CN111474784A - 像素结构及液晶显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种像素结构及液晶显示面板，本申请中像素结构包括至少两条扫描线和至少两条数据线，扫描线和数据线交错设置围合成像素区，像素区包括：像素电极，通过TFT器件连接扫描线和数据线；遮光矩阵，设置于相邻像素区之间；以及公共电极线，至少沿像素电极外侧设置形成框型电极；其中，公共电极线靠近遮光矩阵的一侧设置为凹部，且在像素结构的厚度方向上，凹部的内拐角被遮光矩阵覆盖，公共电极线露出部分设置到黑色矩阵边缘距离相同，不影响像素的开口率；公共电极线内拐角全部在黑色矩阵的遮挡下，而外拐角外露，相同公共电极线倾斜角下，可降低像素结构暗态漏光情况，提升液晶显示面板的显示品质。

Description

像素结构及液晶显示面板
技术领域
本发明涉及显示面板制造技术领域，尤其涉及一种像素结构及液晶显示面板。
背景技术
随着高品质液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)对屏幕对比度的需求越来高，对于液晶显示器对比度的高低很大程度是决定于暗态的亮度，降低暗态漏光可极大提升产品对比度。
通常将阵列基板与彩膜基板配合设置，阵列基板具有金属走线，这些金属走线由于制程及其排列结构原因会产生漏光现象，对于入射的水平偏振光，尤其非水平/垂直方向的金属走线拐角或金属边缘会对其偏振产生影响，发生一种类似衍射的现象，同时偏振方向发生部分改变，导致暗画面下漏光发生。如图1所示，现有技术中一种阵列基板包括数据线1011、数据线1012、公共电极线1021、公共电极线1022和黑色矩阵103，黑色矩阵103未完全覆盖公共电极线1021和公共电极线1022，裸露在的黑色矩阵103外面的部分漏光严重，影响液晶显示面板的显示品质。
因此，需要设计出一种新的结构，以解决现有技术中液晶显示面板中金属走线在拐角处部分透射光其偏振方向发生了一定的偏转，产生漏光的技术问题。
发明内容
本发明提供一种像素结构及液晶显示面板，能够解决现有技术中液晶显示面板中金属走线在拐角处部分透射光其偏振方向发生了一定的偏转，产生漏光的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种像素结构，包括：至少两条扫描线和至少两条数据线，所述扫描线和所述数据线交错设置围合成像素区，所述像素区包括：像素电极，通过TFT器件连接所述扫描线和所述数据线；遮光矩阵，设置于相邻所述像素区之间；以及公共电极线，至少沿所述像素电极外侧设置形成框型电极；其中，所述公共电极线靠近所述遮光矩阵的一侧设置为凹部，且在所述像素结构的厚度方向上，所述凹部的内拐角被所述遮光矩阵覆盖。
根据本发明一优选实施例，所述凹部的外拐角在所述遮光矩阵的覆盖区之外。
根据本发明一优选实施例，所述凹部的外拐角中任一平行于所述遮光矩阵的边，在所述遮光矩阵的覆盖区之外，其余部分位于所述遮光矩阵的覆盖区内。
根据本发明一优选实施例，所述内拐角为90°至180°范围内，所述外拐角为0°至90°范围内。
根据本发明一优选实施例，所述凹部为矩形、波浪形或锯齿形截面，所述凹部垂直高度为3至20um范围内。
根据本发明一优选实施例，所述像素区包括主像素部和子像素部，其中，所述主像素部具有第一薄膜晶体管和第一像素电极；所述第一薄膜晶体管具有第一栅极、第一源极、第一漏极，所述第一栅极与所述扫描线连接，所述第一源极与所述数据线连接，所述第一漏极与所述第一像素电极连接；所述子像素部具有第二薄膜晶体管和第二像素电极，所述第二薄膜晶体管具有第二栅极、第二源极、第二漏极，所述第二栅极与所述扫描线连接，所述第二源极与所述数据线连接，所述第二漏极与所述第二像素电极连接。
根据本发明一优选实施例，所述子像素部还包括分享薄膜晶体管，所述分享薄膜晶体管具有第三栅极、第三源极、第三漏极，所述第三栅极与所述扫描线连接，所述第三源极与所述第二漏极连接，所述第三漏极与所述像素结构中分享电极线连接；所述分享薄膜晶体管用于对所述子像素部的亮度进行调整，以使所述主像素部的亮度与所述子像素的亮度相同。
根据本发明一优选实施例，所述分享电极线位于所述公共电极线上方，所述公共电极线和所述分享电极线的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
依据上述像素结构，本申请还提供一种液晶显示面板，该液晶显示面板包括上述像素结构。
本发明的有益效果：本申请提供了一种像素结构及液晶显示面板，本申请中像素结构包括至少两条扫描线和至少两条数据线，扫描线和数据线交错设置围合成像素区，像素区包括：像素电极，通过TFT器件连接扫描线和数据线；遮光矩阵，设置于相邻像素区之间；以及公共电极线，至少沿像素电极外侧设置形成框型电极；其中，公共电极线靠近遮光矩阵的一侧设置为凹部，且在像素结构的厚度方向上，凹部的内拐角被遮光矩阵覆盖，这样在不改变公共电极线线宽的前提下，公共电极线露出部分设置到黑色矩阵边缘距离相同，不影响像素的开口率；公共电极线内拐角全部在黑色矩阵的遮挡下，而外拐角外露，相同公共电极线倾斜角下，可降低像素结构暗态漏光情况，提升液晶显示面板的显示品质。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中一种公共电极线结构示意图；
图2为本申请提供一种像素结构示意图；
图3为本申请提供另一种像素结构示意图；
图4为本申请提供一种像素驱动电路示意图；
图5为本申请提供一种液晶显示面板膜层结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示，图中虚线表示在结构中并不存在的，仅仅说明结构的形状和位置。
本发明针对现有技术中液晶显示面板中金属走线在拐角处部分透射光其偏振方向发生了一定的偏转，产生漏光的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
如图2所示，本申请提供一种像素结构，包括至少两条扫描线和至少两条数据线，例如数据线201包括数据线2011和数据线2012，扫描线和数据线交错设置围合成像素区，像素区包括：像素电极，通过TFT器件连接扫描线和数据线；遮光矩阵203，设置于相邻像素区之间；以及公共电极线202，至少沿像素电极外侧设置形成框型电极；其中，公共电极线202靠近遮光矩阵203的一侧设置为凹部，且在像素结构的厚度方向上，凹部的内拐角被遮光矩阵203覆盖。
由于公共电极线的制程及其排列结构原因会产生漏光现象，对于入射的水平偏振光，尤其非水平/垂直方向的公共电极线拐角或公共电极线边缘会对其偏振产生影响，发生一种类似衍射的现象，同时偏振方向发生部分改变，导致像素结构暗态画面下漏光，本申请将公共电极线沿像素电极外侧设置形成框型电极；其中，公共电极线靠近遮光矩阵的一侧设置为凹部，且在像素结构的厚度方向上，凹部的内拐角被遮光矩阵覆盖203，另外凹部与像素电极之间形成水平电场，该水平电场会影响公共电极线附近的液晶偏转到预设位置，避免像素结构暗态画面下漏光。本实施例中公共电极线202包括位于扫描线两侧第一公共电极线2021和第二公共电极线2024，第一公共电极线2021和第二公共电极线2024均远离遮光矩阵203的一侧设置有凹部，凹部形成有矩形、波浪形或锯齿形截面，凹部垂直高度为3至20um范围内，凹部的内拐角被遮光矩阵203覆盖。凹部的外拐角在遮光矩阵203的覆盖区之外，凹部的外拐角中任一平行于遮光矩阵203的边，在遮光矩阵203的覆盖区之外，其余部分位于遮光矩阵203的覆盖区内，外拐角为0°到90°范围内，内拐角为90°到180°范围内。例如第一公共电极线2021边缘的凹部和第二公共电极线2024的凹部关于遮光矩阵203的中心线对称，内拐角2023和内拐角2026为90°到180°范围内，外拐角2022和外拐角2025为0°到90°范围内。本实施例中像素电极与公共电极线203膜层之间还设置有色阻层。
如图3所示，遮光矩阵203完全覆盖第一公共电极线2021和第二公共电极线2024的凹部，其余结构跟图2类似，此处不再赘述。
如图4所示，本申请还提供一种像素驱动电路，本实施例中像素驱动电路包括存储电容、液晶电容、扫描线、数据线，第一公共电极线、第二公共电极线、公共电极、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及分享薄膜晶体管，本实施例中第一薄膜晶体管对应图4中mainTFT，第二薄膜晶体管对应图4中sub TFT，分享薄膜晶体管对应图4中share TFT；扫描线和数据线交错设置围合成像素区，像素区包括主像素部和子像素部，主像素部和子像素部分别设置有第一像素电极和第二像素电极，主像素部具有第一薄膜晶体管和第一像素电极，第一薄膜晶体管具有第一栅极、第一源极、第一漏极，第一栅极与扫描线连接，第一源极与数据线连接，第一漏极与第一像素电极电信连接，第一像素电极与存储电容和液晶电容电性连接，存储电容另一端与第一公共电极线A-com连接，液晶电容另一端与公共电极C-com相连。子像素部具有第二薄膜晶体管和第二像素电极，第二薄膜晶体管具有第二栅极、第二源极、第二漏极，第二栅极与扫描线连接，第二源极与数据线连接，第二漏极与第二像素电极电信连接，该第二像素电极与存储电容和液晶电容电性连接，且存储电容另一端与第二公共电极线A-com连接，液晶电容另一端与公共电极C-com相连，本实施例中子像素部还包括分享薄膜晶体管，分享薄膜晶体管具有第三栅极、第三源极、第三漏极，第三栅极与扫描线连接，第三源极与第二漏极连接，第三漏极与分享电极线share-bar连接，分享电极线位于公共电极线上方，公共电极线和分享电极线的材料为氧化铟锡或氧化铟锌；分享薄膜晶体管用于对子像素部的亮度进行调整，以使主像素部的亮度与子像素的亮度相同，提高像素结构的显示品质。
依据上述像素结构，本申请还提供一种液晶显示面板300，液晶显示面板300包括上述的像素结构。具体地，如图5所示，液晶显示面板300包括阵列基板、与该阵列基板相对设置的彩膜基板、以及位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层307，阵列基板包括第一基板301、设于第一基板301表面的第一金属层302、设于第一金属层302表面的绝缘层303、设于绝缘层303表面的第二金属层304、设于第二金属层304表面的色阻层305、设于色阻层305表面的像素电极306。第一金属层302包括扫描线3022、设于扫描线3022两侧第一公共电极线3021和第二公共电极线3023，第二金属层304包括共享电极线3041，色阻层305包括多个红色色阻、蓝色色阻以及绿色色阻，黑色矩阵3051间隔设置在该多个红色色阻、蓝色色阻以及绿色色阻之间。液晶层307包括胶框、液晶、以及隔垫物，胶框让液晶两侧玻璃能够紧密黏住；液晶一般为椭圆状，顺着长轴方向串接，每一列的液晶为一个液晶畴，任意相邻的两个液晶畴彼此独立，且任意相邻的两个液晶畴之间的边界为连续地变化的区域，液晶的偏转角度由位于液晶层两侧的公共电极层和像素电极层之间的电场大小决定的。液晶层表面设置有彩膜基板，彩膜基板包括第二衬底3092、制备于第二衬底3092表面的遮光矩阵3091、制备于遮光矩阵3091表面的公共电极308。公共电极层308通常为氧化铟锡的透明导电薄膜，厚度一般为20nm到40nm，本实施例中公共电极层308和像素电极306均采用溅射方法沉积所得，所用的材料均为氧化铟锡或氧化铟锌。
本申请中第一公共电极线3021和第二公共电极线3023分别与像素电极306产生水平电场，该水平电场以使第一公共电极线3021和第二公共电极线3023周围的液晶的偏转到预设角度以此降低液晶显示面板300暗态漏光，提升液晶显示面板的显示品质。
本申请提供了一种像素结构及液晶显示面板，本申请像素结构包括：至少两条扫描线和至少两条数据线，扫描线和数据线交错设置围合成像素区，像素区包括：像素电极，通过TFT器件连接扫描线和数据线；遮光矩阵，设置于相邻像素区之间；以及公共电极线，至少沿像素电极外侧设置形成框型电极；其中，公共电极线靠近遮光矩阵的一侧设置为凹部，且在像素结构的厚度方向上，凹部的内拐角被遮光矩阵覆盖，这样在不改变公共电极线线宽的前提下，公共电极线露出部分设置到黑色矩阵边缘距离相同，不影响像素的开口率；公共电极线内拐角全部在黑色矩阵的遮挡下，而外拐角外露，相同公共电极线倾斜角下，可降低像素结构暗态漏光情况，提升液晶显示面板的显示品质。
综上，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种像素结构，其特征在于，包括：
至少两条扫描线和至少两条数据线，所述扫描线和所述数据线交错设置围合成像素区，所述像素区包括：
像素电极，通过TFT器件连接所述扫描线和所述数据线；
遮光矩阵，设置于相邻所述像素区之间；以及，
公共电极线，至少沿所述像素电极外侧设置形成框型电极；其中，所述公共电极线靠近所述遮光矩阵的一侧设置为凹部，且在所述像素结构的厚度方向上，所述凹部的内拐角被所述遮光矩阵覆盖。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述凹部的外拐角在所述遮光矩阵的覆盖区之外。
3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述凹部的外拐角中任一平行于所述遮光矩阵的边，在所述遮光矩阵的覆盖区之外，其余部分位于所述遮光矩阵的覆盖区内。
4.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述内拐角为90°至180°范围内，所述外拐角为0°至90°范围内。
5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述凹部为矩形、波浪形或锯齿形截面，所述凹部垂直高度为3至20um范围内。
6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极与所述公共电极线膜层之间还设置有色阻层。
7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素区包括主像素部和子像素部，其中，所述主像素部具有第一薄膜晶体管和第一像素电极；所述第一薄膜晶体管具有第一栅极、第一源极、第一漏极，所述第一栅极与所述扫描线连接，所述第一源极与所述数据线连接，所述第一漏极与所述第一像素电极连接；所述子像素部具有第二薄膜晶体管和第二像素电极，所述第二薄膜晶体管具有第二栅极、第二源极、第二漏极，所述第二栅极与所述扫描线连接，所述第二源极与所述数据线连接，所述第二漏极与所述第二像素电极连接。
8.根据权利要求7所述的像素结构，其特征在于，所述子像素部还包括分享薄膜晶体管，所述分享薄膜晶体管具有第三栅极、第三源极、第三漏极，所述第三栅极与所述扫描线连接，所述第三源极与所述第二漏极连接，所述第三漏极与所述像素结构中分享电极线连接；所述分享薄膜晶体管用于对所述子像素部的亮度进行调整，以使所述主像素部的亮度与所述子像素部的亮度相同。
9.根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于，所述分享电极线位于所述公共电极线上方，所述公共电极线和所述分享电极线的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
10.一种液晶显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9任一所述像素结构。
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