CN111519136A - 一种半导体芯片的溅镀治具 - Google Patents

一种半导体芯片的溅镀治具 Download PDF

Info

Publication number
CN111519136A
CN111519136A CN202010250548.7A CN202010250548A CN111519136A CN 111519136 A CN111519136 A CN 111519136A CN 202010250548 A CN202010250548 A CN 202010250548A CN 111519136 A CN111519136 A CN 111519136A
Authority
CN
China
Prior art keywords
frame
semiconductor chip
sputtering
double
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010250548.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111519136B (zh
Inventor
蒋海兵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Himit Shenzhen Technology Co ltd
Original Assignee
Himit Shenzhen Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Himit Shenzhen Technology Co ltd filed Critical Himit Shenzhen Technology Co ltd
Publication of CN111519136A publication Critical patent/CN111519136A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111519136B publication Critical patent/CN111519136B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67333—Trays for chips

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明涉及一种半导体芯片的溅镀治具，用于装夹半导体芯片进行溅镀，所述半导体芯片的一面的非溅镀区域向内凹陷形成凹槽，使溅镀区域形成凸体，包括：底座；双面胶框，由双面胶制成、贴合在所述底座上，所述双面胶框上设有若干框口；中框，贴合在所述双面胶框，设有环绕所述框口的框孔，所述半导体芯片背向所述凹槽的一面贴合在所述框孔内与所述框孔内的所述双面胶框粘接。

Description

一种半导体芯片的溅镀治具
技术领域
本发明涉及半导体芯片的溅镀技术领域，尤其涉及一种半导体芯片的溅镀治具。
背景技术
在半导体芯片的溅镀中，现有的技术一般只适合常规的半导体芯片，半导体芯片的形状是规则的，溅镀区域的形状通常是一整个面，而随着技术的发展，出现了形状不规则，同一侧的一面既有溅镀区域又有需要保护的非溅镀区域(保护区域)，现有的技术对于异形形状和需要选择性区域溅镀的半导体芯片无法进行很好的处理，工艺复杂，加工麻烦，NG率高。并且现有的溅镀治具中，半导体芯片的装夹和取出都非常繁琐，尤其是取出时，撕胶非常不方便，胶容易断，容易残留，清理起来十分麻烦，
发明内容
鉴于上述状况，有必要提供提出一种方便半导体芯片装夹和取出的半导体芯片的溅镀治具。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种半导体芯片的溅镀治具，用于装夹半导体芯片进行溅镀，所述半导体芯片的一面的非溅镀区域向内凹陷形成凹槽，使溅镀区域形成凸体，包括：底座；双面胶框，由双面胶制成、贴合在所述底座上，所述双面胶框上设有若干框口；中框，贴合在所述双面胶框，设有环绕所述框口的框孔，所述半导体芯片背向所述凹槽的一面贴合在所述框孔内与所述框孔内的所述双面胶框粘接。
进一步的，所述凹槽上覆盖有遮盖胶，所述遮盖胶与所述凸体相平齐。
进一步的，所述底座在所述框口内设有若干通孔。
进一步的，所述框口、所述框孔和所述通孔阵列排布。
进一步的，所述底座上在所述框口外设有若干纵横交错的排气槽，所述双面胶框覆盖所述排气槽。
进一步的，所述底座上在所述框口外设有若干第一气孔，所述双面胶框设有与所述第一气孔相通的第二气孔，所述中框设有与所述第二气孔相通的第三气孔。
进一步的，所述底座上在所述框口外设有若干纵横交错的排气槽，所述双面胶框覆盖所述排气槽，所述第一气孔设置在纵横交错的所述排气槽的交汇处。
进一步的，所述中框上在所述框孔相对的两侧设有缺槽。
进一步的，还包括压合所述中框的压合板，所述压合板设有避开所述框孔和所述凹槽的凸筋。
进一步的，还包括压合所述遮盖胶的压板，所述压板设有与底座上的第一气孔相通第四气孔。
本发明的有益效果在于：通过底座、双面胶框和中框的配合固定半导体芯片，可以保证固定的稳定的同时取出方便，避免双面胶与半导体芯片大面积接触导致半导体芯片不好取出；中框可以方便一次性将整块的双面胶制成的双面胶框从底座撕除，隔离半导体芯片侧面的非溅镀区域，还能减少成本，可以根据不同型号、不同形状的半导体芯片更换中框。
附图说明
图1是本发明实施例一种半导体芯片的溅镀治具的爆炸结构示意图；
图2是本发明实施例一种半导体芯片的溅镀治具的结构示意图；
图3是本发明实施例一种半导体芯片的溅镀治具的底座的结构示意图；
图4是本发明实施例一种半导体芯片的溅镀治具的压合板的结构示意图；
图5是本发明实施例一种半导体芯片的溅镀治具的压板的结构示意图。
标号说明：
100、底座；110、通孔；120、排气槽；130、第一气孔；200、双面胶框；
210、框口；220、第二气孔；300、中框；310、框孔；320、缺槽；
330、第三气孔；400、半导体芯片；410、凹槽；411、大凹槽；420、凸体；
500、遮盖胶；600、压合板；610、凸筋；700、压板；710、第四气孔。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明一种半导体芯片的溅镀治具进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参见图1-图5，一种半导体芯片400的溅镀治具，用于装夹半导体芯片400进行溅镀，半导体芯片400的一面的非溅镀区域向内凹陷形成凹槽，使溅镀区域形成凸体，包括：底座100；双面胶框200，由双面胶制成、贴合在底座100上，双面胶框200上设有若干框口210；中框300，贴合在双面胶框200，设有环绕框口210的框孔310，半导体芯片400背向凹槽的一面贴合在框孔310内与框孔310内的双面胶框200粘接。
通过底座100、双面胶框200和中框300的配合固定半导体芯片400，通过遮盖胶500遮蔽保护区域，可以保护非溅镀区域，避免出现NG产品；中框300可以避免双面胶框200与遮盖胶500连接过于紧密导致取出不便，方便分开撕胶，并且可以方便一次性将整块的双面胶制成的双面胶框200从底座100撕除，还能够方便半导体芯片400的装夹和取出，隔离半导体芯片400侧面的非溅镀区域，还能减少成本，可以根据不同型号、不同形状的半导体芯片400更换中框300。
请参见图1和图2，凹槽上覆盖有遮盖胶500，遮盖胶500与凸体相平齐。遮盖胶500可以保护凹槽内的非溅镀区域，同时中框300可以避免双面胶框200与遮盖胶500连接过于紧密导致取出不便，方便分开撕胶。
请参见图3，底座100在框口210内设有若干通孔110。通孔110的设置可以方便通过通孔110的配合利用顶针顶出半导体芯片400，方便半导体芯片400的取出。
请参见图1-图3，框口210、框孔310和通孔110阵列排布。阵列排布不仅美观同时还可以方便自动化设备的操作，包括放置半导体芯片400、溅镀、半导体芯片400取出都可以通过自动化设备进行。
请参见图1和图3，底座100上在框口210外设有若干纵横交错的排气槽120，双面胶框200覆盖排气槽120。设置排气槽120方便保证双面胶框200贴覆时保持平整，方便贴中框300和溅镀。
请参见图1和图3，底座100上在框口210外设有若干第一气孔130，双面胶框200设有与第一气孔130相通的第二气孔220，中框300设有与第二气孔220相通的第三气孔330。设置气孔，方便保持中框300的平整。
请参见图1和图3，底座100上在框口210外设有若干纵横交错的排气槽120，双面胶框200覆盖排气槽120，第一气孔130设置在纵横交错的排气槽120的交汇处。将第一气孔130设置在排气槽120的交汇处，排气槽120与气孔相结合进行排气，能够更好的保证平整，方便贴附，尤其是是双面胶框200和中框300的纵横交汇处，可以避免交汇处鼓起。
请参见图1和图2，中框300上在框孔310相对的两侧设有缺槽320。缺槽320的设置可以方便取出半导体芯片400。
请参见图4，还包括压合中框300的压合板600，压合板600设有避开框孔310和凹槽的凸筋610。凸筋610压在中框300上进行压平整，可以方便半导体芯片400的装夹和溅镀。
请参见图5，还包括压合遮盖胶500的压板700，压板700设有与底座100上的第一气孔130相通第四气孔710。压板700设置第四气孔710可以保证中框300和半导体芯片400的平整，保证溅镀的质量。
综上所述，本发明提供的一种半导体芯片的溅镀治具，通过底座、双面胶框和中框的配合固定半导体芯片，通过遮盖胶遮蔽保护区域，可以保护非溅镀区域，避免出现NG产品；中框可以避免双面胶框与遮盖胶连接过于紧密导致取出不便，方便分开撕胶，并且可以方便一次性将整块的双面胶制成的双面胶框从底座撕除，还能够方便半导体芯片的装夹和取出，隔离半导体芯片侧面的非溅镀区域，还能减少成本，可以根据不同型号、不同形状的半导体芯片更换中框。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种半导体芯片的溅镀治具，用于装夹半导体芯片进行溅镀，所述半导体芯片的一面的非溅镀区域向内凹陷形成凹槽，使溅镀区域形成凸体，其特征在于，包括：
底座；
双面胶框，由双面胶制成、贴合在所述底座上，所述双面胶框上设有若干框口；
中框，贴合在所述双面胶框，设有环绕所述框口的框孔，所述半导体芯片背向所述凹槽的一面贴合在所述框孔内与所述框孔内的所述双面胶框粘接。
2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片的溅镀治具，其特征在于，所述凹槽上覆盖有遮盖胶，所述遮盖胶与所述凸体相平齐。
3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片的溅镀治具，其特征在于，所述底座在所述框口内设有若干通孔。
4.根据权利要求3所述的一种半导体芯片的溅镀治具，其特征在于，所述框口、所述框孔和所述通孔阵列排布。
5.根据权利要求1所述的一种半导体芯片的溅镀治具，其特征在于，所述底座上在所述框口外设有若干纵横交错的排气槽，所述双面胶框覆盖所述排气槽。
6.根据权利要求1所述的一种半导体芯片的溅镀治具，其特征在于，所述底座上在所述框口外设有若干第一气孔，所述双面胶框设有与所述第一气孔相通的第二气孔，所述中框设有与所述第二气孔相通的第三气孔。
7.根据权利要求6所述的一种半导体芯片的溅镀治具，其特征在于，所述底座上在所述框口外设有若干纵横交错的排气槽，所述双面胶框覆盖所述排气槽，所述第一气孔设置在纵横交错的所述排气槽的交汇处。
8.根据权利要求1所述的一种半导体芯片的溅镀治具，其特征在于，所述中框上在所述框孔相对的两侧设有缺槽。
9.根据权利要求1所述的一种半导体芯片的溅镀治具，其特征在于，还包括压合所述中框的压合板，所述压合板设有避开所述框孔和所述凹槽的凸筋。
10.根据权利要求2所述的一种半导体芯片的溅镀治具，其特征在于，还包括压合所述遮盖胶的压板，所述压板设有与底座上的第一气孔相通第四气孔。
CN202010250548.7A 2020-03-23 2020-04-01 一种半导体芯片的溅镀治具 Active CN111519136B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2020102098122 2020-03-23
CN202010209812 2020-03-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111519136A true CN111519136A (zh) 2020-08-11
CN111519136B CN111519136B (zh) 2021-11-16

Family

ID=71901477

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010250548.7A Active CN111519136B (zh) 2020-03-23 2020-04-01 一种半导体芯片的溅镀治具
CN202010251217.5A Active CN111519148B (zh) 2020-03-23 2020-04-01 一种半导体芯片的溅镀方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010251217.5A Active CN111519148B (zh) 2020-03-23 2020-04-01 一种半导体芯片的溅镀方法

Country Status (2)

Country Link
CN (2) CN111519136B (zh)
WO (1) WO2021196291A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021196291A1 (zh) * 2020-03-23 2021-10-07 深圳市海铭德科技有限公司 一种半导体芯片的溅镀方法
CN114045461A (zh) * 2021-10-29 2022-02-15 立讯电子科技（昆山）有限公司 一种半导体芯片产品及其局部溅镀治具、局部溅镀方法
CN114121690A (zh) * 2021-11-24 2022-03-01 上海昀通电子科技有限公司 一种sip封装选择性溅镀的方法
CN114427077A (zh) * 2021-12-23 2022-05-03 青岛歌尔智能传感器有限公司 选择性溅镀方法及其电子产品

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW353160B (en) * 1997-01-30 1999-02-21 Ibm Corrosion resistant molybdenum mask
US20120202343A1 (en) * 2007-11-28 2012-08-09 International Business Machines Corporation Method of forming underbump metallurgy structure employing sputter-deposited nickel copper alloy
CN105154824A (zh) * 2015-10-21 2015-12-16 丰盛印刷（苏州）有限公司 芯片溅镀治具及溅镀方法
CN205046191U (zh) * 2015-10-21 2016-02-24 丰盛印刷（苏州）有限公司 芯片溅镀治具
CN207685335U (zh) * 2017-11-02 2018-08-03 丰盛印刷（苏州）有限公司 芯片溅镀治具
CN109913827A (zh) * 2019-03-29 2019-06-21 太湖金张科技股份有限公司 一种溅镀过程保护装置及其使用方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001234327A (ja) * 2000-02-18 2001-08-31 Murata Mfg Co Ltd スパッタ用治具
CN107779819A (zh) * 2017-11-02 2018-03-09 丰盛印刷（苏州）有限公司 芯片溅镀治具及溅镀方法
US20190353467A1 (en) * 2018-05-17 2019-11-21 Lawrence Livermore National Security, Llc Low cost chip slapper detonator
CN110699662B (zh) * 2019-10-21 2022-05-27 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 镀膜方法及其膜层
CN111519136B (zh) * 2020-03-23 2021-11-16 深圳市海铭德科技有限公司 一种半导体芯片的溅镀治具

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW353160B (en) * 1997-01-30 1999-02-21 Ibm Corrosion resistant molybdenum mask
US20120202343A1 (en) * 2007-11-28 2012-08-09 International Business Machines Corporation Method of forming underbump metallurgy structure employing sputter-deposited nickel copper alloy
CN105154824A (zh) * 2015-10-21 2015-12-16 丰盛印刷（苏州）有限公司 芯片溅镀治具及溅镀方法
CN205046191U (zh) * 2015-10-21 2016-02-24 丰盛印刷（苏州）有限公司 芯片溅镀治具
CN207685335U (zh) * 2017-11-02 2018-08-03 丰盛印刷（苏州）有限公司 芯片溅镀治具
CN109913827A (zh) * 2019-03-29 2019-06-21 太湖金张科技股份有限公司 一种溅镀过程保护装置及其使用方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021196291A1 (zh) * 2020-03-23 2021-10-07 深圳市海铭德科技有限公司 一种半导体芯片的溅镀方法
CN114045461A (zh) * 2021-10-29 2022-02-15 立讯电子科技（昆山）有限公司 一种半导体芯片产品及其局部溅镀治具、局部溅镀方法
CN114045461B (zh) * 2021-10-29 2024-07-19 立讯电子科技（昆山）有限公司 一种半导体芯片产品及其局部溅镀治具、局部溅镀方法
CN114121690A (zh) * 2021-11-24 2022-03-01 上海昀通电子科技有限公司 一种sip封装选择性溅镀的方法
CN114427077A (zh) * 2021-12-23 2022-05-03 青岛歌尔智能传感器有限公司 选择性溅镀方法及其电子产品
CN114427077B (zh) * 2021-12-23 2023-08-15 青岛歌尔智能传感器有限公司 选择性溅镀方法及其电子产品

Also Published As

Publication number Publication date
CN111519148A (zh) 2020-08-11
CN111519148B (zh) 2021-11-16
WO2021196291A1 (zh) 2021-10-07
CN111519136B (zh) 2021-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111519136B (zh) 一种半导体芯片的溅镀治具
CN209388928U (zh) 移动终端的按键机构和键盘以及移动终端
CN213412918U (zh) 保护膜粘贴工装
CN211165331U (zh) 一种贴屏保压治具
CN220290793U (zh) 一种用于壳体密封的双面工装
CN206153770U (zh) 一种用于铁氧体产品的镭射治具
CN210515573U (zh) 便于替换薄膜面板的火灾探测器
CN205202336U (zh) 镀膜辅具
CN214101657U (zh) 一种可拆卸嵌入式电池包的蓝牙音箱
CN211806037U (zh) 一种消防检测工具箱
JP2002126307A5 (zh)
CN221270429U (zh) 一种金属侧键加工斜面治具及刀具
CN217291757U (zh) 一种用于固定平板电脑后壳的定位装置
CN217396899U (zh) 一种便捷式翻盖贴膜器
CN211604025U (zh) 一种新型硬盘热插拔
CN218920615U (zh) 一种集成式音频信号处理设备
CN208410798U (zh) 一种生产曲面玻璃盖板用的模具组件
CN218372138U (zh) 一种用于显示屏的一体化保护膜
CN221542095U (zh) 一种手表贴膜器及其手表贴膜器套件
CN214277216U (zh) 一种温度检测器
CN213918657U (zh) 一种双向刀模具
CN218113108U (zh) 一种贴膜装置
CN210157519U (zh) 一种智能显示设备固定框及智能显示设备
CN217123976U (zh) 一种锁壳贴膜的半自动加工装置
CN219181685U (zh) 一种扬声器的测试工装

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant