CN111546239A - 一种硅片边抛补液系统、补液方法及硅片边抛方法 - Google Patents

一种硅片边抛补液系统、补液方法及硅片边抛方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111546239A
CN111546239A CN202010521251.XA CN202010521251A CN111546239A CN 111546239 A CN111546239 A CN 111546239A CN 202010521251 A CN202010521251 A CN 202010521251A CN 111546239 A CN111546239 A CN 111546239A
Authority
CN
China
Prior art keywords
liquid
side polishing
liquid supply
polishing liquid
silicon wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010521251.XA
Other languages
English (en)
Inventor
孙晨光
张宏杰
武卫
刘建伟
由佰玲
刘园
常雪岩
谢艳
杨春雪
刘秒
裴坤羽
祝斌
刘姣龙
王彦君
吕莹
徐荣清
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianjin Zhonghuan Advanced Material Technology Co Ltd
Zhonghuan Advanced Semiconductor Materials Co Ltd
Original Assignee
Tianjin Zhonghuan Advanced Material Technology Co Ltd
Zhonghuan Advanced Semiconductor Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianjin Zhonghuan Advanced Material Technology Co Ltd, Zhonghuan Advanced Semiconductor Materials Co Ltd filed Critical Tianjin Zhonghuan Advanced Material Technology Co Ltd
Priority to CN202010521251.XA priority Critical patent/CN111546239A/zh
Publication of CN111546239A publication Critical patent/CN111546239A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B29/00Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents
    • B24B29/02Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents designed for particular workpieces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/065Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种硅片边抛补液系统,包括补充液盛装装置、边抛液PH检测装置、边抛液供给箱、供液动力装置和控制装置,其中,边抛液PH检测装置设于边抛液供给箱上,对边抛液供给箱中的边抛液的PH值进行检测;供液动力装置分别与边抛液供给箱和补充液盛装装置连接,为边抛液供给箱供给补充液;边抛液PH检测装置与供液动力装置均与控制装置电连接,控制装置根据边抛液PH检测装置检测的边抛液PH值信号控制供液动力装置动作。本发明的有益效果是结构简单,使用方便,方便安装和维修,具有供液动力装置、边抛液PH检测装置和流量检测装置,能够根据检测到的边抛液的PH值是否在设定的上限值和下限值内,控制供液动力装置动作,对边抛液的PH值进行调节。

Description

一种硅片边抛补液系统、补液方法及硅片边抛方法
技术领域
本发明属于硅片生产技术领域,尤其是涉及一种硅片边抛补液系统、补液方法及硅片边抛方法。
背景技术
在进行硅片的边抛时,采用边抛液进行边抛,但在边抛过程中,边抛液的PH值会降低,为了增加边抛的PH值,就需要对边抛液进行补液,现有技术中,只有当边抛液的总量降低至30L时才进行补液,增加了原料的消耗,同时边抛液的PH值范围难以控制。
发明内容
鉴于上述问题,本发明提供一种硅片边抛补液系统、补液方法及硅片边抛方法,以解决现有技术存在的以上或者其他前者问题。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种硅片边抛补液系统,包括补充液盛装装置、边抛液PH检测装置、边抛液供给箱、供液动力装置和控制装置,其中,
边抛液PH检测装置设于边抛液供给箱上,对边抛液供给箱中的边抛液的PH值进行检测;
供液动力装置分别与边抛液供给箱和补充液盛装装置连接,为边抛液供给箱供给补充液;
边抛液PH检测装置与供液动力装置均与控制装置电连接,控制装置根据边抛液PH检测装置检测的边抛液PH值信号控制供液动力装置动作。
进一步的,还包括流量检测装置,流量检测装置设于供液动力装置的出液端,检测进入边抛液供给箱的补充液的流量。
进一步的,边抛液PH检测装置为PH检测仪。
进一步的,供液动力装置为供液泵。
进一步的,控制装置为PLC控制器。
一种硅片边抛补液方法,采用上述的硅片边抛补液系统进行补液,在进行补液的过程中,设定供液动力装置流量、边抛液PH检测装置的PH值的上限值和下限值,使得补充液盛装装置对边抛液供给箱进行补液。
进一步的,供液动力装置的流量为10ml/s。
进一步的,PH值的上限值为10.30-10.50。
进一步的,PH值的下限值为10.00-10.20。
一种硅片边抛方法,在硅片边抛的过程中,采用上述的硅片边抛液补液方法进行边抛液补液,同时设定不同的工位的参数,参数包括:
V槽工位:抛光压力为4-11N,抛光时间为20-50s,抛光角度为0度、40-50度和-(40-50)度;
边缘工位:抛光头转速为220-300rmp,时间为40-80s;
抛光液PH值为10-12。
由于采用上述技术方案,使得硅片边抛补液系统结构简单,使用方便,方便安装和维修,具有供液动力装置、边抛液PH检测装置和流量检测装置,能够根据检测到的边抛液的PH值是否在设定的上限值和下限值内,控制供液动力装置动作,对边抛液的PH值进行调节,时时根据边抛液的PH值进行补充液的供给,时时进行边抛液的PH值调节,简单方便,不用等到边抛液的总量达到设定值时再进行PH值调节,降低硅片边缘粗糙度,防止后续外延加工时出现层错和位错等不良现象,减少边缘应力,降低发生边缘崩边、裂片等风险。
附图说明
图1是本发明的一实施例的结构示意图。
图中:
1、补充液盛装装置2、供液动力装置3、边抛液供给箱4、流量检测装置5、边抛液PH检测装置
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的说明。
图1示出了本发明的一实施例的结构示意图,本实施例涉及一种硅片边抛补液系统、、补液方法及硅片边抛方法,用于对硅片进行边抛使用,该硅片边抛补液系统与边抛机连接,用于对边抛机进行边抛液补液,保证边抛液的PH值,进而保证边抛液的浓度,便于对硅片进行边抛,采用该补液系统对硅片进行边抛,减少硅片的边缘应力,降低硅片边抛时边缘崩边、裂片等风险。
一种硅片边抛补液系统,如图1所示,包括补充液盛装装置1、边抛液PH检测装置5、边抛液供给箱3、供液动力装置2和控制装置,其中,补充液盛装装置1用于盛装补充液,边抛液供给箱3用于盛装边抛液,并将边抛液供应给边抛机(图中未示出),保证边抛机对硅片进行边抛;
边抛液PH检测装置5设于边抛液供给箱3上,对边抛液供给箱3中的边抛液的PH值进行检测,时时检测边抛液供给箱3中边抛液的PH值,保证供应给边抛机的边抛液符合要求,满足硅片边抛时的边抛液的使用需求;
供液动力装置2分别与边抛液供给箱3和补充液盛装装置1连接,为边抛液供给箱3供给补充液,通过供液动力装置2动作,将补充液盛装装置1中的补充液输送至边抛液供给箱3内,为边抛液供给箱3提供补充液,保证边抛液供给箱3内边抛液的PH值;
边抛液PH检测装置5与供液动力装置2均与控制装置电连接,控制装置根据边抛液PH检测装置5检测的边抛液供给箱3内边抛液的PH值信号控制供液动力装置2动作,边抛液PH检测装置5时时检测边抛液供给箱3内边抛液的PH值,当边抛液供给箱3中边抛液的PH值下降至规定要求下限值之下后,控制装置控制供液动力装置2动作,将补充液盛装装置1内的补充液输送至边抛液供给箱3内,使得补充液与边抛液供给箱3内的边抛液混合,提高边抛液的PH值,使得边抛液的PH值满足硅片边抛时的使用需求;当边抛液供给箱3中的边抛液的PH值上升至规定要求的上限值之后,控制装置控制供液动力装置2停止动作,停止向边抛液供给箱3内供给补充液,使得边抛液供给箱3内的边抛液PH值时时满足使用需求。
进一步优化方案,该硅片边抛补液系统还包括流量检测装置4,流量检测装置4设于供液动力装置2的出液端,检测进入边抛液供给箱3的补充液的流量,流量检测装置4的设置,使得供液动力装置2将补充液运输至边抛液供给箱3内的补充液的流量得到量化,便于操作人员观察进入边抛液供给箱3内的补充液的流量,同时,可以控制进入边抛液供给箱3内补充液的流量,使得补充液逐步进入边抛液供给箱3内,逐步改善边抛液供给箱3内边抛液的PH值,同时保证边抛液供给箱3内边抛液的PH值不会超过规定的上限值。同时,操作人员可以根据流量检测装置4测定的供液动力装置2的流量,设定边抛液供给箱3对边抛机边抛液的供给量,使得边抛液供给箱3内的边抛液总量不会超过上限,从边抛液供给箱3流出
上述的边抛液PH检测装置5为PH检测仪,为市售产品,根据实际需求进行选择,这里不做具体要求。
上述的供液动力装置2为供液泵,为补充液盛装装置1内的补充液进入边抛液供给箱3中提供动力,使得补充液盛装装置1内的补充液进入边抛液供给箱3中,该供液泵为市售产品,根据实际需求进行选择,这里不做具体要求。
上述的流量检测装置4为流量计,为市售产品,根据实际需求进行选择,这里不做具体要求。
上述的控制装置为PLC控制器,预设有编辑好的程序,同时,预设有边抛液的PH值的上限值和下限值,便于控制装置根据边抛液PH检测装置5检测的边抛液供给箱3内的边抛液的PH值,并与预设的上限值和下限值做对比,控制供液动力装置2动作,控制补充液盛装装置1内的补充液进入补充液供给箱3的量,控制边抛液供给箱3内边抛液的PH值,使之满足使用需求。
该硅片边抛补液系统在使用时,将补充液盛装装置1与供液动力装置2的进液口连接,将供液动力装置2的出液口与边抛液供给箱3连接,同时,将边抛液供给箱3与边抛机系统连接,使得边抛液供给箱3能够为边抛机供应边抛液,补充液在供液动力装置2的作用下进入边抛液供给箱3内,为边抛液供给箱3提供补充液,改善边抛液供给箱3内边抛液的PH值,使得边抛液供给箱3内的边抛液的PH值满足使用需求,同时,将边抛液PH检测装置5安装在边抛液供给箱3上,对边抛液供给箱3内的边抛液的PH值时时进行检测,同时,在供液动力装置2的出液端安装有流量检测装置4,优选的,该流量检测装置4安装在供液动力装置2出液口与边抛液供给箱3的连接管道上,检测进入边抛液供给箱3内的补充液的流量,使得补充液时时进入边抛液供给箱3内,改善边抛液的PH值。
控制装置分别与流量检测装置4和边抛液PH检测装置5连接,根据边抛液PH检测装置5检测到的边抛液的PH值,控制供液动力装置2动作,使得补充液盛装装置1中的补充液进入边抛液供给箱3中,调节边抛液供给箱3中的边抛液的PH值,当边抛液供给箱3中边抛液的PH值下降到设置的下限时,控制装置控制供液动力装置2动作,对边抛液供给箱3进行补充液的供给;当边抛液供给箱3中的边抛液的PH值达到设置的上限值时,控制装置控制供液动力装置2停止补充液的供应;在此过程中,流量检测装置4检测进入边抛液供给箱3中的流量,使得补充液按照设定流速进入边抛液供给箱3,调节边抛液的PH值。
上述的补充液为碱液,在本实施例中,优选为氢氧化钾溶液。
实施例一
一种硅片边抛补液方法,在进行补液的过程中,设定供液动力装置2流量、边抛液PH检测装置5的PH值的上限值和下限值,使得补充液盛装装置1对边抛液供给箱3进行补液。供液动力装置2的流量为10ml/s,PH值的上限值为10.30-10.50,PH值的下限值为10.00-10.20,根据实际需求进行选择,这里不做具体要求,在本实施例中,PH值的上限值为10.30,PH值的下限值为10.00,根据设定的边抛液的PH值的上限值和下限值,进行进入边抛液供给箱3内的补充液的控制。该补充液为碱液,优选的,在本实施例中,该补充液为氢氧化钾溶液。
一种硅片边抛方法,在硅片边抛的过程中,采用上述硅片边抛补液方法进行边抛液补液,同时,设定不同的工位的参数,参数包括:
V槽工位:抛光压力为4-11N,抛光时间为20-50s,抛光角度为0度、40-50度和-(40-50)度,优选的,在本实施例中,抛光头的压力为11N,抛光时间为50s;
边缘工位:抛光头转速为220-300rmp,时间为50-70s,优选的,在本实施例中,抛光头转速为300rmp,时间为70s;
抛光液PH值为10-12。
实施例二
一种硅片边抛补液方法,在进行补液的过程中,设定供液动力装置2流量、边抛液PH检测装置5的PH值的上限值和下限值,使得补充液盛装装置1对边抛液供给箱3进行补液。供液动力装置2的流量为10ml/s,PH值的上限值为10.10-10.20,PH值的下限值为10.00-10.09,根据实际需求进行选择,这里不做具体要求,在本实施例中,PH值的上限值为10.18,PH值的下限值为10.05,根据设定的边抛液的PH值的上限值和下限值,进行进入边抛液供给箱3内的补充液的控制。该补充液为碱液,优选的,在本实施例中,该补充液为氢氧化钾溶液。
一种硅片边抛方法,在硅片边抛的过程中,采用上述硅片边抛补液方法进行边抛液补液,同时,设定不同的工位的参数,参数包括:
V槽工位:抛光压力为4-11N,抛光时间为20-50s,抛光角度为0度、40-50度和-(40-50)度,优选的,在本实施例中,抛光头的压力为4N,抛光时间为20s;
边缘工位:抛光头转速为220-300rmp,时间为40-80s,优选的,在本实施例中,抛光头转速为220mp,时间为40s;
抛光液PH值为10-12。
采用上述参数进行设定,并进行硅片的边抛,同时,采用硅片边抛补液系统进行补液,对边抛液的PH值进行调节,使得边抛液的PH值维持在设定的范围内,降低硅片边缘粗糙度,防止后续外延加工时出现层错和位错等不良现象,减少边缘应力,降低发生边缘崩边、裂片等风险。
由于采用上述技术方案,使得硅片边抛补液系统结构简单,使用方便,方便安装和维修,具有供液动力装置、边抛液PH检测装置和流量检测装置,能够根据检测到的边抛液的PH值是否在设定的上限值和下限值内,控制供液动力装置动作,对边抛液的PH值进行调节,时时根据边抛液的PH值进行补充液的供给,时时进行边抛液的PH值调节,简单方便,不用等到边抛液的总量达到设定值时再进行PH值调节,降低硅片边缘粗糙度,防止后续外延加工时出现层错和位错等不良现象,减少边缘应力,降低发生边缘崩边、裂片等风险。
以上对本发明的实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本发明的较佳实施例,不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。

Claims (10)

1.一种硅片边抛补液系统,其特征在于:包括补充液盛装装置、边抛液PH检测装置、边抛液供给箱、供液动力装置和控制装置,其中,
所述边抛液PH检测装置设于所述边抛液供给箱上,对所述边抛液供给箱中的边抛液的PH值进行检测;
所述供液动力装置分别与所述边抛液供给箱和所述补充液盛装装置连接,为所述边抛液供给箱供给补充液;
所述边抛液PH检测装置与所述供液动力装置均与所述控制装置电连接,所述控制装置根据所述边抛液PH检测装置检测的边抛液PH值信号控制所述供液动力装置动作。
2.根据权利要求1所述的硅片边抛补液系统,其特征在于:还包括流量检测装置,所述流量检测装置设于所述供液动力装置的出液端,检测进入所述边抛液供给箱的补充液的流量。
3.根据权利要求1或2所述的硅片边抛补液系统,其特征在于:所述边抛液PH检测装置为PH检测仪。
4.根据权利要求3所述的硅片边抛补液系统,其特征在于:所述供液动力装置为供液泵。
5.根据权利要求4所述的硅片边抛补液系统,其特征在于:所述控制装置为PLC控制器。
6.一种硅片边抛补液方法,其特征在于:采用如权利要求1-5任一项所述的一种硅片边抛补液系统进行补液,在进行补液的过程中,设定所述供液动力装置的流量、边抛液PH检测装置的PH值的上限值和下限值,使得所述补充液盛装装置对所述边抛液供给箱进行补液。
7.根据权利要求6所述的硅片边抛补液方法,其特征在于:所述供液动力装置的流量为10ml/s。
8.根据权利要求6所述的硅片边抛补液方法,其特征在于:所述PH值的上限值为10.30-10.50。
9.根据权利要求6所述的硅片边抛补液方法,其特征在于:所述PH值的下限值为10.00-10.20。
10.一种硅片边抛方法,其特征在于:在硅片边抛的过程中,采用如权利要求6-9任一项所述的硅片边抛补液方法进行边抛液补液,同时设定不同的工位的参数,所述参数包括:
V槽工位:抛光压力为4-11N,抛光时间为20-50s,抛光角度为0度、40-50度和-(40-50)度;
边缘工位:抛光头转速为220-300rmp,时间为40-80s;
抛光液PH值为10-12。
CN202010521251.XA 2020-06-10 2020-06-10 一种硅片边抛补液系统、补液方法及硅片边抛方法 Pending CN111546239A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010521251.XA CN111546239A (zh) 2020-06-10 2020-06-10 一种硅片边抛补液系统、补液方法及硅片边抛方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010521251.XA CN111546239A (zh) 2020-06-10 2020-06-10 一种硅片边抛补液系统、补液方法及硅片边抛方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111546239A true CN111546239A (zh) 2020-08-18

Family

ID=72001283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010521251.XA Pending CN111546239A (zh) 2020-06-10 2020-06-10 一种硅片边抛补液系统、补液方法及硅片边抛方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111546239A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116301087A (zh) * 2023-02-13 2023-06-23 中环领先半导体材料有限公司 一种新型的抛光液ph值自动调节装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004342848A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハの研磨方法
CN103480260A (zh) * 2013-09-17 2014-01-01 上海大学 利于乙烯废碱液的湿法烟气脱硫工艺
CN206780193U (zh) * 2017-04-28 2017-12-22 青岛鑫嘉星电子科技股份有限公司 一种蓝宝石衬底单面抛光表面光洁度控制装置
CN109623554A (zh) * 2019-01-08 2019-04-16 天津中环领先材料技术有限公司 一种降低硅片边缘粗糙度的边抛工艺
CN212497255U (zh) * 2020-06-10 2021-02-09 天津中环领先材料技术有限公司 一种硅片边抛补液系统

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004342848A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハの研磨方法
CN103480260A (zh) * 2013-09-17 2014-01-01 上海大学 利于乙烯废碱液的湿法烟气脱硫工艺
CN206780193U (zh) * 2017-04-28 2017-12-22 青岛鑫嘉星电子科技股份有限公司 一种蓝宝石衬底单面抛光表面光洁度控制装置
CN109623554A (zh) * 2019-01-08 2019-04-16 天津中环领先材料技术有限公司 一种降低硅片边缘粗糙度的边抛工艺
CN212497255U (zh) * 2020-06-10 2021-02-09 天津中环领先材料技术有限公司 一种硅片边抛补液系统

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116301087A (zh) * 2023-02-13 2023-06-23 中环领先半导体材料有限公司 一种新型的抛光液ph值自动调节装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN212497255U (zh) 一种硅片边抛补液系统
CN111546239A (zh) 一种硅片边抛补液系统、补液方法及硅片边抛方法
CN102069287A (zh) Pcb微型钻头异径平面自动焊接装置及焊接工艺
US6802762B2 (en) Method for supplying slurry to polishing apparatus
WO2017139998A1 (zh) 一种直线式易拉罐灌装机及其灌装方法
CN104226547A (zh) 自动加油涂油装置
CN202088036U (zh) 一种用于公自转磁流变抛光中的循环装置
CN203794613U (zh) 一种自动定量加水装置
CN202030982U (zh) 一种流浆箱稀释水调节装置
CN215885340U (zh) 汽车转向系统用半刚性轴承定向输送装置
CN212092978U (zh) 装饰纸生产线涂布加胶装置
CN219879831U (zh) 细磨机入料浆体制备装置
CN202676221U (zh) 一种水暖产品流量检测机供水系统
CN207240541U (zh) 一种多线切割机冷却液自动补液系统
CN201725211U (zh) 皮革染色自动化系统
WO2015079112A1 (en) Gas feed system for a flotation machine and method for preventing its gas outlet blocking
CN102064085B (zh) 切削装置和检测方法
CN220098663U (zh) 专用于激光划片机的供di水系统
CN220071520U (zh) 一种实时配液装置
CN214973215U (zh) 一种培养基配液用pH控制装置
CN213225745U (zh) 一种用于现场研磨设备的便携式研磨液输送系统
CN207238610U (zh) 一种硅片清洗设备的进料装置
CN116494018B (zh) 一种切削液自动补液装置及控制方法
CN203460337U (zh) 胶料接取装置
CN203981525U (zh) 切割线磨削试验装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination