CN111465884B - 晶圆 - Google Patents

Abstract

本发明的晶圆具备：基板层；第1镜层，其具有二维配置的多个第1镜部；及第2镜层，其具有二维配置的多个第2镜部。在有效区域中，通过在第1镜部与第2镜部之间形成空隙，而构成多个法布里‑帕罗干涉滤光器部。在沿基板层的外缘且包围有效区域的虚设区域中，通过在第1镜部与第2镜部之间设置中间层，而构成多个虚设滤光器部。在多个法布里‑帕罗干涉滤光器部及多个虚设滤光器部的各个中，至少第2镜部被第1槽包围。

Description

晶圆

技术领域

本公开涉及一种用以获得法布里-帕罗干涉滤光器的晶圆。

背景技术

作为现有的法布里-帕罗干涉滤光器，已知有具备基板，及在基板上经由空隙互相相对的固定镜及可动镜者(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

[专利文献1]日本特表2013-506154号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

由于如上述的法布里-帕罗干涉滤光器为微细的构造体，故在制造法布里-帕罗干涉滤光器时，提高制造效率及良率的两者较困难。

因此，本公开的目的在于提供一种可效率良好且良率良好地获得多个法布里-帕罗干涉滤光器的晶圆。

[解决问题的技术手段]

本公开的一方面的晶圆具备：基板层，其具有互相相对的第1表面及第2表面；第1镜层，其具有于第1表面二维配置的多个第1镜部；及第2镜层，其具有于第1镜层上二维配置的多个第2镜部，且于有效区域中，通过于互相相对的第1镜部与第2镜部之间形成空隙，而构成互相相对的第1镜部与第2镜部间的距离通过静电力而变化的多个法布里-帕罗干涉滤光器，在沿基板层的外缘且包围有效区域的虚设区域中，通过于互相相对的第1镜部与第2镜部之间设置中间层，而构成多个虚设滤光器部，多个法布里-帕罗干涉滤光器部及多个虚设滤光器部的各个中，至少第2镜部由在基板层的相反侧开口的第1槽包围。

该晶圆中，成为多个法布里-帕罗干涉滤光器的多个法布里-帕罗干涉滤光器部设置于有效区域。另一方面，在沿基板层的外缘且包围有效区域的虚设区域，设有多个虚设滤光器部，在各虚设滤光器部中，在互相相对的第1镜部与第2镜部之间设有中间层。由此，充分确保晶圆整体的强度。因此，例如自晶圆切出多个法布里-帕罗干涉滤光器时的晶圆的处理变容易。假设在各虚设滤光器部，在互相相对的第1镜部与第2镜部间形成有空隙，则例如通过固持具固持晶圆的虚设区域时，有第2镜部破损，第2镜部的破片附着于法布里-帕罗干涉滤光器部，法布里-帕罗干涉滤光器部的外观、特性等劣化的担忧。该晶圆中，由于在各虚设滤光器部，在互相相对的第1镜部与第2镜部之间设有中间层，故抑制此种情况的发生。另外，各法布里-帕罗干涉滤光器部的至少第2镜部被第1槽包围。由此，自晶圆切出多个法布里-帕罗干涉滤光器时的良率提高。再者，各虚设滤光器部的至少第2镜部被第1槽包围。由此，虚设区域中的应力减弱，抑制晶圆的翘曲。由上，该晶圆可效率良好且良率良好地获得多个法布里-帕罗干涉滤光器。

本公开的一方面的晶圆中，第1槽在有效区域及虚设区域中相连，且自第1镜部与第2镜部互相相对的方向观察的情形时，也可到达基板层的外缘。由此，可进而提高自晶圆切出多个法布里-帕罗干涉滤光器时的良率，且可更确实抑制晶圆的翘曲。

本公开的一方面的晶圆进而具备设置于第2表面的应力调整层，在应力调整层，形成有在基板层的相反侧开口的第2槽，第2槽也可以对应于第1槽的方式形成。由此，可进而提高自晶圆切出多个法布里-帕罗干涉滤光器时的良率，且可更确实抑制晶圆的翘曲。

本公开的一方面的晶圆中，多个法布里-帕罗干涉滤光器部及多个虚设滤光器部也可配置成自第1镜部与第2镜部互相相对的方向观察时相对于通过基板层的中心且互相正交的第1直线及第2直线的各个对称。由此，可更确实抑制晶圆整体的翘曲。

也可为，在本公开的一方面的晶圆中，在基板层的内部，以对应于第1槽的方式形成改质区域。由此，使龟裂自改质区域向基板层的厚度方向伸展，可容易且精度良好地自晶圆切出多个法布里-帕罗干涉滤光器。

也可为，本公开的一方面的晶圆进而具备贴附于基板层的第2表面侧的扩张带。由此，即使为在基板层的内部形成有改质区域的状态，也可容易处理晶圆。

也可为，本公开的一方面的晶圆中，在虚设区域的一部分，通过至少将第2镜部的一部分除去，而构成镜除去部。由此，例如在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部的部分，在互相相对的第1镜部与第2镜部之间，通过蚀刻形成空隙，故在于第2镜部形成多个贯通孔的情形时，可通过在对应于镜除去部的部分，监视第2镜部的除去状态，从而能够在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部的部分，在第2镜部确实形成多个贯通孔。由此，晶圆成为具备在互相相对的第1镜部与第2镜部间切实地形成有空隙的多个法布里-帕罗干涉滤光器部的晶圆。

也可为，在本公开的一方面的晶圆中，在镜除去部，至少第1镜部被第1槽包围。由此，由于在镜除去部中应力也减弱，故抑制晶圆的翘曲。

本公开的一方面的晶圆中，镜除去部以在虚设区域中沿基板层的外缘的方式设有多个，第1槽在有效区域及虚设区域中相连，且自第1虚设部与第2虚设部互相相对的方向观察的情形时，也可到达基板层的外缘。由此，在多个法布里-帕罗干涉滤光器部的外侧配置多个虚设滤光器部，在多个虚设滤光器部的外侧配置多个镜除去部，进而第1槽也连接且到达基板层的外缘，故改善晶圆整体的应力平衡，更确实抑制晶圆的翘曲。

[发明的效果]

根据本公开，可提供一种可效率良好且良率良好地获得多个法布里-帕罗干涉滤光器的晶圆。

附图说明

图1为自一实施方式的晶圆切出的法布里-帕罗干涉滤光器的俯视图。

图2为图1所示的法布里-帕罗干涉滤光器的仰视图。

图3为沿图1所示的Ⅲ-Ⅲ线的法布里-帕罗干涉滤光器的剖视图。

图4为自一实施方式的晶圆切出的虚设滤光器的剖视图。

图5为一实施方式的晶圆的俯视图。

图6为图5所示的晶圆的一部分的放大俯视图。

图7为图5所示的晶圆的法布里-帕罗干涉滤光器部及虚设滤光器部的剖视图。

图8为用以说明图5所示的晶圆的制造方法的剖视图。

图9为用以说明图5所示的晶圆的制造方法的剖视图。

图10为用以说明图5所示的晶圆的制造方法的剖视图。

图11为用以说明图5所示的晶圆的制造方法的剖视图。

图12为用以说明图5所示的晶圆的制造方法的剖视图。

图13为用以说明图5所示的晶圆的制造方法的剖视图。

图14为用以说明自图5所示的晶圆切出法布里-帕罗干涉滤光器的方法的剖视图。

图15为用以说明自图5所示的晶圆切出法布里-帕罗干涉滤光器的方法的剖视图。

图16为具备法布里-帕罗干涉滤光器的光检测装置的剖视图。

图17为变形例的晶圆的俯视图。

图18为用以说明图17所示的晶圆的制造方法的剖视图。

图19为用以说明图17所示的晶圆的制造方法的剖视图。

具体实施方式

以下，参照图式，针对本公开的实施方式进行详细说明。再者，对各图中相同或相当部分附注相同符号，省略重复说明。

[法布里-帕罗干涉滤光器及虚设滤光器的构成]

在说明一实施方式的晶圆的构成之前，针对自该晶圆切出的法布里-帕罗干涉滤光器及虚设滤光器的构成进行说明。

如图1、图2及图3所示，法布里-帕罗干涉滤光器1具备基板11。基板11具有互相相对的第1表面11a及第2表面11b。在第1表面11a，依序层叠有反射防止层21、第1层叠体22、中间层23及第2层叠体24。在第1层叠体22与第2层叠体24之间，通过框状的中间层23划分出空隙(气隙)S。

自垂直于第1表面11a的方向观察的情形(俯视)的各部的形状及位置关系为如下。基板11的外缘例如是1边的长度为数百μm～数mm左右的矩形状。基板11的外缘及第2层叠体24的外缘互相一致。反射防止层21的外缘、第1层叠体22的外缘及中间层23的外缘互相一致。基板11具有位于相对于空隙S的中心较中间层23的外缘更外侧的外缘部11c。外缘部11c例如为框状，自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时包围中间层23。空隙S例如为圆形状。

法布里-帕罗干涉滤光器1在划分于其中央部的光透过区域1a，使具有特定波长的光透过。光透过区域1a例如是圆柱状的区域。基板11例如由硅、石英或玻璃等构成。基板11由硅构成的情形时，反射防止层21及中间层23例如由氧化硅构成。中间层23的厚度例如为数十nm～数十μm。

第1层叠体22中对应于光透过区域1a的部分作为第1镜部31发挥功能。第1镜部31为固定镜。第1镜部31经由反射防止层21配置于第1表面11a。第1层叠体22通过多个多晶硅层25与多个氮化硅层26逐层交替层叠而构成。法布里-帕罗干涉滤光器1中，多晶硅层25a、氮化硅层26a、多晶硅层25b、氮化硅层26b及多晶硅层25c依序层叠于反射防止层21上。构成第1镜部31的多晶硅层25及氮化硅层26的各个的光学厚度优选为中心透过波长的1/4的整数倍。再者，第1镜部31也可不经由反射防止层21，直接配置于第1表面11a上。

第2层叠体24中对应于光透过区域1a的部分作为第2镜部32发挥功能。第2镜部32为可动镜。第2镜部32在相对于第1镜部31的基板11的相反侧，经由空隙S与第1镜部31相对。第1镜部31与第2镜部32互相相对的方向与垂直于第1表面11a的方向平行。第2层叠体24经由反射防止层21、第1层叠体22及中间层23而配置于第1表面11a。第2层叠体24通过多个多晶硅层27与多个氮化硅层28逐层交替层叠而构成。法布里-帕罗干涉滤光器1中，多晶硅层27a、氮化硅层28a、多晶硅层27b、氮化硅层28b及多晶硅层27c依序层叠于中间层23上。构成第2镜部32的多晶硅层27及氮化硅层28的各个的光学厚度优选为中心透过波长的1/4的整数倍。

再者，在第1层叠体22及第2层叠体24中，也可取代氮化硅层，使用氧化硅层。另外，作为构成第1层叠体22及第2层叠体24的各层的材料，也可使用氧化钛、氧化钽、氧化锆、氟化镁、氧化铝、氟化钙、硅、锗、硫化锌等。另外，此处，第1镜部31的空隙S侧的表面(多晶硅层25c的表面)与第2镜部32的空隙S侧的表面(多晶硅层27a的表面)经由空隙S直接相对。但，也可在第1镜部31的空隙S侧的表面及第2镜部32的空隙S侧的表面，形成(不构成镜的)电极层、保护层等。该情形时，第1镜部31及第2镜部32在使这些层介置于之间的状态下，经由空隙S互相相对。换言之，此种情形时，也可实现第1镜部31与第2镜部32经由空隙S的相对。

在第2层叠体24中对应于空隙S的部分(自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时与空隙S重叠的部分)，形成有多个贯通孔24b。各贯通孔24b自第2层叠体24的与中间层23为相反侧的表面24a到达空隙S。多个贯通孔24b以对第2镜部32的功能实质不带来影响的程度形成。多个贯通孔24b用于通过蚀刻除去中间层23的一部分以形成空隙S。

第2层叠体24除了第2镜部32以外，进而具备包覆部33及周缘部34。第2镜部32、包覆部33及周缘部34以具有互相相同的层叠构造的一部分且互相连续的方式，一体形成。包覆部33于自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时，包围第2镜部32。包覆部33包覆中间层23的与基板11为相反侧的表面23a、中间层23的侧面23b(外侧的侧面，即与空隙S侧为相反侧的侧面)、第1层叠体22的侧面22a及反射防止层21的侧面21a，到达第1表面11a。即，包覆部33包覆中间层23的外缘、第1层叠体22的外缘及反射防止层21的外缘。

周缘部34于自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时，包围包覆部33。周缘部34位于外缘部11c的第1表面11a上。周缘部34的外缘于自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时，与基板11的外缘一致。周缘部34沿外缘部11c的外缘薄化。即，周缘部34中沿外缘部11c的外缘的部分与周缘部34中除沿外缘的部分外的其他部分相比更薄。法布里-帕罗干涉滤光器1中，周缘部34通过将构成第2层叠体24的多晶硅层27及氮化硅层28的一部分除去而薄化。周缘部34具有与包覆部33连续的非薄化部34a，及包围非薄化部34a的薄化部34b。薄化部34b中，将直接设置于第1表面11a上的多晶硅层27a以外的多晶硅层27及氮化硅层28除去。

第1表面11a至非薄化部34a的与基板11为相反侧的表面34c的高度，低于第1表面11a至中间层23的表面23a的高度。第1表面11a至非薄化部34a的表面34c的高度例如为100nm～5000nm。第1表面11a至中间层23的表面23a的高度例如为500nm～20000nm。薄化部34b的宽度(自垂直于第1表面11a的方向观察的情形的非薄化部34a的外缘与外缘部11c的外缘间的距离)为基板11的厚度的0.01倍以上。薄化部34b的宽度例如为5μm～400μm。基板11的厚度例如为500μm～800μm。

在第1镜部31，以自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时包围光透过区域1a的方式，形成有第1电极12。第1电极12通过在多晶硅层25c掺杂杂质而低电阻化而形成。在第1镜部31，以自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时包含光透过区域1a的方式，形成有第2电极13。第2电极13是通过在多晶硅层25c掺杂杂质而低电阻化而形成。自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时，第2电极13的大小优选为包含光透过区域1a整体的大小，但也可与光透过区域1a的大小大致相同。

在第2镜部32，形成有第3电极14。第3电极14经由空隙S与第1电极12及第2电极13相对。第3电极14是通过在多晶硅层27a掺杂杂质而低电阻化而形成。

一对端子15以隔着光透过区域1a相对的方式设置。各端子15配置于第2层叠体24的表面24a至第1层叠体22的贯通孔内。各端子15经由配线12a与第1电极12电连接。各端子15例如通过铝或其合金等的金属膜而形成。

一对端子16以隔着光透过区域1a相对的方式设置。各端子16配置于第2层叠体24的表面24a至第1层叠体22的贯通孔内。各端子16经由配线13a与第2电极13电连接，且经由配线14a与第3电极14电连接。端子16例如通过铝或其合金等的金属膜而形成。一对端子15相对的方向与一对端子16相对的方向正交(参照图1)。

在第1层叠体22的表面22b，设有多个沟槽17、18。沟槽17以包围配线13a中与端子16的连接部分的方式呈环状延伸。沟槽17将第1电极12与配线13a电连接。沟槽18沿第1电极12的内缘呈环状延伸。沟槽18将第1电极12与第1电极12内侧的区域(第2电极13)电绝缘。各沟槽17、18内的区域可为绝缘材料，也可为空隙。

在第2层叠体24的表面24a，设有沟槽19。沟槽19以包围端子15的方式呈环状延伸。沟槽19将端子15与第3电极14电绝缘。沟槽19内的区域可为绝缘材料，也可为空隙。

在基板11的第2表面11b，依序层叠有反射防止层41、第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44。反射防止层41及中间层43各自具有与反射防止层21及中间层23相同的构成。第3层叠体42及第4层叠体44各自具有以基板11为基准而与第1层叠体22及第2层叠体24对称的层叠构造。反射防止层41、第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44具有抑制基板11翘曲的功能。

第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44沿外缘部11c的外缘薄化。即，第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44中沿外缘部11c的外缘的部分，与第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44中除沿外缘的部分外的其他部相比变薄。法布里-帕罗干涉滤光器1中，第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44在自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时与薄化部34b重叠的部分，将第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44的全部除去而被薄化。

在第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44，以自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时包含光透过区域1a的方式设有开口40a。开口40a具有与光透过区域1a的大小大致相同的直径。开口40a在光出射侧开口。开口40a的底面到达反射防止层41。

在第4层叠体44的光出射侧的表面，形成有遮光层45。遮光层45例如由铝等构成。在遮光层45的表面及开口40a的内表面，形成有保护层46。保护层46包覆第3层叠体42、中间层43、第4层叠体44及遮光层45的外缘，且包覆外缘部11c上的反射防止层41。保护层46例如由氧化铝构成。再者，通过将保护层46的厚度设为1nm～100nm(优选为30nm左右)，而可忽视由保护层46引起的光学影响。

在如上构成的法布里-帕罗干涉滤光器1中，若经由一对端子15、16，对第1电极12与第3电极14之间施加电压，则在第1电极12与第3电极14之间产生对应于该电压的静电力。通过该静电力，将第2镜部32朝向固定于基板11的第1镜部31侧牵引，从而调整第1镜部31与第2镜部32间的距离。如此，在法布里-帕罗干涉滤光器1中，第1镜部31与第2镜部32间的距离通过静电力而变化。

透过法布里-帕罗干涉滤光器1的光的波长依存于光透过区域1a的第1镜部31与第2镜部32间的距离。因此，可通过调整施加于第1电极12与第3电极14间的电压，而适当选择透过的光的波长。此时，第2电极13与第3电极14为相同电位。因此，第2电极13作为用于在光透过区域1a中将第1镜部31及第2镜部32保持平坦的补偿电极发挥功能。

在法布里-帕罗干涉滤光器1中，例如通过使施加于法布里-帕罗干涉滤光器1的电压变化(即，使法布里-帕罗干涉滤光器1中第1镜部31与第2镜部32间的距离变化)，且通过光检测器检测透过法布里-帕罗干涉滤光器1的光透过区域1a的光，而可获得分光光谱。

如图4所示，虚设滤光器2与上述的法布里-帕罗干涉滤光器1不同点在于，在第2层叠体24未形成多个贯通孔24b，及于中间层23未形成空隙S。虚设滤光器2中，在第1镜部31与第2镜部32之间设有中间层23。即，第2镜部32未在空隙S上悬空，而配置于中间层23的表面23a。

[晶圆的构成]

继而，针对一实施方式的晶圆的构成进行说明。如图5及图6所示，晶圆100具备基板层110。基板层110例如呈直径为150mm或200mm左右的圆板状的形状，在其一部分形成有定向平面OF。基板层110例如由硅、石英或玻璃等构成。以下，自基板层110的厚度方向观察的情形时，将通过基板层110的中心且与定向平面OF平行的假想直线称为第1直线3，自基板层110的厚度方向观察的情形时，将通过基板层110的中心且与定向平面OF垂直的假想直线称为第2直线4。

在晶圆100，设有有效区域101及虚设区域102。虚设区域102是沿基板层110的外缘110c(即，晶圆100的外缘100a)的区域。有效区域101是虚设区域102的内侧的区域。虚设区域102在自基板层110的厚度方向观察的情形时，包围有效区域101。虚设区域102与有效区域101邻接。

在有效区域101，设有二维配置的多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A。多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A设置于有效区域101的整体。在虚设区域102，设有二维配置的多个虚设滤光器部2A。多个虚设滤光器部2A设置于虚设区域102中除一对区域102a外的区域。一区域102a是沿定向平面OF的区域。另一区域102a是沿基板层110的外缘110c中定向平面OF的相反侧的部分的区域。在有效区域101与虚设区域102的边界部分，法布里-帕罗干涉滤光器部1A与虚设滤光器部2A邻接。自基板层110的厚度方向观察的情形时，法布里-帕罗干涉滤光器部1A的外形与虚设滤光器部2A的外形相同。多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A及多个虚设滤光器部2A配置成相对于互相正交的第1直线3及第2直线4的各个对称。再者，多个虚设滤光器部2A也可设置于虚设区域102的整体。另外，多个虚设滤光器部2A也可设置于虚设区域102中除任一区域102a外的区域。

多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A是通过将晶圆100沿各线5切断，而成为多个法布里-帕罗干涉滤光器1的预定的部分。多个虚设滤光器部2A是通过将晶圆100沿各线5切断，而成为多个虚设滤光器2的预定的部分。自基板层110的厚度方向观察的情形时，多条线5以沿与定向平面OF平行的方向的方式延伸，多条线5以沿与定向平面OF垂直的方向的方式延伸。作为一例，自基板层110的厚度方向观察的情形时，各滤光器部1A、2A呈矩形状时，各滤光器部1A、2A呈二维矩阵状配置，多条线5以通过相邻的滤光器部1A、1A间、相邻的滤光器部1A、2A间、及相邻的滤光器部2A、2A间的方式，设定为格子状。

图7(a)是法布里-帕罗干涉滤光器部1A的剖视图，图7(b)是虚设滤光器部2A的剖视图。如图7(a)及(b)所示，基板层110是通过将晶圆100沿各线5切断，而成为多个基板11的预定的层。基板层110具有互相相对的第1表面110a及第2表面110b。在基板层110的第1表面110a，设有反射防止层210。反射防止层210是通过将晶圆100沿各线5切断，而成为多个反射防止层21的预定的层。在基板层110的第2表面110b，设有反射防止层410。反射防止层410是通过将晶圆100沿各线5切断，而成为多个反射防止层41的预定的层。

在反射防止层210上，设有器件层200。器件层200具有第1镜层220、中间层230、及第2镜层240。第1镜层220是具有多个第1镜部31的层，且是通过将晶圆100沿各线5切断而成为多个第1层叠体22的预定的层。多个第1镜部31经由反射防止层210二维配置于基板层110的第1表面110a。中间层230是通过将晶圆100沿各线5切断，成为多个中间层23的预定的层。第2镜层240是具有多个第2镜部32的层，且是通过将晶圆100沿各线5切断而成为多个第2层叠体24的预定的层。多个第2镜部32经由中间层23，二维配置于第1镜层220上。

在反射防止层410上，设有应力调整层400。即，应力调整层400经由反射防止层410设置于基板层110的第2表面110b。应力调整层400具有多个层420、430、440。层420是通过将晶圆100沿各线5切断，成为多个第3层叠体42的预定的层。层430是通过将晶圆100沿各线5切断，成为多个中间层43的预定的层。层440是通过将晶圆100沿各线5切断，成为多个第4层叠体44的预定的层。

在应力调整层400上，设有遮光层450及保护层460。遮光层450是通过将晶圆100沿各线5切断，成为多个遮光层45的预定的层。保护层460是通过将晶圆100沿各线5切断，成为多个保护层46的预定的层。

如图7(a)所示，在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中，在互相相对的第1镜部31与第2镜部32之间形成有空隙S。即，在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中，中间层23划分出空隙S，第2镜部32在空隙S上悬空。在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中，与上述法布里-帕罗干涉滤光器1的构成同样地，设有与第1电极12、第2电极13、第3电极14、多个端子15、16及开口40a等相关的构成。因此，多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A即便是晶圆100的状态，若经由一对端子15、16对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A施加电压，则互相相对的第1镜部31与第2镜部32间的距离也会通过静电力而变化。

如图7(b)所示，在各虚设滤光器部2A中，在互相相对的第1镜部31与第2镜部32之间设有中间层23。即，在虚设滤光器部2A中，中间层23未划分空隙S，第2镜部32配置于中间层23的表面23a。因此，在各虚设滤光器部2A中，虽与上述虚设滤光器2的构成同样地，设有与第1电极12、第2电极13、第3电极14、多个端子15、16及开口40a等相关的构成，但互相相对的第1镜部31与第2镜部32间的距离不变化。再者，也可不于各虚设滤光器部2A，设置与第1电极12、第2电极13、第3电极14、多个端子15、16(构成各端子15、16的铝等的金属膜、用以配置各端子15、16的贯通孔等)及开口40a等相关的构成。

如图6及图7(a)所示，在器件层200，形成有在与基板层110为相反侧开口的第1槽290。第1槽290沿各线5形成。第1槽290在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A及各虚设滤光器部2A中，包围第1镜部31、中间层23及第2镜部32。在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中，第1镜部31、中间层23及第2镜部32由呈环状连续的第1槽290包围。同样地，在各虚设滤光器部2A中，第1镜部31、中间层23及第2镜部32由呈环状连续的第1槽290包围。若着眼于相邻的滤光器部1A、1A、相邻的滤光器部1A、2A及相邻的滤光器部2A、2A，则第1槽290与一滤光器部的周缘部34及另一滤光器部的周缘部34上的区域对应。第1槽290在有效区域101及虚设区域102中连接，自第1镜部31与第2镜部32互相相对的方向(以下简称为「相对方向」)观察的情形时到达基板层110的外缘110c。再者，第1槽290在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A及各虚设滤光器部2A中，只要至少包围第2镜部32即可。该情形时，无需相对方向的第2镜部32的全部由第1槽290包围，只要相对方向的第2镜部32的至少一部分由第1槽290包围即可。

如图7(b)所示，在应力调整层400，形成有在与基板层110为相反侧开口的第2槽470。第2槽470沿各线5形成。即，第2槽470以对应于第1槽290的方式形成。此处，所谓第2槽470对应于第1槽290，意指自相对方向观察的情形时，第2槽470与第1槽290重叠。因此，第2槽470在有效区域101及虚设区域102中连接，自相对方向观察的情形时到达基板层110的外缘110c。

[晶圆的制造方法]

继而，针对晶圆100的制作方法，参照图8～图13进行说明。图8～图13中，(a)是对应于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分的剖视图，(b)是对应于虚设滤光器部2A的部分的剖视图。

首先，如图8所示，在基板层110的第1表面110a形成反射防止层210，且在基板层110的第2表面110b形成反射防止层410。继而，通过在各反射防止层210、410上，交替层叠多个多晶硅层及多个氮化硅层，而在反射防止层210上形成第1镜层220，且在反射防止层410上形成层420。

形成第1镜层220时，通过蚀刻，以反射防止层210的表面露出的方式，将第1镜层220中沿各线5的部分除去。另外，通过杂质掺杂，使第1镜层220的特定的多晶硅层部分地低电阻化，从而每个对应于基板11的部分，形成第1电极12、第2电极13及配线12a、13a。再者，通过蚀刻，每个对应于基板11的部分，在第1镜层220的表面形成沟槽17、18。

继而，如图9所示，在第1镜层220上，及露出的反射防止层210的表面，形成中间层230，且在层420上形成层430。在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分中，中间层230包含对应于空隙S(参照图3)的除去预定部50。继而，通过蚀刻，以基板层110的第1表面110a露出的方式，将中间层230及反射防止层210中沿各线5的部分除去。另外，通过该蚀刻，每个对应于基板11的部分，在中间层230中对应于各端子15、16(参照图3)的部分，形成空隙。

继而，如图10所示，在基板层110的第1表面110a侧及第2表面110b侧的各个中，通过将多个多晶硅层及多个氮化硅层交替层叠，而在中间层230上及露出的基板层110的第1表面110a，形成第2镜层240，且在层430上形成层440。

形成第2镜层240时，将沿线5互相相对的中间层230的侧面230a、第1镜层220的侧面220a及反射防止层210的侧面210a，以第2镜层240包覆。另外，通过杂质掺杂，使第2镜层240的特定的多晶硅层部分地低电阻化，从而每个对应于基板11的部分，形成第3电极14及配线14a。

继而，如图11所示，以通过蚀刻，第2镜层240所含的多晶硅层27a(参照图3)(即，位于最第1表面110a侧的多晶硅层)的表面露出的方式，将第2镜层240中沿各线5的部分薄化。另外，通过该蚀刻，每个对应于基板11的部分，在第2镜层240中对应于各端子15、16(参照图3)的部分，形成空隙。继而，每个对应于基板11的部分，在该空隙形成各端子15、16，将各端子15及配线12a连接，且将各端子16、配线13a及配线14a的各个连接。

至此为止，在基板层110的第1表面110a，形成反射防止层210及器件层200，且在器件层200形成第1槽290。第1槽290是器件层200沿各线5部分地薄化的区域。

继而，如图12(a)所示，在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分，通过蚀刻，将第2层叠体24的表面24a至除去预定部50的多个贯通孔24b形成于第2层叠体24。此时，如图12(b)所示，在对应于各虚设滤光器部2A的部分，不将多个贯通孔24b形成于第2层叠体24。继而，如图12所示，在层440上形成遮光层450。继而，通过蚀刻，以反射防止层410的表面露出的方式，将遮光层450及应力调整层400(即，层420、430、440)中沿各线5的部分除去。另外，通过该蚀刻，每个对应于基板11的部分，形成开口40a。继而，在遮光层450上，露出的反射防止层410的表面、及开口40a的内表面、面向第2槽470的应力调整层400的侧面，形成保护层460。

至此为止，在基板层110的第2表面110b，形成反射防止层410、应力调整层400、遮光层450及保护层460，且在应力调整层400形成第2槽470。第2槽470是应力调整层400沿各线5部分地薄化的区域。

继而，如图13(a)所示，在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分，通过经由多个贯通孔24b的蚀刻(例如，使用氟化氢气体的气相蚀刻)，将多个除去预定部50自中间层230同时除去。由此，在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分，每个对应于基板11的部分，形成空隙S。此时，如图13(b)所示，由于在对应于各虚设滤光器部2A的部分，多个贯通孔24b未形成于第2层叠体24，故在中间层230未形成空隙S。

由上，在有效区域101中，如图7(a)所示，通过在互相相对的第1镜部31与第2镜部32间形成空隙S，而构成多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A。另一方面，在虚设区域102中，如图7(b)所示，通过在互相相对的第1镜部31与第2镜部32间设置中间层23，而构成多个虚设滤光器部2A。

[法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法]

继而，针对自晶圆100切出法布里-帕罗干涉滤光器1的方法(法布里-帕罗干涉滤光器1的制造方法)，参照图14及图15进行说明。图14及图15中，(a)是对应于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分的剖视图，(b)是对应于虚设滤光器部2A的部分的剖视图。

首先，如图14所示，在保护层460上(即，第2表面110b侧)贴附扩张带60。继而，在第2表面110b侧贴附有扩张带60的状态下，自扩张带60的相反侧照射激光L，使激光L的聚光点位于基板层110的内部，且使激光L的聚光点沿各线5相对移动。即，使激光L自扩张带60的相反侧，经由第1槽290中露出的多晶硅层的表面入射至基板层110。

然后，通过该激光L的照射，沿各线5在基板层110的内部形成改质区域7。改质区域7是指密度、折射率、机械强度、其他物理特性与周围成为不同状态的区域，是成为于基板层110的厚度方向伸展的龟裂的起点的区域。作为改质区域7，例如有熔融处理区域(意指暂时熔融后再固化的区域、熔融状态中的区域及自熔融再固化的状态中的区域中的至少任一者)、裂缝区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等，也有这些混合而成的区域。进而，作为改质区域7，有基板层110的材料中改质区域7的密度与非改质区域的密度相比产生变化的区域、形成有晶格缺陷的区域等。基板层110的材料为单结晶硅的情形时，改质区域7也可称为高错位密度区域。再者，相对于各线5的基板层110的厚度方向所排列的改质区域7的列数根据基板层110的厚度而适当调整。

继而，如图15所示，通过使贴附于第2表面110b侧的扩张带60扩张，而使龟裂自形成于基板层110的内部的改质区域7在基板层110的厚度方向伸展，从而将基板层110沿各线5切断成多个基板11。此时，在第1槽290中将第2镜层240的多晶硅层沿各线5切断，且在第2槽470中将反射防止层410及保护层460沿各线5切断。由此，获得在扩张带60上互相分离状态下的多个法布里-帕罗干涉滤光器1及多个虚设滤光器2。

[光检测装置的构成]

其次，针对具备法布里-帕罗干涉滤光器1的光检测装置10的构成进行说明。如图16所示，光检测装置10具备封装71。封装71是具有底座72及盖73的CAN封装。盖73是由侧壁74及顶壁75一体构成。底座72及盖73通过金属材料形成，互相气密地接合。通过金属材料形成的封装71中，侧壁74的形状为以线9为中心线的圆筒状。底座72及顶壁75在平行于线9的方向上互相相对，分别盖住侧壁74的两端。

在底座72的内表面72a固定有配线基板76。作为配线基板76的基板材料，例如可使用硅、陶瓷、石英、玻璃、塑料等。在配线基板76，安装有光检测器(光检测部)77、及热敏电阻等温度检测器(省略图示)。光检测器77配置于线9上。更具体而言，光检测器77以其受光部的中心线与线9一致的方式配置。光检测器77例如为使用InGaAs等的量子型传感器、使用热电堆或辐射热计等的热型传感器等红外线传感器。检测紫外线、可见光、近红外线的各波长区域的光的情形时，作为光检测器77，例如可使用硅光电二极管等。再者，可在光检测器77设置1个受光部，或也可将多个受光部阵列状设置。再者，多个光检测器77也可安装于配线基板76。为能够检测法布里-帕罗干涉滤光器1的温度变化，也可将温度检测器配置于例如接近法布里-帕罗干涉滤光器1的位置。

在配线基板76上，固定有多个间隔件78。作为各间隔件78的材料，例如可使用硅、陶瓷、石英、玻璃、塑料等。在多个间隔件78上，例如通过接合剂而固定法布里-帕罗干涉滤光器1。法布里-帕罗干涉滤光器1配置于线9上。更具体而言，法布里-帕罗干涉滤光器1以光透过区域1a的中心线与线9一致的方式配置。再者，间隔件78也可与配线基板76一体构成。另外，法布里-帕罗干涉滤光器1也可并非通过多个间隔件78支撑，而通过1个间隔件78支撑。

在底座72，固定有多个引线接脚81。更具体而言，各引线接脚81以维持与底座72间的电绝缘性及气密性的状态，贯通底座72。在各引线接脚81，通过导线82电连接有设置于配线基板76的电极垫、光检测器77的端子、温度检测器的端子、及法布里-帕罗干涉滤光器1的端子的各个。再者，光检测器77、温度检测器及法布里-帕罗干涉滤光器1也可经由配线基板76，与各引线接脚81电连接。例如，也可将各个端子及设置于配线基板76的电极垫电连接，将电极垫及各引线接脚81通过导线82连接。由此，可对光检测器77、温度检测器及法布里-帕罗干涉滤光器1的各个输入输出电信号等。

在封装71形成有开口71a。更具体而言，开口71a以其中心线与线9一致的方式，形成于盖73的顶壁75。自平行于线9的方向观察的情形时，开口71a的形状为圆形状。在顶壁75的内表面75a，以盖住开口71a的方式配置有光透过构件83。光透过构件83与顶壁75的内表面75a气密接合。光透过构件83具有在平行于线9的方向互相相对的光入射面83a及光出射面(内表面)83b、以及侧面83c。光透过构件83的光入射面83a在开口71a与顶壁75的外表面成为大致同一平面。光透过构件83的侧面83c与封装71的侧壁74的内表面74a接触。即，光透过构件83到达开口71a内及侧壁74的内表面74a。此种光透过构件83通过将开口71a设为下侧的状态下在盖73的内侧配置玻璃颗粒，使该玻璃颗粒熔融而形成。即，光透过构件83通过熔接玻璃而形成。

在光透过构件83的光出射面83b，通过粘合构件85固定有带通滤光器84。即，粘合构件85经由接合于顶壁75的内表面75a的光透过构件83，而将带通滤光器84固定于顶壁75的内表面75a。带通滤光器84使透过光透过构件83的光中，光检测装置10的测定波长范围的光(是特定的波长范围的光，且是应入射于法布里-帕罗干涉滤光器1的光透过区域1a的光)选择性透过(即，仅使该波长范围的光透过)。带通滤光器84的形状为四边形板状。更具体而言，带通滤光器84具有在平行于线9的方向上互相相对的光入射面84a及光出射面84b、以及4个侧面84c。带通滤光器84是在通过光透过性材料(例如硅、玻璃等)形成为四边形板状的光透过构件的表面，形成有电介质多层膜(例如包含TiO₂、Ta₂O₅等高折射材料与SiO₂、MgF₂等低折射材料的组合的多层膜)的滤光器。

粘合构件85具有配置于带通滤光器84的光入射面84a的整个区域的第1部分85a。即，第1部分85a是粘合构件85中配置于互相相对的光透过构件83的光出射面83b与带通滤光器84的光入射面84a之间的部分。进而，粘合构件85具有自平行于线9的方向观察的情形时，自带通滤光器84的外缘向外侧突出的第2部分85b。第2部分85b到达侧壁74的内表面74a，与侧壁74的内表面74a接触。另外，第2部分85b与带通滤光器84的侧面84c接触。

如上构成的光检测装置10中，若光自外部经由开口71a、光透过构件83及粘合构件85入射至带通滤光器84，则使特定的波长范围的光选择性透过。若透过带通滤光器84的光入射至法布里-帕罗干涉滤光器1的光透过区域1a，则使特定的波长范围的光中特定波长的光选择性透过。透过法布里-帕罗干涉滤光器1的光透过区域1a的光入射至光检测器77的受光部，并通过光检测器77进行检测。即，光检测器77将透过法布里-帕罗干涉滤光器1的光转换成电信号并输出。例如，光检测器77输出与入射至受光部的光的强度对应的大小的电信号。

[晶圆的作用及效果]

晶圆100如下，可效率良好且良率良好地获得多个法布里-帕罗干涉滤光器1。

晶圆100中，成为多个法布里-帕罗干涉滤光器1的多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A设置于有效区域101。另一方面，在沿基板层110的外缘110c且包围有效区域101的虚设区域102，设有多个虚设滤光器部2A，在各虚设滤光器部2A中，在互相相对的第1镜部31与第2镜部32之间设有中间层23。由此，充分确保晶圆100整体的强度。因此，例如自晶圆100切出多个法布里-帕罗干涉滤光器1时的晶圆100的处理变容易。另外，即使多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A保持晶圆100的状态，由于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A与法布里-帕罗干涉滤光器1同样地动作，故可检查各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的各种特性，但实施此种检查时的晶圆100的处理也变容易。假设在各虚设滤光器部2A中，在互相相对的第1镜部31与第2镜部32之间形成有空隙S，则例如通过固持具固持晶圆100的虚设区域102时，有第2镜部32破损，第2镜部32的破片附着于法布里-帕罗干涉滤光器部1A，法布里-帕罗干涉滤光器部1A的外观、特性等劣化的担忧。在晶圆100中，各虚设滤光器部2A中，由于在互相相对的第1镜部31与第2镜部32之间设有中间层23，故抑制此种情况的发生。

另外，在晶圆100中，各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的至少第2镜部32被第1槽290包围。由此，自晶圆100切出多个法布里-帕罗干涉滤光器1时的良率提高。假设各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的至少第2镜部32未被第1槽290包围，则自晶圆100切出多个法布里-帕罗干涉滤光器1时，有在器件层200的切断面膜脱落，易产生碎屑，法布里-帕罗干涉滤光器部1A的外观、特性等劣化的担忧。

另外，在晶圆100中，各虚设滤光器部2A的至少第2镜部32被第1槽290包围。假设各虚设滤光器部2A的至少第2镜部32未被第1槽290包围，则在第1镜部31与第2镜部32之间未形成空隙，故各虚设滤光器部2A中应力易聚集，其结果，有晶圆100翘曲的担忧。在晶圆100中，由于各虚设滤光器部2A的至少第2镜部32被第1槽290包围，故虚设区域102中应力减弱，抑制晶圆100的翘曲。另外，假设各虚设滤光器部2A的至少第2镜部32未被第1槽290包围，则自晶圆100切出多个虚设滤光器2时，在器件层200的切断面膜脱落，易产生碎屑等，其结果，有这些破片附着于法布里-帕罗干涉滤光器1，法布里-帕罗干涉滤光器1的外观、特性等劣化的担忧。在晶圆100中，由于各虚设滤光器部2A的至少第2镜部32被第1槽290包围，故抑制此种情况的发生。

另外，在晶圆100中，第1槽290在有效区域101及虚设区域102中连接，自相对方向观察的情形时到达基板层110的外缘110c。由此，可进而提高自晶圆100切出多个法布里-帕罗干涉滤光器1时的良率，且可更确实抑制晶圆100的翘曲。

另外，在晶圆100中，在基板层110的第2表面110b设有应力调整层400，以与第1槽290对应的方式，在应力调整层400形成有第2槽470。由此，可进而提高自晶圆100切出多个法布里-帕罗干涉滤光器1时的良率，且可更确实抑制晶圆100的翘曲。假设未以对应于第1槽290的方式于应力调整层400形成第2槽470，则自晶圆100切出多个法布里-帕罗干涉滤光器1及多个虚设滤光器2时，有在应力调整层400的切断面膜脱落，易产生碎屑等，法布里-帕罗干涉滤光器1的外观、特性等劣化的担忧。在晶圆100中，由于以对应于第1槽290的方式，在应力调整层400形成有第2槽470，故抑制此种情况的发生。

另外，在晶圆100中，多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A及多个虚设滤光器部2A配置成相对于互相正交的第1直线3及第2直线4的各个对称。由此，可更确实抑制晶圆100整体的翘曲。

再者，在晶圆100的制造方法中，多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A保持为晶圆100的状态下，在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中形成空隙S。由此，与以各芯片级实施空隙S的形成的情形相比，效率极其高，可于第1镜部31与第2镜部32之间形成空隙S。并且，在有效区域101中，对二维配置的多个除去预定部50同时实施中间层230的蚀刻等，基板层110内的任意的基板11所对应的部分、及包围其的周围的基板11所对应的部分，制程同时进展，故可减少基板层110的面内的应力偏差。由此，根据晶圆100的制造方法，可获得能够稳定地量产高质量的法布里-帕罗干涉滤光器1的晶圆100。

另外，通过激光L的照射，沿各线5在基板层110的内部形成改质区域7，从而根据以下理由，沿各线5切断晶圆100在制造法布里-帕罗干涉滤光器1的方面极其有效。即，在使用激光L的晶圆100的切断中，由于无需水，故不会产生在空隙S上悬空的第2镜部32因水压而破损，或水渗透至空隙S内而粘结(第2镜部32与第1镜部31接触而无法移动的现象)。由此，使用激光L的晶圆100的切断在制造法布里-帕罗干涉滤光器1的方面极其有效。

[变形例]

以上，虽已针对本公开的一实施方式进行说明，但本公开并不限定于上述实施方式。例如，各构成的材料及形状不限于上述材料及形状，可采用各种材料及形状。在晶圆100中，自基板层110的厚度方向观察的情形时，法布里-帕罗干涉滤光器部1A的外形与虚设滤光器部2A的外形也可不同。另外，自晶圆100切出多个法布里-帕罗干涉滤光器1时，也可不切出所有虚设滤光器部2A(即，也可不将所有虚设滤光器部2A单片化)。

另外，如图14所示，在晶圆100中，也可以对应于第1槽290的方式，在基板层110的内部形成改质区域7。此处，所谓改质区域7对应于第1槽290，意指自相对方向观察的情形时，改质区域7与第1槽290重叠，尤其意指改质区域7沿各线5形成的状态。由此，可使龟裂自改质区域7向基板层110的厚度方向伸展，可容易且精度良好地自晶圆100切出多个法布里-帕罗干涉滤光器1。该情形时，也可在基板层110的第2表面110b侧贴附扩张带60。此时，贴附于晶圆100的扩张带60的外缘部通过环状的框保持。由此，即使是在基板层110的内部形成有改质区域7的状态，也可容易处理晶圆100。再者，在基板层110的内部形成有改质区域7的晶圆100中，有龟裂自改质区域7意料外地伸展的担忧。在晶圆100中，由于未在虚设区域102中的一对区域102a，设置多个虚设滤光器部2A以及第1槽290及第2槽470，故抑制龟裂的产生，且即使龟裂进展，也通过一对区域102a停止龟裂的伸展。

另外，如图17所示，也可在虚设区域102的一部分构成镜除去部2X。镜除去部2X通过不设置第2镜部32及中间层23而使第1镜部31的表面露出而构成(参照图19(b))。即，镜除去部2X未设置于第2镜部32及中间层23的点，与虚设滤光器部2A不同。图17所示的晶圆100中，在沿基板层110的外缘110c的环状区域(图17中，虚线外侧的区域)，设有多个镜除去部2X。再者，镜除去部2X并非限定于通过除去第2镜部32及中间层23的全部而构成的结构。镜除去部2X也可通过至少除去第2镜部32的一部分而构成。即，在镜除去部2X中，通过将自第2镜部32的与第1镜部31为相反侧的表面的一部分层状除去，而不于第1镜部31上设置层，或将第1镜部31上的层薄化。另外，在镜除去部2X中，不仅基板层110的第1表面110a侧的层叠体，基板层110的第2表面110b侧的层叠体也薄化。例如，也可不设置应力调整层400，或将应力调整层400薄化。

在图17所示的晶圆100中，也可通过在虚设区域102的一部分中，至少除去第2镜部32的一部分，而构成镜除去部2X。由此，例如于对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分，在互相相对的第1镜部31与第2镜部32之间，通过蚀刻形成空隙S，故在于第2镜部32形成多个贯通孔24b的情形时，可通过在对应于镜除去部2X的部分中，监视第2镜部32的除去状态，而在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分，切实地在第2镜部32形成多个贯通孔24b(细节于下文叙述)。由此，晶圆100成为具备在互相相对的第1镜部31与第2镜部32之间切实地形成有空隙S的多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A的晶圆。

另外，在图17所示的晶圆100中，镜除去部2X中，至少第1镜部31被第1槽290包围。由此，由于镜除去部2X中应力也减弱，故抑制晶圆100的翘曲。

另外，在图17所示的晶圆100中，镜除去部2X以在虚设区域102中沿基板层110的外缘110c的方式设有多个，第1槽290在有效区域101及虚设区域102中连接，自相对方向观察的情形时到达基板层110的外缘110c。作为一例，多个镜除去部2X沿外缘110c连续排列，从而构成区域，该区域自相对方向观察的情形时，包围有效区域101及虚设区域102中除该区域外的区域。由此，在多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A的外侧配置多个虚设滤光器部2A，在多个虚设滤光器部2A的外侧配置多个镜除去部2X，进而第1槽290也连接且到达基板层110的外缘110c，故改善晶圆100整体的应力平衡，更确实抑制晶圆100的翘曲。

针对图17所示的晶圆100的制造方法的一例进行说明。首先，如图8～图11所示，在基板层110的第1表面110a，形成反射防止层210及器件层200，且在器件层200形成第1槽290。但，设置多个镜除去部2X的区域(此处，是图17中虚线外侧的区域)中，无需设置第1电极12、第2电极13、第3电极14、多个端子15、16(构成各端子15、16的铝等金属膜、用以配置各端子15、16的贯通孔等)及开口40a等相关的构成。

继而，如图18(a)所示，在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分，通过蚀刻，将从第2层叠体24的表面24a至除去预定部50的多个贯通孔24b形成于第2层叠体24。另一方面，如图18(b)所示，在对应于各镜除去部2X的部分，预先除去屏蔽，并通过蚀刻除去第2层叠体24。此时，为判断蚀刻结束的时点，而监视对应于各镜除去部2X的部分中等离子体的发光光谱(依存于被蚀刻的层的材料的特定波长的发光)。

监视对应于各镜除去部2X的部分中等离子体的发光光谱是根据以下理由。即，由于各贯通孔24b形成为不会对第2镜部32的功能实质造成影响程度的大小，故即使监视自对应于各贯通孔24b的部分放出的等离子体的发光光谱，也不易知晓其强度变化。因此，通过在对应于设有同一第2层叠体24的各镜除去部2X对应的部分，监视等离子体的发光光谱，而可正确地判断蚀刻结束的时点，可在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分，在第2层叠体24，精度良好地形成多个贯通孔24b。再者，在对应于各虚设滤光器部2A的部分，如上述，未在第2层叠体24形成多个贯通孔24b(参照图12(b))。

继而，如图18所示，在层440上形成遮光层450。继而，通过蚀刻，以反射防止层410的表面露出的方式，将遮光层450及应力调整层400(即，层420、430、440)中沿各线5的部分除去。另外，通过该蚀刻，每个对应于基板11的部分，形成开口40a。继而，在遮光层450上，露出的反射防止层410的表面、及开口40a的内表面、面向第2槽470的应力调整层400的侧面，形成保护层460。

继而，如图19(a)所示，在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分，通过经由多个贯通孔24b的蚀刻(例如，使用氟化氢气体的气相蚀刻)，将多个除去预定部50自中间层230同时除去。由此，在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分，每个对应于基板11的部分，形成空隙S。此时，如图19(b)所示，由于在对应于各镜除去部2X的部分，第2层叠体24被除去，故除去中间层23，第1镜部31的表面露出。再者，由于在对应于各虚设滤光器部2A的部分，如上述，多个贯通孔24b未形成于第2层叠体24，故未在中间层230形成空隙S(参照图13(b))。

由上，在有效区域101中，如图7(a)所示，通过在互相相对的第1镜部31与第2镜部32间形成空隙S，而构成多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A。另外，在虚设区域102中，如图7(b)所示，通过在互相相对的第1镜部31与第2镜部32间设置中间层23，而构成多个虚设滤光器部2A。再者，在虚设区域102的一部分，如图19(b)所示，通过不设置第2镜部32及中间层23而使第1镜部31的表面露出，而构成镜除去部2X。

符号说明

1 法布里-帕罗干涉滤光器

1A 法布里-帕罗干涉滤光器部

2 虚设滤光器

2A 虚设滤光器部

2X 镜除去部

3 第1直线

4 第2直线

7 改质区域

23 中间层

31 第1镜部

32 第2镜部

60 扩张带

100 晶圆

101 有效区域

102 虚设区域

110 基板层

110a 第1表面

110b 第2表面

110c 外缘

220 第1镜层

240 第2镜层

290 第1槽

400 应力调整层

470 第2槽

S 空隙。

Claims (9)

1.一种晶圆，其特征在于，

具备：

基板层，其具有互相相对的第1表面及第2表面；

第1镜层，其具有在所述第1表面二维配置的多个第1镜部；及

第2镜层，其具有在所述第1镜层上二维配置的多个第2镜部，

在有效区域中，通过在互相相对的所述第1镜部与所述第2镜部之间形成空隙，而构成互相相对的所述第1镜部与所述第2镜部间的距离通过静电力而变化的多个法布里-帕罗干涉滤光器部，

在沿所述基板层的外缘且包围所述有效区域的虚设区域中，通过在互相相对的所述第1镜部与所述第2镜部之间设置中间层，而构成多个虚设滤光器部，

所述多个法布里-帕罗干涉滤光器部及所述多个虚设滤光器部的各个中，至少所述第2镜部由在所述基板层的相反侧开口的第1槽包围。

2.如权利要求1所述的晶圆，其中，

所述第1槽在所述有效区域及所述虚设区域中相连，且自所述第1镜部与所述第2镜部互相相对的方向观察的情况下到达所述基板层的所述外缘。

3.如权利要求1或2所述的晶圆，其中，

进一步具备应力调整层，其设置于所述第2表面，

在所述应力调整层，形成有在所述基板层的相反侧开口的第2槽，

所述第2槽以对应于所述第1槽的方式形成。

4.如权利要求1至3中任一项所述的晶圆，其中，

所述多个法布里-帕罗干涉滤光器部及所述多个虚设滤光器部配置成自所述第1镜部与所述第2镜部互相相对的方向观察时相对于通过所述基板层的中心且互相正交的第1直线及第2直线的各个对称。

5.如权利要求1至4中任一项所述的晶圆，其中，

在所述基板层的内部，以对应于所述第1槽的方式形成有改质区域。

6.如权利要求5所述的晶圆，其中，

进一步具备扩张带，其贴附于所述基板层的所述第2表面侧。

7.如权利要求1至6中任一项所述的晶圆，其中，

在所述虚设区域的一部分，通过至少将所述第2镜部的一部分除去，而构成镜除去部。

8.如权利要求7所述的晶圆，其中，

在所述镜除去部，至少所述第1镜部被所述第1槽包围。

9.如权利要求8所述的晶圆，其中，

所述镜除去部以在所述虚设区域中沿所述基板层的外缘的方式设有多个，

所述第1槽在所述有效区域及所述虚设区域中相连，且自所述第1镜 部与所述第2镜部互相相对的方向观察的情形时到达所述基板层的所述外缘。

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