CN111490135A - 微型器件的制作方法和显示背板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种微型器件的制作方法和显示背板的制作方法，涉及微型发光二极管领域，微型器件的制作方法包括：S1：透明基板刻蚀形成具有多个阵列排布的高台和沟槽的衬底，高台和沟槽交错分布在衬底上；S2：在高台和沟槽上依次形成缓冲层、外延层和金属层，外延层和金属层在高台上构成第一LED，外延层和金属层在沟槽上构成第二LED；S3：激光分两次照射衬底背面，对位于高台和沟槽的衬底上的缓冲层分别进行剥离，剥离后分别用两个底部具有粘附层的暂态基板转移走高台和沟槽上带有缓冲层的LED；S4：刻蚀除去缓冲层，外延层和金属层形成微型器件；S5：解粘暂态基板上的粘附层，分离微型器件和暂态基板。
Description
技术领域
本发明属于微型发光二极管领域，具体涉及微型器件的制作方法和显示背板的制作方法。
技术背景
垂直型结构Micro LED的制作方法通常是在生长衬底上直接进行外延生长形成外延层，经过临时键合并完成激光剥离，使外延结构与生长衬底分离，然后进行分割形成单颗Micro LED，最终Micro LED经过转移到驱动电路上形成显示面板或照明器件。目前的问题是由于外延层本身的翘曲，导致激光剥离后因为应力的释放会产生外延层的断裂。因此由于激光剥离的方法难度较高且良率较低，目前急需解决外延应力释放导致的断裂问题。
现有技术中有使用干法刻蚀来形成Micro LED的分割，但是在实际刻蚀工艺中侧壁的粗糙度的控制等工艺难度大，会产生LED漏电的问题，且有的外延层直接生长在牺牲层上方，因为晶格匹配等原因，牺牲层上面的外延无法正常使用，只能随着牺牲层一起剥除，被剥除的外延造成了一定的浪费，会很大程度降低外延层的利用率。
发明内容
本发明提供一种微型器件的制作方法和显示背板的制作方法，本发明通过预先设置图形化的衬底控制外延生长的图形化，使外延直接形成分离的结构，在激光剥离外延的过程中减小或避免了外延应力的集中。
本发明的技术方案如下：
本发明公开了一种微型器件的制作方法，包括以下步骤：
S1：透明基板刻蚀形成具有多个阵列排布的高台和沟槽的衬底，高台和沟槽交错分布在衬底上；
S2：在高台和沟槽上依次形成缓冲层、外延层和金属层，外延层和金属层在高台上构成第一LED，外延层和金属层在沟槽上构成第二LED；
S3：激光分两次照射衬底背面，对位于高台和沟槽的衬底上的缓冲层分别进行剥离，剥离后分别用两个底部具有粘附层的暂态基板转移走高台和沟槽上带有缓冲层的LED；
S4：刻蚀除去缓冲层，外延层和金属层形成微型器件；
S5：解粘暂态基板上的粘附层，分离微型器件和暂态基板。
优选地，所述沟槽的深度大于缓冲层、外延层及金属层的叠加厚度。
优选地，所述高台和沟槽横截面相同。
优选地，所述暂态基板上的粘附层的厚度大于沟槽和第二LED的高度差。
优选地，所述步骤S2包括以下步骤：
S21：衬底上形成缓冲层，包括位于高台上的第一缓冲层和位于沟槽上的第二缓冲层；
S22：采用分子束外延法在缓冲层上形成外延层，包括位于第一缓冲层上的第一外延层和位于第二缓冲层上的第二外延层；
S23：外延层上形成金属层，包括位于第一外延层上的第一金属层和位于第二外延层上的第二金属层，所述第一外延层和第一金属层组成第一LED，所述第二外延层和第二金属层组成第二LED。
优选地，所述步骤S3包括以下步骤：
S31：衬底背面形成图案与沟槽相重叠的阻挡层；
S32：激光第一次照射衬底背面，高台上的第一缓冲层和衬底剥离，底部具有粘附层的第一暂态基板转移走第一LED及第一缓冲层；
S33：刻蚀掉衬底背面的阻挡层，激光第二次照射衬底背面，沟槽上的第二缓冲层和衬底剥离；底部具有粘附层的第二暂态基板转移走第二LED及第二缓冲层。
优选地，采用加热或UV照射的方式进行步骤S5所述的解粘暂态基板上的粘附层。
本发明还公开了一种显示背板的制造方法，使用上述的微型器件的制作方法制造微型器件，转移头分别转移解粘后的第一LED和第二LED至显示背板进行键合和封装。
本发明能够带来以下至少一项有益效果：
预先设置图形化的衬底可控制外延生长的图形化，形成直接分离的外延结构，减小或避免了外延应力的集中，充分利用外延片，即节约了生产成本，也方便了微型器件的转移。
附图说明
下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对本发明予以进一步说明。
图1是本发明微型器件的制作方法步骤S1的示意图；
图2是本发明微型器件的制作方法步骤S2的示意图；
图3是本发明微型器件的制作方法步骤S31的示意图；
图4是本发明暂态基板的示意图；
图5是本发明微型器件的制作方法步骤S4的示意图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本发明的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本发明相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。
下面以具体实施例详细介绍本发明的技术方案。
本发明提供一种微型器件的制作方法，包括以下步骤：
S1：如图1所示，在透明基板01上刻蚀多个阵列排布的高台200和沟槽300，透明基板01刻蚀后其具有衬底100，高台200和沟槽300交错分布在衬底100上。所述沟槽300是透明基板刻蚀后形成的，高台200和沟槽300都用于后续在上面生长外延层以制作可使用的微型器件。
其中，可以先在透明基板01上涂布一层光阻(图未示)，通过曝光、显影、干刻对透明基板01进行图案化刻蚀，形成具有多个阵列排布的沟槽300，然后剥离光阻，未被刻蚀的区域形成多个阵列排布的高台200，所述沟槽和高台交错分布在衬底100上。在具体实施例中，所用的光阻可以有机的光阻材料，也可以是SiO2、SiNx等无机材料，只要能在刻蚀过程中阻挡等离子体对透明基板的刻蚀即可。
优选地，所述沟槽300的深度要大于后续制作的缓冲层410、外延层420及金属层430的叠加厚度。所述透明基板01可以是透明的蓝宝石，为了使得后续步骤中可以在沟槽内形成完整的微型器件，透明基板01上刻蚀的沟槽300深度需大于6μm(6μm为微型器件的常规高度)。
此外，考虑到在高台200和沟槽300内生长的微型器件可以使用到同一个显示背板上，优选地，所述高台200和沟槽300横截面需相同。
S2：如图2所示，在衬底100的高台200和沟槽300上依次形成缓冲层410、外延层420和金属层430，在高台200上形成的第一外延层421和第一金属层431构成第一LED 401，在沟槽300上形成的第二外延层422和第二金属层432构成第二LED 402。
其中，所述步骤S2具体包括以下步骤：
S21：衬底100上形成缓冲层410，包括位于高台200上的第一缓冲层411和位于沟槽300上的第二缓冲层412；因为高台200和沟槽300是错开分布的，所以在此基础上形成的缓冲层410、外延层420及金属层430都是断开的。
S22：采用分子束外延法在缓冲层410上形成外延层420，包括位于第一缓冲层411上的第一外延层421和位于第二缓冲层412上的第二外延层422。
所述外延层420是由分子束外延法形成的，形成的外延层420由下至上依次包括P型半导体021、多层量子阱022以及N型半导体023。
外延层420的生长有多种方式，如气相外延、液相外延、固相外延及分子束外延等方式，其中分子束(分子束是在高真空中定向运动的分子流)外延的特点是生长温度低，可随意改变外延层组分和掺杂，生长系统配有多种监控设备，也可在原子尺度范围内精确控制外延层的厚度和平整度。本实施例利用分子束外延可通过监控系统来控制膜层的生长速率和形态分布的特点，除了可以在高台200上形成外延层420，也可以在沟槽300上形成可正常使用的外延层420。
S23：外延层420上形成金属层430，包括位于第一外延层421上的第一金属层431和位于第二外延层422上的第二金属层432，所述第一外延层421和第一金属层431组成第一LED 401，所述第二外延层422和第二金属层432组成第二LED 402。
S3：激光分两次照射衬底100背面，对位于高台200和沟槽300上的缓冲层410分别进行剥离，剥离后分别用两个底部具有粘附层510的暂态基板500转移走高台200和沟槽300上带有缓冲层410的LED。
为了充分利用在沟槽300上形成的外延层420，需要对位于高台200和沟槽300上的缓冲层410分开剥离，通过对外延层420下的缓冲层410进行局部激光照射，使其与衬底100分离，避免由于衬底100图案化造成的激光折射及散射现象对外延层420造成损伤。
其中，所述步骤S3包括以下步骤：
S31：如图3所示，衬底100背面形成图案与沟槽300相重叠的阻挡层600，所述阻挡层600用于遮挡沟槽300内的第二缓冲层412和第二外延层422，避免第二外延层422被激光照射造成损伤。
激光照射衬底100背面可以使得位于衬底100上方的缓冲层410和衬底100剥离，为了实现局部激光照射分开剥离高台200和沟槽300上的缓冲层410，可以利用在沟槽300的衬底背面制备阻挡层600，先进行高台200处第一缓冲层411的剥离，在剥离掉阻挡层600后，最后进行沟槽300处第二缓冲层412的剥离。
所述阻挡层600的制作材料可以是SiO2、SiNx等材料，通过涂布、曝光、显影的方式在衬底100背面形成图案化的阻挡层600。
需要说明的是，上述具体步骤所描述的阻挡层600的形成位置是设置在衬底100背面与沟槽300相重叠的地方，为的是先剥离高台200处的第一缓冲层411，在具体实际实施例中，也可以将阻挡层600的形成位置设置在衬底100背面与高台200相重叠的地方，这时先剥离的是沟槽300处的第二缓冲层412。
S32：激光第一次照射衬底100背面，高台200上的第一缓冲层411和衬底100剥离，底部具有粘附层510的第一暂态基板501转移走带有第一缓冲层411的第一LED 401。暂态基板500如图4所示。
第一缓冲层411和衬底100剥离后，第一暂态基板501通过粘附层510的粘附力吸取位于第一LED 401顶层的第一金属层431，连带转移走位于第一LED401底部的第一缓冲层411。
S33：刻蚀掉衬底100背面的阻挡层600，激光第二次照射衬底600背面，沟槽300上的第二缓冲层412和衬底100剥离；底部具有粘附层510的第二暂态基板502转移走带有第二缓冲层412的第二LED 402。
对于阻挡层600的刻蚀，可以采用等离子体刻蚀法。当转移走第一LED 401后，先刻蚀掉阻挡层600，然后用激光照射衬底100背面，完成沟槽300上第二缓冲层412和衬底100的剥离。
需要说明的是，为了使得暂态基板500能够吸取的上位于沟槽300内的第二LED402，所述暂态基板500上的粘附层510的厚度需要大于沟槽300和第二LED402的高度差。
S4：如图5所示，采用等离子体刻蚀法刻蚀除去位于第一LED 401和第二LED 402上的缓冲层410，剩下的第一LED401和第二LED 402都只包括外延层420和金属层430并形成微型器件400；
S5：解粘暂态基板500上的粘附层510，分离微型器件400和暂态基板500。
为了分离微型器件400和暂态基板500，需要对暂态基板500上的粘附层510进行解粘，针对不同材料的粘附层510，一般采用加热或UV照射的方式即可对粘附层510进行解粘。
此外，本发明还公开了一种显示背板的制造方法，在使用上述微型器件的制作方法制造微型器件的基础上，采用转移头分别转移解粘后的第一LED 401和第二LED 402至显示背板进行键合和封装，完成显示背板的制作。
本发明通过预先设置图形化的衬底控制外延生长的图形化，使外延直接形成分离的结构，在激光剥离外延的过程中减小或避免了外延应力的集中，能够充分利用外延片，即节约了生产成本，也方便了微型器件的转移。
应当说明的是，以上所述仅是本发明的优选实施方式，但是本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在本发明的技术构思范围内，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，对本发明的技术方案进行多种等同变换，这些改进、润饰和等同变换也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种微型器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：透明基板刻蚀形成具有多个阵列排布的高台和沟槽的衬底，高台和沟槽交错分布在衬底上；
S2：在高台和沟槽上依次形成缓冲层、外延层和金属层，外延层和金属层在高台上构成第一LED，外延层和金属层在沟槽上构成第二LED；
S3：激光分两次照射衬底背面，对位于高台和沟槽的衬底上的缓冲层分别进行剥离，剥离后分别用两个底部具有粘附层的暂态基板转移走高台和沟槽上带有缓冲层的LED；
S4：刻蚀除去缓冲层，外延层和金属层形成微型器件；
S5：解粘暂态基板上的粘附层，分离微型器件和暂态基板。
2.根据权利要求1所述的微型器件的制造方法，其特征在于，所述沟槽的深度大于缓冲层、外延层及金属层的叠加厚度。
3.根据权利要求1所述的微型器件的制造方法，其特征在于，所述高台和沟槽横截面相同。
4.根据权利要求1所述的微型器件的制造方法，其特征在于，所述暂态基板上的粘附层的厚度大于沟槽和第二LED的高度差。
5.根据权利要求1所述的微型器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S2包括以下步骤：
S21：衬底上形成缓冲层，包括位于高台上的第一缓冲层和位于沟槽上的第二缓冲层；
S22：采用分子束外延法在缓冲层上形成外延层，包括位于第一缓冲层上的第一外延层和位于第二缓冲层上的第二外延层；
S23：外延层上形成金属层，包括位于第一外延层上的第一金属层和位于第二外延层上的第二金属层，所述第一外延层和第一金属层组成第一LED，所述第二外延层和第二金属层组成第二LED。
6.根据权利要求1所述的微型器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S3包括以下步骤：
S31：衬底背面形成图案与沟槽相重叠的阻挡层；
S32：激光第一次照射衬底背面，高台上的第一缓冲层和衬底剥离，底部具有粘附层的第一暂态基板转移走第一LED及第一缓冲层；
S33：刻蚀掉衬底背面的阻挡层，激光第二次照射衬底背面，沟槽上的第二缓冲层和衬底剥离；底部具有粘附层的第二暂态基板转移走第二LED及第二缓冲层。
7.根据权利要求1所述的微型器件的制造方法，其特征在于，采用加热或UV照射的方式进行步骤S5所述的解粘暂态基板上的粘附层。
8.一种显示背板的制造方法，其特征在于，使用权利要求1-7所述的微型器件的制作方法制造微型器件，转移头分别转移解粘后的第一LED和第二LED至显示背板进行键合和封装。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111933633A (zh) * | 2020-09-16 | 2020-11-13 | 深圳市Tcl高新技术开发有限公司 | 发光元件的转移方法和显示器背板 |
| CN112271156A (zh) * | 2020-09-28 | 2021-01-26 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种静电转移头及其制造方法 |
| CN112397420A (zh) * | 2020-10-16 | 2021-02-23 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种易于转移的微型发光二极管的制造方法 |
| CN112466812A (zh) * | 2020-11-25 | 2021-03-09 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种微型器件及其转移方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150040656A (ko) * | 2013-10-07 | 2015-04-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 전사 방법 및 이에 의하여 전사된 반도체 소자 |
| CN105047537A (zh) * | 2015-07-22 | 2015-11-11 | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 | 一种不连续外延层的制备方法 |
| CN109802019A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-05-24 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 | 一种微型led的转移方法 |
| CN109817767A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-05-28 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 | 一种微型器件及其制作方法 |
-
2020
- 2020-04-17 CN CN202010302803.8A patent/CN111490135A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150040656A (ko) * | 2013-10-07 | 2015-04-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 전사 방법 및 이에 의하여 전사된 반도체 소자 |
| CN105047537A (zh) * | 2015-07-22 | 2015-11-11 | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 | 一种不连续外延层的制备方法 |
| CN109817767A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-05-28 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 | 一种微型器件及其制作方法 |
| CN109802019A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-05-24 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 | 一种微型led的转移方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111933633A (zh) * | 2020-09-16 | 2020-11-13 | 深圳市Tcl高新技术开发有限公司 | 发光元件的转移方法和显示器背板 |
| CN112271156A (zh) * | 2020-09-28 | 2021-01-26 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种静电转移头及其制造方法 |
| CN112271156B (zh) * | 2020-09-28 | 2022-09-13 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种静电转移头及其制造方法 |
| CN112397420A (zh) * | 2020-10-16 | 2021-02-23 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种易于转移的微型发光二极管的制造方法 |
| CN112466812A (zh) * | 2020-11-25 | 2021-03-09 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种微型器件及其转移方法 |
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