CN111584529A - 传感器封装结构及封装方法 - Google Patents
传感器封装结构及封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111584529A CN111584529A CN202010422105.1A CN202010422105A CN111584529A CN 111584529 A CN111584529 A CN 111584529A CN 202010422105 A CN202010422105 A CN 202010422105A CN 111584529 A CN111584529 A CN 111584529A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cover plate
- packaging
- substrate
- sensor
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 84
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims abstract description 65
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 claims description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 5
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 18
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 13
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 14
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 5
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 5
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种传感器封装结构及封装方法，属于半导体技术领域。传感器封装结构，包括：基板，感应芯片设置于基板的板面上，且感应芯片的工作区朝向远离基板的一侧，感应芯片的线路与基板的线路通过绑定线连接，封装盖板的板面上形成有第一容置槽，第一容置槽内填充有绝缘胶体，封装盖板盖设于基板设置感应芯片的一侧，绑定线容置于第一容置槽内以与绝缘胶体相嵌合，绝缘胶体用于粘结封装盖板于基板上，封装盖板靠近感应芯片的一侧形成有第二容置槽，感应芯片容置于第二容置槽内。本发明的目的在于提供一种传感器封装结构及封装方法，能够更好的设置和保护感应芯片与基板之间连接的绑定线，提高封装结构的良率，并降低封装成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种传感器封装结构及封装方法。
背景技术
随着半导体行业的迭代，传感器的感应芯片种类和结构不断更新，发展出例如，电荷耦合元件(CCD：charge couple device)、CMOS芯片、触点式感光芯片(CIS：contactimage sensor)等感应芯片。一般在实际应用中，感应芯片需要进行封装以组成传感器器件进行使用。
目前的传感器封装结构包括基板、感应芯片、透光玻璃以及塑封体，其中，感应芯片贴装在基板上并通过绑定线绑定，透光玻璃通过胶体粘结在感应芯片的工作区上(例如感光芯片的感光区)，感应芯片、透光玻璃以及绑定线通过塑封体封装。
但是，目前的传感器封装结构，在制作塑封体以进行封装时，由于注塑压力以及合模压力较大，很容易存在溢胶、绑定线的线弧冲弯、胶体堵模等缺陷，导致传感器封装结构的良率较低。并且，塑封体制作使需要使用注塑机台以及对应不同结构的模具，因此目前的封装成本较高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种传感器封装结构及封装方法，能够更好的设置和保护感应芯片与基板之间连接的绑定线，提高封装结构的良率，并降低封装成本。
本发明的实施例是这样实现的：
本发明实施例的一方面，提供一种传感器封装结构，包括：基板，感应芯片设置于基板的板面上，且感应芯片的工作区朝向远离基板的一侧，感应芯片的线路与基板的线路通过绑定线连接，封装盖板的板面上形成有第一容置槽，第一容置槽内填充有绝缘胶体，封装盖板盖设于基板设置感应芯片的一侧，绑定线容置于第一容置槽内以与绝缘胶体相嵌合，绝缘胶体用于粘结封装盖板于基板上，封装盖板靠近感应芯片的一侧形成有第二容置槽，感应芯片容置于第二容置槽内。
可选地，封装盖板包括对应感应芯片的工作区的功能区域和环绕功能区域的周边区域，第一容置槽位于周边区域。
可选地，封装盖板盖合于基板上第一容置槽呈封闭结构。
可选地，感应芯片为感光芯片，封装盖板的功能区域为透光材料。
可选地，封装盖板的材料采用透光玻璃。
可选地，封装盖板的透光率大于90％。
可选地，绝缘胶体为吸光性材料。
可选地，绝缘胶体为热塑性材料。
本发明实施例的另一方面，提供一种传感器封装方法，包括：
在基板上贴装感应芯片，并进行打线形成导通感应芯片和基板的线路的绑定线；
盖合形成有第一容置槽的封装盖板于基板上，以覆盖感应芯片并使绑定线容置于第一容置槽内，其中，第一容置槽形成于封装盖板的板面上，第一容置槽内填充有绝缘胶体，且绑定线嵌于绝缘胶体内；
固化绝缘胶体，以粘结封装盖板于基板上。
可选地，盖合形成有第一容置槽的封装盖板于基板上，以覆盖感应芯片并使绑定线容置于第一容置槽内之前，该方法还包括：
在封装盖板的板面上形成对应于绑定线的第一容置槽，并向第一容置槽内填充绝缘胶体。
可选地，封装盖板包括对应感应芯片的工作区的功能区域和环绕功能区域的周边区域，第一容置槽位于周边区域；在封装盖板的板面上形成对应于绑定线的第一容置槽，并向第一容置槽内填充绝缘胶体，包括：
在封装盖板的一侧板面上覆盖保护膜，其中，保护膜位于封装盖板的功能区域；
对封装盖板的周边区域进行激光开槽，以形成对应于绑定线的第一容置槽；
向第一容置槽内填充绝缘胶体。
本发明实施例的有益效果包括：
本发明实施例提供的一种传感器封装结构，包括基板、感应芯片以及封装盖板。其中，感应芯片设置于基板的板面上，并且感应芯片的工作区朝向远离基板的一侧，感应芯片与基板之间通过绑定线绑定，以使感应芯片的线路与基板的线路能够导通。封装盖板的板面上形成有第一容置槽，第一容置槽内填充有绝缘胶体，封装盖板盖设于基板设置感应芯片的一侧，绑定线容置于第一容置槽内以与绝缘胶体相嵌合，并且，封装盖板靠近感应芯片的一侧形成有第二容置槽，感应芯片容置于第二容置槽内。通过封装盖板盖设在基板上，并利用第二容置槽将感应芯片容置在其内，能够对感应芯片进行封装保护。并且，通过封装盖板形成的第一容置槽将绑定线容置于其内，并在第一容置槽内填充绝缘胶体，能够利用绝缘胶体对绑定线进行固定和保护，以避免绑定线受外力影响而出现缺陷。并且，利用第一容置槽内的绝缘胶体能够将封装盖板粘结在基板上，以对封装盖板进行固定。该传感器封装结构，不再使用塑封体进行塑封，从而能够减少封装过程中出现溢胶、绑定线线弧冲弯、胶体堵模等缺陷的产生，提高传感器封装结构的良率，并降低封装成本。并且，由于该封装结构相对简洁，因此能够简化传感器的封装工艺，提高生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例提供的传感器封装结构的结构示意图之一；
图2为本发明实施例提供的传感器封装结构的封装盖板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的传感器封装结构的结构示意图之二；
图4为本发明实施例提供的传感器封装方法的流程示意图之一；
图5为本发明实施例提供的传感器封装方法的流程示意图之二。
图标：110-基板；120-感应芯片；121-工作区；130-绑定线；140-封装盖板；141-第一容置槽；142-第二容置槽；143-功能区域；144-周边区域。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
随着半导体行业的不断发展，传感器领域所应用的感应芯片不断更新。
目前的传感器封装结构通常由塑封体进行封装，以利用塑封体对感应芯片及其与基板之间的绑定线进行保护。但是，目前的传感器封装结构，在制作塑封体以进行封装时，由于注塑压力以及合模压力较大，很容易存在溢胶、绑定线的线弧冲弯、胶体堵模等缺陷，导致传感器封装结构的良率较低。并且，塑封体制作使需要使用注塑机台以及对应不同结构的模具，因此目前的封装成本较高。
基于此，本发明实施例提供一种传感器封装结构，如图1所示，包括：基板110，感应芯片120设置于基板110的板面上，且感应芯片120的工作区121朝向远离基板110的一侧，感应芯片120的线路与基板110的线路通过绑定线130连接，封装盖板140的板面上形成有第一容置槽141，第一容置槽141内填充有绝缘胶体，封装盖板140盖设于基板110设置感应芯片120的一侧，绑定线130容置于第一容置槽141内以与绝缘胶体相嵌合，绝缘胶体用于粘结封装盖板140于基板110上，结合图2所示，封装盖板140靠近感应芯片120的一侧形成有第二容置槽142，感应芯片120容置于第二容置槽142内。
其中，感应芯片120上通常设置有工作区121和至少一个绑定区，在绑定区内有感应芯片120的线路上用于与基板110线路对应连接的连接点(pad点)，相应地，基板110上设置有对应的绑定区和pad点。通常，绑定线130通过打线的形式形成，以连接基板110和感应芯片120对应的pad点，从而导通感应芯片120和基板110的线路。
在实际应用中，感应芯片120和基板110相对应的pad点具有多组，相应地，绑定线130具有多条，所以，容置绑定线130的第一容置槽141可以对应各绑定线130设置多个。当然，对于位于同一绑定区的多条绑定线130，还可以通过设置一个较大的第一容置槽141以将同一绑定区的多条绑定线130同时容置。因此，在本发明实施例中，对于第一容置槽141设置的数量，以及第一容置槽141与绑定线130的对应关系不做具体限制，只要能够使所有绑定线130均能够容置于第一容置槽141内即可。例如，分别对应每条绑定线130，在封装盖板140上设置相应的第一容置槽141，或对应不同的绑定区，在封装盖板140上设置第一容置槽141以将不同绑定区的绑定线130容置于同一第一容置槽141内，从而节省第一容置槽141的数量，提高设置第一容置槽141的效率。
需要说明的是，在该传感器封装结构中，通过封装盖板140对感应芯片120进行保护，并通过第一容置槽141内的绝缘胶体将封装盖板140与基板110粘结固定，能够避免在感应芯片120的工作区121上点胶以粘结透明玻璃，从而能够避免感应芯片120的工作区121上点胶设置的胶体溢胶至感应芯片120的pad点上，而导致无法打线设置绑定线130。因此，该传感器封装结构能够具有更高的良率。
本发明实施例提供的一种传感器封装结构，包括基板110、感应芯片120以及封装盖板140。其中，感应芯片120设置于基板110的板面上，并且感应芯片120的工作区121朝向远离基板110的一侧，感应芯片120与基板110之间通过绑定线130绑定，以使感应芯片120的线路与基板110的线路能够导通。封装盖板140的板面上形成有第一容置槽141，第一容置槽141内填充有绝缘胶体，封装盖板140盖设于基板110设置感应芯片120的一侧，绑定线130容置于第一容置槽141内以与绝缘胶体相嵌合，并且，封装盖板140靠近感应芯片120的一侧形成有第二容置槽142，感应芯片120容置于第二容置槽142内。通过封装盖板140盖设在基板110上，并利用第二容置槽142将感应芯片120容置在其内，能够对感应芯片120进行封装保护。并且，通过封装盖板140形成的第一容置槽141将绑定线130容置于其内，并在第一容置槽141内填充绝缘胶体，能够利用绝缘胶体对绑定线130进行固定和保护，以避免绑定线130受外力影响而出现缺陷。并且，利用第一容置槽141内的绝缘胶体能够将封装盖板140粘结在基板110上，以对封装盖板140进行固定。该传感器封装结构，不再使用塑封体进行塑封，从而能够减少封装过程中出现溢胶、绑定线130线弧冲弯、胶体堵模等缺陷的产生，提高传感器封装结构的良率，并降低封装成本。并且，由于该封装结构相对简洁，因此能够简化传感器的封装工艺，提高生产效率。
可选地，结合图3所示，封装盖板140包括对应感应芯片120的工作区121的功能区域143和环绕功能区域143的周边区域144，第一容置槽141位于周边区域144。
通过将第一容置槽141设置于周边区域144，能够避免将封装盖板140盖合至基板110第一容置槽141内填充的绝缘胶体有部分与感应芯片120的工作区121接触，影响感应芯片120的工作区121的正常工作。
在本发明实施例中，为了能够使封装盖板140和基板110之间的连接强度更高，还可以在不影响感应芯片120的工作区121的其他区域设置绝缘胶体以对封装盖板140和基板110进行粘结。示例地，可以在封装盖板140上第一容置槽141以外的周边区域144上涂覆绝缘胶体以粘结固定封装盖板140和基板110。
可选地，封装盖板140盖合于基板110上第一容置槽141呈封闭结构。
需要说明的是，封装盖板140盖合于基板110上第一容置槽141呈封闭结构，即第一容置槽141仅靠近基板110的一侧具有开口，以用于绑定线130进入以及绝缘胶体的填充。从而当封装盖板140盖合于基板110上时，第一容置槽141呈封闭结构，能够避免其内部填充的胶体从远离基板110的一侧外溢。
当然，在实际应用中，第一容置槽141远离基板110的一侧也可以设置为开口，以便于封装盖板140盖合于基板110之后，再从第一容置槽141远离基板110一侧的开口进行绝缘胶体的填充，此处不做具体限制。
可选地，感应芯片120为感光芯片，封装盖板140的功能区域143为透光材料。
其中，感光芯片可以是电荷耦合元件(CCD：charge couple device)、CMOS芯片、触点式感光芯片(CIS：contact image sensor)等，此处不做限制，只要是能够利用其工作区121接收光信号并转化为电信号的感应芯片120即可。
当感应芯片120设置为感光芯片时，封装盖板140的功能区域143相应的设置为透光材料，以使光信号能够透过封装盖板140被感应芯片120的工作区121所接收。
需要说明的是，当感应芯片120设置为感光芯片时，由于该传感器封装结构，不需要在感光芯片的工作区121(感光面)点胶以粘结透光玻璃，因此，能够避免胶体对感光芯片的感光面造成遮挡，从而相比于基于感光芯片的现有传感器封装结构，能够提高透光性，提升感光芯片的感应效果。
在实际应用中，为了能够降低封装盖板140的功能区域143设置为透光材料的成本和生产难度，封装盖板140可以整体采用透光材料制成。示例地，封装盖板140的材料采用透光玻璃，从而在具有较好的透光性的基础上，使封装盖板140具有相对较高的强度和耐热性，以对感应芯片120进行良好保护。
示例地，为了满足灵敏度的感光芯片，封装盖板140的透光率可以设置为大于90％。当然，本领域技术人员，还可以根据感光芯片的工作区121的光信号接收强度要求，对封装盖板140的透光率进行具体设置，此处不做限制。
可选地，绝缘胶体为吸光性材料。
通过将绝缘胶体设置为吸光性材料，能够使绝缘胶体利用吸光性避免光线在绝缘胶体内发生散射、折射或反射，从而避免绝缘胶体对感光芯片的工作区121(感光面)的光信号接收造成不良影响。
可选地，绝缘胶体为热塑性材料。
将该传感器封装结构中的绝缘胶体，设置为热塑性材料，在实际应用中，可以通过对该传感器封装结构进行加热以使绝缘胶体流动变形，从而解除封装盖板140于基板110之间的粘结，实现该传感器封装结构的可拆卸性。进而便于感应芯片120或基板110的更换和维护。
本发明实施例的另一方面，提供一种传感器封装方法，如图4所示，包括：
S201：在基板上贴装感应芯片，并进行打线形成导通感应芯片和基板的线路的绑定线。
S202：盖合形成有第一容置槽的封装盖板于基板上，以覆盖感应芯片并使绑定线容置于第一容置槽内。其中，第一容置槽形成于封装盖板的板面上，第一容置槽内填充有绝缘胶体，且绑定线嵌于绝缘胶体内。
S203：固化绝缘胶体，以粘结封装盖板于基板上。
其中，在实际应用中，还可以在完成绝缘胶体的固化之后，通过在基板远离感应芯片的一侧进行植球(锡球等)或设置的引脚，以便于传感器封装结构与其他电路板或器件进行连接。
需要说明的是，根据第一容置槽的结构，绝缘胶体的填充可以在封装盖板盖合于基板前进行也可以在此之后进行。例如，当封装盖板盖合于基板时第一容置槽呈封闭结构，则绝缘胶体在封装盖板盖合与基板之前进行填充，而当第一容置槽远离基板的一侧为开口时，则绝缘胶体可以在封装盖板盖合之后通过此开口进行填充。
在实际应用中，形成有第一容置槽的封装盖板可以直接由封装盖板厂定制，也可以自行制作。并且，当绝缘胶体在封装盖板盖合与基板之前填充于第一容置槽内时，还可以直接向封装盖板厂定制第一容置槽内填充有绝缘胶体的封装盖板，此处不做限制。
需要说明的是，基板可以设置为由多个基板单元构成的基板阵列整体结构，相应各基板单元分别设置有感应芯片，封装盖板的第一容置槽可以对应于各基板单元和感应芯片的绑定线设置。基于此，在S203之后，还可以进行封装结构切割，从而形成包括一个感应芯片的单颗传感器封装结构。
在该方法中，感应芯片在基板上的贴装，以及绑定线的打线本领域技术人员可以按照常规工艺进行，此处不做赘述。
本发明实施例提供的传感器封装方法，可以首先在基板上贴装感应芯片，并进行打线绑定，然后盖合形成有第一容置槽的封装盖板于基板上，以覆盖感应芯片并使绑定线容置于第一容置槽内，其中，第一容置槽形成于封装盖板的板面上，第一容置槽内填充有绝缘胶体，且绑定线嵌于绝缘胶体内。之后固化绝缘胶体，以粘结封装盖板于基板上，从而形成传感器封装结构。通过封装盖板盖设在基板上，并对感应芯片进行覆盖，能够对感应芯片进行封装保护。并且，通过封装盖板形成的第一容置槽将绑定线容置于其内，并在第一容置槽内填充绝缘胶体，能够利用绝缘胶体对绑定线进行固定和保护，以避免绑定线受外力影响而出现缺陷。并且，利用第一容置槽内的绝缘胶体能够将封装盖板粘结在基板上，以对封装盖板进行固定。该传感器封装结构，不再使用塑封体进行塑封，从而能够减少封装过程中出现溢胶、绑定线线弧冲弯、胶体堵模等缺陷的产生，提高传感器封装结构的良率，并降低封装成本。并且，该封装方法相对简洁，能够提高生产效率。
当封装盖板自行制作时，可选地，盖合形成有第一容置槽的封装盖板于基板上，以覆盖感应芯片并使绑定线容置于第一容置槽内之前，该方法还包括：
在封装盖板的板面上形成对应于绑定线的第一容置槽，并向第一容置槽内填充绝缘胶体。
需要说明的是，当绝缘胶体为热塑性材料时，填充绝缘胶体之后，可以先对绝缘胶体进行固化以便于封装盖板的转移和存放，可以在盖合封装盖板时，再次软化绝缘胶体以使绑定线能够嵌入绝缘胶体内。
可选地，封装盖板包括对应感应芯片的工作区的功能区域和环绕功能区域的周边区域，第一容置槽位于周边区域；在封装盖板的板面上形成对应于绑定线的第一容置槽，并向第一容置槽内填充绝缘胶体，如图5所示，包括：
S301：在封装盖板的一侧板面上覆盖保护膜，其中，保护膜位于封装盖板的功能区域。
S302：对封装盖板的周边区域进行激光开槽，以形成对应于绑定线的第一容置槽。
S303：向第一容置槽内填充绝缘胶体。
其中，封装盖板上覆盖的保护膜，可以在激光开槽之后去除，例如去除保护膜之后再进行绝缘胶体填充，或绝缘胶体填充之后去除保护膜。当然，保护膜还可以在固化绝缘胶体，形成传感器封装结构之后再去除保护膜，因此，此处对于激光开槽后具体去除保护膜的时机不做限制。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的传感器封装方法中涉及的基板、感应芯片、绑定线、封装盖板等的具体实施方式和效果，可以参考前述传感器封装结构实施例中的对应描述和解释，本发明中不再赘述。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (11)
1.一种传感器封装结构，其特征在于，包括：基板，感应芯片设置于所述基板的板面上，且所述感应芯片的工作区朝向远离所述基板的一侧，所述感应芯片的线路与所述基板的线路通过绑定线连接，封装盖板盖设于所述基板设置所述感应芯片的一侧，所述封装盖板的板面上形成有第一容置槽，所述第一容置槽内填充有绝缘胶体，所述绑定线容置于所述第一容置槽内以与所述绝缘胶体相嵌合，所述绝缘胶体用于粘结所述封装盖板于所述基板上，所述封装盖板靠近所述感应芯片的一侧形成有第二容置槽，所述感应芯片容置于所述第二容置槽内。
2.如权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述封装盖板包括对应所述感应芯片的工作区的功能区域和环绕所述功能区域的周边区域，所述第一容置槽位于所述周边区域。
3.如权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述封装盖板盖合于所述基板上，所述第一容置槽呈封闭结构。
4.如权利要求2所述的传感器封装结构，其特征在于，所述感应芯片为感光芯片，所述封装盖板的功能区域为透光材料。
5.如权利要求4所述的传感器封装结构，其特征在于，所述封装盖板的材料采用透光玻璃。
6.如权利要求5所述的传感器封装结构，其特征在于，所述封装盖板的透光率大于90％。
7.如权利要求4至6任一项所述的传感器封装结构，其特征在于，所述绝缘胶体为吸光性材料。
8.如权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述绝缘胶体为热塑性材料。
9.一种传感器封装方法，其特征在于，包括：
在基板上贴装感应芯片，并进行打线形成导通所述感应芯片和所述基板的线路的绑定线；
盖合形成有第一容置槽的封装盖板于所述基板上，以覆盖所述感应芯片并使所述绑定线容置于所述第一容置槽内，其中，所述第一容置槽形成于所述封装盖板的板面上，所述第一容置槽内填充有绝缘胶体，且所述绑定线嵌于所述绝缘胶体内；
固化所述绝缘胶体，以粘结所述封装盖板于所述基板上。
10.如权利要求9所述的传感器封装方法，其特征在于，所述盖合形成有第一容置槽的封装盖板于所述基板上，以覆盖所述感应芯片并使所述绑定线容置于所述第一容置槽内之前，所述方法还包括：
在所述封装盖板的板面上形成对应于所述绑定线的第一容置槽，并向所述第一容置槽内填充所述绝缘胶体。
11.如权利要求10所述的传感器封装方法，其特征在于，所述封装盖板包括对应所述感应芯片的工作区的功能区域和环绕所述功能区域的周边区域，所述第一容置槽位于所述周边区域；所述在所述封装盖板的板面上形成对应于所述绑定线的第一容置槽，并向所述第一容置槽内填充所述绝缘胶体，包括：
在所述封装盖板的一侧板面上覆盖保护膜，其中，所述保护膜位于所述封装盖板的功能区域；
对所述封装盖板的周边区域进行激光开槽，以形成对应于所述绑定线的所述第一容置槽；
向所述第一容置槽内填充所述绝缘胶体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010422105.1A CN111584529A (zh) | 2020-05-18 | 2020-05-18 | 传感器封装结构及封装方法 |
| CN202010854085.5A CN111739901B (zh) | 2020-05-18 | 2020-08-24 | 传感器封装结构及封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010422105.1A CN111584529A (zh) | 2020-05-18 | 2020-05-18 | 传感器封装结构及封装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111584529A true CN111584529A (zh) | 2020-08-25 |
Family
ID=72117591
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010422105.1A Pending CN111584529A (zh) | 2020-05-18 | 2020-05-18 | 传感器封装结构及封装方法 |
| CN202010854085.5A Active CN111739901B (zh) | 2020-05-18 | 2020-08-24 | 传感器封装结构及封装方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010854085.5A Active CN111739901B (zh) | 2020-05-18 | 2020-08-24 | 传感器封装结构及封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN111584529A (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112382615B (zh) * | 2020-11-05 | 2023-03-10 | 海光信息技术股份有限公司 | 功率器件封装结构、封装方法及封装系统 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6667543B1 (en) * | 2002-10-29 | 2003-12-23 | Motorola, Inc. | Optical sensor package |
| CN101192545A (zh) * | 2006-11-21 | 2008-06-04 | 矽品精密工业股份有限公司 | 感测式封装件及其制法 |
| CN100555646C (zh) * | 2006-12-06 | 2009-10-28 | 台湾沛晶股份有限公司 | 薄型影像芯片封装结构 |
| CN103928481B (zh) * | 2014-03-26 | 2018-04-13 | 清华大学 | 一种图像传感器封装结构及封装方法 |
| CN112930598B (zh) * | 2018-08-27 | 2022-06-17 | 荣耀终端有限公司 | 一种感光芯片封装结构、摄像头模组及移动终端 |
-
2020
- 2020-05-18 CN CN202010422105.1A patent/CN111584529A/zh active Pending
- 2020-08-24 CN CN202010854085.5A patent/CN111739901B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111739901B (zh) | 2020-12-04 |
| CN111739901A (zh) | 2020-10-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3630447B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP5635661B1 (ja) | イメージセンサの２段階封止方法 | |
| US6906403B2 (en) | Sealed electronic device packages with transparent coverings | |
| TWI239655B (en) | Photosensitive semiconductor package with support member and method for fabricating the same | |
| US20080105941A1 (en) | Sensor-type semiconductor package and fabrication | |
| KR101579623B1 (ko) | 이미지 센서용 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
| US7791181B2 (en) | Device structure with preformed ring and method therefor | |
| KR20090017961A (ko) | 화상센서 패키지 및 그 형성 방법 | |
| WO1992010856A1 (en) | Optoelectronic device component package and method of making the same | |
| US20090256222A1 (en) | Packaging method of image sensing device | |
| CN107911587B (zh) | 一种摄像模组封装工艺及结构 | |
| KR102248312B1 (ko) | 감광성 부품과 카메라 모듈 및 그 제조방법 | |
| CN110648981A (zh) | 一种影像传感芯片封装结构及其封装方法 | |
| JPH10144965A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
| US8003426B2 (en) | Method for manufacturing package structure of optical device | |
| CN107845653A (zh) | 影像传感芯片的封装结构及封装方法 | |
| CN100555643C (zh) | 影像感测芯片封装结构及应用该结构的数码相机模组 | |
| CN111524924B (zh) | 芯片封装方法及芯片封装结构 | |
| CN111739901B (zh) | 传感器封装结构及封装方法 | |
| US20090215216A1 (en) | Packaging method of image sensing device | |
| KR20170073796A (ko) | 반도체 패키지 및 패키지 제조 방법 | |
| US20040070076A1 (en) | Semiconductor chip package for image sensor and method of the same | |
| CN115810589A (zh) | 芯片封装结构及其制作方法 | |
| CN101188202A (zh) | 感测式封装件及其制造方法 | |
| CN105405777A (zh) | 一种大面积平行堆栈式封装结构和封装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200825 |