CN111510095A - 体声波谐振器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：基板；膜层，与所述基板形成腔；第一电极，至少部分地设置在所述腔的上部上并且包括比所述第一电极的其他部分厚的端部部分；插入层，包括邻近所述第一电极的所述端部部分设置的第一部分和设置在所述第一电极的上部上的第二部分；压电层，设置为覆盖所述插入层；以及第二电极，设置在所述压电层的上部上。

Description

体声波谐振器
本申请要求于2019年1月31日提交到韩国知识产权局的第10-2019-0012938号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。
技术领域
以下描述涉及一种体声波谐振器。
背景技术
体声波(BAW)滤波器是射频(RF)模块的关键元件，该射频模块使诸如智能电话和平板电脑等装置的前端模块中的RF信号的期望频带通过并且阻隔非期望频带。随着移动市场的发展，对此需求正逐步地增加。
BAW滤波器由体声波谐振器组成。当体声波谐振器的Q性能好时，在BAW滤波器中可仅选择期望频带。
为了提高体声波谐振器中的半谐振点的Q性能，在谐振器的有效区域附近形成框架，从而在谐振时产生的横向波将被反射到谐振器的内部以将谐振能量限制在有效区域中。
通常，框架通过使用与上电极相同的材料形成以比有效区域厚。在这种情况下，由于框架占用无效区域，导致kt2性能可能被恶化，并且由于在宽频带区域中的框架谐振而可能出现噪声。为了解决框架的问题，可在谐振器的外边缘处使用檐型结构，但工艺可能变得复杂，并且因此良率可能会下降。
发明内容
提供本发明内容以按照简化形式介绍并且在以下具体实施方式中进一步描述所选择的构思。本发明内容既不意在限定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；膜层，与所述基板形成腔；第一电极，至少部分地设置在所述腔的上部上并且包括比所述第一电极的其他部分厚的端部部分；插入层，包括邻近所述第一电极的所述端部部分设置的第一部分和设置在所述第一电极的上部上的第二部分；压电层，设置为覆盖所述插入层；以及第二电极，设置在所述压电层的上部上。
所述第一电极的所述端部部分可包括具有渐增厚度的突起部。
所述第一电极的所述端部部分可包括具有渐减厚度的倾斜部。
所述插入层的所述第一部分的上表面可与所述第一电极的所述端部部分的上表面共面。
所述插入层的所述第一部分的上表面可设置在所述第一电极的所述端部部分的上表面的上方。
所述插入层的所述第一部分的上表面的一端可与所述第一电极的所述端部部分的上表面共面，并且所述插入层的所述第一部分的所述上表面的另一端可设置在所述第一电极的所述端部部分的所述上表面的下方。
所述插入层的所述第一部分的上表面可设置在所述第一电极的所述端部部分的上表面的下方。
所述倾斜部可从所述突起部延伸。
所述体声波谐振器可包括设置在所述基板和所述第一电极之间的蚀刻停止部，并且所述蚀刻停止部设置为围绕所述腔。
所述体声波谐振器可包括设置在所述蚀刻停止部外部的牺牲层。
所述体声波谐振器可包括设置在所述第二电极上的钝化层。
所述插入层可包括绝缘材料。
所述插入层可包括二氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧化锰(MnO)、氧化锆(ZrO2)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)中的任意一种。
所述插入层可设置在所述压电层的平坦部的外部。
所述第一电极可包括钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)和铬(Cr)中的任意一种，或可包括包含钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)和铬(Cr)中的任意一种的合金。
在另一个总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；第一电极，设置在所述基板的上部上；插入层，包括设置为从所述第一电极延伸的部分；压电层，设置为覆盖所述插入层；以及第二电极，设置在所述压电层的上部上。所述第一电极包括：具有倾斜的上表面的突起部以及从所述突起部延伸并具有朝向所述插入层的所述部分减小的厚度的倾斜部。所述插入层的设置为从所述第一电极延伸的所述部分覆盖所述倾斜部。
所述第一电极可包括具有高声阻抗值的材料，并且所述插入层可包括具有低声阻抗值的材料。
在另一个总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；第一电极，设置在所述基板上并包括相对于所述基板的上表面具有可变高度的端部部分；插入层，包括设置为从所述第一电极的所述端部部分延伸的部分；压电层，设置在所述插入层上；以及第二电极，设置在所述压电层上。
通过以下具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。
附图说明
图1是示出根据示例的体声波谐振器的示意性平面图。
图2是沿着图1的线I-I'截取的截面图。
图3是示出图2的A部分的放大图。
图4是示出根据示例的体声波谐振器的示意性截面图。
图5是示出图4的B部分的放大图。
图6是示出根据示例的体声波谐振器的示意性截面图。
图7是示出图6的C部分的放大图。
图8是示出根据示例的体声波谐振器的示意性截面图。
图9是示出图8的D部分的放大图。
图10是示出由于第一电极和插入层的重叠的宽度而引起的谐振器的效果的曲线图。
在整个附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，并且为了清楚、说明和方便起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供以下具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解了本申请的公开内容后，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、变型及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作顺序仅仅是示例，且不限于在此所阐述的示例，而是除了必须按照特定顺序发生的操作外，可做出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。
在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。
在此，值得注意的是，关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如，关于示例或实施例可包括或实现什么)意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个示例或实施例，而所有的示例和实施例不限于此。
在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。
如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一个和任意两个或更多个的任意组合。
尽管可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中的所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分还可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了方便描述，可在此使用诸如“在……上方”、“上”、“在……下方”和“下”的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意在除了包含附图中描绘的方位之外还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件位于“上方”或“上”的元件随后将相对于另一元件位于“下方”或“下”。因此，术语“在……上方”根据装置的空间方位而包含“在……上方”和“在……下方”两种方位。装置还可按照其他方式(例如，旋转90度或处于其他方位)被定位，并将对在此使用的空间相对术语做出相应的解释。
在此使用的术语仅是为了描述各种示例，而不被用来限制本公开。除非上下文另外清楚地指明，否则单数形式也意在包含复数形式。术语“包含”、“包括”以及“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差，附图中所示出的形状可发生变化。因此，在此描述的示例并不限于附图中示出的特定形状，而是包括制造期间发生的形状上的变化。
在此描述的示例的特征可以以在理解本申请的公开内容之后将显而易见的各种方式进行组合。此外，虽然在此描述的示例具有各种构造，但在理解本申请的公开内容之后将显而易见的其他构造是可行的。
在下文中，将参照附图详细地描述示例。
图1是示出根据示例的体声波谐振器的示意性平面图，图2是沿着图1的线I-I'截取的截面图，图3是示出图2的A部分的放大图。
参照图1、图2和图3，体声波谐振器100可包括：基板110、牺牲层120、蚀刻停止部130、膜层140、第一电极150、压电层160、第二电极170、插入层180、钝化层190和金属垫195。
基板110可以是硅基板。例如，硅晶圆可以用作基板110，或绝缘体上硅(SOI)型基板可用作基板110。
绝缘层112可形成在基板110的上表面上，并且基板110可与设置在绝缘层112之上的构造电隔离。绝缘层112可用于防止基板110在制造工艺期间形成腔G时被蚀刻气体蚀刻。
绝缘层112可利用二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)中的至少一者形成，并且绝缘层112可通过化学气相沉积工艺、RF磁控溅射工艺或蒸镀工艺形成。
牺牲层120可形成在绝缘层112上，并且腔G和蚀刻停止部130可设置在牺牲层120的内部。腔G可通过在制造期间去除牺牲层120的一部分形成。如上所述，由于腔G形成在牺牲层120内部，因此设置在牺牲层120的上部上的第一电极150等可形成为平坦的。
蚀刻停止部130可沿着腔G的边界设置。蚀刻停止部130可防止在形成腔G的工艺中进行超过腔的区域的刻蚀。
膜层140可与基板110形成腔G。膜层140可利用当去除牺牲层120时与蚀刻气体具有低的反应性的材料形成。蚀刻停止部130可插入到通过膜层140形成的槽部141中并且设置在槽部141中。膜层140可以是包含氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)、氧化锰(MnO)、氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)中的任意一种的介电层。
利用氮化铝(AlN)制成的种子层(未示出)可形成在膜层140上。也就是说，种子层可以设置在膜层140和第一电极150之间。除了氮化铝(AlN)之外，种子层(未示出)还可使用电介质或具有HCP晶体结构的金属形成。例如，当种子层是金属时，种子层可利用钛(Ti)形成。
第一电极150可形成在膜层140上，并且第一电极150的一部分可设置在腔G的上部上。第一电极150可用作输入诸如射频(RF)信号等的电信号的输入电极和输出诸如射频(RF)信号等的电信号的输出电极中的任意一者。
作为示例，第一电极150可使用诸如钼(Mo)或其合金的导电材料形成。然而，第一电极150的构造不限于此，并且第一电极150可利用诸如钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)、铬(Cr)等或它们的合金的导电材料形成。
如图3中更详细地示出的，第一电极150可包括邻近插入层180设置的突起部152，并且突起部可形成为比第一电极150的其他部分厚。突起部152可朝向第一电极150的端部部分变得更厚。作为示例，突起部152的上表面可形成为倾斜的。由于第一电极150设置有突起部152，因此设置在突起部152的上部上的压电层160、第二电极170和钝化层190可向上升高。第一电极150可设置有倾斜部154，并且倾斜部连接到突起部152并且在厚度上逐渐减小。
通过考虑横向波的波长而调整第一电极150的突起部152的宽度和第一电极150的倾斜部154的宽度，可增大对于横向波的反射效率。
作为示例，突起部152的宽度w和倾斜部154的宽度w可根据下式设计。
w＝n＊λ/4(n＝1，3，5，...)
在该式中，λ表示横向波的波长。
压电层160可形成为至少覆盖设置在腔G的上部上的第一电极150。压电层160可引起将电能转换为弹性波形式的机械能的压电效应。压电层160可利用氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)和铅锆钛氧化物(PZT；PbZrTiO)中的一种形成。当压电层160利用氮化铝(AlN)形成时，压电层160还可包括稀土金属和过渡金属。例如，稀土金属可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的至少一种。此外，例如，过渡金属可包括钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)和铌(Nb)中的至少一种。压电层160中还可包括二价金属镁(Mg)。
压电层160可包括设置在体声波谐振器100的平坦部S中的压电部162和设置在体声波谐振器100的延伸部E中的弯曲部164。体声波谐振器100的延伸部E位于体声波谐振器100的平坦部S的外部。
压电部162可是直接堆叠在第一电极150的上部上的部分。因此，压电部162可以以平坦的形式设置在第一电极150和第二电极170之间。
弯曲部164可被定义为从压电部162向外地延伸以位于延伸部E中的区域。
弯曲部164可设置在插入层180上，并且可具有对应于插入层180形状的形状。压电层160可在压电部162和弯曲部164之间的边界处弯曲，并且弯曲部164可升高与插入层180的厚度和形状相对应的量。
第二电极170可设置在压电层160的上部。例如，第二电极170可形成为至少覆盖设置在腔G的上部上的压电层160。第二电极170可用作输入诸如射频(RF)信号等的电信号的输入电极和输出诸如射频(RF)信号等的电信号的输出电极中的任意一者。当第一电极150用作输入电极时，第二电极170可用作输出电极。当第一电极150用作输出电极时，第二电极170可用作输入电极。
第二电极170可使用诸如钼(Mo)或其合金的导电材料形成。然而，第二电极170的构造不限于此，并且第二电极170可利用诸如钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)、铬(Cr)等或它们的合金的导电材料形成。
插入层180可设置为使得插入层的一部分(即，第一部分)从第一电极150延伸并且插入层180的剩余部分(即，第二部分)可设置在第一电极150的上部上。插入层180可利用诸如二氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧化锰(MnO)、氧化锆(ZrO2)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)等的电介质形成，但也可利用与形成压电层160的材料不同的材料形成。
如图3中更详细地示出的，插入层180的一部分的上表面可设置为与突起部152的端部的上表面平行(共面)。也就是说，插入层180的从第一电极150延伸的所述一部分的上表面可设置为与突起部152的端部的上表面平行(共面)。
插入层180可设置在体声波谐振器100的除了平坦部S之外的区域中。例如，插入层180可设置在除了平坦部S之外的整个区域中，或者可设置在除了平坦部S之外的部分区域中。
插入层180的一部分可设置为与第一电极150的倾斜部154重叠。然而，插入层180的一部分可设置为不与突起部152重叠。
第一电极150可包括具有高声阻抗值的材料，插入层180可包括具有低声阻抗值的材料，从而可增大反射效率。
钝化层190可用于防止在工艺期间对第二电极170和第一电极150的损坏。
可在最终工艺中通过蚀刻部分地去除钝化层190以控制频率。也就是说，可调整钝化层190的厚度。在钝化层190中，例如，可使用包含氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)、氧化锰(MnO)、氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)中的任何一种的介电层。
金属垫195可形成在第一电极150的没有形成钝化层190的一部分上和第二电极170的没有形成钝化层190的一部分上。作为示例，金属垫195可利用诸如金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金、铝(Al)、铝合金等的材料制成。例如，铝合金可以是铝-锗(Al-Ge)合金。
第一电极150可包括具有高声阻抗值的材料，并且插入层180可包括具有低声阻抗值的材料，从而可增大反射效率。可通过考虑横向波的波长而调整第一电极150的突起部152的宽度和第一电极150的倾斜部154的宽度，从而可增大对横向波的反射效率。
在下文中，将参照附图描述体声波谐振器的另一示例。然而，与上面描述的组件相同的组件通过与上面使用的标号相同的标号表示，并且将省略其详细描述。
图4是示出根据第二示例的体声波谐振器的示意性截面图，图5是示出图4的B部分的放大图。
参照图4和图5，体声波谐振器200可包括基板110、牺牲层120、蚀刻停止部130、膜层140、第一电极150、压电层160、第二电极170、插入层280、钝化层190和金属垫195。
插入层280可设置为使得插入层280的一部分从第一电极150延伸并且插入层280的剩余部分可设置在第一电极150的上部上。插入层280可利用诸如二氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧化锰(MnO)、氧化锆(ZrO2)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)等的电介质形成，但也可利用与形成压电层160的材料不同的材料形成。
如图5中更详细地示出的，插入层280的一部分的上表面可设置在第一电极的突起部152的端部的上表面之上的一部分上。也就是说，插入层280的设置为从第一电极150延伸的所述一部分的上表面可设置为比突起部152的端部的上表面高。插入层280的端部部分可具有比第一电极150的突起部152的厚度厚的厚度。
插入层280可设置在不包括平坦部S的区域中。例如，插入层280可设置在除了平坦部S之外的整个区域中，或者可设置在除了平坦部S之外的部分区域中。
插入层280可设置为使得插入层280的至少一部分与第一电极150的倾斜部154重叠。然而，插入层280可设置为不与突起部152重叠。
第一电极150可包括具有高声阻抗值的材料，插入层280可包括具有低声阻抗值的材料，从而可增大反射效率。可通过考虑横向波的波长而调整第一电极150的突起部152的宽度和第一电极150的倾斜部154的宽度，从而可增大对横向波的反射效率。
图6是示出根据第三示例的体声波谐振器的示意性截面图，图7是示出图6的C部分的放大图。
参照图6和图7，体声波谐振器300可包括：基板110、牺牲层120、蚀刻停止部130、膜层140、第一电极150、压电层160、第二电极170、插入层380、钝化层190和金属垫195。
插入层380可设置为使得插入层380的一部分从第一电极150延伸并且插入层380的剩余部分设置在第一电极150的上部上。插入层380可以利用诸如二氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧化锰(MnO)、氧化锆(ZrO2)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)等的电介质形成，但也可以利用与形成压电层160的材料不同的材料形成。
如图7中更详细地示出的，插入层380的从第一电极延伸的部分的上表面的一端可与突起部152的端部的上表面处于相同的高度，并且插入层380的上表面的另一端可设置在突起部152的所述端部的上表面的下方。也就是说，插入层380的设置为从第一电极150延伸的部分的上表面的一端可与突起部152的端部的上表面处于相同的高度，并且插入层380的所述部分的上表面的另一端可设置在突起部152的端部的上表面的下方。换句话说，插入层380可比第一电极150的突起部152薄。
插入层380可设置在不包括平坦部S的区域中。例如，插入层380可设置在除了平坦部S之外的整个区域中，或者可设置在除了平坦部S之外的部分区域中。
插入层380可设置为使得插入层380的至少一部分与第一电极150的倾斜部154重叠。然而，插入层380可设置为不与突起部152重叠。
第一电极150可包括具有高声阻抗值的材料，插入层380可包括具有低声阻抗值的材料，从而可增大反射效率。可通过考虑横向波的波长而调整第一电极150的突起部152的宽度和第一电极150的倾斜部154的宽度，从而可增大对横向波的反射效率。
图8是示出根据第四示例的体声波谐振器的示意性截面图，图9是示出图8的D部分的放大图。
参照图8和图9，体声波谐振器400可包括基板110、牺牲层120、蚀刻停止部130、膜层140、第一电极150、压电层160、第二电极170、插入层480、钝化层190和金属垫195。
插入层480可设置为使得插入层480的一部分从第一电极150延伸并且插入层480的剩余部分可设置在第一电极150的上部上。插入层480可利用诸如二氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧化锰(MnO)、氧化锆(ZrO2)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)等的电介质形成，但是也可利用与形成压电层160的材料不同的材料形成。
如图9中更详细地示出的，插入层480的一部分的上表面可设置在第一电极的突起部152的端部的上表面的下方。也就是说，插入层480的设置为从第一电极150延伸的部分的上表面可设置在突起部152的端部的上表面的下方。换句话说，插入层480比第一电极150的突起部152薄。
插入层480可设置在不包括平坦部S的区域中。例如，插入层480可设置在除了平坦部S之外的整个区域中，或者可设置在除了平坦部S之外的部分区域中。
插入层480可设置为使得插入层480的至少一部分与第一电极150的倾斜部154重叠。然而，插入层480可设置为不与突起部152重叠。
第一电极150可包括具有高声阻抗值的材料，插入层480可包括具有低声阻抗值的材料，从而可增大反射效率。可通过考虑横向波的波长而调整第一电极150的突起部152的宽度和第一电极150的倾斜部154的宽度，从而可增大对横向波的反射效率。
图10是示出由于第一电极和插入层的重叠的宽度而引起的谐振器的效果的曲线图。
参照图10，可以看出的是，可在保持第一电极150(参照图2)和插入层180(参照图2)的重叠宽度在1μm处的同时获得最佳的噪声衰减性能(Attn.性能)和高的kt2性能。
可以看出的是，随着第一电极150(参照图2)和插入层180(参照图2)的重叠宽度增大，kt2性能逐渐降低。此外，可以看出的是，当第一电极150(参照图2)和插入层180(参照图2)的重叠宽度大于2.5μm时，衰减性能(Attn.性能)增大。
当考虑图10的实验条件时，谐振频率是2.0GHz，并且第一电极150可利用钼(Mo)材料制成且第一电极150的厚度是
Figure BDA0002105973500000111
压电层160(参照图2)可利用氮化铝(AlN)材料制成且压电层160的厚度是
Figure BDA0002105973500000112
第二电极170(参照图2)可利用钼(Mo)制成且第二电极170的厚度是
Figure BDA0002105973500000113
如上所述，可改善kt2性能并且可改善反射性能。
虽然本公开包括特定的示例，但是在理解了本申请的公开内容后将显而易见的是，在不脱离权利要求和它们的等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式和细节上的各种变化。在此所描述的示例将仅被认为是描述性含义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其他示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的系统、架构、装置或者电路中的组件和/或用其他组件或者它们的等同物进行替换或者补充描述的系统、架构、装置或者电路中的组件，则可获得适当的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及它们的等同物限定，并且在权利要求及它们的等同物的范围内的所有变型将被解释为包含于本公开中。

Claims (18)

1.一种体声波谐振器，包括：
基板；
膜层，与所述基板形成腔；
第一电极，至少部分地设置在所述腔的上部上并且包括比所述第一电极的其他部分厚的端部部分；
插入层，包括邻近所述第一电极的所述端部部分设置的第一部分和设置在所述第一电极的上部上的第二部分；
压电层，设置为覆盖所述插入层；以及
第二电极，设置在所述压电层的上部上。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极的所述端部部分包括具有渐增厚度的突起部。
3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极的所述端部部分包括具有渐减厚度的倾斜部。
4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述插入层的所述第一部分的上表面与所述第一电极的所述端部部分的上表面共面。
5.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述插入层的所述第一部分的上表面设置在所述第一电极的所述端部部分的上表面的上方。
6.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述插入层的所述第一部分的上表面的一端与所述第一电极的所述端部部分的上表面共面，并且所述插入层的所述第一部分的所述上表面的另一端设置在所述第一电极的所述端部部分的所述上表面的下方。
7.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述插入层的所述第一部分的上表面设置在所述第一电极的所述端部部分的上表面的下方。
8.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述倾斜部从所述突起部延伸。
9.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括设置在所述基板和所述第一电极之间的蚀刻停止部，并且所述蚀刻停止部设置为围绕所述腔。
10.根据权利要求9所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括设置在所述蚀刻停止部外部的牺牲层。
11.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括设置在所述第二电极上的钝化层。
12.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述插入层包括绝缘材料。
13.根据权利要求12所述的体声波谐振器，其中，所述插入层包括二氧化硅、氮化铝、氧化铝、氮化硅、氧化锰、氧化锆、锆钛酸铅、砷化镓、氧化铪、氧化钛和氧化锌中的任意一种。
14.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述插入层设置在所述压电层的平坦部的外部。
15.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极包括钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种或包含钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种的合金。
16.一种体声波谐振器，包括：
基板；
第一电极，设置在所述基板的上部上；
插入层，包括设置为从所述第一电极延伸的部分；
压电层，设置为覆盖所述插入层；以及
第二电极，设置在所述压电层的上部上，
其中，所述第一电极包括：突起部，具有倾斜的上表面；以及倾斜部，从所述突起部延伸并具有朝向所述插入层的所述部分减小的厚度，并且
所述插入层的设置为从所述第一电极延伸的所述部分覆盖所述倾斜部。
17.根据权利要求16所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极包括具有高声阻抗值的材料，并且所述插入层包括具有低声阻抗值的材料。
18.一种体声波谐振器，包括：
基板；
第一电极，设置在所述基板上并包括相对于所述基板的上表面具有可变高度的端部部分；
插入层，包括设置为从所述第一电极的所述端部部分延伸的部分。
压电层，设置在所述插入层上；以及
第二电极，设置在所述压电层上。
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