CN111558886A - 溴化物晶体的后处理方法 - Google Patents

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狄聚青
朱刘
刘运连
薛帅
崔博
方义林
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    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/06—Dust extraction equipment on grinding or polishing machines

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Abstract

本发明涉及一种溴化物晶体的后处理方法，该后处理方法包括抛光过程、清洗过程；所述抛光过程包括如下步骤：将溴化物晶体固定于抛光盘上，然后在溴化物晶体上均匀的涂覆抛光膏，然后开始进行抛光；所述清洗过程包括如下步骤：在抛光过程后，使用溴化物的饱和酒精溶液清洗溴化物晶体。本溴化物晶体的后处理方法，基于溴化物晶体的物理特性，解决了溴化物晶体后处理的难题，具有成本低廉、抛光效果好等特点。

Description

溴化物晶体的后处理方法
技术领域
本发明涉及晶体的加工领域，尤其涉及一种溴化物晶体的后处理方法。
背景技术
溴化物晶体，例如溴化钾晶体、溴化钠晶体，具有透光波段宽、高透过、低吸收等特点，是优良的光学材料。溴化物晶体的透过波段宽，透过波段范围在0.3～34μm。溴化物晶体的本征吸收系数非常小，在10.6μm 处的吸收系数约为2.0×10-7/cm，是本征吸收系最低的一类碱卤化物晶体，在CO2激光器窗口有广泛的应用。
溴化钾晶体溶于水、热导率低、热膨胀系数高、硬度低。而溴化钾晶体溶于水，导致溴化钾晶体难以用常规的抛光液完成抛光。溴化钾晶体的物理性质直接影响着溴化钾晶体的生长、加工、后处理。溴化钾晶体的热导率低，在晶体加工的过程中就容易形成较大的热应力；溴化钾晶体的热膨胀系数高，在对晶体加工的过程中就需要精密的处理来避免其发生边缘碎裂和晶体炸裂；溴化钾晶体的硬度低，当有较小的温度波动就会引起晶体形变，从而造成抛光困难，晶体元件上易残留抛光痕迹。
所以，有必要设计一种新的溴化物晶体的后处理方法以解决上述技术问题。
发明内容
本发明的目的在于基于溴化物的物理特性，提出一种新的溴化物晶体的后处理方法。
为实现前述目的，本发明采用如下技术方案：一种溴化物晶体的后处理方法，该后处理方法包括抛光过程、清洗过程；
所述抛光过程包括如下步骤：将溴化物晶体固定于抛光盘上，然后在溴化物晶体上均匀的涂覆抛光膏，然后开始进行抛光；
所述清洗过程包括如下步骤：在抛光过程后，使用溴化物的饱和酒精溶液清洗溴化物晶体。
本溴化物晶体的后处理方法，基于溴化物晶体的物理特性，解决了溴化物晶体后处理的难题，具有成本低廉、抛光效果好等特点。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例对技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提出一种溴化物晶体的后处理方法，该后处理方法包括抛光过程、清洗过程；
所述抛光过程包括如下步骤：将溴化物晶体固定于抛光盘上，然后在溴化物晶体上均匀的涂覆抛光膏，然后开始进行抛光；
所述清洗过程包括如下步骤：在抛光过程后，使用溴化物的饱和酒精溶液清洗溴化物晶体。
在本发明的某些实施例中，所述溴化物为溴化钾、溴化钠、溴化锂、溴化铯、溴化铷、溴化钫其中之一。因溴化物晶体溶于水，导致溴化物晶体难以用常规的抛光液完成抛光，而本发明采用使用溴化物的饱和酒精溶液清洗溴化物晶体，避免溴化物晶体溶于抛光液中，能保证溴化物晶体的完整性。
在本发明的某些实施例中，将溴化物晶体固定于抛光盘上具体为：将溴化物晶体用抛光布贴在抛光盘上。
在本发明的某些实施例中，所述抛光布为医用胶布。医用胶布作为抛光布可以避免对晶体的表面形成损伤。
在本发明的某些实施例中，所述抛光膏为油性金刚石抛光膏。油性金刚石抛光膏在抛光时可以避免对晶体的表面形成损伤。
在本发明的某些实施例中，所述油性金刚石抛光膏中的金刚石颗粒粒径范围为W0.5~W1。合适粒径范围的金刚石颗粒可以既高效的抛光，又不需要太高的成本。
在本发明的某些实施例中，所述后处理方法还包括干燥过程。
在本发明的某些实施例中，所述干燥过程为：用保护气体吹扫溴化物晶体。
在本发明的某些实施例中，所述保护气体为氮气或者惰性气体。采用氮气或者惰性气体可以吹扫残留在溴化物晶体上的液滴。
在本发明的某些实施例中，所述保护气体的纯度为5N或以上。
实施例1。
一种溴化物晶体的抛光方法，本实施例中，溴化物为溴化钾，该抛光方法包括如下步骤：将溴化钾晶体用医用胶布贴在抛光盘上，然后在溴化钾晶体上均匀的涂覆W0.5的油性金刚石抛光膏，之后开始抛光；抛光完成后，使用溴化钾的饱和酒精溶液清洗溴化钾晶体；清洗完毕后，用5N氮气吹扫溴化钾晶体，将液滴吹离。
本溴化物晶体的后处理方法，解决了溴化钾晶体后处理的难题，具有成本低廉、抛光效果好等特点。
实施例2。
一种溴化物晶体的抛光方法，本实施例中，溴化物为溴化钠，该抛光方法包括如下步骤：将溴化钠晶体用医用胶布贴在抛光盘上，然后在溴化钠晶体上均匀的涂覆W0.7的油性金刚石抛光膏，之后开始抛光；抛光完成后，使用溴化钠的饱和酒精溶液清洗溴化钠晶体；清洗完毕后，用5N氩气吹扫溴化钠晶体，将液滴吹离。
本溴化物晶体的后处理方法，解决了溴化钠晶体后处理的难题，具有成本低廉、抛光效果好等特点。
实施例3。
一种溴化物晶体的抛光方法，本实施例中，溴化物为溴化锂，该抛光方法包括如下步骤：将溴化锂晶体用医用胶布贴在抛光盘上，然后在溴化锂晶体上均匀的涂覆W0.8的油性金刚石抛光膏，之后开始抛光；抛光完成后，使用溴化锂的饱和酒精溶液清洗溴化锂晶体；清洗完毕后，用5N氦气吹扫溴化锂晶体，将液滴吹离。
本溴化物晶体的后处理方法，解决了溴化锂晶体后处理的难题，具有成本低廉、抛光效果好等特点。
实施例4。
一种溴化物晶体的抛光方法，本实施例中，溴化物为溴化铷，该抛光方法包括如下步骤：将溴化锂晶体用医用胶布贴在抛光盘上，然后在溴化铷晶体上均匀的涂覆W0.5的油性金刚石抛光膏，之后开始抛光；抛光完成后，使用溴化铷的饱和酒精溶液清洗溴化铷晶体；清洗完毕后，用5N氖气吹扫溴化铷晶体，将液滴吹离。
本溴化物晶体的后处理方法，解决了溴化铷晶体后处理的难题，具有成本低廉、抛光效果好等特点。
实施例5。
一种溴化物晶体的抛光方法，本实施例中，溴化物为溴化铯，该抛光方法包括如下步骤：将溴化锂晶体用医用胶布贴在抛光盘上，然后在溴化铯晶体上均匀的涂覆W0.7的油性金刚石抛光膏，之后开始抛光；抛光完成后，使用溴化铯的饱和酒精溶液清洗溴化铯晶体；清洗完毕后，用5N氖气吹扫溴化铯晶体，将液滴吹离。
本溴化物晶体的后处理方法，基于溴化物晶体的物理特性，解决了溴化铯晶体后处理的难题，具有成本低廉、抛光效果好等特点。
实施例6。
一种溴化物晶体的抛光方法，本实施例中，溴化物为溴化钫，该抛光方法包括如下步骤：将溴化钫晶体用医用胶布贴在抛光盘上，然后在溴化钫晶体上均匀的涂覆W0.8的油性金刚石抛光膏，之后开始抛光；抛光完成后，使用溴化钫的饱和酒精溶液清洗溴化钫晶体；清洗完毕后，用5N氖气吹扫溴化钫晶体，将液滴吹离。
本溴化物晶体的后处理方法，解决了溴化钫晶体后处理的难题，具有成本低廉、抛光效果好等特点。
综上所述，本溴化物晶体的后处理方法，基于溴化物晶体的物理特性，解决了溴化物晶体后处理的难题，具有成本低廉、抛光效果好等特点。
尽管为示例目的，已经公开了本发明的优选实施方式，但是本领域的普通技术人员将意识到，在不脱离由所附的权利要求书公开的本发明的范围和精神的情况下，各种改进、增加以及取代是可能的。

Claims (10)

1.一种溴化物晶体的后处理方法，其特征在于：该后处理方法包括抛光过程、清洗过程；
所述抛光过程包括如下步骤：将溴化物晶体固定于抛光盘上，然后在溴化物晶体上均匀的涂覆抛光膏，然后开始进行抛光；
所述清洗过程包括如下步骤：在抛光过程后，使用溴化物的饱和酒精溶液清洗溴化物晶体。
2.根据权利要求1所述的溴化物晶体的后处理方法，其特征在于：所述溴化物为溴化钾、溴化钠、溴化锂、溴化铯、溴化铷、溴化钫其中之一。
3.根据权利要求1所述的溴化物晶体的后处理方法，其特征在于：将溴化物晶体固定于抛光盘上具体为：将溴化物晶体用抛光布贴在抛光盘上。
4.根据权利要求3所述的溴化物晶体的后处理方法，其特征在于：所述抛光布为医用胶布。
5.根据权利要求1所述的溴化物晶体的后处理方法，其特征在于：所述抛光膏为油性金刚石抛光膏。
6.根据权利要求5所述的溴化物晶体的后处理方法，其特征在于：所述油性金刚石抛光膏中的金刚石颗粒粒径范围为W0.5~W1。
7.根据权利要求1所述的溴化物晶体的后处理方法，其特征在于：所述后处理方法还包括干燥过程。
8.根据权利要求7所述的溴化物晶体的后处理方法，其特征在于：所述干燥过程为：用保护气体吹扫溴化物晶体。
9.根据权利要求8所述的溴化物晶体的后处理方法，其特征在于：所述保护气体为氮气或者惰性气体。
10.根据权利要求8所述的溴化物晶体的后处理方法，其特征在于：所述保护气体的纯度为5N或以上。
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