CN111584713A - 一种半导体型共轭聚合物/碳纳米管复合材料光电转换薄膜的制备方法 - Google Patents
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- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 73
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 56
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 54
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 21
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 abstract description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 5
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 4
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000005964 Acibenzolar-S-methyl Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000001074 Langmuir--Blodgett assembly Methods 0.000 description 2
- JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ti] Chemical compound [Ca].[Ti] JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000005325 percolation Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 2
- RNXIRXYZZGOBQG-UHFFFAOYSA-N 2h-indeno[2,1-b]thiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CCSC3=CC2=C1 RNXIRXYZZGOBQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- OBISXEJSEGNNKL-UHFFFAOYSA-N dinitrogen-n-sulfide Chemical compound [N-]=[N+]=S OBISXEJSEGNNKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000013087 polymer photovoltaic Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000013083 solar photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/221—Carbon nanotubes
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
一种半导体型共轭聚合物/碳纳米管复合材料光电转换薄膜的制备方法，属于光电转换材料技术领域，所述方法为将半导体型单壁碳纳米管和半导体型共轭聚合物溶解分散在氯仿中，比例为1：0.1‑0.3，在超声处理后，获得的溶液在温度为27°C、氮气环境下制膜，经光刻获得Au电极，获得的膜干燥后置于真空干燥机中保存。本发明设计宽吸收、低能隙和高载流子迁移率的新型共轭聚合物/碳纳米管纳米复合材料，提高光能的吸收效率和转换效率。
Description
技术领域
本发明属于光电转换材料技术领域，具体涉及一种半导体型共轭聚合物/碳纳米管复合材料光电转换薄膜的制备方法。
背景技术
光的高效利用及大量快速储存是决定一种光伏材料优良的指标，光的利用率越高越好，储存量越大越好，储存速度越快越好。光伏材料主要运用于各种的航天器、发电、新能源汽车等方面。一般光伏材料随着能源技术的发展和应用范围的扩大，很难满足军事上、民用上对未来战争及生活的需要。因此寻找高效利用光能及储存光能的光伏材料成为重点研究对象。
目前，太阳能光伏技术包括以晶体硅、砷化镓、钙钛型和共轭聚合物光伏发电，其中晶体硅由于总能量转化效率高占据市场份额最大。
而砷化镓等半导体材料原料稀少、制备效率低、稳定性差，在实际应用中受到了较大的限制。与传统硅基太阳能电池相差不远，通过选用合适的空穴传输材料以及光伏给体材料，无机钙钛矿太阳能电池以及共轭聚合物太阳能电池最高认证效率已经分别高达22.1%和12.7%。近些年来，发明了红外吸收低带隙聚合物，其允许聚合物有机光伏电池形成高效叠层结构用于从太阳光谱收集近红外能量，具有低成本、容易加工、大面积、轻质、单位质量功率高、可弯曲等优点，国内外的研究人员对共轭聚合物光伏材料的期望值非常大，并且对其的要求非常高。
硅基光伏技术缺点：原料成本高，生产工艺负责，及窄带隙半导体的严重光腐蚀限制了无机太阳能电池的实际应用。原因：价格昂贵，窄带隙半导体催化引发光腐蚀。
砷化镓光伏技术缺点：在实际应用中受到了较大的限制。原因： 半导体材料原料稀少、制备效率低、稳定性差。
钙钛型光伏技术缺点：光电转换效率与光电流传输效率低及光腐蚀。原因：在加热条件下得到钙钛矿结构材料的活性吸光层，其上再旋涂空穴传输材料的技术方案。上述现有技术中，空穴传输层都是独立于作为吸光层的钙钛矿结构的材料存在，通过在吸光层上另外涂覆空穴传输材料实现两者的组装。添加空穴传输层利于光生电流产生的同时空穴的传输，从而提高光电转换和传输效率，但光电流和空穴常常是同时产生的，且都发生在吸光层上，因此目前这种在吸光层上另外添加空穴层的方法，并不能完美地实现空穴在吸光层内部产生的同时即有效地传输出去的效果。
纯共轭聚合物光伏材料：纯共轭聚合物吸收光后，由于激子中电子空穴对之间库仑作用较大，同时半导体共轭聚合物介电常数较小, 使激子解离需要的能量高于热能kT，因此, 共轭聚合物材料激子解离困难,不易形成自由载流子。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提出一种半导体型共轭聚合物/碳纳米管复合材料光电转换薄膜，设计宽吸收、低能隙和高载流子迁移率的新型共轭聚合物/碳纳米管纳米复合材料，提高光能的吸收效率和转换效率。解决了硅基光伏材料的光腐蚀问题；砷化镓光伏技术的实用限制问题；解决了钙钛型光伏技术中光电流和空穴常常是同时产生的，且都发生在吸光层上，从而引起光电流传输效率低的问题。解决了纯共轭聚合物由于光学带隙高，激子复合率高，电荷向电极输运时由于复合导致的电流损失大，载流子迁移率低而导致的光电转换效率低。
本发明采用如下技术方案：
一种半导体型共轭聚合物/碳纳米管复合材料光电转换薄膜的制备方法，所述方法为将半导体型单壁碳纳米管和半导体型共轭聚合物溶解分散在氯仿中，比例为1：0.1-0.3，在超声处理后，获得的溶液在温度为27°C、氮气环境下制膜，经光刻获得Au电极，获得的膜干燥后置于真空干燥机中保存。
进一步地，所述利用光刻技术获得Au电极间距为15μm。
进一步地，所述干燥是将获得的膜在氮气中100°C干燥10分钟。
进一步地，所述制膜是采用Langmuir-Blodgett技术在上部有热蒸发Au电极的玻璃板基底形成薄膜。
本发明首先共轭聚合物主要吸收波段在600nm以上，同时在波段400～600nm的吸收由较强的吸收。设计长烷基侧链的梯形茚并二噻吩与苯并噻二唑进行共聚获得半导体型共轭聚合物，提高空穴的迁移速率。低能隙的共轭聚合物，特别是光学带隙小于1.6 eV的窄带隙，更有效地利用从紫外区到近红外区的太阳光，能提高器件光电转换性能；
设计自组装技术制备纳米复合结构。将碳纳米管和共轭聚合物溶解分散在氯仿中，比例为分别为1：0.3在Bandeline Sonopuls HD 2070 超声仪 (频率为20 kHz)超声处理10分钟，获得的溶液通过Langmuir-Blodgett技术在温度为27°C、氮气环境下在玻璃板基底上蒸发到上面的Au电极。利用光刻技术获得Au电极间距为15μm。接着这层膜在氮气中100°C干燥10分钟，最后把薄膜保存在真空干燥机（MB SANPLATEC Corp.）。
引入高载流子的碳纳米管。利用碳纳米管的高的电子移动速率，大大高于半导体聚合物的空穴移动速率。碳纳米管和共轭聚合物形成强大的内建电场,碳纳米管分离电荷,传输电子到负极。碳纳米管的电子亲和势高于共轭聚合物,从而能够有效地分离共轭聚合物中的光生激子;同时碳纳米管和聚合物形成互穿透的网络通道,由于碳纳米管载流子迁移率很高,可达105cm2/(V·s),由此在聚合物中形成有效的电荷传输通道,分离后的电荷能很快地传向电极。因而能提高电池效率。
碳纳米管/共轭聚合物导电受到逾渗原理支配，当碳纳米管与共轭聚合物配比达到一定比值（1:0.3）时，导电突然增加。因此优化碳纳米管和共轭聚合物的比例，并开发自组装技术制备碳纳米管/共轭聚合物纳米结构，此结构一方面降低电子跃迁能隙，提高激子生成数量，一方面抑制激子中电子和空穴的复合，提高载流子迁移速率。
碳纳米管分散到个共轭聚合物光活性层，形成分子供体-受体结器件，活性层中共轭聚合物受到光照射后，分子中的电子由HOMO能级跃迁到LOMO能级产生激子，由于共轭聚合物和碳纳米管界面存在，碳纳米管导致激子分离，同时碳纳米管的高的导电能力，提高了载流子的迁移率。
共轭聚合物为茚并二噻吩-共-苯并噻二唑共聚物，主链结构上原子之间存在夹角会提高材料的光电效应，在支链上，拥有一定的形状的支链及增加支链的长度都会影响聚合物光学性能。共轭聚合物中的芳香环具有与碳纳米管表面发生π-π相互作用。缠结的共轭聚合物向碳纳米管移动。最终骨架上具有芳环的共轭聚合物逐渐缠绕于纳米管表面排列，见图1。
共轭聚合物/碳纳米管复合材料的导电比纯共轭聚合物高两个数量级，载流子运动机制为空间电荷限制光电流。碳纳米管的LUMO能级位于共轭聚合物的LUMO能级和HOMO能级之间。这样当共轭聚合物吸收光子，共轭聚合物的LUMO能级向HOMO能级产生的激子，在碳纳米管和共轭聚合物的主链的界面，碳纳米管为激子中的电子提供了一个阶梯，由于碳纳米管的高的导电率，电子在碳纳米管快速移动到电极。与此同时，位于共轭聚合物主链的空穴移动至另外电极。从而获得了共轭聚合物高两个数量级的导电率，见图2-3。
本发明的优点与效果为：
1、本发明共轭聚合物/碳纳米管的活化能为62 meV，而纯共轭聚合物的活化能为1.95eV。因为利用纳米自组装技术，形成以碳纳米管为轴的共轭聚合物螺旋缠绕结构。
2、共轭聚合物/碳纳米管比纯聚合物的直流导电高两个数量级。原因：利用逾渗原理，在共轭聚合物/碳纳米管复合结构中形成通路。
功能：此复合材料在两条轨道的作用下进行电流传输，极大的提升了材料的导电性。在同样的室温中，阳光照射比黑暗情况下，光电流提高2倍。
3、发现共轭聚合物/碳纳米管复合材料的导电比纯共轭聚合物高两个数量级，载流子运动机制为空间电荷限制光电流。
本发明将共轭高分子的物化性质与碳纳米管的长程电荷传输特性结合起来，在共轭聚合物中加入碳纳米管形成新结构，在光诱导下，可发生快速电荷转移，该过程的速率远远大于其逆向过程。原因是碳纳米管表面是一个很大的共轭系统, 其电子在分子轨道上离域, 因此可以稳定外来电子。
碳纳米管和共轭聚合物的纳米复合结构，利用纳米复合效应，在纳米尺度，分子间自组装形成纳米结构，这种结构，同时抑制激子中电子空穴的复合，提高共轭聚合物中引入碳纳米管, 一方面由于共轭聚合物与碳纳米管界面形成的内建电场有利于激子的解离,另一方面碳纳米管的高迁移率的特性, 可提高传输特性, 抑制载流子复合。而且, 碳纳米管的引入, 在不干扰共轭聚合物结构的同时, 可增加共轭聚合物薄膜的平整性, 提高迁移率, 有利于电荷的引出。
利用纳米自组装技术设计共轭聚合物/碳纳米管纳米螺旋结构。以碳纳米管为轴心，共轭聚合物缠绕通过非共价键相互作用形成纳米螺旋结构。
碳纳米管与共轭聚合物的配比，由于形成通路，新的纳米复合材料在吸收光后，表现出高的载流子迁移速率，其载流子的迁移机制不同于普通纯共轭聚合物载流子运动机制。
附图说明
图1为碳纳米管为轴的共轭聚合物螺旋缠绕复合结构及其载流子移动示意图；
图 2为半导体型共轭聚合物的电压/电流曲线；
图3为半导体型共轭聚合物/碳纳米管的电压/电流曲线。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明做进一步解释。
一种半导体型共轭聚合物/碳纳米管复合材料光电转换薄膜的制备方法，所述方法为将半导体型单壁碳纳米管和半导体型共轭聚合物溶解分散在氯仿中，比例为1：0.1-0.3，在超声处理后，获得的溶液在温度为27°C（可以给出范围值）、氮气环境下通过Langmuir-Blodgett技术在上部有热蒸发Au电极的玻璃板基底形成薄膜，利用光刻技术获得Au电极，所述利用光刻技术获得Au电极间距为15μm。获得的膜在氮气中100°C干燥10分钟，最后把薄膜保存在真空干燥机。
实施例1：
步骤1，将茚并二噻吩-共-苯并噻二唑共聚物和碳纳米管分别分散和溶解在氯仿溶剂中得到茚并二噻吩-共-苯并噻二唑共聚物/氯仿溶液和碳纳米管/氯仿溶液。
步骤2，将上述两种溶液按照共聚物和碳纳米管为1：0.3 的比例混合，混合后在Bandeline Sonopuls HD 2070超声仪中以频率f ≈ 20 kHz进行超声处理10分钟。获得的溶液通过Langmuir-Blodgett技术在温度为27°C、氮气环境下沉积在上面有热蒸发Au电极的玻璃板基底上。利用光刻技术获得Au电极间距为15μm。
步骤3，这层膜在氮气中100°C干燥10分钟得到半导体型共轭聚合物/碳纳米管复合材料光电转换薄膜，最后把薄膜保存在真空干燥机（MB SANPLATEC Corp.）。
Claims (4)
1.一种半导体型共轭聚合物/碳纳米管复合材料光电转换薄膜的制备方法，其特征在于：所述方法为将半导体型单壁碳纳米管和半导体型共轭聚合物溶解分散在氯仿中，比例为1：0.1-0.3，在超声处理后，获得的溶液在温度为27°C、氮气环境下制膜，经光刻获得Au电极，获得的膜干燥后置于真空干燥机中保存。
2.根据权利要求1所述的一种半导体型共轭聚合物/碳纳米管复合材料光电转换薄膜的制备方法，其特征在于：所述利用光刻技术获得Au电极间距为15μm。
3.根据权利要求1所述的一种半导体型共轭聚合物/碳纳米管复合材料光电转换薄膜的制备方法，其特征在于：所述干燥是将获得的膜在氮气中100°C干燥10分钟。
4.根据权利要求1所述的一种半导体型共轭聚合物/碳纳米管复合材料光电转换薄膜的制备方法，其特征在于：所述制膜是采用Langmuir-Blodgett技术在上部有热蒸发Au电极的玻璃板基底形成薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010278118.6A CN111584713A (zh) | 2020-04-10 | 2020-04-10 | 一种半导体型共轭聚合物/碳纳米管复合材料光电转换薄膜的制备方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010278118.6A CN111584713A (zh) | 2020-04-10 | 2020-04-10 | 一种半导体型共轭聚合物/碳纳米管复合材料光电转换薄膜的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111584713A true CN111584713A (zh) | 2020-08-25 |
Family
ID=72117228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010278118.6A Pending CN111584713A (zh) | 2020-04-10 | 2020-04-10 | 一种半导体型共轭聚合物/碳纳米管复合材料光电转换薄膜的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111584713A (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1558932A (zh) * | 2001-09-27 | 2004-12-29 | ������������ʽ���� | 有机半导体材料及使用该材料的有机半导体元件 |
| JP2009001831A (ja) * | 2002-02-04 | 2009-01-08 | Toray Ind Inc | 重合体コンポジット |
| WO2014086778A1 (en) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | The University Of Surrey | Carbon nanotube material, devices and methods |
-
2020
- 2020-04-10 CN CN202010278118.6A patent/CN111584713A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1558932A (zh) * | 2001-09-27 | 2004-12-29 | ������������ʽ���� | 有机半导体材料及使用该材料的有机半导体元件 |
| JP2009001831A (ja) * | 2002-02-04 | 2009-01-08 | Toray Ind Inc | 重合体コンポジット |
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