CN111584739B - 一种oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 - Google Patents

一种oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 Download PDF

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Abstract

本揭示提供一种OLED显示面板及其制备方法以及OLED显示装置。OLED显示面板包括驱动电路层、发光功能层及封装层。所述发光功能层设置于所述驱动电路层上。所述封装层设置于所述发光功能层上，至少包括第一有机封装层和第一无机封装层，所述第一无机封装层设置在所述第一有机封装层上。其中，所述第一有机封装层与所述第一无机封装层的接触面呈凸起的弧形结构。以提高光的取出率，从而提高外量子效率。

Description

一种OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置
技术领域
本揭示涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法以及OLED显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示产品具有轻薄、响应快、广视角、高对比度、可弯折等优点。因此OLED被认为是继液晶显示器(Liquid CrystalDisplay，LCD)之后的新一代平板显示产品和技术，受到了越来越多的关注和应用。
OLED显示面板由下到上包括基底层、薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)驱动层、OLED发光层、封装层(Thin Film Encapsulation，TFE)等。OLED显示面板的发光原理是在两个电极之间沉积OLED发光层，对OLED发光层通以电流，通过载流子注入和复合而发光。目前，发光层中磷光和热激活延迟荧光材料的发展使内量子效率理论上达到100％。但OLED的外量子效率仍然受到波导、衬底、表面等离子体的限制，外量子效率较低。
因此，现有OLED显示面板外量子效率较低的问题需要解决。
发明内容
本揭示提供一种OLED显示面板及其制备方法以及OLED显示装置，以缓解现有OLED显示面板外量子效率较低的技术问题。
为解决上述问题，本揭示提供的技术方案如下：
本揭示实施例提供一种OLED显示面板，其包括驱动电路层、发光功能层及封装层。所述发光功能层设置于所述驱动电路层上。所述封装层设置于所述发光功能层上，至少包括第一有机封装层和第一无机封装层，所述第一无机封装层设置在所述第一有机封装层上。其中，所述第一有机封装层与所述第一无机封装层的接触面呈凸起的弧形结构。
在本揭示实施例提供的OLED显示面板中，所述驱动电路层包括驱动电路、设置在所述驱动电路上且与所述驱动电路连接的像素电极以及设置于所述像素电极上的像素定义层，其中所述像素定义层在对应所述像素电极的区域设置有像素开孔，所述发光功能层设置于所述像素定义层上及所述像素开孔内，所述第一有机封装层设置于所述像素开孔内的所述发光功能层上。
在本揭示实施例提供的OLED显示面板中，所述封装层还包括设置于所述第一无机封装层上的第二有机封装层，以及设置在所述第二有机封装层及所述第一无机封装层上的第二无机封装层。
在本揭示实施例提供的OLED显示面板中，所述第二有机封装层与所述第二无机封装层的接触面呈凸起的弧形结构。
在本揭示实施例提供的OLED显示面板中，所述第一有机封装和所述第二有机封装层的厚度均为0.5微米至2微米。
在本揭示实施例提供的OLED显示面板中，所述第一有机封装和所述第二有机封装层的材料为透明光阻。
本揭示实施例还提供一种OLED显示装置，其包括前述实施例其中之一的OLED显示面板。
本揭示实施例还提供一种OLED显示面板制备方法，其包括以下步骤：步骤S10、制备驱动电路层，包括提供一衬底基板，在所述衬底基板上依次层叠制备驱动电路、像素电极、像素定义层，其中所述像素定义层在对应所述像素电极的区域设置有像素开孔。步骤S20、制备发光功能层，包括在所述像素定义层上及所述像素开孔内制备发光功能层。步骤S30、制备封装层，包括在所述发光功能层上依次层叠制备第一有机封装层、第一无机封装层，其中所述第一有机封装层与所述第一无机封装层的接触面呈凸起的弧形结构。
在本揭示实施例提供的OLED显示面板制备方法，在步骤S30中，所述第一有机封装层全部设置于所述像素开孔内。
在本揭示实施例提供的OLED显示面板制备方法，第一有机封装的厚度为0.5微米至2微米。
本揭示的有益效果为：本揭示提供的OLED显示面板及其制备方法以及OLED显示装置中，用高折射率的透明光阻在封装层设置至少一特殊的第一有机封装层，第一有机封装层与第一无机封装层的接触面呈凸起的弧形结构。凸起的弧形结构可以改变光程和出射角，提高了光的取出率，进而提高了外量子效率。同时凸起的弧形结构增大了第一有机封装层和第一无机封装层的接触面积，增大了膜层间的附着力，避免了膜层间发生剥离。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本揭示实施例提供的OLED显示面板第一种侧视结构示意图；
图2为本揭示实施例提供的OLED显示面板中光出射的示意图；
图3为本揭示实施例提供的OLED显示面板第二种侧视结构示意图；
图4为本揭示实施例提供OLED显示面板制备方法的流程示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。本揭示所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
在一种实施例中，如图1所示，提供一种OLED显示面板100，其包括驱动电路层10、发光功能层20及封装层30。所述发光功能层20设置于所述驱动电路层上10。所述封装层30设置于所述发光功能层20上，至少包括第一有机封装层31和第一无机封装层32，所述第一无机封装层32设置在所述第一有机封装层31上。其中，所述第一有机封装层31与所述第一无机封装层32的接触面呈凸起的弧形结构。
具体的，如图1所示，所述驱动电路层10包括驱动电路11、设置在所述驱动电路11上且与所述驱动电路11连接的像素电极12以及设置于所述像素电极12上的像素定义层13。其中所述像素定义层13用于定义像素的开口区域，即所述像素定义层13在对应所述像素电极12的区域设置有像素开孔131。所述发光功能层20设置于所述像素定义层13上及所述像素开孔131内，所述第一有机封装层31设置于所述像素开孔131内的所述发光功能层20上。
具体的，在一衬底基板上制备所述驱动电路，所述驱动电路包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管用于控制所述像素电极工作。所述像素电极通过过孔与所述薄膜晶体管连接。所述像素定义层先整层设置在所述像素电极上，然后通过曝光、显影、刻蚀等工艺，在对应所述像素电极的区域设置所述像素开孔。
进一步的，所述发光功能层20设置于所述像素定义层13上及所述像素开孔131内。所述发光功能层20可以包括依次层叠设置在所述驱动电路层上的空穴传输层(Holetransport layer，HTL)、发光材料层(Emitting Layer，EML)、电子传输层(ElectronTransport Layer，ETL)及阴极(Cathode)层(发光功能层的各膜层结构图未示出)。发光材料层全部设置在所述像素开孔内，由所述像素电极和阴极控制发光。阴极层采用透明导电电极材料制备。
进一步的，所述封装层30设置在所述发光功能层20上，其中第一有机封装层31设置在对应所述像素开孔131内的发光功能层20上，且所述第一有机封装层31的上表面设置呈凸起的弧形结构。所述第一无机封装层32设置在所述第一有机封装层31及发光功能层20上，用于阻隔水氧浸入OLED显示面板内。
具体的，可以采用喷涂等工艺在所述像素开孔131内制备所述第一有机封装层31，成膜后再进行曝光、显影、蚀刻等工艺制成凸起弧形结构。
进一步的，所述第一有机封装层31的材料为高折射率的透明光阻，包括聚酰亚胺类感光高分子等其他材料。
进一步的，所述第一有机封装层31的厚度范围为0.5微米至2微米，所述第一有机封装层31的宽度和所述像素开孔131的孔径相匹配。也即发光材料层发出的光全部经过所述第一有机封装层。
进一步的，如图2所示，所述发光功能层20发出的光经过所述第一有机封装层31时，由于所述第一有机封装层31凸起的弧形结构，该凸起的弧形结构相当于一个微棱镜，使光线在弧面上发生折射，改变了光程。同时采用的高折射率透明光阻，由于较大的折射率，使光线的出射角θ增大。如此通过改变光程和出射角，提高了光的取出率，进而提高外量子效率。而且凸起的弧形结构增大了第一有机封装层31和第一无机封装层32的接触面积，增大了膜层间的附着力，避免了膜层间发生剥离。
进一步的，所述第一无机封装层32可以采用化学气相沉积法(Chemical VaporDeposition,，CVD)、物理气相沉积法(Physical Vapor Deposition，PVD)或原子层沉积法(Atomic layer deposition，ALD)等沉积工艺在所述第一有机封装层31及发光功能层20上制备。所述第一无机封装层32的材料可以包括氮化硅(SiNX)、氮氧化硅(SiNO)或者其组合物等其中的一种。
在本实施例中，通过把第一有机封装层的上表面设置呈凸起的弧形结构，可以改变光程和出射角，提高了光的取出率，进而提高了外量子效率。
在一种实施例中，与上述实施例不同的是，如图3所示的OLED显示面板101，所述封装层30’还包括设置于所述第一无机封装层32上的第二有机封装层33，以及设置在所述第二有机封装层33及第一无机封装层32上的第二无机封装层34。
具体的，所述第二有机封装层33的上表面也设置呈凸起的弧形结构。
进一步的，所述第二有机封装层33的材料和所述第一有机封装层31的材料可以相同，且所述第二有机封装层33的厚度和所述第一有机封装层31的厚度也可以相同。
进一步的，所述第二有机封装层33的厚度范围为0.5微米至2微米。
进一步的，所述第二有机封装层33的材料为高折射率的透明光阻。
进一步的，所述第二无机封装层34的材料和所述第一无机封装层32的材料可以相同，且所述第二无机封装层34的厚度和所述第一无机封装层32的厚度也可以相同。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
在本实施例中，增加设置和所述第一有机封装层结构、材料相同的第二有机封装层，进一步改变了光程和出射角，提高了光的取出率，进而提高了外量子效率。
在另一种实施例中，和上述实施例不同的是，所述第一有机封装层和发光功能层之间也可以设置一层无机封装层，进一步提高封装层防水氧入侵的性能。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
需要说明的是，本揭示封装层的层数可根据实际需求设置，不限于本揭示实施例所列举的。
在一种实施例中，提供一种OLED显示面板制备方法，如图4所示，其包括以下步骤：
步骤S10、制备驱动电路层，包括提供一衬底基板，在所述衬底基板上依次层叠制备驱动电路、像素电极、像素定义层，其中所述像素定义层在对应所述像素电极的区域设置有像素开孔；
步骤S20、制备发光功能层，包括在所述像素定义层上及所述像素开孔内制备发光功能层；
步骤S30、制备封装层，包括在所述发光功能层上依次层叠制备第一有机封装层、第一无机封装层，其中所述第一有机封装层与所述第一无机封装层的接触面呈凸起的弧形结构。
具体的，在步骤S10中，所述像素电极和所述驱动电路通过过孔连接。
具体的，在步骤S20中，采用真空热蒸镀法制备所述发光功能层的各膜层。所述发光功能层可以包括依次层叠设置在所述驱动电路层上的空穴传输层、发光材料层、电子传输层及阴极层。发光材料层全部设置在所述像素开孔内。
具体的，在步骤S30中，采用喷涂等工艺在所述像素开孔内的发光功能层上制备第一有机封装层，成膜后再进行曝光、显影、蚀刻等工艺制成呈凸起的弧形结构。
具体的，所述第一有机封装层的材料为高折射率的透明光阻，包括聚酰亚胺类感光高分子等其他材料。
进一步的，所述第一有机封装层的厚度范围为0.5微米至2微米，所述第一有机封装层的宽度和所述像素开孔的孔径相匹配。也即发光材料层发出的光全部经过所述第一有机封装层。
进一步的，采用物理气相沉积法等沉积工艺把氮化硅、氮氧化硅或者其组合物等其中的一种沉积在所述第一有机封装层和发光功能层上。
具体的，所述发光功能层发出的光经过所述第一有机封装层时，由于所述第一有机封装层凸起的弧形结构，该凸起的弧形结构相当于一个微棱镜，使光线在弧面上发生折射，改变了光程。同时采用的高折射率透明光阻，由于较大的折射率，使光线的出射角增大。如此通过改变光程和出射角，提高了光的取出率，进而提高外量子效率。而且凸起的弧形结构增大了第一有机封装层和第一无机封装层的接触面积，增大了膜层间的附着力，避免了膜层间发生剥离。
在一种实施例中，提供一种OLED显示装置，其包括上述实施例其中之一提供的OLED显示面板。
根据上述实施例可知：
本揭示提供一种OLED显示面板及其制备方法以及OLED显示装置，OLED显示面板包括驱动电路层、发光功能层及封装层。所述发光功能层设置于所述驱动电路层上。所述封装层设置于所述发光功能层上，至少包括第一有机封装层和第一无机封装层，所述第一无机封装层设置在所述第一有机封装层上。其中，所述第一有机封装层与所述第一无机封装层的接触面呈凸起的弧形结构。凸起的弧形结构可以改变光程和出射角，提高了光的取出率，进而提高了外量子效率。同时凸起的弧形结构增大了第一有机封装层和第一无机封装层的接触面积，增大了膜层间的附着力，避免了膜层间发生剥离。
综上所述，虽然本揭示已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本揭示，本领域的普通技术人员，在不脱离本揭示的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本揭示的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (7)

1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：
驱动电路层，所述驱动电路层包括驱动电路、设置在所述驱动电路上且与所述驱动电路连接的像素电极以及设置于所述像素电极上的像素定义层，其中所述像素定义层在对应所述像素电极的区域设置有像素开孔；
发光功能层，设置于所述驱动电路层上，并位于所述像素定义层上及所述像素开孔内；以及
封装层，设置于所述发光功能层上，至少包括第一有机封装层和第一无机封装层，所述第一无机封装层设置在所述第一有机封装层上，所述第一有机封装层设置于所述像素开孔内的所述发光功能层上；
其中，所述第一有机封装层与所述第一无机封装层的接触面呈凸起的弧形结构，且所述第一无机封装层背离所述第一有机封装层的表面为平坦面，使得所述第一无机封装层具有厚度差；所述封装层还包括设置于所述像素开孔内的所述第一无机封装层上的第二有机封装层，以及设置在所述第二有机封装层及所述第一无机封装层上的第二无机封装层，所述第二有机封装层与所述第二无机封装层的接触面呈凸起的弧形结构，且所述第二无机封装层背离所述第二有机封装层的表面为平坦面，使得所述第二无机封装层具有厚度差。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一有机封装和所述第二有机封装层的厚度均为0.5微米至2微米。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一有机封装和所述第二有机封装层的材料为透明光阻。
4.一种OLED显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至3任一项所述的OLED显示面板。
5.一种用于制备如权利要求1至3中任一项所述的OLED显示面板的OLED显示面板制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S10、制备驱动电路层，包括提供一衬底基板，在所述衬底基板上依次层叠制备驱动电路、像素电极、像素定义层，其中所述像素定义层在对应所述像素电极的区域设置有像素开孔；
步骤S20、制备发光功能层，包括在所述像素定义层上及所述像素开孔内制备发光功能层；以及
步骤S30、制备封装层，包括在所述发光功能层上依次层叠制备第一有机封装层、第一无机封装层、第二有机封装层以及第二无机封装层，其中所述第一有机封装层与所述第一无机封装层的接触面呈凸起的弧形结构，且所述第一无机封装层背离所述第一有机封装层的表面为平坦面，使得所述第一无机封装层具有厚度差。
6.根据权利要求5所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在步骤S30中，所述第一有机封装层全部设置于所述像素开孔内。
7.根据权利要求6所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，第一有机封装的厚度为0.5微米至2微米。
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