CN111592788B

CN111592788B - 量子点发光二极管、量子点墨水及其制作方法

Info

Publication number: CN111592788B
Application number: CN202010478014.XA
Authority: CN
Inventors: 翁兴焕; 蒋畅; 乔之勇
Original assignee: Hefei Funa Technology Co ltd
Current assignee: Hefei Funa Technology Co ltd
Priority date: 2020-05-29
Filing date: 2020-05-29
Publication date: 2022-09-16
Anticipated expiration: 2040-05-29
Also published as: CN111592788A

Abstract

一种量子点发光二极管、量子点墨水及其制作方法，属于二极管领域。量子点墨水包括相互混合无机盐和量子点。其中，无机盐为能够受热而分解以产生气体的碳酸氢盐和/或亚硫酸氢盐。示例中的量子点墨水可以用于制作量子点发光二极管，并且可以降低电子迁移率。

Description

量子点发光二极管、量子点墨水及其制作方法

技术领域

本申请涉及二极管领域，具体而言，涉及一种量子点发光二极管、量子点墨水及其制作方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode，简称QLED)器件效率不高和寿命过短是制约商业化的主要缺陷。因此，有必要研究提高器件效率和延长其使用寿命的方案。

发明内容

有鉴于此，本申请提出了一种量子点发光二极管、量子点墨水及其制作方法，以提高器件效率并且延长量子点发光二极管的寿命。

本申请是这样实现的：

在第一方面，本申请的示例提供了一种量子点墨水，其包括相互混合无机盐和量子点。其中，无机盐为能够受热而分解以产生气体的碳酸氢盐和/或亚硫酸氢盐。

在第二方面，本申请的示例提供了一种量子点墨水的制作方法，包括：将无机盐和量子点均匀混合。其中，无机盐为能够受热而分解以产生气体的碳酸氢盐和/或亚硫酸氢盐。

在第三方面，本申请的示例提供了一种量子点发光二极管，其包括电子传输层和量子点发光层，并且量子点发光层与电子传输层叠层接触布置。

其中，量子点发光层由上述量子点墨水制作而成。

其中，电子传输层由金属氧化物的纳米颗粒制作而成。

在第四方面，本申请的示例提供了一种量子点发光二极管的制备方法，其包括：以透明导电玻璃为阳极，在其上旋涂并经退火固化以制作空穴传输层；在空穴传输层之上旋涂并经退火固化制作电子阻挡层；在电子阻挡层之上，依次制作叠层布置的量子点发光层和电子传输层，其中，量子点发光层的材料是上述的量子点墨水；在电子传输层之上热蒸作为阴极的铝膜，获得器件；对器件进行热处理。

示例所提供的墨水中含有能够受热而分解并产生气体的无机盐。因此，通过加热可以使墨水产生酸性气体(二氧化碳)，并与电子传输层中的金属氧化物表面的极性官能团(如羟基)反应，在电子传输层表面生成无机化合物，从而填补电子传输层表面的缺陷。由此，通过填补缺陷，同时也增强电子传输层的势垒高度，可以降低电子迁移率。因此上述量子点器件经过热处理使其中的无机盐分解，且反应产物通过在金属氧化物表面的反应，能够有效调节器件电荷注入平衡，能提高发光效率同时也能够有效改进器件寿命。

具体实施方式

发光二极管通过载流子在发光层中复合为激子，再由激子辐射产生光线。因此，其持续有效发光的前提在于，载流子注入浓度的平衡和匹配。然而，根据电子和空穴的特性，通常电子的迁移率相对与空穴的迁移率更快，因此，导致电荷注入不平衡。而电子和空穴的注入不平衡会导致器件发光效率和发光寿命降低。

有鉴于此，发明人经过研究提出了一种能够在量子点发光二极管中使用的新的技术，用以控制电子的注入，且该技术主要是通过降低量子点发光二极管中电子传输层的电子迁移率来实现。

发明人所提出前述方案主要是基于这样的洞见，目前的量子点器件(以其中的电子传输层采用金属氧化物纳米材料制作为例)中，金属氧化物纳米具有较高的电子迁移率的原因是其内部存在一些缺陷(例如氧空位和锌填隙)以及表面存在一些极性官能团(例如羟基)。因此，降低电子迁移率或可通过抑止电子传输层中金属氧化物纳米颗粒表面缺陷(例如减少羟基)来实现。

对应于此，在本申请的示例方案中，通过对量子点发光层进行改进以获得前述的效果。考虑到金属氧化物纳米颗粒的电子传输层的特点，示例中，选择对量子点发光层的制作材料进行改进，从而使其具有能够被优化的特性，并基于此通过后续的处理(下文中主要指热处理)，而实现减小量子点发光二极管中的电子传输层的电子迁移率。

如前述，本申请示例中的方案主要涉及对金属氧化物纳米颗粒表面的本征缺陷进行抑止。示例中的方案是，通过适当的方式在金属氧化物纳米颗粒表面产生无机化合物。通过前述产生的无机化合物，减少了金属氧化物表面的极性官能团(羟基)，填补了金属氧化物纳米颗粒表面缺陷，从而降低电子迁移率。并且，在实践中，前述手段还同时增强了电子传输层的势垒高度。通过这样的一些优手段，基于前述方案的量子点器件(QLED)能够有效调节电荷注入平衡，同时也能够有效改进器件寿命。

究其深层次的原因，发明人意外地发现，金属氧化物纳米颗粒的表面存在众多的极性官能团(如-OH、-HS、-NH₂、-COOH)。这些官能团赋予了金属氧化物纳米颗粒的表面的高反应活性，能够俘获一些可反应物。因此，基于消除或尽量减少表面的需求，可以选择通过在金属氧化物纳米颗粒表面的表面缺陷区域填充适当的物质进行。再结合前述官能团的反应特性，选择以特定物质与其反应，从而形成前述用于对表面缺陷区域进行填充，以消除表面缺陷的适当的物质。

例如，以量子点发光层中存在碳酸氢钠(碳酸氢钠)、电子传输层的制作材料为氧化锌(ZnO)纳米颗粒为例。其中，电子传输层表面存在羟基时，可以形成Zn(OH)₂的分子结构。

当制作的量子点发光二极管被加热到适当温度时，量子点发光层中发生下述反应：2碳酸氢钠＝Na₂CO₃+H₂O+CO₂。

对于亚硫酸氢钠而言，则发生的反应是：2亚硫酸氢钠＝Na₂SO₃+H₂O+SO₂

相应地，电子传输层也会应对发生下述反应：

Zn(OH)₂+CO₂＝ZnCO₃+H₂O。或者，Zn(OH)₂+SO₂＝ZnSO₃+H₂O

其中的碳酸锌、亚硫酸锌即可以作为填充电子传输层表面的表面缺陷的无机化合物存在。

因此，本申请示例中，主要是通过在量子点发光层中引入可以受热而分解产生酸性气体的物质来实现对量子点发光二极管的优化。其中的可以受热产生酸性气体的物质，例如可以是碳酸氢盐，或者更具体而言主要是以碱金属元素为阳离子的碳酸氢盐(当然也可以采用其它元素作为阳离子)。示例性地，碳酸氢盐包括但不限于碳酸氢钠、碳酸氢钾、碳酸氢铷、碳酸氢铍、碳酸氢钙、碳酸氢镁、碳酸氢锶中的任意一种或多种的组合。对于碳酸氢盐为混合物的情况，可以示例性地给出两种组分的示例：碳酸氢钠和碳酸氢钾；三种组分的示例：碳酸氢钾、碳酸氢铷、碳酸氢铍；四种组分的示例，碳酸氢钠、碳酸氢铍、碳酸氢镁、碳酸氢锶。当碳酸氢盐为多种组分的组合物时，各种物质的使用比例可以进行适当的选择性调整，本申请中对此并无特别限定。

作为另一种可选的示例，量子点发光层中的受热产生酸性气体的物质，例如可以是亚硫酸氢盐，或者更具体而言主要是以碱金属元素为阳离子的亚硫酸氢盐(当然也可以采用其它元素作为阳离子)。示例性地，亚硫酸氢盐包括但不限于亚硫酸氢钠、亚硫酸氢钾、亚硫酸氢铷、亚硫酸氢铍、亚硫酸氢钙、亚硫酸氢镁、亚硫酸氢锶中的任意一种或多种的组合。对于亚硫酸氢盐为混合物的情况，可以示例性地给出两种组分的示例：亚硫酸氢铷和亚硫酸氢钾；三种组分的示例：亚硫酸氢钠、亚硫酸氢钾、亚硫酸氢钙；四种组分的示例，亚硫酸氢钠、亚硫酸氢铍、亚硫酸氢钙、亚硫酸氢锶。当亚硫酸氢盐为多种组分的组合物时，各种物质的使用比例可以进行适当的选择性调整，本申请中对此并无特别限定。

此外，受热产生酸性气体的物质也可以是碳酸氢盐和亚硫酸氢盐(两者也可以无机盐的形式被再次提及和描述)的混合物。例如，碳酸氢钠和亚硫酸氢钠的混合物；或者，碳酸氢铍、碳酸氢镁和亚硫酸氢钙的混合物；或者，亚硫酸氢钠、亚硫酸氢钙和碳酸氢镁的混合物。

针对于上述的示例，对量子点发光二极管进行加热，以使其中的量子点发光层中被选择添加物质分解，并产生酸性气体的温度通常即为前述无机盐的常压(如标准大气压)下的分解温度。在可选的示例中，受热分解的温度通常选择控制在60度至150度之间，例如63度、66度、69度、78度、84度、95度、109度、116度、128度、133度或145度；或者，分解温度是由前述任选两个具体温度所限定范围内的任意温度。

基于前述之内容，本申请示例提出了一种用于制作量子点发光层的新材料。

为了方便成膜，以制作器件，该新材料通常被制作为分散液，并且可选择其具有适当的黏度。因此，该新材料通常可以被称之为墨水。进一步，为了利于去除用于分散该新材料中的液体(分散剂)，该墨水可以选择为油溶性，且因此分散剂通常选择为有机试剂。并且，考虑到量子点的分散性，可以选择油溶性量子点，以提高量子点在有机试剂中的分散性。

其中油溶性量子点的表面配合物主要为油酸(CAS：112-80-1，Oleic acid)、油胺(CAS：112-90-3，Oleylamine)、辛胺(CAS：11186-4，Octylamine)、三辛基膦(CAS：4731-53-7，tri-n-octylphosphine)、三辛基氧磷(CAS：78-50-2，Trioctylphosphine oxide)、十八烷基磷酸、十四烷基磷酸等。

示例性，墨水中的量子点可以选择为第二族和第六族元素化合物、第三族和第五族元素化合物、第二族和第五族元素化合物、第三族和第六主族元素化合物、第四族和第六族元素化合物、第一族和第三族以及第六族元素化合物、第二族和第四族以及第六族元素化合物、第四族单质中的一种或多种的组合物。

可替代地，量子点是硫化镉、硒化镉、碲化镉、硫化锌、硒化锌、碲化锌、硫化汞、硒化汞、碲化汞、硫化铅、硒化铅、碲化铅。或者，量子点也可以是其他二种元素、三种元素、四种元素的-族或-族元素化合物中的一种或多种。作为一种可替代的具体示例，量子点磷化镓、砷化镓、磷化铟、砷化铟中的一种或多种。

在不同的示例中，量子点可以被自由地选择，而不必被特别地限定。通常地，其可以选择为经过掺杂的无机钙钛矿(当然也可以是未经掺杂的)，或者可以是有机钙钛矿，或者是有机和无机以杂化形式存在的钙钛矿。

无机类型的钙钛矿具有形如AMX₃通式。其中A表示铯离子。M示例性地如铅离子、锡离子、铜离子、镍离子、镉离子、铬离子、锰离子、钴离子、亚铁离子、锗离子、镱离子或铕离子。X为VII主族元素的阴离子，例如氯离子、溴离子或碘离子。

有机和无机杂化的钙钛矿型具有形如BMC₃的结构通式。B为有机胺的离子，如CH₃(CH₂)_n-2NH₃ ⁺(n≥2)或NH₃(CH₂)_nNH₃ ²⁺(n≥2)。

在制作墨水的示例中，可以选择通过将量子点和无机盐(如碳酸氢盐和亚硫酸氢盐)一并分散在分散剂中而制作而成。或者，也可以选择将两者分别用不同的液体试剂制作为相应的分散液，然后进行混溶即可。在本申请示例中，选择使用两种不同的有机溶剂作为分散剂，分别独立地制作无机盐分散液和量子点分散液，然后将两种液体混合。

例如，对于无机盐，可以选择使用酯类有机试剂，例如乙酸乙酯(C₄H₈O₂)、乙酸甲酯(C₃H₆O₂)、乙酸丙酯(C₅H₁₀O₂)、乙酸丁酯(C₆H₁₂O₂)、甲酸乙酯(C₃H₆O₂)、丙酸乙酯(C₅H₁₀O₂)、丁酸乙酯(C₆H₁₂O₂)。在使用上述有机试剂和无机盐构成的液体体系(第一分散液)中，无机盐的浓度可以限定在0.01mg/ml至10mg/ml。示例性地，浓度例如是1mg/ml、2mg/ml、3mg/ml、4mg/ml、6mg/ml。当存在多种无机盐，所述的浓度是液体体系中的各种无机盐的总质量。

例如，对于油溶性量子点(表面修饰有配体)，可以选择使用的是辛烷(C8H18)、正己烷(C6H14)、甲苯(C7H8)、氯苯(C6H5Cl)、氯仿(CHCl3)。当使用这些有机试剂和油溶性量子点构成的液体体系(第二分散液)时，无机盐的浓度可以限定在0.01mg/ml至10mg/ml。示例性地，浓度例如是0.5mg/ml、1.4mg/ml、2.6mg/ml、3.1mg/ml、5.5mg/ml、6.2mg/ml、7.6mg/ml、8.8mg/ml。如前述在无机盐的示例中所描述的那样，当油溶性量子点存在多种时，所述的浓度是指全部油溶性量子点的总质量。

上述液体体系的配制，可以是在开放环境(大气环境)下的室温。在将两种液体配制完成后，可以通过将两者按照适当的比例进行混合而获得墨水。通常地而言，墨水中主要含有量子点，因此，油溶性量子点的质量相对于无机盐的质量更多。例如，无机盐分散液和量子点分散液混合时的质量比值(K)为0.1mg至10mg：100mg，因此0.001≤k≤0.1。即，一百克的量子点分散液可选择与0.1mg至10mg的无机盐分散液混合。

该墨水可以通过各种适当的方式制作为膜层结构，例如其被应用于量子点发光二极管中时的那样。一些可选的示例中，墨水通过旋涂、刮涂、喷涂、丝网印刷等方式而被转移到衬底或基材上，然后通过蒸发等方式去除其中的有机试剂完成固化，从而被制作为膜层结构。

应当指出的是，由于墨水中含有能够通过加热而分解的无机盐，因此，如果选择通过加热以蒸发其中的有机试剂时，加热的温度应当小于无机盐的分解温度。并且，在将上述的墨水应用于量子点发光二极管时，通过加热使无机盐分解的加热步骤也通常是在结构上完整的量子点发光二极管器件制作完成之后再执行，例如封装完成后再通过加热使量子点发光层中的无机盐分解。

示例中，还基于该墨水提出了一种电致发光的量子点发光二极管。从结构上而言，该量子点发光二极管具有层状结构，由不同的功能层在空间上叠层接触构成。例如，其包括依次层状分布的下述功能层：

阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极。因此，从结构上而言，量子点发光二极管以量子点发光层为基础，在其厚度方向的两侧分别设置有用于传输电子(阻挡空穴)、传输空穴(阻挡电子)的功能层。

在另一些示例中，量子点发光二极管中还可以根据需要添加其它的功能层，例如，空穴注入层、电子注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层等。各功能层根据其特性被选择性地设置不同的层。空穴在注入层位于量子点发光层的传输空穴侧，相应地，电子注入层则位于量子点发光层的传输电子侧。例如，当器件包括电子阻挡层时，器件的结构为：阳极、空穴传输层、电子阻挡层、量子点发光层、电子传输层和阴极。

其中，阳极一般选择透明导电玻璃，其具有结构强度、透明且导电的优点。

例如，空穴传输层是PEDOT:PSS。

其中PEDOT是Poly(2,3-dihydrothieno-1,4-dioxin)，CAS:126213-51-2，聚(3,4-乙烯二氧噻吩)。其中PSS为Polystyrene sulfonic acid，CAS:28210-41-5，聚苯乙烯磺酸。

例如，电子阻挡层是TFB/PVK。其中，TFB是

Poly(9,9-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenylamine)CAS:220797-16-0，聚(9,9’-二辛基芴-共聚-N-(4-丁基苯基)-二苯胺)。

PVK是POLY(N-VINYLCARBAZOLE)，CAS:25067-59-8，聚乙烯基咔唑。

电子传输层为氧化锌、氧化镍、氧化钨、氧化钼、二氧化钛、氧化锡、氧化锆、氧化钽。

经过验证，基于前述材料制作的量子点发光二极管(经历了足以使碳酸氢盐、亚硫酸氢盐分解的热处理)表现出寿命方面的优势。并且这样的优化在于：电荷注入平衡(降低电子的注入浓度，以便与空穴的注入浓度更接近)，可以避免器件使用过程中的电压升高，从而避免器件因电压升高所导致的过热现象发生，从而可以提高寿命(相比于因发热而导致的寿命缩短的器件)。

以下针对本申请实施例进行具体说明：

实施例1

一、器件制作

(1)备料

1)取20mg的碳酸氢钠分散在4ml的乙酸乙酯中搅拌均匀形成均一透明的溶液备用。

2)取90mg的CdSe/ZnS分散在3ml的辛烷中搅拌均匀形成均一透明的量子点溶液的备用。

3)取1ml的碳酸氢钠溶液和3ml的量子点溶液在室温下进行均匀混合形成均一的溶液，用作墨水备用。

4)将氧化锌用乙醇制作为浓度10mg/ml的溶液，用作电子传输材料。

(2)制作

1)以透明导电玻璃(ITO)为阳极，将经过滤(0.45微米过滤头)的PEDPOT:PSS(AI4083)，采用转速为4000rpm时间为60s在清洗干净的ITO玻璃片上旋涂，然后采用150摄氏度退火15min，制作空穴传输层。

2)将PVK用氯苯溶解制作为浓度是6mg/ml的溶液，再采用转速为4000rpm时间为60s的参数在空穴传输层上旋涂并采用80度退火固化，制作电子阻挡层。

3)在手套箱中旋涂墨水：采用转速为2000rpm时间为60s在电子阻挡层上旋涂并采用80度退火固化，制作量子点发光层。

4)将电子传输材料采用转速为2000rpm时间为60s在电子阻挡层上于手套箱中进行旋涂，并采用80度退火固化，制作电子传输层。

5)在高真空2×10⁴Pa压强下，利用掩膜通过热蒸的形式在电子传输层上依次沉积40nm厚度的TPBI和150nm厚的铝电极(作为阴极)，从而获得面积为4cm²的器件。

其中，TPBI(1,3,5-Tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)benzene，CAS:192198-85-9)可以作为空穴阻挡层(HBL)，有效地降低金属阴极(铝或银或金)的电子注入势垒，从而利于改善器件发光效率。

二、器件的测试

按照同样的方式制备好的器件在烘箱中经过100℃、8小时热处理后，分成A、B两批。其中，B器件中的量子点发光层不含无机盐：碳酸氢钠。

采用相同的测试方式测试两批器件的寿命和效率，测试结果如下。

器件类别	器件效率(EQE)	器件寿命(h)
			A	10.3	150
B	10	100

上表公开的数据表明：相比于量子点发光层不含碳酸氢钠的QLED，本申请示例中的器件效率和器件寿命均具有不同程度的提升。其中，器件效率提高了3％，器件寿命提高了50％。另外，在依据本申请方案制作的其他一些QLED器件，经测试，器件效率可以提高1％至5％、器件寿命可以提高50％至300％。

实施例2

一、器件制作

(1)备料

与实施例1相同，主要区别在于，其中的步骤1制备的为亚硫酸氢盐溶液，即将其中的碳酸氢盐替换为亚硫酸氢盐。相应地，墨水中的碳酸氢盐也替换为亚硫酸氢盐。

(2)制作

器件制备与实施例1相同。

二、器件的测试

将在相同条件下制备好的器件在烘箱中经过100℃、8小时热处理后，分成A、B两批。其中，B器件中的量子点发光层不含无机盐：亚硫酸氢钠。

器件类别	器件效率(EQE)	器件寿命(h)
			A	12.72	240
B	12	120

上表公开的数据表明：相比于量子点发光层不含碳酸氢钠的QLED，本申请示例中的器件效率和器件寿命均具有不同程度的提升。其中，器件效率提高了6％，器件寿命提高了100％。另外，在依据本申请方案制作的其他一些QLED器件，经测试，器件效率可以提高1％至7％、器件寿命可以提高50％至250％。

实施例3

一、器件制作

(1)备料

与实施例1相同，主要区别在于：其中的步骤2制备的为三元量子点。即将实施例1中的CdSe/ZnS替换为InP/ZnSe/ZnS。相应地，墨水中的CdSe/ZnS也替换为InP/ZnSe/ZnS。

(2)制作

器件制备与实施例1相同。

二、器件的测试

将在相同条件下制备好的器件在烘箱中经过100℃、8小时热处理后，分成A、B两批。其中，B器件中的量子点发光层不含无机盐：碳酸氢钠。

器件类别	器件效率(EQE)	器件寿命(h)
			A	3.03	40
B	3	20

上表公开的数据表明：相比于量子点发光层不含碳酸氢钠的QLED，本申请示例中的器件效率和器件寿命均具有不同程度的提升。其中，器件效率提高了1％，器件寿命提高了100％。另外，在依据本申请方案制作的其他一些QLED器件，经测试，器件效率可以提高1％至8％、器件寿命可以提高50％至150％。

实施例4

一、器件制作

(1)备料

与实施例1相同，主要区别在于：步骤1中的使用的是亚硫酸氢盐制作溶液，步骤2中的使用的是CsPbCl₃制作量子点溶液。

(2)制作

与实施例1相同。

二、器件的测试

器件类别	器件效率(EQE)	器件寿命(h)
			A	5.5	20
B	5	10

上表公开的数据表明：相比于量子点发光层不含碳酸氢钠的QLED，本申请示例中的器件效率和器件寿命均具有不同程度的提升。其中，器件效率提高了10％，器件寿命提高了100％。另外，在依据本申请方案制作的其他一些QLED器件，经测试，器件效率可以提高1％至10％、器件寿命可以提高50％至100％。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims

1.一种量子点墨水，其特征在于，包括相互混合无机盐和量子点，其中，无机盐为能够受热而分解以产生气体的碳酸氢盐和/或亚硫酸氢盐；所述量子点墨水包括用于分散无机盐和量子点的有机分散剂；碳酸氢盐和亚硫酸氢盐的浓度分别独立限制于0.01～10mg/ml；有机分散剂包括混溶的第一组分和第二组分；其中，第一组分用于分散无机盐，第二组分用于分散所述量子点；

第一组分为有机酯类化合物；有机酯类化合物包括乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、甲酸乙酯、丙酸乙酯和丁酸乙酯中的一种或多种的组合；和/或，第二组分为非极性试剂；非极性试剂包括辛烷、正己烷、甲苯、氯苯和氯仿中的一种或多种的组合；

碳酸氢盐包括碳酸氢钠、碳酸氢钾、碳酸氢铷、碳酸氢铍、碳酸氢钙、碳酸氢镁和碳酸氢锶中的一种或多种的组合；和/或，亚硫酸氢盐包括亚硫酸氢钠、亚硫酸氢钾、亚硫酸氢铷、亚硫酸氢铍、亚硫酸氢钙、亚硫酸氢镁和亚硫酸氢锶中的一种或多种的组合。

2.根据权利要求1所述的量子点墨水，其特征在于，所述量子点为表面修饰有配体的油溶性量子点，并且所述配体包括油酸、油胺、辛胺、三辛基磷、三辛基氧磷、十八烷基磷酸和十四烷基磷酸中的一种或多种的组合。

3.权利要求1所述的量子点墨水的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：将无机盐和量子点均匀混合，其中，无机盐为能够受热而分解以产生气体的碳酸氢盐和/或亚硫酸氢盐。

4.根据权利要求3所述的量子点墨水的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

分别获得含有所述无机盐的第一分散液和含有所述量子点的第二分散液；

将所述第一分散液和所述第二分散液混匀，以形成混合物。

5.一种量子点发光二极管，具有以金属氧化物的纳米颗粒制作的电子传输层，其特征在于，所述量子点发光二极管包括：

由根据权利要求1至2中任意一项所述的量子点墨水制作而成的量子点发光层；

在所述量子点发光二极管中，所述量子点发光层与所述电子传输层叠层接触布置；电子传输层为氧化锌、氧化镍、氧化钨、氧化钼、二氧化钛、氧化锡、氧化锆、氧化钽。

6.一种量子点发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

以透明导电玻璃为阳极，在其上旋涂并经退火固化以制作空穴传输层；

在所述空穴传输层之上旋涂并经退火固化制作电子阻挡层；

在所述电子阻挡层之上，依次制作叠层布置的量子点发光层和电子传输层，其中，所述量子点发光层的材料是根据权利要求1至2中任意一项所述的量子点墨水；

在所述电子传输层之上热蒸作为阴极的铝膜，获得器件；

对器件进行热处理。