挡板7和第二扩晶挡板34的位置，通过第二气缸33带动第二扩晶挡板34进行移动，第一气缸6带动第一扩晶挡板7移动，并通过扩晶槽3槽底设置的十字形刻度标尺35对第一扩晶挡板7和第二扩晶挡板34移动位置进行读取，确保对扩晶扩张的精准控制，并且第一扩晶挡板7两侧设置的滑动板73在伸缩弹簧76的弹性作用下与第二扩晶挡板34保持相交的状态；
步骤二：当扩晶扩张位置调节完成后，加热器19工作带动加热管20对扩晶槽3进行加热，从而对晶片进行加热，液压缸10工作带动升降板11沿着支撑柱8向下滑动，根据扩晶程度的规格在安装板16上安装对应的扩晶压板17，通过扩晶压板17下压对晶片进行扩晶，扩晶压板17在下压过程中缓冲弹簧15起到缓冲的作用；
步骤三：当扩晶加工完成后扩晶压板17在液压缸10的作用下向上复位，加热器19停止对晶片进行加热，循环水泵29工作将循环水箱28内冷却水抽出，通过第一冷凝器30和第二冷凝器31的冷却降温后流入到冷却水管21内，通过热传导对挤压扩张后的晶片进行冷却降温，冷却水通过出水管26返回到循环水箱28内，通过两组冷凝器进行冷却降温实现循环水冷，冷却风扇27工作对循环水箱28进行吹风冷却，实现对循环水箱28的冷却降温。
本发明在使用时，将需要进行扩晶加工的LED晶片放置到扩晶槽3内，根据晶片需要进行扩张的大小调节第一扩晶挡板7和第二扩晶挡板34的位置，通过第二气缸33带动第二扩晶挡板34进行移动，第一气缸6带动第一扩晶挡板7移动，并通过扩晶槽3槽底设置的十字形刻度标尺35对第一扩晶挡板7和第二扩晶挡板34移动位置进行读取，确保对扩晶扩张的精准控制，并且第一扩晶挡板7两侧设置的滑动板73在伸缩弹簧76的弹性作用下与第二扩晶挡板34保持相交的状态；当扩晶扩张位置调节完成后，加热器19工作带动加热管20对扩晶槽3进行加热，从而对晶片进行加热，液压缸10工作带动升降板11沿着支撑柱8向下滑动，根据扩晶程度的规格在安装板16上安装对应的扩晶压板17，通过扩晶压板17下压对晶片进行扩晶，扩晶压板17在下压过程中缓冲弹簧15起到缓冲的作用；当扩晶加工完成后扩晶压板17在液压缸10的作用下向上复位，加热器19停止对晶片进行加热，循环水泵29工作将循环水箱28内冷却水抽出，通过第一冷凝器30和第二冷凝器31的冷却降温后流入到冷却水管21内，通过热传导对挤压扩张后的晶片进行冷却降温，冷却水通过出水管26返回到循环水箱28内，通过两组冷凝器进行冷却降温实现循环水冷，冷却风扇27工作对循环水箱28进行吹风冷却，实现对循环水箱28的冷却降温。
以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (9)
1.一种精准控制扩张程度的扩晶机，其特征在于，包括扩晶机主体(1)、第一气缸(6)、第一扩晶挡板(7)、支撑柱(8)、顶板(9)、液压缸(10)、升降板(11)、安装板(16)、扩晶压板(17)、水冷机构(18)、加热器(19)、加热管(20)、冷却水管(21)、第二气缸(33)和第二扩晶挡板(34)、；
所述扩晶机主体(1)内部设置有加热冷却室(2)，所述加热冷却室(2)侧壁上设置有若干组散热通孔(5)，所述扩晶机主体(1)上端设置有扩晶槽(3)，所述扩晶槽(3)四周侧壁上均设置有凹槽(4)，位于左右两侧的凹槽(4)内安装有第一气缸(6)，所述第一气缸(6)输出端与第一扩晶挡板(7)相连，位于前后两侧的凹槽(4)内安装有第二气缸(33)，所述第二气缸(33)输出端与第二扩晶挡板(34)相连，所述第一扩晶挡板(7)和第二扩晶挡板(34)均滑动设置在扩晶槽(3)内；
所述支撑柱(8)竖直向上固定安装在扩晶机主体(1)上端，所述支撑柱(8)设置有四组且分别位于扩晶机主体(1)四角位置，所述顶板(9)固定安装在支撑柱(8)顶端，所述顶板(9)中心位置固定安装有竖直向下的液压缸(10)，所述液压缸(10)输出伸缩杆向下穿过顶板(9)与升降板(11)相连，所述升降板(11)下端安装有安装板(16)，所述扩晶压板(17)可拆卸连接在安装板(16)下端；
所述加热器(19)安装在加热冷却室(2)内，所述加热器(19)上连接有加热管(20)，所述加热管(20)铺设在扩晶槽(3)下方，所述水冷机构(18)设置在加热冷却室(2)内，所述水冷机构(18)上连接有冷却水管(21)，所述冷却水管(21)铺设在扩晶槽(3)下方。
2.根据权利要求1所述的一种精准控制扩张程度的扩晶机，其特征在于，所述第二扩晶挡板(34)长度大于第一扩晶挡板(7)，所述第一扩晶挡板(7)包括挡板主体(71)、滑动板(73)、导向杆(75)和伸缩弹簧(76)；所述挡板主体(71)两侧对称设置有安装槽(72)，所述滑动板(73)滑动连接在安装槽(72)内，所述滑动板(73)位于安装槽(72)内的一侧设置有盲孔(74)，所述导向杆(75)一端滑动连接在盲孔(74)内，所述导向杆(75)另一端与挡板主体(71)相连，所述伸缩弹簧(76)套设在导向杆(75)外周，所述伸缩弹簧(76)一端连接在挡板主体(71)上，所述伸缩弹簧(76)另一端与滑动板(73)相连。
3.根据权利要求1所述的一种精准控制扩张程度的扩晶机，其特征在于，所述扩晶槽(3)槽底设置有十字型刻度标尺(35)。
4.根据权利要求1所述的一种精准控制扩张程度的扩晶机，其特征在于，所述支撑柱(8)上滑动设置有连接套(12)，所述升降板(11)四角固定安装在连接套(12)上。
5.根据权利要求1所述的一种精准控制扩张程度的扩晶机，其特征在于，所述升降板(11)上滑动贯穿设置有若干组连杆(13)，若干组连杆(13)以液压缸(10)为中心圆周阵列分布，所述连杆(13)上端固定设置有限位板(14)，所述连杆(13)下端与安装板(16)相连，所述连杆(13)外周套设有缓冲弹簧(15)，所述缓冲弹簧(15)两端分别连接在升降板(11)和安装板(16)上。
6.根据权利要求1所述的一种精准控制扩张程度的扩晶机，其特征在于，所述加热管(20)和冷却水管(21)均呈连续的S型结构，所述加热管(20)与冷却水管(21)相互交叉分布。
7.根据权利要求1所述的一种精准控制扩张程度的扩晶机，其特征在于，所述水冷机构(18)包括水冷机箱(22)、进水管(25)、出水管(26)、循环水箱(28)、循环水泵(29)、第一冷凝器(30)、第二冷凝器(31)和连接管(32)，所述循环水箱(28)和循环水泵(29)设置在水冷机箱(22)内，所述循环水泵(29)进水端通过连接管(32)与循环水箱(28)相连通，所述循环水泵(29)出水端通过连接管(32)与第一冷凝器(30)进水端相连，所述第一冷凝器(30)出水端通过连接管(32)与第二冷凝器(31)进水端相连，所述第二冷凝器(31)出水端与进水管(25)相连，所述进水管(25)与冷却水管(21)一端相连，所述出水管(26)连接在冷却水管(21)另一端，所述出水管(26)与循环水箱(28)相连通。
8.根据权利要求7所述的一种精准控制扩张程度的扩晶机，其特征在于，所述水冷机箱(22)包括前后侧板(23)和左右侧板(24)，所述前后侧板(23)上设置有若干透气通孔，所述左右侧板(24)上均安装有冷却风扇(27)，所述冷却风扇(27)吹风方向朝向水冷机箱(22)内部。
9.一种精准控制扩张程度的扩晶机的工作方法，其特征在于，该工作方法的具体步骤包括：
步骤一：将需要进行扩晶加工的LED晶片放置到扩晶槽(3)内，根据晶片需要进行扩张的大小调节第一扩晶挡板(7)和第二扩晶挡板(34)的位置，通过第二气缸(33)带动第二扩晶挡板(34)进行移动，第一气缸(6)带动第一扩晶挡板(7)移动，并通过扩晶槽(3)槽底设置的十字形刻度标尺(35)对第一扩晶挡板(7)和第二扩晶挡板(34)移动位置进行读取，确保对扩晶扩张的精准控制，并且第一扩晶挡板(7)两侧设置的滑动板(73)在伸缩弹簧(76)的弹性作用下与第二扩晶挡板(34)保持相交的状态；
步骤二：当扩晶扩张位置调节完成后，加热器(19)工作带动加热管(20)对扩晶槽(3)进行加热，从而对晶片进行加热，液压缸(10)工作带动升降板(11)沿着支撑柱(8)向下滑动，根据扩晶程度的规格在安装板(16)上安装对应的扩晶压板(17)，通过扩晶压板(17)下压对晶片进行扩晶，扩晶压板(17)在下压过程中缓冲弹簧(15)起到缓冲的作用；
步骤三：当扩晶加工完成后扩晶压板(17)在液压缸(10)的作用下向上复位，加热器(19)停止对晶片进行加热，循环水泵(29)工作将循环水箱(28)内冷却水抽出，通过第一冷凝器(30)和第二冷凝器(31)的冷却降温后流入到冷却水管(21)内，通过热传导对挤压扩张后的晶片进行冷却降温，冷却水通过出水管(26)返回到循环水箱(28)内，通过两组冷凝器进行冷却降温实现循环水冷，冷却风扇(27)工作对循环水箱(28)进行吹风冷却，实现对循环水箱(28)的冷却降温。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010619868.5A CN111599733A (zh) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 一种精准控制扩张程度的扩晶机及其工作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010619868.5A CN111599733A (zh) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 一种精准控制扩张程度的扩晶机及其工作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111599733A true CN111599733A (zh) | 2020-08-28 |
Family
ID=72186657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010619868.5A Withdrawn CN111599733A (zh) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 一种精准控制扩张程度的扩晶机及其工作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111599733A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112509949A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-03-16 | 深圳市思坦科技有限公司 | 一种单向扩膜机及扩膜方法 |
| CN113178512A (zh) * | 2021-04-21 | 2021-07-27 | 深圳市泰道精密机电有限公司 | 一种led固晶机的固晶装置 |
| CN113466185A (zh) * | 2021-07-09 | 2021-10-01 | 江西百宏光电科技有限公司 | 一种滤光片检验装置 |
| CN117096072A (zh) * | 2023-10-20 | 2023-11-21 | 苏州锐杰微科技集团有限公司 | 一种芯片生产用热压机及其工作方法 |
-
2020
- 2020-06-30 CN CN202010619868.5A patent/CN111599733A/zh not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112509949A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-03-16 | 深圳市思坦科技有限公司 | 一种单向扩膜机及扩膜方法 |
| CN113178512A (zh) * | 2021-04-21 | 2021-07-27 | 深圳市泰道精密机电有限公司 | 一种led固晶机的固晶装置 |
| CN113178512B (zh) * | 2021-04-21 | 2022-03-22 | 深圳市泰道精密机电有限公司 | 一种led固晶机的固晶装置 |
| CN113466185A (zh) * | 2021-07-09 | 2021-10-01 | 江西百宏光电科技有限公司 | 一种滤光片检验装置 |
| CN117096072A (zh) * | 2023-10-20 | 2023-11-21 | 苏州锐杰微科技集团有限公司 | 一种芯片生产用热压机及其工作方法 |
| CN117096072B (zh) * | 2023-10-20 | 2024-02-02 | 苏州锐杰微科技集团有限公司 | 一种芯片生产用热压机及其工作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111599733A (zh) | 一种精准控制扩张程度的扩晶机及其工作方法 | |
| CN206662031U (zh) | 基于垂直加载的随动保压式柔性拉伸成形机 | |
| CN205147136U (zh) | 高低胀数控调节装置 | |
| CN206435947U (zh) | 一种将软管过盈安装在散热器上的装置 | |
| CN216780685U (zh) | 一种多工位激光切割设备 | |
| CN213498194U (zh) | 一种钢管管口打磨设备 | |
| CN108934333B (zh) | 一种水稻秧苗的插秧装置 | |
| CN220270696U (zh) | 一种散热器自动气密检测装置 | |
| CN205660441U (zh) | 一种散热器数控加工通用工装 | |
| CN216730208U (zh) | 一种5g基站用散热壳体的加工装置 | |
| CN111267324A (zh) | 一种吸塑加热成型装置 | |
| CN220480796U (zh) | 一种散热带组装用自动分组装置 | |
| CN214491992U (zh) | 一种光伏组件层压机及上、下硬压的光伏组件冷却装置 | |
| CN208099549U (zh) | 一种散热鳍片自动上锡膏机 | |
| CN218399488U (zh) | 一种注塑件logo压合装置 | |
| CN217052300U (zh) | 一种钢管冷却装置 | |
| CN220782612U (zh) | 一种自动化物料传送的激光模切机 | |
| CN217121514U (zh) | 一种卧式胀管机 | |
| CN220560259U (zh) | 一种可调节的带料成管设备 | |
| CN219902984U (zh) | 一种热熔工装治具 | |
| CN211251375U (zh) | 用于污水处理的膜片产品的涡流焊自动焊接机 | |
| CN220075398U (zh) | 一种面板模具 | |
| CN213891733U (zh) | 一种网版的张网结构 | |
| CN220479894U (zh) | 一种拉伸效率高拉伸模具 | |
| CN215320741U (zh) | 一种铜螺母热插机 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20200828 |
|
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |