CN111509560A

CN111509560A - 垂直腔面发射激光器、制备方法及摄像头模组

Info

Publication number: CN111509560A
Application number: CN202010321101.4A
Authority: CN
Inventors: 罗杰; 万叶晶; 毛信贤
Original assignee: OFilm Microelectronics Technology Co Ltd
Current assignee: OFilm Microelectronics Technology Co Ltd
Priority date: 2020-04-22
Filing date: 2020-04-22
Publication date: 2020-08-07
Also published as: WO2021213233A1

Abstract

本发明提出一种垂直腔面发射激光器，包括：衬底；第一分布式布拉格反射镜，设于所述衬底的一侧；有源层，叠设于所述第一分布式布拉格反射镜远离所述衬底的一侧；高阻层，设于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述高阻层中开设有通光孔；第二分布式布拉格反射镜，设于所述通光孔中且连接于所述有源层；第一电极，连接于所述衬底；及第二电极，设于所述第二分布式布拉格反射镜远离所述衬底的一侧。该垂直腔面发射激光器能够精准控制发光孔径，且散热效果较好。本发明同时提供一种垂直腔面发射激光器的制备方法，以及一种摄像头模组。

Description

垂直腔面发射激光器、制备方法及摄像头模组

技术领域

本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种垂直腔面发射激光器、制备方法及摄像头模组。

背景技术

垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL)，其谐振腔是利用在有源区(Active region)的上下两边形成两个具有高反射率的分布式布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector,简称DBR)构成，激光沿着材料外延生长方向垂直出射。垂直腔面发射激光器具有圆形光斑，易与光纤进行耦合，易于实现大规模阵列及光电集成等优势，广泛应用于光通信、手机、精密加工、先进制造设备、测试仪器等领域中。

垂直腔面发射激光器的发光孔径决定了发散角、均匀性以及散热性等功能。目前，垂直腔面发射激光器的发光孔径通常是通过侧向氧化来实现，在制作垂直腔面发射激光器的所有层之后，经过台面刻蚀，然后再进行侧向氧化实现发光孔径的控制。然而，现有技术至少存在以下缺点：发光孔径的制作工艺复杂；对氧化孔径的大小无法准确控制，进而导致垂直腔面发射激光器的发散角、均匀性无法保证；而且，因为氧化物导热率较低，且生成的氧化层散热效果较差，影响了垂直腔面发射激光器的散热效果。

发明内容

鉴于以上内容，有必要提出一种垂直腔面发射激光器、垂直腔面发射激光器的制备方法及摄像头模组，以解决上述问题。

本申请之一实施例提供一种垂直腔面发射激光器，包括：

衬底；

第一分布式布拉格反射镜，设于所述衬底的一侧；

有源层，叠设于所述第一分布式布拉格反射镜远离所述衬底的一侧；

高阻层，设于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述高阻层中开设有通光孔；

第二分布式布拉格反射镜，设于所述通光孔中且连接于所述有源层；

第一电极，连接于所述衬底；及

第二电极，设于所述第二分布式布拉格反射镜远离所述衬底的一侧。

上述实施例提供的垂直腔面发射激光器通过在高阻层上开设通光孔的方式来控制发光孔径，解决了发光孔径大小不易控制的问题，能够精准控制发光孔径，进一步能够保证垂直腔面发射激光器的发射角和均匀性；并且，由于高阻层的导热率较高，还提升了垂直腔面发射激光器的散热效果。

在一些实施例中，所述高阻层为氮化硅、氮化硼和氮化铝中的一种。所述高阻层作为电流限制区，决定着垂直腔面发射激光器发光孔径的大小。所述高阻层为具有高阻值和高导热率的材质，不仅能精准控制发光孔径的大小，还能够提高散热效果。

在一些实施例中，沿所述第一分布式布拉格反射镜和所述第二分布式布拉格反射镜的层叠方向，所述高阻层的厚度与所述第二分布式布拉格反射镜的厚度相同，以使高阻层能够围绕所述第二分布式布拉格反射镜，以限制发光孔径。

在一些实施例中，所述衬底为砷化镓衬底，所述第一分布式布拉格反射镜和所述第二分布式布拉格反射镜分别包括多个交替设置的砷化铝层和砷化镓层，或分别包括多个交替设置的砷化铝镓层和砷化镓层，以使所述第一分布式布拉格反射镜和所述第二分布式布拉格反射镜具有高反射率。

本申请之实施例还提供了一种垂直腔面发射激光器的制备方法，包括：

外延生长第一分布式布拉格反射镜和有源层，所述第一分布式布拉格反射镜和有源层依次设于衬底的一侧；

形成高阻层，所述高阻层设于所述有源层远离所述衬底的一侧；

蚀刻所述高阻层、所述有源层和所述第一分布式布拉格反射镜以形成凸台，并蚀刻所述高阻层以在所述高阻层中形成通光孔；

外延生长第二分布式布拉格反射镜，所述第二分布式布拉格反射镜位于所述通光孔中且连接于所述有源层；

形成第一电极和第二电极，所述第一电极设于所述衬底的一侧，所述第二电极设于所述第二分布式布拉格反射镜远离所述衬底的一侧。

上述实施例提供的垂直腔面发射激光器的制备方法，先在有源层上方形成高阻层，再在高阻层中蚀刻出通光孔，解决了发光孔径大小不易控制的问题，能够精准控制发光孔径，保证了垂直腔面发射激光器的发射角和均匀性；该制备方法工艺简单，不需要侧向氧化制程，提升了制备效率。同时，由于高阻层的导热率较高，还提升了垂直腔面发射激光器的散热性能。

在一些实施例中，“蚀刻所述高阻层、所述有源层和所述第一分布式布拉格反射镜以形成凸台，并蚀刻所述高阻层以在所述高阻层中形成通光孔”的步骤包括：

在所述高阻层表面形成光刻胶膜，通过光刻法去除所述高阻层外围区域的部分所述光刻胶膜，并蚀刻所述高阻层、所述有源层和所述第一分布式布拉格反射镜以形成所述凸台；

利用有机溶剂去除位于所述凸台中部的部分所述光刻胶膜；

利用腐蚀液对未覆盖所述光刻胶膜的部分所述高阻层进行腐蚀以形成所述通光孔，所述通光孔暴露出所述有源层；

去除剩余的所述光刻胶膜。

上述实施例中，在光刻胶膜的保护下对高阻层进行腐蚀，能够精准控制通光孔的形状和大小。

在一些实施例中，采用化学气相沉积法形成所述高阻层，具有薄膜成份易控，膜厚与淀积时间成正比，均匀性较好的优点。

本申请还同时提供一种摄像头模组，包括上述任意实施例提供的垂直腔面发射激光器。

所述摄像头模组包括垂直腔面发射激光器，通过在高阻层上开设通光孔的方式来控制发光孔径，解决了发光孔径大小不易控制的问题，使发光孔径的大小能够精准控制，能够保证垂直腔面发射激光器的发射角和均匀性；并且，由于高阻层的导热率较高，还提升了垂直腔面发射激光器和摄像头模组的散热效果。

附图说明

图1是本发明第一实施例的垂直腔面激光发射器的剖面结构示意图。

图2是本发明第二实施例的垂直腔面激光发射器的制备方法的流程图。

图3～图7是本发明第二实施例的垂直腔面激光发射器的制备方法的过程示意图。

主要元件符号说明

垂直腔面发射激光器 100

衬底 10

第一分布式布拉格反射镜 20

有源层 30

高阻层 40

通光孔 42

第二分布式布拉格反射镜 50

第一电极 60

第二电极 70

钝化层 80

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

进一步需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

请参阅图1，本发明的第一实施例提供了一种垂直腔面发射激光器100，包括衬底10、第一分布式布拉格反射镜20、有源层30、高阻层40、第二分布式布拉格反射镜50、第一电极60和第二电极70。在本实施例中，第一分布式布拉格反射镜20为N型，第二分布式布拉格反射镜50为P型。

在本实施例中，衬底10为砷化镓衬底，但不限于此，衬底10也可为磷化铟衬底、氮化镓衬底、锑化铟衬底等。

第一分布式布拉格反射镜20设于衬底10的一侧。在本实施例中，第一分布式布拉格反射镜20包括多个交替设置的砷化铝(AlAs)层和砷化镓(GaAs)层，砷化铝层和砷化镓层的折射率不同，砷化铝层和砷化镓层的数量分别为多层，以使第一分布式布拉格反射镜20具有高反射率，其中，第一分布式布拉格反射镜20的反射率可达到99.99％。

在另一实施例中，第一分布式布拉格反射镜20包括多个交替设置的砷化铝镓(AlGaAs)层和砷化镓层。砷化铝镓层和砷化镓层的数量分别为多层，同样能够使第一分布式布拉格反射镜20具有高反射率。

有源层30叠设于第一分布式布拉格反射镜20远离衬底10的一侧，有源层30用以将电能转换为光能。在一实施例中，有源层30可包括铟镓砷(INGaAs)或砷化铝镓。有源层30可覆盖第一分布式布拉格反射镜20，沿着第一分布式布拉格反射镜20和第二分布式布拉格反射镜50的层叠方向，有源层30与第一分布式布拉格反射镜20的横截面的宽度相等。

高阻层40设于有源层30远离衬底10的一侧，且高阻层40中开设有通光孔42，通光孔42为贯穿高阻层40的通孔，且通光孔42为圆形孔和多边形孔中的一种。较佳地，沿着第一分布式布拉格反射镜20和第二分布式布拉格反射镜50的层叠方向，高阻层40与有源层30的横截面的宽度相等。

高阻层40作为电流限制区，能够限制电流注入的范围，决定着垂直腔面发射激光器100发光孔径的大小。高阻层40为具有高阻值和高导热率的材质。

高阻层40可为氮化硅(SiN)、氮化硼(BN)和氮化铝(AlN)中的一种。在一实施例中，高阻层40为氮化硅(SiN)，氮化硅的电阻率可达1015Ω.cm～1016Ω.cm，导热率是氧化铝的5～10倍，受热不易膨胀，因而内部应力较小。

较佳地，沿第一分布式布拉格反射镜20和第二分布式布拉格反射镜50的层叠方向，高阻层40的厚度与第二分布式布拉格反射镜50的厚度相同，以使高阻层40能够围绕第二分布式布拉格反射镜50，以限制发光孔径。在一些实施例中，高阻层40的厚度也可略大于第二分布式布拉格反射镜50的厚度。

第二分布式布拉格反射镜50设于通光孔42中且连接于有源层30。在一实施例中，第二分布式布拉格反射镜50包括多个交替设置的砷化铝层和砷化镓层，砷化铝层和砷化镓层的数量分别为多层，以使第二分布式布拉格反射镜50具有高反射率，其中，第二分布式布拉格反射镜的反射率可达到99％。

在另一实施例中，第二分布式布拉格反射镜50包括多个交替设置的砷化铝镓和砷化镓层。

第一电极60连接于衬底10，第二电极70设于第二分布式布拉格反射镜50远离衬底10的一侧。第一电极60和第二电极70用于连接供电电源，以施加电场到有源层30，从而使有源层30将电能转换为光能。第一电极60、第二电极70由欧姆接触材料制成，所述欧姆接触材料可包括镍(Ni)、金(Au)、钯(Pd)、银(Ag)中的至少一种。

第一电极60为N型电极，第一电极60可为条状电极，位于衬底10朝向第一分布式布拉格反射镜20的一侧，且通过一个开设于衬底10上的过孔(图未示)连接于衬底10远离第一分布式布拉格反射镜20的一侧。可以理解，第一电极60也可采用现有的垂直腔面发射激光器的电极的结构。

在另一实施例中，第一电极60也可为面状电极且位于衬底10远离第一分布式布拉格反射镜20的一侧。

第二电极70为P型电极，第二电极70为环状电极，位于第二分布式布拉格反射镜50的周缘且环绕通光孔42。

在一实施例中，垂直腔面发射激光器100还包括钝化层80，钝化层80设于衬底10上且位于高阻层40、有源层30、第一分布式布拉格反射镜20的周缘。钝化层80的材质可为树脂，起到平坦化和保护的作用。沿第一分布式布拉格反射镜20和第二分布式布拉格反射镜50的层叠方向，钝化层80的高度可与第二分布式布拉格反射镜50的高度相同。

上述实施例所提供的垂直腔面发射激光器100包括设于有源层30上的高阻层40，高阻层40中开设有通光孔42，第二分布式布拉格反射镜50设于通光孔42中且连接于有源层30，由于高阻层40具有高阻值，能够限制电流的范围，从而能够控制垂直腔面发射激光器100的发光孔径。因此，上述垂直腔面发射激光器100通过在高阻层40上开设通光孔42的方式来控制发光孔径，解决了发光孔径不易控制的问题，使发光孔径的大小能够精准控制，能够保证垂直腔面发射激光器100的发射角和均匀性；并且，由于高阻层40的导热率较高，还提升了垂直腔面发射激光器100的散热效果。

请同时参照图2至7，本发明的第二实施例提供了一种垂直腔面发射激光器100的制备方法，包括以下步骤。

步骤S101，外延生长第一分布式布拉格反射镜20和有源层30，第一分布式布拉格反射镜20和有源层30依次设于衬底10的一侧。

如图3所示，第一分布式布拉格反射镜20和有源层30依次叠设于衬底10上。在本实施例中，衬底10为砷化镓衬底，但不限于此，衬底10也可为磷化铟衬底、氮化镓衬底、锑化铟衬底等。

在一实施例中，第一分布式布拉格反射镜20包括多个交替生长的砷化铝层和砷化镓层。在外延生长第一分布式布拉格反射镜20时，使用三甲基铝、三甲基镓和氨气作为源气体，以交替生长砷化铝层和砷化镓层。

具体地，先将衬底10在氢气下经高温1100℃热处理10min，然后将温度降至572℃，在低温下淀积一层25nm厚的低温砷化铝成核层，再将温度升至1135℃，生长1.3μm的砷化镓缓冲层。然后，将生长温度调为1030℃，在氢气气氛下交替生长砷化铝层和砷化镓层以制备第一分布式布拉格反射镜20，砷化铝层和砷化镓层的数量分别为多层，不同的交替层数可以形成不同的反射率，最终形成反射率为99.99％的第一分布式布拉格反射镜20。

有源层30可包括铟镓砷或砷化铝镓，叠设于第一分布式布拉格反射镜20远离衬底10的一侧。

步骤S102,形成高阻层40，高阻层40设于有源层30远离衬底10的一侧。

如图4所示，高阻层40叠设于有源层30上，高阻层40为具有高阻值和高导热率的材质，作为电流限制区。

在一实施例中，高阻层40为氮化硅层。氮化硅为绝缘材质，且导热率较高，内部应力较小。

在一实施例中，采用化学气相沉积法形成高阻层40。化学气相沉积法形成高阻层40时，具有薄膜成份易控，膜厚与淀积时间成正比，均匀性较好的优点。

当高阻层40为氮化硅时，该步骤具体为：采用硅烷(SiH4)和氨气(NH3)为气源，将硅烷和氨气混合通入一体式高温炉内；将垂直腔面发射激光器100的晶圆置于高温炉内；硅烷和氨气发生化学反应从而生成氮化硅薄膜。反应公式为：SiH4+NH3＝SiN+H2。

在其他实施例中，高阻层40也可为其他具有高阻值和高导热率的材质，例如氮化硼(BN)或氮化铝(AlN)。在步骤S102中，高阻层40也可由其他方法形成。

步骤S103，蚀刻第一分布式布拉格反射镜20、有源层30和高阻层40，以形成凸台，并蚀刻高阻层40，以在高阻层40中形成通光孔42。

请同时参照图5，在一实施例中，先采用光刻法对高阻层40、有源层30和第一分布式布拉格反射镜20进行蚀刻，以形成垂直腔面发射激光器100所需要的凸台，凸台包括层叠设置的高阻层40、有源层30和第一分布式布拉格反射镜20，沿着层叠方向，高阻层40、有源层30和第一分布式布拉格反射镜20的截面宽度可相等，从而凸台可为柱形台体。

接着，请参照图6，在高阻层40中蚀刻出通光孔42，通光孔42贯穿高阻层40的中部，通光孔42暴露出有源层30。

在一实施例中，步骤S103具体包括：先在高阻层40表面形成一光刻胶膜，通过光刻法去除高阻层40外围区域的部分光刻胶膜，并蚀刻高阻层40、有源层30和第一分布式布拉格反射镜20以形成凸台；利用有机溶剂去除位于凸台中部的部分光刻胶膜，再利用腐蚀液对未覆盖光刻胶膜的部分高阻层40进行腐蚀以形成通光孔42，然后去除剩余的光刻胶膜。

当高阻层40为氮化硅时，将生成至高阻层40的芯片表面镀光刻胶膜，光刻胶膜上涂有光抗蚀剂；提供一光刻掩模板，曝光后去除高阻层40外围区域的部分所述光刻胶膜，并蚀刻高阻层40、有源层30和第一分布式布拉格反射镜20以形成所述凸台。接着，再提供一光刻掩模板，曝光后用有机溶剂去除凸台中部的部分光刻胶膜。由于在紫外光或其他适当波长光的照射下，光刻抗蚀剂发生变化且提高了强度，不溶于有机溶剂中；而未受光照射的部分，光刻抗蚀剂不发生变化，能够被有机溶剂溶解，因此，在曝光后用有机溶剂能够去除部分光刻抗蚀剂。

接着，采用氢氟酸(HF)腐蚀液，将无光刻胶膜覆盖的部分高阻层40腐蚀掉，直至露出有源层30，反应公式为：SiN+HF＝SiF4+NH3；同时，有光刻抗蚀剂覆盖的区域完整保留下来。

然后，去除剩余的光刻抗蚀剂，例如，使用浓硫酸使光刻抗蚀剂脱落，冷却后再用离子水冲洗。上述实施例中，在光刻胶膜的保护下对高阻层40的中部进行腐蚀，能够精准控制通光孔42的大小。

可以理解，通过控制光刻胶膜的形状，可以控制通光孔42的形状，因此，可根据需要将通光孔42设置为圆形孔或多边形孔。

在另一实施方式中，也可采用光刻法进行第一次蚀刻，以形成凸台；再采用光刻法进行第二次蚀刻，以蚀刻出通光孔42。

步骤S104，外延生长第二分布式布拉格反射镜50，第二分布式布拉格反射镜50位于通光孔42中。

如图7所示，第二分布式布拉格反射镜50位于通光孔42中，且连接于有源层30。

外延生长第二分布式布拉格反射镜50的工艺与第一分布式布拉格反射镜20大致相同，不同之处在于，与第一分布式布拉格反射镜20中交替生长的砷化铝层和砷化镓层的层数不一样，并形成99％反射率的第二分布式布拉格反射镜50。

较佳的，沿着第一分布式布拉格反射镜20和第二分布式布拉格反射镜50的层叠方向，高阻层40的厚度与第二分布式布拉格反射镜50的厚度相等，以使高阻层40围绕第二分布式布拉格反射镜50，以限制发光孔径。因此，可依据预设的第二分布式布拉格反射镜50的厚度来控制高阻层40的厚度。在一些实施例中，高阻层40的厚度也可略大于第二分布式布拉格反射镜50的厚度。

步骤S105，形成第一电极60和第二电极70。

请再次参照图1，第一电极60连接于衬底10，第二电极70位于第二分布式布拉格反射镜50远离衬底10的一侧。

具体地，第一电极60为N型电极，第一电极60可为条形电极且通过一个过孔连接于衬底10远离第一分布式布拉格反射镜20的一侧。

在另一实施例中，第一电极60也可为面状电极且直接设于衬底10背离第一分布式布拉格反射镜20的一侧。

在一实施例中，先在晶片表面上用真空蒸发、溅射、电镀等方法淀积一欧姆接触材料，所述欧姆接触材料可为镍、金、钯、银中的至少一种，然后在一定温度下合金化。在高真空下用电阻加热或电子束轰击加热的方法，使被蒸发的材料熔化。在低气压下，熔化了的蒸发材料表面的原子获得足够的能量得以脱离蒸发源，从而沉积一层接触材料。

在另一些实施例中，在步骤S101和S104中，第一分布式布拉格反射镜20、第二分布式布拉格反射镜50均可包括交替生长的砷化铝镓和砷化镓层。

请同时参照图1，在另一些实施例中，在步骤S105后，还可包括步骤：在所述衬底10上沉积钝化层80，以及蚀刻钝化层80。

钝化层80位于高阻层40、有源层30、第一分布式布拉格反射镜20的周缘，且沿着第一分布式布拉格反射镜20和第二分布式布拉格反射镜50的层叠方向，钝化层80的高度可与第二分布式布拉格反射镜50的高度相同。钝化层80的材质可为树脂，起到平坦化和保护作用。

具体地，先将清洁晶圆的表面，例如先用丙酮清洗，再用清水冲洗后烤箱内烘干，然后在晶圆上涂增附剂，再采用设备以不同转速将钝化层80涂覆在晶圆表面，待烤箱烘干后进行图案刻蚀。

上述实施例提供的垂直腔面发射激光器100的制备方法，先在有源层30上方形成高阻层40，再在高阻层40中蚀刻出通光孔42，从而高阻层作为电流限制区，能够精准控制发光孔径的大小，保证了垂直腔面发射激光器100的发射角和均匀性；该制备方法工艺简单，不需要侧向氧化制程，解决了侧向氧化方式制作通光孔时精度难以控制的问题，提升了制备效率。同时，由于高阻层40的导热率较高，还提升了垂直腔面发射激光器100的散热性能。

本申请之第三实施例提供一种摄像头模组，包括上述实施例提供的垂直腔面发射激光器100。摄像头模组还包括接收模组，垂直腔面发射激光器100用于发出信号，接收模组用于接收信号，从而摄像头模组根据垂直腔面发射激光器100发出的信号和接收模组接收的信号获取物体的信息。

本申请之第四实施例提供一种摄像头模组，包括由上述实施例提供的垂直腔面发射激光器的制备方法所制备的垂直腔面发射激光器100。

上述摄像头模组包括垂直腔面发射激光器100，通过在高阻层40上开设通光孔42的方式来控制发光孔径，使发光孔径的大小能够精准控制，能够保证垂直腔面发射激光器100的发射角和均匀性；并且，由于高阻层40的导热率较高，还提升了垂直腔面发射激光器100和摄像头模组的散热效果。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化涵括在本发明内。

最后应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims

1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：

衬底；

第一分布式布拉格反射镜，设于所述衬底的一侧；

第一电极，连接于所述衬底；及

2.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述高阻层为氮化硅、氮化硼和氮化铝中的一种。

3.如权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，沿所述第一分布式布拉格反射镜和所述第二分布式布拉格反射镜的层叠方向，所述高阻层的厚度与所述第二分布式布拉格反射镜的厚度相同。

4.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述衬底为砷化镓衬底，所述第一分布式布拉格反射镜和所述第二分布式布拉格反射镜分别包括多个交替设置的砷化铝层和砷化镓层，或分别包括多个交替设置的砷化铝镓层和砷化镓层。

5.一种垂直腔面发射激光器的制备方法，包括：

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，“蚀刻所述高阻层、所述有源层和所述第一分布式布拉格反射镜以形成凸台，并蚀刻所述高阻层以在所述高阻层中形成通光孔”的步骤包括：

利用有机溶剂去除位于所述凸台中部的部分所述光刻胶膜；

去除剩余的所述光刻胶膜。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述高阻层为氮化硅、氮化硼和氮化铝中的一种。

8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，沿所述第一分布式布拉格反射镜和所述第二分布式布拉格反射镜的层叠方向，所述高阻层的厚度与所述第二分布式布拉格反射镜的厚度相同。

9.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积法形成所述高阻层。

10.一种摄像头模组，包括如权利要求1至4中任一项所述的垂直腔面发射激光器。