CN111554759B - 锗探测器及其制造方法 - Google Patents

锗探测器及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111554759B
CN111554759B CN202010063210.0A CN202010063210A CN111554759B CN 111554759 B CN111554759 B CN 111554759B CN 202010063210 A CN202010063210 A CN 202010063210A CN 111554759 B CN111554759 B CN 111554759B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
detection layer
detection
germanium
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010063210.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111554759A (zh
Inventor
唐波
张鹏
李志华
李彬
刘若男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Microelectronics of CAS
Original Assignee
Institute of Microelectronics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Microelectronics of CAS filed Critical Institute of Microelectronics of CAS
Priority to CN202010063210.0A priority Critical patent/CN111554759B/zh
Publication of CN111554759A publication Critical patent/CN111554759A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111554759B publication Critical patent/CN111554759B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种锗探测器及其制造方法，所述锗探测器的制造方法包括：在半导体衬底的上表面形成第一介质层；对所述第一介质层进行刻蚀，直至暴露出所述半导体衬底的部分上表面，以形成第一凹槽；在所述第一凹槽的底部生长第一探测层，所述第一探测层的材料为锗硅；在所述第一探测层的上表面生长第二探测层，所述第二探测层的材料为锗；在所述第二探测层的上表面生长第三探测层，所述第三探测层的材料为锗；对所述第三探测层进行表面平坦化处理，使所述第三探测层的上表面和所述第一介质层的上表面位于同一平面内。本发明提供的锗探测器及其制造方法，采用锗硅作为缓冲层，可以达到减小锗探测器暗电流的目的。

Description

锗探测器及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种锗探测器及其制造方法。
背景技术
在信息产业、生物医学等科技领域越来越受关注的今天，新型光电子、光通信科技必将以更快的速度发展。硅基光电子集成采用成熟价廉的微电子加工工艺，将光学器件与多种功能的微电子电路集成，是实现光通信普及发展和光互连的有效途径。硅基光电探测器是硅基光通信系统的关键器件之一，随着近年来硅基锗材料外延技术的突破性进展，锗探测器因为兼顾了硅基光电子集成和对光通讯波段的高效探测，成为了当今研究的一大热点。
在常规的锗探测器中，锗层直接生长在衬底硅层上，但是，由于硅和锗具有4.2％的晶格失配度，使得锗在硅上生长时更容易产生缺陷，造成锗探测器的暗电流较大，影响锗探测器的性能。
发明内容
本发明所要解决的是采用现有工艺制造的锗探测器暗电流大的问题。
本发明通过下述技术方案实现：
一种锗探测器的制造方法，包括：
在半导体衬底的上表面形成第一介质层；
对所述第一介质层进行刻蚀，直至暴露出所述半导体衬底的部分上表面，以形成第一凹槽；
在所述第一凹槽的底部生长第一探测层，所述第一探测层的材料为锗硅，所述第一探测层的厚度小于所述第一介质层的厚度；
在所述第一探测层的上表面生长第二探测层，所述第二探测层的材料为锗，所述第一探测层的厚度与所述第二探测层的厚度之和小于所述第一介质层的厚度；
在所述第二探测层的上表面生长第三探测层，所述第三探测层的材料为锗，所述第三探测层的生长温度高于所述第二探测层的生长温度；
对所述第三探测层进行表面平坦化处理，使所述第三探测层的上表面和所述第一介质层的上表面位于同一平面内。
可选的，所述半导体衬底为SOI衬底，在所述在半导体衬底的上表面形成第一介质层之前，还包括：
形成所述SOI衬底，所述SOI衬底包括至下而上依次层叠设置的硅衬底、埋氧层以及顶硅层；
对所述顶硅层进行掺杂处理，以在所述顶硅层形成本征区域、位于所述本征区域一侧的N型轻掺杂区域、位于所述本征区域另一侧的P型轻掺杂区域、位于所述N型轻掺杂区域远离所述本征区域一侧的N型重掺杂区域以及位于所述P型轻掺杂区域远离所述本征区域一侧的P型重掺杂区域，所述第一凹槽位于所述本征区域的正上方。
可选的，在所述对所述第三探测层进行表面平坦化处理之后，还包括：
在所述第三探测层的上表面和所述第一介质层的上表面形成第二介质层；
形成贯穿所述第一介质层和所述第二介质层的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔的下底面与所述N型重掺杂区域抵接，所述第二通孔的下底面与所述P型重掺杂区域抵接；
向所述第一通孔和所述第二通孔填充导电材料，形成第一导电插塞和第二导电插塞；
在所述第一导电插塞和所述第二导电插塞的上表面沉积金属薄膜，形成第一接触电极和第二接触电极。
可选的，所述第二介质层的材料为二氧化硅，所述第二介质层的厚度为200纳米至1000纳米；
所述在所述第三探测层的上表面和所述第一介质层的上表面形成第二介质层包括：
采用化学气相沉积工艺在所述第三探测层的上表面和所述第一介质层的上表面形成所述第二介质层。
可选的，所述第一介质层的材料为二氧化硅，所述第一介质层的厚度为1微米至4微米；
所述在半导体衬底的上表面形成第一介质层包括：
采用等离子体增强化学气相沉积或低压化学气相沉积工艺在所述半导体衬底的上表面形成所述第一介质层。
可选的，所述对所述第一介质层进行刻蚀包括：
采用干法刻蚀工艺对所述第一介质层进行刻蚀，形成第二凹槽，所述第二凹槽的深度小于所述第一介质层的厚度；
采用湿法刻蚀工艺对所述第二凹槽的底部进行刻蚀，直至暴露出所述半导体衬底的所述部分上表面。
可选的，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀深度为5纳米至100纳米。
可选的，所述第一探测层的生长温度为300摄氏度至400摄氏度，所述第二探测层的生长温度为300摄氏度至400摄氏度，所述第三探测层的生长温度为600摄氏度至700摄氏度。
基于同样的发明构思，本发明还提供一种锗探测器，包括：
半导体衬底；
设置在所述半导体衬底上表面的第一介质层；
设置在所述第一介质层的第一凹槽，所述第一凹槽的深度与所述第一介质层的厚度匹配；
设置在所述第一凹槽底部的第一探测层，所述第一探测层的材料为锗硅，所述第一探测层的厚度小于所述第一介质层的厚度；
设置在所述第一探测层上表面的第二探测层，所述第二探测层的材料为锗，所述第一探测层的厚度与所述第二探测层的厚度之和小于所述第一介质层的厚度；
设置在所述第二探测层上表面的第三探测层，所述第三探测层的材料为锗，所述第三探测层的生长温度高于所述第二探测层的生长温度，所述第三探测层的上表面和所述第一介质层的上表面位于同一平面内。
可选的，所述第一探测层的厚度为10纳米至50纳米，所述第二探测层的厚度为10纳米至50纳米，所述第三探测层的厚度为300纳米至3000纳米，所述锗硅中锗的含量占30％至70％。
本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
本发明提供的锗探测器及其制造方法，在形成探测层时，首先采用锗硅作为缓冲层，再在所述锗硅探测层上形成低温锗探测层，最后在所述低温锗探测层上形成高温锗探测层。由于锗和硅异质外延存在4.2％的晶格失配，直接在硅表面外延锗势必会因晶格失配导致高位错缺陷，采用所述锗硅探测层可以进行缓冲，采用所述低温锗探测层将缺陷限制在所述低温锗探测层，从而获得低位错缺陷的高质量外延，达到降低锗探测器暗电流的目的。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中：
图1至图13是本发明实施例的锗探测器的制作过程的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。
实施例1
本实施例提供一种锗探测器的制造方法，所述锗探测器的制造方法包括下列步骤：
在半导体衬底的上表面形成第一介质层；
对所述第一介质层进行刻蚀，直至暴露出所述半导体衬底的部分上表面，以形成第一凹槽；
在所述第一凹槽的底部生长第一探测层，所述第一探测层的材料为锗硅，所述第一探测层的厚度小于所述第一介质层的厚度；
在所述第一探测层的上表面生长第二探测层，所述第二探测层的材料为锗，所述第一探测层的厚度与所述第二探测层的厚度之和小于所述第一介质层的厚度；
在所述第二探测层的上表面生长第三探测层，所述第三探测层的材料为锗，所述第三探测层的生长温度高于所述第二探测层的生长温度；
对所述第三探测层进行表面平坦化处理，使所述第三探测层的上表面和所述第一介质层的上表面位于同一平面内。
具体地，所述半导体衬底可以为硅衬底，也可以为SOI(绝缘体上硅，Silicon OnInsulator)衬底。当所述半导体衬底为SOI衬底时，所述锗探测器可以和波导器件集成在一起。在本实施例中，以所述半导体衬底为SOI衬底为例进行说明。如图1所示，所述SOI衬底包括至下而上依次层叠设置的硅衬底11、埋氧层12以及顶硅层13。形成所述SOI衬底可以有多种方法，在一种可选实现方式中，可以采用注氧隔离技术(SIMOX)形成所述SOI衬底，即：提供第一衬底；向所述第一衬底注入氧离子。通过向所述第一衬底中注入氧离子，形成所述埋氧层12，所述埋氧层12将所述第一衬底分隔成上下两部分，位于所述埋氧层12下方的部分为所述硅衬底11，位于所述埋氧层12上方的部分为所述顶硅层13。在具体的实施方式中，通过高能量、大剂量注氧在硅中形成所述埋氧层12，所述氧离子的剂量可以为3×1017～2×1018cm-2；能量可以在200kev左右。在另一种可选实现方式中，可以采用键合减薄技术(BE)形成所述SOI衬底，即：提供第二衬底，并在所述第二衬底上形成第一氧化层；提供第三衬底，并在所述第三衬底上形成第二氧化层；采用键合的方式连接所述第一氧化层和所述第二氧化层。所述第一氧化层和所述第二氧化层连接后作为所述埋氧层12，所述第二衬底作为所述硅衬底11，所述第三衬底作为所述顶硅层13。在本实施例中，所述埋氧层12的材料为二氧化硅，所述埋氧层12的厚度为2微米至3微米；所述顶硅层13的材料为硅，所述顶硅层13的厚度为200纳米至240纳米。
如图2所示，形成所述半导体衬底之后，可以对所述顶硅层13进行掺杂处理，以在所述顶硅层13形成本征区域I、位于所述本征区域I一侧的N型轻掺杂区域N+、位于所述本征区域另一侧的P型轻掺杂区域P+、位于所述N型轻掺杂区域远离所述本征区域一侧的N型重掺杂区域N++以及位于所述P型轻掺杂区域远离所述本征区域一侧的P型重掺杂区域P++。所述本征区域I为未进行掺杂的区域，所述本征区域I的宽度，即所述N型轻掺杂区域N+和所述P型轻掺杂区域P+之间的距离，可以为100纳米至400纳米；所述N型轻掺杂区域N+和所述N型重掺杂区域N++中的N型杂质可以为磷，所述N型轻掺杂区域N+的掺杂浓度可以为1E+19到5E+20cm-3，所述N型重掺杂区域N++的掺杂浓度可以为1E+20到1E+21cm-3；所述P型轻掺杂区域P+和所述P型重掺杂区域P++中的P型杂质可以为硼，所述P型轻掺杂区域P+的掺杂浓度可以为1E+19到5E+20cm-3，所述P型重掺杂区域P++的掺杂浓度可以为1E+20到1E+21cm-3。
如图3所示，可以采用等离子体增强化学气相沉积工艺(PECVD，Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition)或低压化学气相沉积工艺(LPCVD，low Pressure ChemicalVapor Deposition)在所述半导体衬底的上表面形成所述第一介质层14，即在所述顶硅层13的上表面形成所述第一介质层14。作为一具体实施例，为了保证探测器具有较高的灵敏度，且探测效率较高，所述第一介质层14的材料可以和所述埋氧层12的材料相同，这样使得光能够沿着预定的方向传播，进一步保证光的耦合效率。在本实施例中，所述第一介质层14的材料为二氧化硅，所述第一介质层14的厚度为1微米至4微米。
在形成所述第一凹槽时，可以直接采用干法刻蚀工艺对所述第一介质层14进行刻蚀，直至暴露出所述第一介质层14的部分上表面。在本实施例中，采用干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺结合的方式形成所述第一凹槽。如图4所示，采用干法刻蚀工艺对所述第一介质层14进行刻蚀，获得第二凹槽15，所述第二凹槽15的深度小于所述第一介质层14的厚度。所述干法刻蚀工艺可以为反应离子刻蚀工艺，也可以为等离子刻蚀工艺。具体地，在所述第一介质层14的上表面形成光刻胶层或者采用掩膜版，对不需要刻蚀的部分进行保护，对需要形成所述第二凹槽15的区域进行刻蚀，最后去除光刻胶或移开掩膜版，即形成所述第二凹槽15。所述第二凹槽15位于所述本征区域I的正上方，所述第二凹槽15的深度可根据实际需求进行设置。在本实施例中，在对所述第一介质层14进行刻蚀形成所述第二凹槽15时，保留5纳米至100纳米厚度的所述第一介质层14不进行刻蚀。
如图5所示，采用湿法刻蚀工艺对所述第二凹槽15的底部进行刻蚀，直至暴露出所述半导体衬底的部分上表面，即直至暴露出所述顶硅层13的部分上表面，从而形成所述第一凹槽16，所述第一凹槽16位于所述本征区域I的正上方。湿法刻蚀工艺采用的腐蚀溶液可以根据所述第一介质层14和所述顶硅层13的选择比来选择，具体地，选择的腐蚀溶液对所述第一介质层14的腐蚀速率大于对所述顶硅层13的腐蚀速率，从而实现在去除不需要的所述第一介质层14的同时，不会去除掉所述顶硅层13。在本实施例中，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀深度为5纳米至100纳米。
在本实施例中，采用干法刻蚀工艺加湿法刻蚀工艺的方法对所述第一介质层14进行刻蚀，形成外延生长探测层的窗口。由于湿法刻蚀工艺对所述半导体衬底的上表面损伤小，可以获得高质量的硅表面，在该硅表面上外延生长的探测层位错缺陷少，因而可以进一步减小锗探测器的暗电流。
如图6所示，在所述第一凹槽16的底部，即在暴露出的所述半导体衬底的部分上表面，外延生长所述第一探测层17，所述第一探测层17的材料为锗硅，所述第一探测层17的厚度小于所述第一介质层14的厚度。在本实施例中，所述第一探测层的生长温度为300摄氏度至400摄氏度，所述第一探测层的厚度为10纳米至50纳米，所述锗硅中锗的含量占30％至70％。
如图7所示，在所述第一探测层17的上表面外延生长第二探测层18，所述第二探测层18的材料为锗，所述第一探测层17的厚度与所述第二探测层18的厚度之和小于所述第一介质层14的厚度。在本实施例中，所述第二探测层18的生长温度为300摄氏度至400摄氏度，所述第二探测层18的厚度为10纳米至50纳米。
如图8所示，在所述第二探测层18的上表面外延生长第三探测层19，所述第三探测层19的材料为锗，所述第三探测层19的生长温度高于所述第二探测层18的生长温度，所述第一探测层17的厚度、所述第二探测层18的厚度以及所述第三探测层19的厚度之和不小于所述第一介质层14的厚度。在本实施例中，所述第三探测层19的生长温度为600摄氏度至700摄氏度，所述第三探测层19的厚度为300纳米至3000纳米。
如图9所示，可以采用化学机械抛光(CMP，Chemical Mechanical Polishing)工艺对所述第三探测层19进行表面平坦化处理，使所述第三探测层19的上表面和所述第一介质层14的上表面位于同一平面内。
进一步，为了形成完整的锗探测器，在对所述第三探测层19进行表面平坦化处理之后，还包括：
在所述第三探测层的上表面和所述第一介质层的上表面形成第二介质层；
形成贯穿所述第一介质层和所述第二介质层的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔的下底面与所述N型重掺杂区域抵接，所述第二通孔的下底面与所述P型重掺杂区域抵接；
向所述第一通孔和所述第二通孔填充导电材料，形成第一导电插塞和第二导电插塞；
在所述第一导电插塞和所述第二导电插塞的上表面沉积金属薄膜，形成第一接触电极和第二接触电极。
如图10所示，可以采用化学气相沉积工艺在所述第三探测层19的上表面和所述第一介质层14的部分上表面形成所述第二介质层20。在本实施例中，所述第二介质层20的材料为二氧化硅，所述第二介质层18的厚度为200nm至1000nm。
如图11所示，对所述第一介质层14和所述第二介质层20进行刻蚀，形成所述第一通孔211和所述第二通孔212。所述第一通孔211的下底面与所述N型重掺杂区域N++抵接，所述第二通孔212的下底面与所述P型重掺杂区域P++抵接。
如图12所示，向所述第一通孔211填充导电材料，形成所述第一导电插塞221；向所述第二通孔212填充导电材料，形成所述第二导电插塞222。在一种可选实现方式中，在向所述第一通孔211和所述第二通孔212填充导电材料前，还可以在所述第一通孔211和所述第二通孔212的内壁设置粘附材料和阻挡材料，在所述第一通孔211和所述第二通孔212的内壁形成粘附层和阻挡层，防止后续填充的导电材料向介质层中扩散。
需要说明的是，所述第一通孔211和所述第二通孔212的形状可以是制作方法可以制作得到的任何形状，比如圆形通孔或者方形通孔等，这些通孔的制作工艺较简单；所述第一导电插塞221和所述第二导电插塞222的材料可以是任何导电的材料，例如铝铜合金、钨和铜之类的低电阻率材料；所述粘附层的材料可以为钛等，所述阻挡层的材料可以为氮化钛等。
如图13所示，可以采用物理气相沉积工艺在所述第一导电插塞221的上表面沉积金属薄膜，形成所述第一接触电极231；在所述第二导电插塞222的上表面沉积金属薄膜，形成所述第二接触电极232。作为一具体实施例，所述第一接触电极231和所述第二接触电极232的材料可以为纯铝、铝铜合金、铝硅或者铝硅铜，所述第一接触电极231和所述第二接触电极232的厚度为200纳米至3微米。若所述第一接触电极231和所述第二接触电极232的材料为铝铜合金，则铜含量可以为0.5％；若所述第一接触电极231和所述第二接触电极232的材料为铝硅，则硅含量可以为1％；若所述所述第一接触电极231和所述第二接触电极232的材料为铝硅铜，则硅含量可以0.5％、铜含量可以为0.5％。
需要说明的是，本实施例的上述制作过程中，为包括所述锗探测器的制作过程，当所述锗探测器集成在光电子集成芯片中时，上述制作过程只是集成芯片的部分制作工艺，该部分制作工艺与其它器件的制作过程不冲突。
本实施例提供的锗探测器的制造方法，在形成探测层时，首先采用锗硅作为缓冲层，再在所述锗硅探测层上形成低温锗探测层，最后在所述低温锗探测层上形成高温锗探测层。由于锗和硅异质外延存在4.2％的晶格失配，直接在硅表面外延锗势必会因晶格失配导致高位错缺陷，采用所述锗硅探测层可以进行缓冲，采用所述低温锗探测层将缺陷限制在所述低温锗探测层，从而获得低位错缺陷的高质量外延，达到降低锗探测器暗电流的目的。
实施例2
本实施例提供一种锗探测器，参考图13，所述锗探测器包括：
半导体衬底；
设置在所述半导体衬底上表面的第一介质层14；
设置在所述第一介质层14的第一凹槽，所述第一凹槽的深度与所述第一介质层14的厚度匹配，即忽略工艺偏差，所述第一凹槽的深度与所述第一介质层14的厚度相等；
设置在所述第一凹槽底部的第一探测层17，所述第一探测层17的材料为锗硅，所述第一探测层17的厚度小于所述第一介质层14的厚度；
设置在所述第一探测层17上表面的第二探测层18，所述第二探测层18的材料为锗，所述第一探测层17的厚度与所述第二探测层18的厚度之和小于所述第一介质层14的厚度；
设置在所述第二探测层18上表面的第三探测层19，所述第三探测层19的材料为锗，所述第三探测层19的生长温度高于所述第二探测层18的生长温度，所述第三探测层19的上表面和所述第一介质层14的上表面位于同一平面内。
在一种可选实现方式中，所述半导体衬底为SOI衬底，所述SOI衬底包括至下而上依次层叠设置的硅衬底11、埋氧层12以及顶硅层13，所述顶硅层13包括本征区域I、位于所述本征区域I一侧的N型轻掺杂区域N+、位于所述本征区域另一侧的P型轻掺杂区域P+、位于所述N型轻掺杂区域远离所述本征区域一侧的N型重掺杂区域N++以及位于所述P型轻掺杂区域远离所述本征区域一侧的P型重掺杂区域P++。在本实施例中，所述埋氧层12的材料为二氧化硅，所述埋氧层12的厚度为2微米至3微米；所述顶硅层13的材料为硅，所述顶硅层13的厚度为200纳米至240纳米。
在一种可选实现方式中，所述第一介质层14的材料为二氧化硅，所述第一介质层14的厚度为1微米至4微米。
在一种可选实现方式中，所述第一探测层的生长温度为300摄氏度至400摄氏度，所述第一探测层的厚度为10纳米至50纳米，所述锗硅中锗的含量占30％至70％。
在一种可选实现方式中，所述第二探测层18的生长温度为300摄氏度至400摄氏度，所述第二探测层18的厚度为10纳米至50纳米。
在一种可选实现方式中，所述第三探测层19的生长温度为600摄氏度至700摄氏度，所述第三探测层19的厚度为300纳米至3000纳米。
在一种可选实现方式中，所述锗探测器还包括：
设置在所述第三探测层19的上表面和所述第一介质层14的上表面的第二介质层20；
贯穿所述第一介质层14和所述第二介质层20的第一通孔211和第二通孔212，所述第一通孔211的下底面与所述N型重掺杂区域N++抵接，所述第二通孔212的下底面与所述P型重掺杂区域P++抵接；
填充在所述第一通孔211中的第一导电插塞221和填充在所述第二通孔212中的第二导电插塞222；
设置在所述第一导电插塞221上表面的第一接触电极231和设置在所述第二导电插塞222上表面的第二接触电极232。
本实施例提供的锗探测器，探测层由所述第一探测层17、所述第二探测层18以及所述第三探测层19构成，由于采用锗硅作为所述第一探测层17可以进行缓冲，采用低温锗探测层将缺陷限制在所述低温锗探测层，从而获得低位错缺陷的高质量外延，达到降低锗探测器暗电流的目的。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种锗探测器的制造方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底的上表面形成第一介质层；
对所述第一介质层进行刻蚀，直至暴露出所述半导体衬底的部分上表面，以形成第一凹槽；
在所述第一凹槽的底部生长第一探测层，所述第一探测层的材料为锗硅，所述第一探测层的厚度小于所述第一介质层的厚度；
在所述第一探测层的上表面生长第二探测层，所述第二探测层的材料为锗，所述第一探测层的厚度与所述第二探测层的厚度之和小于所述第一介质层的厚度；
在所述第二探测层的上表面生长第三探测层，所述第三探测层的材料为锗，所述第三探测层的生长温度高于所述第二探测层的生长温度；
对所述第三探测层进行表面平坦化处理，使所述第三探测层的上表面和所述第一介质层的上表面位于同一平面内。
2.根据权利要求1所述的锗探测器的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底为SOI衬底，在所述在半导体衬底的上表面形成第一介质层之前，还包括：
形成所述SOI衬底，所述SOI衬底包括至下而上依次层叠设置的硅衬底、埋氧层以及顶硅层；
对所述顶硅层进行掺杂处理，以在所述顶硅层形成本征区域、位于所述本征区域一侧的N型轻掺杂区域、位于所述本征区域另一侧的P型轻掺杂区域、位于所述N型轻掺杂区域远离所述本征区域一侧的N型重掺杂区域以及位于所述P型轻掺杂区域远离所述本征区域一侧的P型重掺杂区域，所述第一凹槽位于所述本征区域的正上方。
3.根据权利要求2所述的锗探测器的制造方法，其特征在于，在所述对所述第三探测层进行表面平坦化处理之后，还包括：
在所述第三探测层的上表面和所述第一介质层的上表面形成第二介质层；
形成贯穿所述第一介质层和所述第二介质层的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔的下底面与所述N型重掺杂区域抵接，所述第二通孔的下底面与所述P型重掺杂区域抵接；
向所述第一通孔和所述第二通孔填充导电材料，形成第一导电插塞和第二导电插塞；
在所述第一导电插塞和所述第二导电插塞的上表面沉积金属薄膜，形成第一接触电极和第二接触电极。
4.根据权利要求3所述的锗探测器的制造方法，其特征在于，所述第二介质层的材料为二氧化硅，所述第二介质层的厚度为200纳米至1000纳米；
所述在所述第三探测层的上表面和所述第一介质层的上表面形成第二介质层包括：
采用化学气相沉积工艺在所述第三探测层的上表面和所述第一介质层的上表面形成所述第二介质层。
5.根据权利要求1所述的锗探测器的制造方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为二氧化硅，所述第一介质层的厚度为1微米至4微米；
所述在半导体衬底的上表面形成第一介质层包括：
采用等离子体增强化学气相沉积或低压化学气相沉积工艺在所述半导体衬底的上表面形成所述第一介质层。
6.根据权利要求1所述的锗探测器的制造方法，其特征在于，所述对所述第一介质层进行刻蚀包括：
采用干法刻蚀工艺对所述第一介质层进行刻蚀，形成第二凹槽，所述第二凹槽的深度小于所述第一介质层的厚度；
采用湿法刻蚀工艺对所述第二凹槽的底部进行刻蚀，直至暴露出所述半导体衬底的所述部分上表面。
7.根据权利要求6所述的锗探测器的制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀深度为5纳米至100纳米。
8.根据权利要求1所述的锗探测器的制造方法，其特征在于，所述第一探测层的生长温度为300摄氏度至400摄氏度，所述第二探测层的生长温度为300摄氏度至400摄氏度，所述第三探测层的生长温度为600摄氏度至700摄氏度。
9.一种锗探测器，其特征在于，包括：
半导体衬底；
设置在所述半导体衬底上表面的第一介质层；
设置在所述第一介质层的第一凹槽，所述第一凹槽的深度与所述第一介质层的厚度匹配；
设置在所述第一凹槽底部的第一探测层，所述第一探测层的材料为锗硅，所述第一探测层的厚度小于所述第一介质层的厚度；
设置在所述第一探测层上表面的第二探测层，所述第二探测层的材料为锗，所述第一探测层的厚度与所述第二探测层的厚度之和小于所述第一介质层的厚度；
设置在所述第二探测层上表面的第三探测层，所述第三探测层的材料为锗，所述第三探测层的生长温度高于所述第二探测层的生长温度，所述第三探测层的上表面和所述第一介质层的上表面位于同一平面内。
10.根据权利要求9所述的锗探测器，所述第一探测层的厚度为10纳米至50纳米，所述第二探测层的厚度为10纳米至50纳米，所述第三探测层的厚度为300纳米至3000纳米，所述锗硅中锗的含量占30％至70％。
CN202010063210.0A 2020-01-20 2020-01-20 锗探测器及其制造方法 Active CN111554759B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010063210.0A CN111554759B (zh) 2020-01-20 2020-01-20 锗探测器及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010063210.0A CN111554759B (zh) 2020-01-20 2020-01-20 锗探测器及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111554759A CN111554759A (zh) 2020-08-18
CN111554759B true CN111554759B (zh) 2023-03-21

Family

ID=72005454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010063210.0A Active CN111554759B (zh) 2020-01-20 2020-01-20 锗探测器及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111554759B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022110054A1 (zh) * 2020-11-27 2022-06-02 华为技术有限公司 光电探测器、其制备方法、芯片及光学装置
CN115939262B (zh) * 2023-03-03 2024-02-09 南京大学 一种平面肖特基二极管太赫兹探测器芯片的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103296035A (zh) * 2012-02-29 2013-09-11 中国科学院微电子研究所 X射线平板探测器及其制造方法
CN107069430A (zh) * 2017-04-18 2017-08-18 中国科学院半导体研究所 硅基电注入激光器及其制备方法
CN109037247A (zh) * 2018-08-11 2018-12-18 中山科立特光电科技有限公司 一种增强吸收的光热探测器及其制备方法
CN109545774A (zh) * 2018-11-21 2019-03-29 德淮半导体有限公司 半导体器件及其形成方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101750742B1 (ko) * 2011-10-14 2017-06-28 삼성전자주식회사 광검출기 구조체

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103296035A (zh) * 2012-02-29 2013-09-11 中国科学院微电子研究所 X射线平板探测器及其制造方法
CN107069430A (zh) * 2017-04-18 2017-08-18 中国科学院半导体研究所 硅基电注入激光器及其制备方法
CN109037247A (zh) * 2018-08-11 2018-12-18 中山科立特光电科技有限公司 一种增强吸收的光热探测器及其制备方法
CN109545774A (zh) * 2018-11-21 2019-03-29 德淮半导体有限公司 半导体器件及其形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111554759A (zh) 2020-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111509078B (zh) 硅基光电探测器及其制造方法
CN111129228B (zh) 光电探测器的制造方法
US20200158954A1 (en) Integrated photonics including waveguiding material
CN105990375B (zh) Goi衬底上的光电子和cmos集成
US11264425B2 (en) Process for fabricating an array of germanium-based diodes with low dark current
CN112038441A (zh) 一种波导耦合的硅基光电探测器及其制备方法
JP6091273B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
US20110174376A1 (en) Monocrystalline Thin Cell
CN111508834A (zh) 硅基光电探测器的制造方法
CN111554759B (zh) 锗探测器及其制造方法
US7871854B1 (en) Method of making a vertical photodetector
EP0450827B1 (en) Silicon photodiode for monolithic integrated circuits and method for making same
JPH10163515A (ja) フォトディテクタおよびその製造方法
EP4205184A1 (en) Diode with light-sensitive intrinsic region
CN111129226A (zh) 锗探测器的制造方法
CN112563349A (zh) 一种光电探测器及其制备方法
US9372307B1 (en) Monolithically integrated III-V optoelectronics with SI CMOS
CN107863399B (zh) 基于LRC工艺的n-Ge-i-Ge-p-Si结构波导型光电探测器及其制备方法
CN111048626B (zh) 硅基光电探测器的制造方法
CN111048627B (zh) 半导体器件的制造方法
CN111509080A (zh) 一种探测器及其制作方法
US9401583B1 (en) Laser structure on silicon using aspect ratio trapping growth
CN112186075A (zh) 一种波导型光电探测器及制造方法
CN111509079A (zh) 一种锗探测器及其制作方法
CN112289892B (zh) 一种光电探测器及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant