CN111448723A - 发光半导体部件 - Google Patents

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Abstract

一种发光半导体部件(99)，其具有：激光条(100)，所述激光条包括至少两个单发射器(2)；和转换元件(300)，所述转换元件在光路中设置在激光条(100)的下游，其中单发射器(2)中的至少一些在侧向的横向方向(X)上彼此并排地设置，激光条(100)借助氮化物半导体材料形成，单发射器(2)设置用于：在正常运行中发射初级辐射(L1)，并且转换元件(300)设置用于：将初级辐射(L1)的至少一部分转换成次级辐射(L2)，其中次级辐射(L2)具有比初级辐射(L1)更长的波长。

Description

发光半导体部件
技术领域
提出一种发光半导体部件。此外，要实现的目的在于：提供一种发光半导体部件，其具有改进的效率并且能够特别便宜地制造。
背景技术
发光半导体部件例如为照明装置的一部分，照明装置例如设置用于普通照明或设置为车灯中的光源。此外，发光半导体部件能设置为投影设备中的光源。
发明内容
根据至少一个实施方式，发光半导体部件包括激光条，激光条包括至少两个单发射器。在此和在下文中将激光条理解为可单独操作的且可电接触的半导体部件。激光器尤其是通过从晶圆组中分割而产生的。一个激光条优选包括在晶圆复合件中生长的半导体层排列的刚好一个子区域。
激光条的单发射器能够单独地且彼此独立地驱动。例如，激光条包括的单发射器的数量为二和九之间，其中包括边界值。可供选择地，激光条包括的单发射器的数量为十和500之间，其中包括边界值。激光条的单发射器也能够称作为激光二极管。单发射器是激光条的产生激光射束的彼此相邻的区域。为此，每个单发射器包括半导体层排列的一子区域。平行于侧向的横向方向测量，单发射器的宽度例如通过有源层的区域来限定，在有源层中在单发射器正常运行时产生激光辐射。侧向的横向方向在此是平行于有源层的主延伸平面的方向。
在激光条的正常运行中，例如同时地操控单发射器并且并联。优选地，多个单发射器、尤其所有单发射器在运行中同时产生激光辐射，激光辐射沿着出射方向从激光条中耦合输出。为此，激光条优选包括两个相互在出射方向上相对置的棱面，棱面形成谐振器的镜。不同单发射器的电磁辐射尤其不必彼此相干。
例如，每个发射器的宽度为1μm与200μm之间，优选为10μm与100μm之间。特别地，在单发射器的棱面处沿着侧向的横向方向测量发射器的宽度，通过棱面在正常运行中耦合输出电磁辐射。
根据至少一个实施方式，发光半导体部件包括转换元件，转换元件在光路中布置在激光条的下游。转换元件例如设置用于：将借助于激光条发射的电磁辐射转换成不同波长范围的电磁辐射。例如，转换元件借助转换材料形成，转换材料例如包括磷、钛蓝宝石和/或掺杂稀土金属的石榴石、硫代镓酸盐、原硅酸盐、氧氮化铝、氧氮化物、铝酸盐、碱土金属硫化物、碱土金属氮化硅或其组合。尤其地，转换材料包括压制的粉末、外延成长材料和/或量子点。例如，转换元件能够具有载体，载体例如能够借助蓝宝石、玻璃和/或树脂玻璃形成。转换元件例如能够包括基体材料，基体材料能够以结晶的方式、无定形的方式和/或以多晶的方式构成。例如，基体材料能够为硅树脂、氮化铝或玻璃。例如，转换元件以层的形式在载体上构成。在正常运行时，至少大部分借助激光条产生的电磁辐射被射到转换元件上。
根据至少一个实施方式，单发射器中的至少一些在侧向的横向方向上彼此并排地布置。侧向的横向方向例如垂直于出射方向延伸，激光条在正常运行时沿出射方向发射大部分的电磁辐射。例如，单发射器至少沿着侧向的横向方向彼此等距地布置。特别地，单发射器能够成对地布置，使得单发射器能够分别成对地沿着侧向的横向方向、尤其彼此等距地布置。
根据至少一个实施方式，激光条借助氮化物半导体材料形成。“氮化物半导体材料”在当前的上下文中表示：激光条的半导体层排列或其至少一部分具有氮化物半导体材料、优选AlnGamIn1-n-mN，或由其构成，其中，0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。在此，材料不必强制性地具有根据上式在数学上精确的组分。更确切地说，材料例如能够具有一种或多种掺杂材料以及附加的组分。然而为了简单性，上式仅包换晶格的主要组分(Al，Ga，In，N)，即使其能够部分地通过少量其他材料取代和/或补充以便例如以p传导或n型传导的方式掺杂材料时也如如此。特别地，激光条能够借助铝镓氮化铟(AlGaInN)形成。可供选择地，激光条也能够借助铟镓磷化铝(InGaAlP)和/或铟铝砷化镓(InAlGaAs)形成。半导体层排列包括至少一个p传导的区域、至少一个n型传导的区域和至少一个有源区域。在发光部件的正常运行时，在有源区域中产生电磁辐射。激光条的半导体层排列优选连续地构成。激光条的有源层能够连续地或分区段地构成。平行于有源层的主延伸平面来测量，激光条的侧向扩展例如比有源层的侧向扩展大最高1％或最高5％、尤其大最高20％。
根据至少一个实施方式，单发射器设置用于：在正常运行时发射电磁辐射。初级辐射是在激光条中产生的电磁辐射的一部分。例如，初级辐射处于绿色波长范围中、蓝色波长范围中和/或UV范围中。特别地，初级辐射具有最大20nm、尤其最大10nm的带宽，其中包括边界值。特别地，单发射器能够分别发射相干辐射。由单发射器发射的激光辐射的总体形成初级辐射。
根据至少一个实施方式，转换元件设置用于：将初级辐射的至少一部分转换成次级辐射，其中，次级辐射具有比初级辐射更长的波长。例如，发光半导体部件能够设置用于：发射由初级辐射和次级辐射构成的混合光。替选地可供选择地，发光半导体部件能够设置用于：仅发射次级辐射。例如，发射的电磁辐射为白光。
根据至少一个实施方式，发光半导体部件包括激光条，该激光条包括至少两个单发射器。发光半导体部件还包括转换元件，转换元件在光路中布置在激光条的下游。单发射器中的至少一些在侧向的横向方向上彼此并排地布置。激光条借助氮化物半导体材料形成。单发射器设置用于：在正常运行中发射初级辐射，并且转换元件设置用于：将初级辐射的至少一部分转换成次级辐射，其中，次级辐射具有比初级辐射更长的波长。
如在此描述的发光半导体部件中使用的激光条例如在德国专利申请DE102017119664.1中进行了描述，其公开内容通过参考并入本文。
在此，在此描述的发光半导体部件还基于如下考虑。为了提供紧凑的光源，例如使用基于发光二极管(LED)的光源。然而，通过LED的发光表面预设的光学功率密度对于一些应用领域来说是不足的。例如，能够借助于转换元件将发射的初级辐射至少部分地转换为更长波长的电磁辐射的单个激光二极管提供了更高的光学功率密度。然而，由于结构大小、更高的安装耗费和在校准光学元件时的更高的耗费，大量单独激光二极管的使用受到了限制。因此，解决方案与高的制造成本联系在一起。
在此描述的发光半导体部件现在还使用如下想法：与转换元件组合地提供具有激光条的高功率光源。激光条例如包括多个单发射器，单发射器单片集成、彼此对准并且等间距。由于单发射器单片集成，可以尤其精确地对准单发射器。此外，单发射器的单片集成实现了所发射的电磁辐射的特别高的功率密度。
有利地，光学元件、即例如透镜、棱镜或转换器的校准和安装由于单发射器相对彼此的精确定位尤其被简化。这在制造成本尤其低的情况下，实现制造具有特别高的光学输出功率和特别高的发光密度的发光半导体部件。此外，实现了所发射的辐射具有特别高的功率密度、改进的光束质量进而改进的可聚焦性的发光半导体部件。
根据发光部件的至少一个实施方式，激光条包括具有接触侧(10)和用于产生激光辐射的有源层(11)的基于铝镓氮化铟(AlGaInN)的半导体层排列(1)。激光条的半导体层排列的接触侧形成半导体层排列的顶面或外表面并且例如利用半导体层排列的材料形成或者由其构成。接触侧优选基本上平行于有源层延伸。
激光条的半导体层排列例如生长在GaN生长衬底上或者外延地沉积。例如，激光条包括生长衬底。生长衬底尤其设置在半导体层排列的与接触侧相对置的一侧上。在有源层与生长衬底之间优选n型传导地构成半导体层排列。在有源层与接触侧之间优选p型传导地构成半导体层排列。在有源层与生长衬底之间，半导体层排列优选包括一个或多个n掺杂的层。在有源层和接触侧之间，半导体层排列优选包括一个或多个p掺杂的层。
有源层例如能够具有常规的pn结、双异质结构、单量子阱结构(SQW结构)或多量子阱系统结构(MQW结构)，以产生光。特别地，半导体层排列能够包括多个有源层，这些有源层垂直于其主延伸平面彼此层叠地布置。半导体层排列除了有源层之外还能够包括其他的功能层或功能区域，例如p或n掺杂的载流子传输层、即电子或空穴传输层、未掺杂的、或者p或n掺杂的约束层、包覆层或波导层、势垒层、平坦化层、缓冲层、保护层和/或电极以及尤其构成的组合。此外，附加层、例如缓冲层、势垒层和/或保护层也能够垂直于半导体层排列的生长方向地布置，例如围绕半导体层排列地布置，即例如布置在半导体层排列的侧面上。
根据至少一个实施方式，激光条包括多个接触元件，它们在侧向的横向方向上彼此并排且彼此间隔地布置在接触侧上。接触元件用于电接触单发射器。接触元件优选是不连续的，而是在接触侧上彼此分开的能导电的结构。可供选择地，接触元件能够连续地构造。借助对接触元件通电，能够驱控单发射器。优选地，为此将接触元件配属给每个单发射器，尤其是一一对应地配属。在激光条未安装的状态下，接触元件优选是露出的或是可自由触及的。
接触元件尤其能够分别具有金属、金属合金或金属混合物，或透明的导电氧化物、即例如氧化铟锡(ITO)或由它们形成。例如，接触元件具有不同接触材料的多个层。第一层例如能够具有选自Pd、Pt、ITO、Ni和Rh的一种或多种材料或由其构成。第二层例如能够具有选自Pd、Pt、ITO、Ni、Rh、Ti、Pt、Au、Cr、(Ti)WN、Ag、AI、Zn、Sn以及由其构成的合金的一种或多种材料或由其构成。第三层或键合层例如能够具有选自Ti、Pt、Au、Cr、(Ti)WN、Ag、Al和ITO的一种或多种材料或由其构成，其中，键合层根据材料选择也能够形成第二层。例如，键合层也能够具有包括材料不同的多个层的层堆，例如为具有含Ti、Pt和Au的层的层堆。每个接触元件例如能够具有一个这种第一层和一个这种第二层和一个这种键合层，层以该顺序彼此上下堆叠。接触元件的第一层能够直接地邻接于接触侧。
接触元件优选构造为长形的或棒形的或条形的。沿着接触元件的纵轴线测量，每个接触元件的长度例如是其垂直于纵轴线测量的宽度的至少两倍大或至少五倍大或至少10倍大。接触元件的宽度例如处于1μm和200μm之间的范围中，其中包括边界值。这就是说，接触元件的纵轴线基本上彼此平行地延伸。接触元件的纵轴线优选沿着出射方向定向。
每两个接触元件在侧向的横向方向上例如彼此间隔至少20μm或至少50μm或至少100μm或至少200μm。可供选择地或附加地，每两个相邻的接触元件之间的间距例如最高为1mm或最高为600μm或最高为400μm。
根据至少一个实施方式，每个接触元件经由接触侧的连续的接触区域导电地耦合到半导体层排列处，使得经由接触区域实现半导体层排列和接触元件之间的电流通。在此，接触侧的每个接触区域是接触侧的连续的、优选单向连续的区域进而由半导体层排列的半导体材料形成。每个单发射器优选包括刚好一个接触区域。但是也可行的是：每个单发射器具有至少两个例如平行延伸的接触区域，接触区域例如彼此间隔最多30μm。
例如，每个接触元件完全地覆盖所配属的接触区域。接触区域能够一一对应地被配属给接触元件。接触元件在接触区域中能够与半导体层排列直接机械接触且电接触。
根据至少一个实施方式，激光条在两个相邻的单发射器之间的区域中具有热解耦结构，该解耦结构反作用于两个相邻的单发射器之间的热交换。“在两个相邻的单发射器之间的区域中”尤其表示：将解耦结构布置在两个穿过相邻的单发射器且垂直于有源层地延伸的平面之间。热解耦结构尤其在侧向的横向方向上布置在两个相邻的单发射器之间。在两个相邻的单发射器之间不布置另外的单发射器。
热解耦结构优选设计成，使得其在两个相邻的单发射器之间的区域中降低激光条沿着侧向的横向方向的热导率。可供选择地或附加地，热解耦结构设置用于在两个相邻的单发射器之间的区域中导出热量。
根据至少一个实施方式，热解耦结构包括施加在接触侧上的能导电的冷却元件，冷却元件连续地、完全地覆盖接触侧的连续的、优选单向连续的冷却区域。冷却区域是接触侧的一个区域进而由半导体层排列的半导体材料形成。冷却区域尤其构成在两个相邻的单发射器的两个接触区域之间。
冷却元件优选构成为金属的。例如，冷却元件包括如下材料中的一种或多种或者由其构成：Au、Pd、Pt、ITO、Ni、Rh、Ti、Pt、Au、Cr、(Ti)WN、Ag、AI、Zn、Sn、In、W、Ta、Cu、A1N、SiC、DLC。特别地，冷却元件由与接触元件相同的材料构成。冷却元件在激光条未安装的状态下优选是露出的，于是因此是可自由触及的。
根据至少一个实施方式，冷却元件沿着冷却区域与半导体层排列电绝缘。在正常运行中，尤其既不经由冷却区域将电流注入到半导体层排列中也不经由冷却区域从半导体层排列中耦合输出电流。因此，“电绝缘”尤其表示：在冷却区域中接触元件与半导体层排列之间的接触电阻很大，使得在正常运行中施加的电压的情况下没有电流或没有显著的电流流经冷却区域。
优选地，冷却元件沿着冷却区域热耦合于半导体层排列。例如，为此，用热导率至少为1W/(mK)的材料来填充冷却元件与冷却区域之间的空间。
根据至少一个实施方式，冷却区域沿着侧向的横向方向的宽度为每个或至少一个相邻的接触区域的宽度的至少一半大、或至少一样大、或至少1.5倍大、或至少双倍大、或至少3倍大、或至少4倍大。特别地，冷却区域的面积至少是每个或至少一个相邻的接触区域的面积的一半大、或至少一样大、或至少1.5倍大、或至少双倍大、或至少3倍大、或至少4倍大。接触区域在制造公差范围内全部都具有相同的宽度和/或面积。相邻的接触区域是距冷却区域最近的接触区域。
冷却区域同样能够构成为长形的，其中，长度是宽度的至少双倍大或至少5倍大或至少10倍大。冷却区域的长度能够为接触区域的单个长度的80％和120％之间，其中包括边界值。
此外，解耦结构能够包括沟道，该沟道沿竖直方向、垂直于有源层或垂直于侧向的横向方向和垂直于出射方向延伸至少部分地穿过激光条。平行于侧向的横向方向测量，沟道的宽度例如为至少5μm或至少10μm或至少50μm。可供选择地或附加地，沟道的宽度例如最高为300μm、或最高为200μm、或最高为150μm、或最高为100μm、或最高为50μm、或最高为10μm。平行于出射方向测量，沟道的长度例如是沟道宽度的至少双倍大、或至少五倍大、或至少十倍大。沟道的深度例如为至少100nm、或至少500nm、或至少1μm、或至少5μm、或至少10μm、或至少50μm、或至少100μm。
热解耦结构也能够具有冷却元件和沟道，该冷却元件具有所配属的冷却区域。
至今为止，仅仅实现了针对热耦合结构的实施方案。可供选择地，激光条能够具有多个热耦合结构，例如在每对相邻的单发射器之间。每个解耦结构也能够具有两个或更多个冷却元件，冷却元件分别完全地覆盖配属于该冷却元件的冷却区域。每个解耦结构还能够具有沟道。全部在此和下文中做出的、关于解耦结构或冷却元件或冷却区域或沟道的说明因此相应地适用于激光条的全部解耦结构或全部冷却元件或全部冷却区域或全部沟道。
根据至少一个实施方式，激光条的最大光学输出功率为至少10瓦特。特别地，激光条的最大光学输出功率为至少50瓦特。激光条的最大光学输出功率例如为在发光半导体部件的全部单发射器同时运行时的光学输出功率。特别地，能够不间断地提供最大光学输出功率至少100小时、尤其至少1000小时，而不是激光条发生损坏。有利地，借助于激光条可实现特别高的光学输出功率。
根据至少一个实施方式，初级辐射和/或次级辐射在转换元件中被反射。特别地，次级辐射的至少大部分通过一侧离开转换元件，初级辐射通过该侧进入转换元件中。特别地，离开转换元件的次级辐射绝大部分具有与射到转换元件上的初级辐射不同的传播方向。例如，次级辐射的大部分沿相同的方向从转换元件射出。有利地，初级辐射和/或次级辐射在转换元件中或在转换元件处发生反射，由此初级辐射在转换元件内经过的平均路长度较大。这使得初级辐射的尤其大部分在转换元件内发生转换。
根据至少一个实施方式，初级辐射和/或次级辐射透射穿过转换元件。例如，次级辐射基本上沿着射到转换元件上的初级辐射的传播方向离开转换元件。例如，初级辐射和/或次级辐射的至少大部分沿着传播方向从转换元件射出或透射。特别地，在转换元件中，能够使初级辐射和/或次级辐射的至少一部分发生散射或者在边界面处发生反射或折射。有利地，借助于初级辐射和/或次级辐射透射穿过的转换元件能够减小到转换元件中的热量输入，因为转换元件内的每体积单位，初级辐射到次级辐射的转换更少了。
根据至少一个实施方式，转换元件包括热沉。特别地，转换材料能够与热沉直接机械接触。热沉例如以材料配合或力配合的方式机械固定地与转换材料连接。热沉例如借助具有特别高的热导率的材料形成。例如，热沉借助金属(尤其是铜)、氮化铝(AlN)、钨铜(GuW)、碳化硅(SiC)或金刚石形成。热沉设置用于：将在转换材料中的、在发光半导体部件运行时形成的热量导出。例如，热沉能够布置在转换材料的一侧。转换材料能够在横向于出射方向的平面中完全地被热沉包围。特别地，热沉能够具有留空部，在正常运行时，初级和/或次级辐射的大部分射到转换材料上和/或从转换材料射出。有利地，借助于热沉减小由于过高温度损坏转换元件的风险。
根据至少一个实施方式，转换元件具有反射器，该反射器设计为对于初级辐射和/或次级辐射是反射的。例如，反射器与转换材料处于直接的机械接触。此外，反射器能够与热沉直接机械地接触。例如，反射器借助热沉表面形成。特别地，反射器能够借助银形成。有利地，借助于反射器能够实现发光半导体部件的特别高的效率，因为在转换元件内能够借助于反射器将散射的初级和/或次级辐射转入相同的方向。
根据至少一个实施方式，转换元件具有至少一个凸形或凹形弯曲的表面。例如，转换元件以透镜的形式构成。特别地，转换元件能够以双凹、双凸、凹凸、平凸或平凹透镜的形式构成。此外，转换元件能够是柱形或圆锥形的。有利地，凸形或凹形弯曲的表面实现借助于在转换元件的表面处的折射来影响从转换元件射出的电磁辐射。有利地，能够有利地借助于转换元件来调节发光半导体部件的出射特性。
根据至少一个实施方式，发光半导体部件包括第一光学元件，其中第一光学元件在初级辐射的光路中设置在激光条和转换元件之间，并且能够借助于第一光学元件来改变初级辐射的强度。第一光学元件例如为棱镜，借助棱镜能够影响初级辐射传播的方向。可供选择地，第一光学元件是反射镜，其设计为对于初级辐射是反射的。在此，反射镜能够具有弯曲的表面，使得借助于改变初级辐射光束的横截面来改变电磁辐射的强度。特别地，第一光学元件设置用于：影响初级辐射光束垂直于初级辐射的传播方向的横截面。特别地，能够借助于改变光束横截面来改变初级辐射的强度。例如，光学元件借助于多个透镜、反射镜、光导体、棱镜、光束组合光学装置、过滤器、衍射元件和/或光纤形成。因此，有利地，能够调节射到转换元件上的初级辐射的强度，使得通过将初级辐射变换成次级辐射，将进入转换元件中的热量输入分布到转换元件内的较大体积上。这有利地降低由于每体积单位过高的热量输入引起转换元件损坏的风险。
根据至少一个实施方式，第一光学元件在至少一个垂直于初级辐射的传播方向的方向上对初级辐射进行聚焦、扩宽和/或准直。例如，第一光学元件借助透镜形成，结合主透镜能够聚焦初级辐射。可供选择地，第一光学元件设置用于扩宽初级辐射。在该上下文中，扩宽表示：沿着初级辐射的传播方向扩大初级辐射光束的横截面。此外，光学元件能够设置用于准直初级辐射。特别地，第一光学元件能够设置用于：准确地沿垂直于初级辐射的传播方向的空间方向对初级辐射进行准直。例如，第一光学元件能够设置用于：沿着激光条的快轴和/或沿着其慢轴准直初级辐射。例如，光学元件为此借助两个柱形透镜形成，柱形透镜以相互旋转90°的方式布置。有利地，借助于第一光学元件能够改变初级辐射，使得能够以预设的光束轮廓对转换元件进行照射。
根据至少一个实施方式，第一光学元件包括光导体。光导体例如为光纤，该光纤设置用于引导初级辐射。特别地，光导体能够设置用于：引导尤其窄带的电磁辐射、即例如初级辐射。有利地，光导体使得激光条能够与被照明的地点无关地布置，从而激光条能够在优化条件下运行。因此，例如保护激光条免受环境、日照或湿气影响。此外，借助于光导体，实现了用于敏感环境中的空间的无电流光源。特别地，能够在激光条处执行维护工作，而不必进入要照明的区域。
根据至少一个实施方式，第一光学元件具有光束组合光学装置。例如，光束组合光学装置能够设置用于：将不同的单发射器的电磁辐射、尤其初级辐射组合。特别地，不同单发射器的电磁辐射在从第一光学元件射出之后形成直径大幅缩小的光束。有利地，初级辐射在穿行第一光学元件之后不能相应地与激光条的单发射器相关联，使得初级辐射从光束组合光学装置射出之后被感觉为是混合光。
根据至少一个实施方式，发光半导体部件包括第二光学元件，其中，第二光学元件在次级辐射的光路中布置在转换元件的下游。在正常运行中，次级辐射的至少大部分射到第二光学元件上。例如，第二光学元件能够为用于从转换元件中射出的电磁辐射的准直或聚焦透镜。特别地，借助第二光学元件能够调整发光半导体部件的出射特性。
根据至少一个实施方式，第二光学元件具有过滤器，其中，过滤器对于初级辐射的透明度小于对于次级辐射的透明度。特别地，过滤器能够与转换元件处于直接机械接触。例如，过滤器吸收或反射至少70％、尤其至少90％的初级辐射。特别地，过滤器反射或吸收射到过滤器上的次级辐射的最多10％、尤其最大5％、尤其最多1％、尤其最多0.1％。有利地，借助于过滤器能够调整借助于发光部件发射的电磁辐射的色坐标(Farbort)。
根据至少一个实施方式，单发射器布置在多个侧向平面中，其中侧向平面与侧向的横向方向平行地并与出射方向平行地延伸。特别地，多个单发射器能够沿着纵向方向彼此层叠设置。在此，纵向方向垂直于激光条的主延伸平面延伸。例如，沿纵向方向彼此测定地布置的单发射器彼此串联地电连接。此外，沿着侧向的横向方向彼此并排布置的单发射器是电并联的。有利地，单发射器的这种布置方式实现了发光半导体部件的特别紧凑的构造方式，并且发光半导体部件具有特别高的光学输出功率。此外，单发射器的初级辐射借助于第一光学元件能够特别简单地成形紧凑光束，因为单发射器相对彼此特别是精确定位的。
根据至少一个实施方式，发光半导体部件具有多个激光条，其中，激光条垂直于侧向的横向方向和垂直于出射方向彼此叠加地设置。特别地，发光半导体部件能够包括多个激光条，激光条垂直于出射方向和垂直于侧向的横向方向彼此层叠布置。特别地，激光条能够在其主面之上彼此导电耦合。例如，激光条能够相对彼此定向，使得单发射器沿相同的方向发射电磁辐射。有利地，借助具有多个激光条的发光半导体部件的这种模块化结构能够特别简单地调整发光半导体部件的光学输出功率。
附图说明
从下面结合附图描述的实施例中得出发光半导体部件的另外的优点和有利的设计方案和改进形式。
图1A示出根据发光半导体部件的一实施例的激光条的剖面图。
图1B示出根据一实施例的发光半导体部件的激光条的接触侧的俯视图。
图2A、2B、3A、3B、4A、4B、5A、5B、6A、6B、7A、7B、8A、8B、9A、9B、10A、10B、IIA、IIB、12A、12B、13A、13B、13C、13D、13E、13F、13G和13H示出发光半导体部件的实施例。
相同的、同类的或起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图中示出的元件彼此间的大小比例和附图不能够视为是合乎比例的。更确切地说，为了更好的可实现和/或为了更好的理解能够夸大地示出个别元件。
具体实施方式
图1A示出发光半导体部件99的激光条的一个实施例的横截面图。激光条100包括半导体层排列1，该半导体层排列生长在生长衬底14上。生长衬底14例如是GaN衬底。半导体层排列1包括有源层11，有源层例如具有pn结或量子阱结构并且在其正常运行中通过载流子复合产生激光辐射。
半导体层排列1包括接触侧10，接触侧通过半导体层排列1形成。生长衬底14的与接触侧10相对置的一侧形成配对接触侧16。在接触侧10上施加有接触元件20。接触元件20在侧向的横向方向X上彼此并排且彼此间隔地布置，侧向的横向方向平行于有源层11的主延伸平面延伸。
每个接触元件20在接触区域12中能够电耦合到半导体层排列处，使得经由接触区域12实现半导体层排列1和接触元件20之间的电流通。在配对接触侧16上布置有配对接触元件26。
通过经由接触元件20和接触元件26注入载流子，在激光条100正常运行时载流子被注入到了半导体层排列1中、尤其注入到有源层11中，随后载流子在那里复合。根据经由哪个接触元件20注入载流子，有源层的设置在接触元件20上方的区域产生激光辐射。以该方式，限定了多个单发射器2或激光二极管2。具有附图标记2的椭圆分别表示单发射器2。单发射器2在侧向的横向方向X上彼此间隔开并且彼此并排地布置并且在运行中分别产生和发射电磁辐射。沿着侧向的横向方向X测量，每个单发射器2的宽度例如通过有源层11的在单独反射器2运行时产生激光辐射的区域的宽度来确定。
每个单发射器2在图1A的实施例中设计为受折射率导引(indexgefuehrt)的激光二极管。为此，每个单发射器2在接触侧10处包括肋片15，肋片由半导体层排列1形成。在肋片15的背离有源层11的一侧上分别构成有接触区域12。肋片15的垂直于有源侧11延伸的侧壁被电绝缘层21包覆。接触元件20包围肋片15并且在接触区域12的区域中与半导体层排列1导电地连接。在肋片15的侧壁的区域中，接触元件20通过电绝缘层21与半导体层排列1电绝缘。电绝缘层21包括例如SiO2、氮氧化硅、Si3N4、Al2O3、Ta2O5、TiO2或ZrO2或由其构成。
在两个相邻的单发射器2之间的区域中设有解耦结构3，解耦结构在激光条100运行期间反作用于两个相邻的单发射器2之间的热交换。解耦结构3用具有附图标记3的虚线标记。
在图1A的实施例中，解耦结构3包括冷却元件30，冷却元件完全地覆盖接触侧10的冷却区域13。沿着冷却区域13，冷却元件30与半导体层排列1绝缘并且被热耦合到半导体层排列1处。为此，冷却元件30在此与冷却区域13通过分离层31间隔开并且电绝缘。分离层31在图1A的实施例中通过电绝缘层21形成，该电绝缘层包覆直至超过冷却区域13。
沿着侧向的横向方向X测量，冷却区域13的宽度大于接触区域12同样沿着侧向的横向方向X测量的宽度。
在图1A中，解耦结构3同样包括肋片15，冷却元件30施加在肋片上并且冷却元件30包围该肋片。
此外，每个接触元件20具有距离在侧向的横向方向X上布置在左手边的冷却元件30和距离在侧向的横向方向X上布置在右手边的冷却元件30相同的间距。接触元件20和冷却元件30彼此间分别等距地布置。
图1A的激光条100能够被焊接到热沉上。在此，接触元件20和冷却元件30能够经由焊接材料或粘胶焊接或粘贴到热沉上。于是，在激光条100运行期间，两个相邻的单发射器2之间的区域中的热量被有效地从半导体层排列1经由冷却元件30导出到热沉处。
代替图1A所示的实施例，激光条还能够利用受增益引导(gewinngefuehrt)的激光二极管构成。
在图1B中以接触侧10的俯视图示出了图1A的激光条100。可见的是：接触元件20和冷却元件30构成为长形的或条形的。接触元件20和冷却元件30沿着其纵轴线的长度分别是其宽度的数倍大。接触元件20和冷却元件30在侧向的横向方向X上彼此间隔地布置，其中，冷却元件20和接触元件20的纵轴线分别彼此平行地延伸。此外，接触元件20和冷却元件30利用其纵轴线沿着激光条100的出射方向Y延伸。在出射方向Y上，在单发射器2中产生的初级辐射L1从激光条100中耦合输出。为此，激光条100的在出射方向Y上彼此相对置的一侧形成棱面17。棱面17对于初级辐射L1是至少部分反射的。例如，借助于棱面17形成谐振器。
例如，激光条沿着侧向的横向方向具有200μm和11mm之间的长度。特别地，激光条沿着侧向的横向方向能够具有最大50mm或最大11mm或最大5mm的长度，其中包括边界值。优选地，激光条沿着侧向的横向方向具有200μm、400μm、800μm、2mm、4.6mm或9.2mm的长度。
图2A示出根据一个实施例的发光半导体部件99的立体示意图。发光半导体部件99包括激光条100，激光条包括至少两个单发射器2。此外，发光半导体部件99包括转换元件300，转换元件在光路中布置在激光条100下游。特别地，转换元件300在出射方向Y上布置在激光条100下游。单发射器2在侧向的横向方向X上彼此并排地布置，使得全部单发射器2沿着出射方向Y发射初级辐射L1。
激光条100借助氮化物半导体材料形成。例如，激光条100设置用于：发射UV波长范围中、蓝色波长范围中和/或绿色波长范围中的初级辐射L1。单发射器2能够彼此独立地驱控。在方向Y上，转换元件300布置在激光条100下游。转换元件300设置用于：将初级辐射L1的至少一部分变换成次级辐射L2，其中次级辐射L2具有比初级辐射L1更长的波长。在此，初级辐射L1能够部分地透射穿过转换元件300。特别地，次级辐射L2沿着初级辐射L1的传播方向从转换元件300射出。特别地，初级辐射L1的大部分被转换成次级辐射L2。例如，激光条100的最大光学输出功率至少为10瓦特、尤其至少100瓦特。
图2B示出了根据一个实施例的发光半导体部件99的示意立体图。与图2A中示出的实施例不同，转换元件300设计为反射性的。因此，次级辐射L2的传播方向不沿着射到转换元件300上的初级辐射L1的传播方向延伸。初级辐射L1和/或次级辐射L2在转换元件300中发生反射。例如，转换元件300在背离激光条100的一侧上具有反射层、尤其反射器，反射器设计为对于初级辐射L1和/或次级辐射L2是反射的。
图3A示出了根据一个实施例的发光半导体部件99的示意立体图。在该实施例中，转换元件300包括热沉301，热沉与转换元件的转换材料303直接机械接触。特别地，借助于热沉301将在转换元件303中形成的热量导出。转换材料303例如能够借助磷、钛蓝宝石和/或掺有稀土金属的石榴石、硫代镓酸盐、原硅酸盐、氧氮化铝、氧氮化物、铝酸盐、碱土金属硫化物、碱土金属氮化硅或其组合形成。热沉301例如利用具有高的热导率的材料形成。例如，热沉301借助金属、尤其铜形成或以含铜的方式形成。可供选择地，热沉301能够借助SiC、金刚石、氮化铝和/或钨铜形成。
图3B示出发光半导体部件的一个实施例的示意立体图。在该实施例中，转换元件300借助反射器302和转换材料303形成。例如，反射器302借助设置为反射初级辐射L1和/或次级辐射L2的金属材料形成。特别地，反射器302能够借助银形成。反射器302设置在转换材料303的背离激光条100的一侧上。特别地，发射器302的使用实现了对转换材料303的特别高效的利用，因为在反射器302处反射的初级辐射L1的路径长度在转换材料303内被扩大。因此，尤其大部分的初级辐射L1被转换成次级辐射L2。特别地，转换元件能够包括反射器302和热沉301，其中反射器302设置在热沉301和转换材料303之间。
图4A和4B示出了发光半导体部件99的示意立体图，发光半导体部件包括第一光学元件401。在该实施例中，第一光学元件401构成为反射棱镜。反射棱镜设置用于：特别低损失地在棱镜表面处借助于全反射使初级辐射L1转向。特别地，第一光学元件401设置用于将初级辐射L1转向到转换元件300上。
图5A示出发光半导体部件99的示意立体图，发光半导体部件包括多个激光条100。激光条100彼此层叠地布置在多个侧向平面E中，侧向平面分别沿着侧向的横向方向X和出射方向Y延伸。特别地，激光条100彼此电耦合。例如，激光条100是串联的。特别地，激光条100能够包括多个单发射器2。例如，单发射器2能够沿着侧向的横向方向X和沿着纵向方向Z彼此并排地布置。特别地，沿纵向方向彼此并排布置的单发射器2能够被配属于共同的激光条100。根据图5A中示出的实施例，射到转换元件300上的电磁辐射的大部分发生透射和转换。特别地，次级辐射L2能够既不与各个激光条100相关联也不与各个发射器2相关联。
与图5A中示出的实施例不同，在图5B中，转换元件300设计为反射性的。因此，次级辐射L2具有与初级辐射L1不同的传播方向。
图6A示出发光半导体部件99的一个实施例的示意立体图。在该实施例中，第一光学元件401布置在激光条100下游。第一光学元件401在出射方向Y上布置在激光条100和转换元件300之间。第一光学元件401借助柱形透镜402形成，柱形透镜沿着快轴对初级辐射L1进行准直。特别地，快轴沿着纵向方向Z延伸。例如，柱形透镜42设置用于仅沿着快轴对初级辐射L1进行准直。
与图6A中示出的实施例不同，在图6B中转换元件300以反射的方式运行。在图6A中示出的实施例和在图6B中示出的实施例中，次级辐射L2是发散的。
图7A示出根据一个实施例的发光半导体部件99的示意立体图。发光半导体部件99包括激光条100，激光条具有多个单发射器2。在出射方向Y上，第一光学元件401布置在激光条100的下游。由激光条100发射的初级辐射L1穿过第一光学元件401。由初级辐射L1首先穿行的第一柱形透镜设置用于：沿着快轴准直初级辐射L1。在此，快轴沿纵向方向Z延伸。作为由初级辐射L1穿行的第二者的第二柱形透镜42设置用于：沿着慢轴准直初级辐射。当前，慢轴沿着侧向的横向方向X延伸。射到转换元件300上的初级辐射L1得到沿着快轴和沿着慢轴的准直。在此，转换元件300以透射的方式运行，使得射到转换元件300上的初级辐射L1和从转换元件300射出的次级辐射L2的传播方向基本上相同。从转换元件300射出的次级辐射L2不强制性相干并且不被准直。
图7B示出根据一个实施例的发光半导体部件99的示意立体图。类似于图7A中示出的实施例，发光半导体部件99包括激光条100，第一光学元件401在出射方向Y上布置在激光条下游，第一光学元件设置用于：沿着快轴和慢轴准直由激光条100发射的初级辐射L1。与图7A中示出的实施例不同，转换元件300以反射的方式运行，使得次级辐射L2基本上具有与射到转换元件300上的初级辐射L1不同的传播方向。特别地，次级辐射L2基本上从转换元件300的朝向第一光学元件401和/或激光条100的一面中射出。例如，初级辐射L1射到转换元件300的次级辐射L2从转换元件300射出的面上。
图8A示出根据一个实施例的发光半导体部件99的示意立体图。类似于图7A中示出的实施例，发光半导体部件99包括激光条100、第一光学元件401和转换元件300。第一光学元件在初级辐射L1的光路中布置在激光条100的下游。第一光学元件401包括两个柱形透镜42，柱形透镜设置用于沿着快轴和沿着慢轴准直初级辐射L1。经准直的初级辐射L1随后穿行光束组合光学装置41。光束组合光学装置41设置用于：将不同单发射器2的初级辐射L1叠加。因此，不相应地与激光条100的单发射器2相关联的初级辐射L1从光束组合光学装置41中射出。随后，初级辐射L1射到转换元件300上，转换元件将初级辐射L1转换成次级辐射L2。转换的次级辐射L2例如是发散的。特别地，次级辐射L2可能包括初级辐射L1的一部分。例如，次级辐射L2为由初级辐射L1和在转换元件300中转换的初级辐射L1构成的混合光。
图8B示出根据一个实施例的发光半导体部件99的立体图。与图8A中示出的实施例不同，转换元件设置用于以反射方式运行。因此，转换元件300的初级辐射L1所射到面和次级辐射L2从中射出的面是相同的。特别地，转换元件300以其朝向第一光学元件101和/或激光条100的一侧相对于初级辐射L1的传播方向倾斜。因此，初级辐射L1和次级辐射L2具有不同的传播方向。特别地，初级辐射L1和次级辐射L2的传播方向不反向平行。
图9A示出发光半导体部件99的示意立体图，其具有激光条100、第一光学元件401和该实施例的转换元件300。与图8A中示出的实施例不同，第一光学元件附加地包括透镜43。透镜43在初级辐射L1的光路中设置在光束组合光学装置41的下游。透镜43设置用于：扩宽初级辐射的光束进而改变初级辐射L1的强度。特别地，借助于扩宽来降低初级辐射的强度。有利地，借助于透镜43能够调整射到转换元件300上的初级辐射L1的强度，使得例如降低转换元件300的热负荷。因此，避免了由于通过将初级辐射L1转换成次级辐射L2而产生的温度输入引起的转换元件的损坏。特别地，借助于透镜能够降低初级辐射L1的强度，从而避免转换元件的热淬灭。
图9B示出了根据一个实施例的发光半导体部件99的示意立体图。与图9A中示出的实施例不同，转换元件300设计为反射性的。
图10A示出根据一个实施例的发光半导体部件99的示意立体图。发光半导体部件99包括激光条100、第一光学元件401和转换元件300。第一光学元件401借助透镜43和借助光纤44形成。透镜43设置用于将初级辐射L1聚束。特别地，透镜43设置用于将初级辐射L1聚束使得将初级辐射L1耦合输入到光纤44中。借助于光纤44将初级辐射L1引导到布置有转换元件300的预设地点处。从光纤44中耦合输出的初级辐射L1借助于转换元件300转换成次级辐射L2。有利地，借助于光纤44能够特别高效地引导窄带的初级辐射L1。因此，直至在转换元件300上发生转换，都将损失保持得特别小。
图10B示出根据一个实施例的发光半导体部件99的示意立体图。与图10A中的实施例不同，转换元件300以反射的方式运行。
图11A示出根据一个实施例的发光半导体部件99的示意图。发光半导体部件99包括激光条100、第一光学元件401和转换元件300。第一光学元件401借助光导体40形成。从光导体40中射出的初级辐射L1射到转换元件300上并且转换成次级辐射L2。特别地，电磁辐射透射穿过转换元件300。因此，初级辐射L1通过转换元件300的朝向第一光学元件401和/或激光条100的一面射入转换元件中并且次级辐射L2通过转换元件300的背离第一光学元件401和/或激光条100的面从转换元件300射出。
特别地，例如能够将该实施方式用作为机动车、轨道车或飞机的大灯照明。例如，激光条100可以不布置在大灯本身中，而是借助于光导体将利用激光条发射的光转入到大灯的光束成形的光学装置的区域中。有利地，这提供了改进的对眼睛的安全性，因为例如在激光条100的光导体40处损坏的情况下能够利用纤维断裂检测器来切断。此外，使用光导体40提供特别的设计自由度，因为大灯仅需匹配于光导体并且无需匹配于产生光的部件。此外，这种实施方案能够特别简单地进行维护，因为激光条100能够布置在可容易触及的地点处，其中，光导体40将发射的辐射引导到可能难于到达的地点处。附加地，光导体40的使用简化了激光条的冷却，因为激光条例如能够布置在具有特别大的热容的热沉处。
这实现对大型场地、十字路口、火车站、飞机场、体育场、体育馆和会议场馆进行尤其安全和高效的照明，其中，产生初级辐射L1的激光条100与其中发射次级辐射L2的区域在空间上是分开的。
图11B示出根据一个实施例的发光半导体部件99的示意图。与图11A中示出的实施例不同，转换元件300没有设计为透射的，而是设计为反射性的。
图12A示出根据一个实施例的发光半导体部件99的示意图。发光半导体部件99包括激光条100、转换元件300和第二光学元件402。第二光学元件402在次级辐射L2的光路中布置在转换元件300的下游。特别地，借助激光条100发射的初级辐射L1直接地射到转换元件300上，而不穿行其他的光学元件、尤其是第一光学元件。第二光学元件402借助透镜43形成，其设置用于影响次级辐射L2。例如，透镜43设置用于对次级辐射L2进行聚焦、散射或准直。
图12B示出根据一个实施例的发光半导体部件99的示意图。发光半导体部件99包括激光条100、转换元件300和第二光学元件402。第二光学元件在次级辐射L2的光路中布置在转换元件300的下游。特别地，第二光学元件402借助过滤器45形成。例如，过滤器45尤其完全地覆盖转换元件300的面。例如，过滤器45设置用于反射或吸收初级辐射L1。此外，过滤器45能够设置用于仅使从转换元件300中射出的初级辐射的一部分透射。例如，过滤器45能够与转换元件300处于直接接触。
图13A至13H示出发光半导体部件99的不同实施方式的示意图，发光半导体部件借助激光条100和转换元件300形成。转换元件300分别设置用于：将由激光条100发射的初级辐射L1转换成次级辐射L2。如图13A中示出，转换元件300能够构成为正方形的，尤其以层的形式构成。例如，如下面，初级辐射L1所射到的面并且次级辐射L2从中射出的面构成为平坦的。特别地，转换元件300的彼此相对置的面彼此平行地延伸。
图13B示出一个实施例，其中，以局部视图示出了转换元件300。转换元件300的朝向激光条100的一面设计为凹形的。另外，转换元件300的背离激光条100的一面设计为凸形的。因此，转换元件300还具有凹凸透镜的作用，从而能够利用该转换元件对次级辐射L2进行聚焦、扩宽或准直。
图13C示出一个实施例，其中，转换元件300设计为截锥形。特别地，转换元件300旋转对称地构成，使得例如转换元件300在激光条100运行期间能够旋转。特别地，能够借助于旋转来改变转换元件300的被初级辐射L1照射的区域，以便因此降低转换元件300的热负荷。
图13D示出一个替选的实施例，其中转换元件300设计为柱形。在此，初级辐射L1射到转换元件300的平坦的面上。经转换的电磁辐射作为次级辐射L2穿过柱形的转换元件300的相对置的平坦面从转换元件300射出。可供选择地，转换元件300能够设置为用初级辐射L1辐照在其拱形的外表面上。
图13E示出一个实施例，其中转换元件300设计为透镜形式的。特别地，转换元件300构成为平凸透镜。例如，射出的次级辐射L1在转换元件300的表面处折射，使得射出的次级辐射L2借助于转换元件300能够被聚焦、准直或扩宽。
图13F示出一个实施例，其中转换元件300设计为立方形的。
图13G示出一个实施例，其中示出转换元件300的剖面图和转换元件300的朝向激光条100的一侧的俯视图。转换元件300设计为平截头棱锥的形式。转换元件300设置用于：使初级辐射L1通过较小的矩形表面输入到转换元件300中。次级辐射L2通过转换元件的相对置的较大矩形表面射出。特别地，转换元件300的梯形的侧面能够设计为反射性的，以便将次级辐射L2特别高效地从转换元件300耦合输出到背离激光条100的一侧上。
图13H示出一个实施例，其中转换元件300设计为薄的拱形体。例如，转换元件300构成为可弯曲的薄膜。因此，借助于转换元件300的弯曲能够调整次级辐射L2的出射轮廓。
本发明不受限于根据实施例进行的描述。更确切地说，本发明包括各个新的特征以及特征的各个组合，这尤其包含权利要求中的特征的各个组合，即使特征或组合本身没有在权利要求或实施例中明确地说明时也是如此。
本申请要求德国专利申请102017121480.1的优先权，其公开内容通过参考并入本文。
附图标记列表
1 半导体层排列
2 单发射器
3 热解耦结构
10 半导体层排列1的接触侧
11 有源层
12 接触侧10的接触区域
13 接触侧10的冷却区域
14 生长衬底
15 肋片
16 配对接触侧
17 棱面
20 接触元件
21 电绝缘层
23 接触层
26 配对接触元件
30 冷却元件
31 绝缘层
35 沟道
40 光导体
41 光束组合光学装置
42 柱形透镜
43 透镜
44 光纤
45 过滤器
99 发光半导体部件
100 激光条
200 连接载体
300 转换元件
300a 转换元件的表面
301 热沉
302 反射器
303 转换材料
401 第一光学元件
402 第二光学元件
E1 第一侧向平面
E 侧向平面
L1 初级辐射
L2 次级辐射
X 侧向的横向方向
Y 出射方向
Z 纵向方向。

Claims (16)

1.一种发光半导体部件(99)，具有：激光条(100)，所述激光条包括至少两个单发射器(2)；以及转换元件(300)，所述转换元件在光路中设置在所述激光条(100)的下游，其中，
-至少一些所述单发射器(2)在侧向的横向方向(X)上彼此并排布置，
-所述激光条(100)利用氮化物半导体材料形成，
-所述单发射器(2)设置用于，在正常运行中发射初级辐射(L1)，并且
-所述转换元件(300)设置用于，将所述初级辐射(L1)的至少一部分转换成次级辐射(L2)，其中，所述次级辐射(L2)具有比所述初级辐射(L1)更长的波长。
2.根据前述权利要求所述的发光半导体部件(99)，其中，所述激光条(100)：
-包括基于AlGaInN的半导体层排列(1)，所述半导体层排列具有接触侧(10)和用于产生激光辐射的有源层(11)，
-包括多个接触元件(20)，所述接触元件在侧向的横向方向(x)上彼此并排且彼此间隔地布置在所述接触侧(10)上，所述接触元件用于所述单发射器(2)的电接触，其中，
-每个所述接触元件(20)配属于一个所述单发射器(2)，
-每个所述接触元件(20)经由所述接触侧(10)的连续的接触区域(12)导电地耦合到所述半导体层排列(1)处，使得经由所述接触区域(12)实现所述半导体层排列(1)与所述接触元件(20)之间的电流通，
-所述激光条(100)在两个相邻的所述单发射器(2)之间的区域中具有热解耦结构(3)，所述解耦结构反作用于两个相邻的所述单发射器(2)之间的热交换，
-所述解耦结构(3)包括安装在所述接触侧(10)上的能导电的冷却元件(30)，所述冷却元件完全覆盖所述接触侧(10)的连续的冷却区域(13)，
-所述冷却元件(30)沿着所述冷却区域(13)与所述半导体层排列(1)电绝缘并且沿着所述冷却区域(13)热耦合于所述半导体层排列(1)，并且
-沿着侧向的横向方向(X)测量，所述冷却区域(13)的宽度是相邻的接触区域(12)的宽度的至少一半。
3.根据前述权利要求中任一项所述的发光半导体部件(99)，其中，所述激光条(100)的最大光学输出功率为至少10瓦特。
4.根据前述权利要求中任一项所述的发光半导体部件(99)，其中，所述初级辐射(L1)和/或所述次级辐射(L2)在所述转换元件(300)中被反射。
5.根据前述权利要求中任一项所述的发光半导体部件(99)，其中，所述初级辐射(L1)和/或所述次级辐射(L2)透射穿过所述转换元件(300)。
6.根据前述权利要求中任一项所述的发光半导体部件(99)，其中，所述转换元件(300)包括热沉(301)。
7.根据前述权利要求中任一项所述的发光半导体部件(99)，其中，所述转换元件(300)具有反射器(302)，所述反射器设计为对于所述初级辐射(L1)和/或所述次级辐射(L2)是反射的。
8.根据前述权利要求中任一项所述的发光半导体部件(99)，其中，所述转换元件(300)具有至少一个凹形或凸形弯曲的表面(300a)。
9.根据前述权利要求中任一项所述的发光半导体部件(99)，所述发光半导体部件具有第一光学元件(401)，其中，所述第一光学元件(401)在所述初级辐射(L1)的光路中布置在所述激光条(100)与所述转换元件(300)之间，并且
借助于所述第一光学元件(401)能够改变所述初级辐射(L1)的强度。
10.根据前述权利要求中任一项所述的发光半导体部件(99)，其中，第一光学元件(401)在与所述初级辐射(L1)的传播方向垂直的至少一个方向上对所述初级辐射进行聚焦、扩宽和/或准直。
11.根据前述权利要求中任一项所述的发光半导体部件(99)，其中，第一光学元件(401)包括光导体(40)。
12.根据前述权利要求中任一项所述的发光半导体部件(99)，其中，第一光学元件(401)具有光束组合光学装置(41)。
13.根据前述权利要求中任一项所述的发光半导体部件(99)，所述发光半导体部件具有第二光学元件(402)，其中，所述第二光学元件(402)在所述次级辐射(L2)的光路中布置在所述转换元件(300)的下游。
14.根据前述权利要求中任一项所述的发光半导体部件(99)，其中，第二光学元件(402)具有过滤器(43)，其中，所述过滤器(43)对于所述初级辐射(L1)的透明度小于对于所述次级辐射(L2)的透明度。
15.根据前述权利要求中任一项所述的发光半导体部件(99)，其中，所述单发射器(2)布置在多个侧向平面(E)中，其中，所述侧向平面(E)与侧向的横向方向(X)平行地并与出射方向(Y)平行地延伸。
16.根据前述权利要求中任一项所述的发光半导体部件(99)，所述发光半导体部件具有多个激光条(100)，其中，所述激光条(100)垂直于侧向的横向方向(X)并垂直于出射方向(Y)地彼此层叠布置。
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