CN111490034A - 一种高隔离度的多芯片模块 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高隔离度的多芯片模块，包括多个芯片，所述芯片之间通过多个接地的键合线隔离，所述相邻键合线的间隙大于设定的阈值，形成隔离的键合线覆盖芯片。在多芯片模块中的芯片中采用多根接地键合线进行隔离，并且具有高隔离度，为多芯片模块的隔离提供了简单实用的方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种多芯片模块，具体地涉及一种高隔离度的多芯片模块。
背景技术
传统的模块电路中往往会使用金属隔离墙，将电路隔离成不同的空腔。例如，在微波电路中，常需要在收发组件尤其是高性能收发组件的收发之间做好隔离，一种方法是接收和发射采用微波模块，特点是体积大、成本高，另一种方法是在一个盒体中通过挡墙及盖板（平板）形成不同腔体之间的隔离，防止不同腔体之间相互干扰，使电路稳定性更强。
例如，专利CN106099293 A“一种高隔离度微波组件”，公开日期2016年11月09日，介绍了一种高隔离度微波组件，包括印制板，其具有供微波信号传输的微波印制板；盒体，其封装在所属印制板的外侧；其中，所述微波印制板设有若干个独立的腔体，每个所属腔体内设有供微波信号传输的通道，两个所属通道件设有隔离信号的挡墙，所属挡墙与所述盒体内侧贴合。该种挡墙往往采用金属材料制成，体积较大。
但是，多芯片模块（MCM）是将多个集成电路裸芯片电连接于同一块多层互连基板上，然后进行封装，从而形成高密度和高可靠性的微电子组件。在多芯片模块内部，由于体积非常狭小，传统的模块电路的金属隔离墙已经无法实现。本发明因此而来。
发明内容
针对上述存在的技术问题，本发明目的在于提供一种高隔离度的多芯片模块，在多芯片模块中的芯片中采用多根接地键合线进行隔离，并且具有高隔离度，为多芯片模块的隔离提供了简单实用的方法。
为了解决现有技术中的这些问题，本发明提供的技术方案是：
一种高隔离度的多芯片模块，包括多个芯片，所述芯片之间通过多个接地的键合线隔离，所述相邻键合线的间隙小于设定的阈值，形成隔离的键合线覆盖芯片。
优选的技术方案中，电源线与射频通路之间通过多个接地的键合线隔离。
优选的技术方案中，所述相邻键合线的间隙小于八分之一波长，形成隔离的键合线的高度大于八分之一波长。
相对于现有技术中的方案，本发明的优点是：
在多芯片模块中的芯片中采用多根接地键合线进行隔离，并且具有高隔离度，为多芯片模块的隔离提供了简单实用的方法。
采用键合线的隔离具有设计简单，灵活，易分布等特点。
附图说明
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述：
图1为本发明高隔离度的多芯片模块的原理图；
图2为本发明实施例一的高隔离度的多芯片模块；
图3为本发明实施例二的高隔离度的多芯片模块；
图4为本发明实施例三的高隔离度的多芯片模块；
图5为本发明实施例四的高隔离度的多芯片模块。
具体实施方式
以下结合具体实施例对上述方案做进一步说明。应理解，这些实施例是用于说明本发明而不限于限制本发明的范围。实施例中采用的实施条件可以根据具体厂家的条件做进一步调整，未注明的实施条件通常为常规实验中的条件。
实施例1：
如图1所示，一种高隔离度的多芯片模块，包括多个芯片，图1中的多个芯片可以为与输入端连接的第一输入匹配电路IM1、驱动级的放大器D和第一输出匹配电路OM1和末及的第二输入匹配电路IM2、放大器F和第二输出匹配电路OM2，第二输出匹配电路连接输出端，其中，第一输入匹配电路IM1和驱动级的放大器D之间需要进行隔离，第一输出匹配电路OM1和第二输入匹配电路IM2之间需要进行隔离。
第一输入匹配电路IM1和驱动级的放大器D之间的隔离，及第一输出匹配电路OM1和第二输入匹配电路IM2之间的隔离，通过多个接地的键合线形成的隔离结构（10，20）进行隔离，该隔离结构如图2-5所示。
键合线（11，12）之间可以相连，如图2所示；键合线（11，12）之间也可以重叠，如图3所示；键合线（11，12）之间也可以是包含关系，如图4所示；例如最外围为宽度最大的键合线，然后依次向内的宽度逐渐减少，形成一定的密度，具体的密度视电路设计要求而定；键合线（11，12）之间还可以具有一定的间隙，如图5所示；该隔离结构的相邻键合线的间隙小于八分之一波长，形成隔离的键合线覆盖芯片，以便进行有效的隔离。
当然为了进一步提高隔离度，形成隔离的键合线的高度需要大于八分之一波长，该隔离结构与传统的隔离结构的隔离效果相当，还具有隔离前后级的作用，削弱前后级的耦合，使电路稳定性更强，优化级联增益。
该种隔离结构还可以加在电源线与射频通路之间，优化射频与电源之间的隔离。
采用键合线进行隔离还具有设计简单，灵活，易分布等特点。
本发明适合于空腔封装类器件。也可应用于其他填充类封装器件。
应当理解的是，本发明的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本发明的原理，而不构成对本发明的限制。因此，在不偏离本发明的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。此外，本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。
Claims (3)
1.一种高隔离度的多芯片模块，包括多个芯片，其特征在于，所述芯片之间通过多个接地的键合线隔离，所述相邻键合线的间隙小于设定的阈值，形成隔离的键合线覆盖芯片。
2.根据权利要求1所述的高隔离度的多芯片模块，其特征在于，电源线与射频通路之间通过多个接地的键合线隔离。
3.根据权利要求1所述的高隔离度的多芯片模块，其特征在于，所述相邻键合线的间隙小于八分之一波长，形成隔离的键合线的高度大于八分之一波长。
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| CN201910071651.2A CN111490034A (zh) | 2019-01-25 | 2019-01-25 | 一种高隔离度的多芯片模块 |
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