CN111448188B - 三嗪化合物和包含所述化合物的有机半导体层 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种由通式(I)表示的化合物：(式I)、包含所述化合物的有机半导体层、包括所述有机半导体层的有机电子器件以及包括所述有机电子器件的装置。

Description

三嗪化合物和包含所述化合物的有机半导体层
技术领域
本发明涉及化合物、包含所述化合物的有机半导体层、包括所述有机半导体层的有机电子器件以及包括所述有机电子器件的装置。
背景技术
作为自发光器件的有机发光二极管(OLED)具有宽视角、优异的对比度、快速的响应、高亮度、优异的驱动电压特性和色彩再现。典型的OLED包括阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极，它们顺序地层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机和/或有机金属化合物形成的薄膜。
当将电压施加到阳极和阴极时，从阳极注入的空穴经由HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时发光。应平衡空穴和电子的注入和流动，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率。
WO 2016/171406 A2公开了一种包含具有吡啶和氰基基团的三嗪化合物的有机发光器件。然而，所公开的材料显示相当低的玻璃化转变温度。此外，包含此类化合物的器件需要高驱动电压并显示相当低的电流效率。
因此，本发明的一个目的在于提供克服现有技术缺点的用于有机电子器件的层中的新型化合物，特别是适合改善有机电子器件的性能的化合物。特别地，本发明的目的在于改善OLED器件的电流效率和其中使用的化合物的玻璃化转变温度。此外，本发明的一个目的在于提供化合物，所述化合物适合降低包含其的有机电子器件的驱动电压。
发明内容
上述目的通过由通式(I)表示的化合物实现，
其中Ar1和Ar2独立地选自取代或未取代的C6-C60芳基和取代或未取代的C2-C60杂芳基，其中如果在相应的芳基或杂芳基基团中存在取代基，则所述取代基独立地选自C1-C20直链烷基、C3-C20支链烷基、C3-C20环状烷基；C1-C20直链烷氧基、C3-C20支链烷氧基；直链氟化C1-C12烷基或直链氟化C1-C12烷氧基；C3-C12支链氟化环状烷基、C3-C12氟化环状烷基、C3-C12氟化环状烷氧基；CN；C2-C20杂芳基、OR、SR、(C＝O)R、(C＝O)NR2、SiR3、(S＝O)R、(S＝O)2R、C12-C40芳基氧化膦、C7-C40芳基-烷基-氧化膦；
Ar3选自取代或未取代的C6-C60芳亚基和取代或未取代的C2-C60杂芳亚基，其中如果在相应的芳亚基或杂芳亚基基团中存在取代基，则所述取代基独立地选自C1-C20直链烷基、C3-C20支链烷基、C3-C20环状烷基；C1-C20直链烷氧基、C3-C20支链烷氧基；直链氟化C1-C12烷基或直链氟化C1-C12烷氧基；C3-C12支链氟化环状烷基、C3-C12氟化环状烷基、C3-C12氟化环状烷氧基；CN；C2-C20杂芳基、OR、SR、(C＝O)R、(C＝O)NR2、SiR3、(S＝O)R、(S＝O)2R、C12-C40芳基氧化膦、C7-C40芳基-烷基-氧化膦；
L表示单键或选自C6-C60芳亚基；
n是0或1；
m是1至3的整数；
G选自H、取代或未取代的C2-C60杂芳基和取代的C6-C60芳基，其中如果在相应的芳基或杂芳基基团中存在取代基，则所述取代基独立地选自C1-C20直链烷基、C3-C20支链烷基、C3-C20环状烷基；C1-C20直链烷氧基、C3-C20支链烷氧基；直链氟化C1-C12烷基或直链氟化C1-C12烷氧基；C3-C12支链环状氟化烷基、C3-C12环状氟化烷基、C3-C12环状氟化烷氧基；CN；C2-C20杂芳基、OR、SR、(C＝O)R、(C＝O)NR2、SiR3、(S＝O)R、(S＝O)2R、C12-C40芳基氧化膦、C7-C40芳基-烷基-氧化膦；以及
R独立地选自C1-C20直链烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硫代烷基、C3-C20支链烷基、C3-C20环状烷基、C3-C20支链烷氧基、C3-C20环状烷氧基、C3-C20支链硫代烷基、C3-C20环状硫代烷基、C6-C20芳基和C3-C20杂芳基。
令人惊奇地，本发明人已经发现三嗪部分与蒽部分的组合使相应化合物的玻璃化转变温度显著增加数十K。
对于Ar1和Ar2，在相应的芳基或杂芳基基团中存在的取代基可以选自二芳基氧化膦、C2-C20杂芳基、氟化C1-C6烷基和氟化C1-C6烷氧基。
对于Ar3，如果在相应的芳亚基或杂芳亚基中存在取代基，则所述取代基可以独立地选自二芳基氧化膦、C2-C20杂芳基、氟化C1-C6烷基和氟化C1-C6烷氧基。
对于G，如果在相应的芳基或杂芳基基团中存在取代基，则所述取代基可以独立地选自二芳基氧化膦、C2-C20杂芳基、氟化C1-C6烷基、氟化C1-C6烷氧基和CN。
Ar1和Ar2可以独立地选自未取代的C6-C60芳基或未取代的C2-C60杂芳基。Ar1和Ar2可以独立地选自C6-C12芳基。Ar1和Ar2可以都选择为苯基。相应的选择能使得微调本发明化合物的电子结构以改善本发明化合物在有机电子器件的有机半导体层中的可用性。
基团Ar3可以存在于由对应于n＝1的通式(I)表示的化合物中，或者可以不存在于由对应于n＝0的通式(I)表示的化合物中。在由通式(I)表示的本发明化合物中，n可以是0。如果存在Ar3，则Ar3可以选自取代或未取代的C6-C60芳亚基，其中如果在相应的基团中存在取代基，则所述取代基如上文所定义。Ar3可以选自C6-C12芳亚基。Ar3可以选择为苯亚基。相应的选择能使得微调本发明化合物的电子结构以改善本发明化合物在有机电子器件的有机半导体层中的可用性。
L可以表示单键或者可以是取代或未取代的C6芳亚基。在这方面，如果在相应的L中存在取代基，则所述取代基如上文所定义。L可以是苯亚基。L可以是间苯亚基，即三嗪部分和蒽亚基部分彼此处于间位。L可以是对苯亚基，即三嗪部分和蒽亚基部分彼此处于对位。相应的选择能使得微调本发明化合物的电子结构以改善本发明化合物在有机电子器件的有机半导体层中的可用性。
G可以选自C2-C20杂芳基和CN。G可以选自含氮的C2-C20杂芳基和CN。G可以选自吡啶基和CN。相应的选择能使得微调本发明化合物的电子结构以改善本发明化合物在有机电子器件的有机半导体层中的可用性。
对于由通式(I)表示的化合物，如果n＝0，则L可选自C6-C60芳亚基。
由通式(I)表示的化合物可以是如下化合物，其中Ar1和Ar2独立地选自未取代的C6-C42芳基或C2-C42杂芳基；Ar3选自未取代的C6-C42芳亚基或C2-C42杂芳亚基；L表示单键或者是C6-C42芳基；G选自H、含N的杂芳基和CN；n是0或1；并且m是1。相应的选择能使得微调本发明化合物的电子结构以改善本发明化合物在有机电子器件的有机半导体层中的可用性。
在这方面，Ar1和Ar2可以独立地选自苯基、联苯基、萘基、二苯并呋喃基、芴基、二苯并噻吩基；如果存在Ar3，则Ar3可以是苯基或者可以不存在(n＝0)；L可以表示单键或者是苯基；并且G可以是H、吡啶基或CN。相应的选择能使得微调本发明化合物的电子结构以改善本发明化合物在有机电子器件的有机半导体层中的可用性。
由通式(I)表示的化合物可以由下式A至M中的一个表示：
当从这种选择中选择式1的化合物时，获得特别好的性能特性。
所述目的进一步通过包含本发明化合物的有机半导体层实现。
根据本发明的一个方面，所述有机半导体层可以用于有机电子器件中。例如，所述有机电子器件可以是OLED等。
由式1表示的化合物具有强的电子传输特性，以增加电荷迁移率和/或稳定性，由此改善发光效率、电压特性和/或寿命特性。
由式1表示的化合物具有高的电子迁移率和低的工作电压。
根据本发明的另一方面，提供一种有机光电器件，其包括彼此面对的阳极层和阴极层以及在所述阳极层和所述阴极层之间的至少一个有机半导体层，其中所述有机半导体层包含式I的化合物或由式I的化合物组成。
根据本发明的又一方面，提供一种包括有机电子器件的显示装置，其可以是有机光电装置。
根据式I的化合物可以包含至少7至20个芳族环，或者至少7至15个芳族环，或者至少7至12个芳族环；和/或式I的化合物包含至少1-5个、或者2-4个或2-3个杂芳族环。
所述式I的化合物的偶极矩可以为约≥0德拜且约≤6德拜，或者约≥1.5德拜且约≤6德拜。
令人惊奇地，已经发现当在该范围内选择式I的化合物的偶极矩时，可以获得包含式I的化合物的有机半导体层的特别高的电导率和低的工作电压。
式I的化合物的还原电位(或LUMO)可以相对于四氢呋喃中的Fc/Fc+选择为比-1.9V更负但没有-2.6V这么负，或者比-2V更负但没有-2.5V这么负。
式I的化合物的玻璃化转变温度Tg可以为约≥100℃且约≤380℃，或者约≥110℃且约≤350℃，或者约≥150℃且约≤320℃。
式I的化合物的玻璃化转变温度Tg可以为约≥110℃且约≤150℃。
式I的化合物的标准起始温度TRO可以为约≥220℃且≤400℃，或者约≥230℃且约≤380℃。
所述有机半导体层还可以包含选自金属、金属盐或有机碱金属络合物的添加剂。所述添加剂可以是碱金属添加剂。所述添加剂可以是碱金属络合物或碱金属盐。所述添加剂可以是8-羟基喹啉锂、碱金属硼酸盐或碱金属酚盐。所述添加剂可以是8-羟基喹啉锂或四(1H-吡唑-1-基)硼酸锂。本发明化合物与相应添加剂的组合特别有助于改善相应有机半导体层的性能。
所述添加剂可以相对于有机半导体层的总体积以1体积％至99体积％的量包含在有机半导体层中。所述添加剂的浓度可以是10体积％至90体积％，或者20体积％至80体积％，或者30体积％至70体积％，或者30体积％至50体积％。
所述目的进一步通过有机电子器件实现，所述有机电子器件在阳极和阴极之间包括本发明的有机半导体层，并且所述有机半导体层与所述阳极和所述阴极电接触。
所述有机电子器件还可以包括发光层，其中所述有机半导体层布置在所述发光层和所述阴极之间。当用于这种层中时，使用本发明化合物带来的优点是特别显著的。
最后，所述目的通过一种为显示装置或照明装置的装置来实现，所述装置包括本发明的有机电子器件。
令人惊奇地发现，本发明化合物可以有利地用作有机发光二极管(OLED)中的电子传输主体，特别是与合适的添加剂如碱金属有机盐或碱金属有机络合物组合。还令人惊奇地发现，使用本发明化合物产生改善的器件性能，特别是在cd/A效率方面更是情况如此。
令人惊奇地，发现式1的化合物和本发明有机电子器件通过特别是在cd/A效率(也称为电流效率)方面优于本领域已知的有机电致发光器件和化合物而解决了本发明的问题。同时，工作电压保持在类似或甚至改善的水平，这对于降低功耗和增加电池寿命是重要的，例如移动显示设备的功耗和电池寿命。高cd/A效率对于高效率是重要的，由此增加了移动设备如移动显示设备的电池寿命。
本发明人已经惊奇地发现，当使用有机电致发光器件作为蓝色荧光器件时，可以实现特别好的性能。
发现本文中作为优选而提及的特定布置是特别有利的。
同样，已经令人惊讶地发现，落入本发明最广泛定义范围内的一些化合物在cd/A效率的所述性质方面表现特别好。这些化合物在本文被论述为特别优选的。
另外，可以获得具有高效率和/或长寿命的有机光电装置。
另外的层
根据本发明，除了上面已经提到的层之外，所述有机电子器件还可以包括另外的层。下文描述相应层的示例性实施方式：
基底
所述基底可以是通常用于制造电子器件如有机发光二极管的任何基底。如果要通过基底发射光，则基底应是透明或半透明的材料，例如玻璃基底或透明塑料基底。如果要通过顶表面发射光，则基底既可以是透明材料，也可以是不透明材料，例如玻璃基底、塑料基底、金属基底或硅基底。
阳极
第一电极或第二电极可以是阳极。可以通过沉积或溅射用于形成阳极的材料来形成阳极。用于形成阳极的材料可以是高逸出功材料，以便于空穴注入。阳极材料也可以选自低逸出功材料(即，铝)。阳极可以是透明或反射电极。透明导电氧化物，诸如氧化锡铟(ITO)、氧化铟锌(IZO)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌铝(AlZO)和氧化锌(ZnO)，可以用于形成阳极。阳极也可以使用金属，通常是银(Ag)、金(Au)或金属合金形成。
空穴注入层
空穴注入层(HIL)可以通过真空沉积、旋涂、印刷、浇铸、狭缝式模头涂布、蓝穆尔-柏拉盖(Langmuir-Blodgett，LB)沉积等在阳极上形成。当使用真空沉积形成HIL时，沉积条件可以根据用于形成HIL的化合物以及HIL的所需结构和热性质而变化。然而，一般而言，真空沉积的条件可以包括100℃至500℃的沉积温度、10-8托至10-3托(1托等于133.322Pa)的压力和0.1nm/秒至10nm/秒的沉积速率。
当使用旋涂或印刷形成HIL时，涂覆条件可以根据用于形成HIL的化合物和HIL的所需结构和热性质而变化。例如，涂覆条件可以包括约2000rpm至约5000rpm的涂覆速度和约80℃至约200℃的热处理温度。在执行涂覆后，热处理除去溶剂。
HIL可以由通常用于形成HIL的任何化合物形成。可以用于形成HIL的化合物的实例包括酞菁化合物，诸如铜酞菁(CuPc)、4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、TDATA、2T-NATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-乙叉二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)。
HIL可以是纯p-型掺杂剂的层，所述p-型掺杂剂可以选自四氟四氰基醌二甲烷(F4TCNQ)、2,2'-(全氟萘-2,6-二亚基)二丙二腈或2,2',2"-(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-(对氰基四氟苯基)乙腈)，但不限于此。HIL可以选自用p-掺杂剂掺杂的空穴传输基质化合物。已知的掺杂的空穴传输材料的典型实例是：用LUMO能级为约-5.2eV的四氟-四氰基醌二甲烷(F4TCNQ)掺杂的HOMO能级为约-5.2eV的铜酞菁(CuPc)；用F4TCNQ掺杂的锌酞菁(ZnPc)(HOMO＝-5.2eV)；用F4TCNQ掺杂的α-NPD(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺)；用2,2'-(全氟代萘-2,6-二亚基)二丙二腈掺杂的α-NPD；用2,2',2”-(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-(对氰基四氟苯基)乙腈)掺杂的α-NPD。掺杂剂浓度可以选自1重量％至20重量％，更优选地选自3重量％至10重量％。
HIL的厚度可以在约1nm至约100nm，并且例如约1nm至约25nm的范围内。当HIL的厚度在该范围内时，HIL可以具有优异的空穴注入特性，而不会显著损害驱动电压。
空穴传输层
空穴传输层(HTL)可以通过真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、浇铸、蓝穆尔-柏拉盖(LB)沉积等在HIL上形成。当通过真空沉积或旋涂形成HTL时，沉积和涂覆的条件可以与用于形成HIL的条件类似。然而，根据用于形成HTL的化合物，真空或溶液沉积的条件可以变化。
HTL可以由常用于形成HTL的任何化合物形成。可以合适使用的化合物公开于例如Yasuhiko Shirota和Hiroshi Kageyama,Chem.Rev.(化学评论)2007,107,953～1010中，并且其通过引用并入本文。可以用于形成HTL的化合物的实例是：咔唑衍生物，诸如N-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑；联苯胺衍生物，诸如N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺(TPD)或N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(α-NPD)；以及基于三苯基胺的化合物，诸如4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯基胺(TCTA)。在这些化合物之中，TCTA可以传输空穴并抑制激子扩散到EML中。
HTL的厚度可以在约5nm至约250nm，优选地，约10nm至约200nm，进一步优选约20nm至约190nm，进一步优选约40nm至约180nm，进一步优选约60nm至约170nm，进一步优选约80nm至约160nm，进一步优选约100nm至约160nm，进一步优选约120nm至约140nm的范围内。HTL的优选厚度可以是170nm至200nm。
当HTL的厚度在该范围内时，HTL可以具有优异的空穴传输特性，而不会显著损害驱动电压。
电子阻挡层
电子阻挡层(EBL)的功能是防止电子从发光层转移到空穴传输层，从而将电子限制到发光层。由此，改善了效率、工作电压和/或寿命。通常，电子阻挡层包含三芳基胺化合物。所述三芳基胺化合物可以具有比空穴传输层的LUMO能级更接近于真空能级的LUMO能级。电子阻挡层可以具有比空穴传输层的HOMO能级更远离真空能级的HOMO能级。电子阻挡层的厚度可以在2nm和20nm之间选择。
电子阻挡层可以包含下式Z的化合物(Z)。
在式Z中，CY1和CY2彼此相同或不同，并且各自独立地表示苯环或萘环，B1至B3彼此相同或不同，并且各自独立地选自氢；具有6至30个碳原子的取代或未取代的芳基基团；和具有5至30个碳原子的取代或未取代的杂芳基基团，B4选自取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的联苯基基团、取代或未取代的三联苯基基团、取代或未取代的联三苯叉基团和具有5至30个碳原子的取代或未取代的杂芳基基团，L为具有6至30个碳原子的取代或未取代的芳亚基基团。
如果电子阻挡层具有高的三重态能级，则它也可以被描述为三重态控制层。
所述三重态控制层的功能是在使用绿色或蓝色磷光发光层的情况下减少三重态的淬灭。由此，可以从磷光发光层实现更高的发光效率。三重态控制层选自三芳基胺化合物，其三重态能级高于相邻发光层中的磷光发光体的三重态能级。用于三重态控制层的合适化合物，特别是三芳胺化合物，描述于EP 2 722 908A1中。
发光层(EML)
EML可以通过真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、浇铸、LB沉积等在HTL上形成。当通过真空沉积或旋涂形成EML时，沉积和涂覆的条件可以与用于形成HIL的条件类似。然而，用于沉积和涂覆的条件可以根据用于形成EML的化合物而变化。
发光层(EML)可以由主体和发光体掺杂剂的组合形成。主体的实例是Alq3、4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、3-叔丁基-9,10-二-2-萘基蒽(TBADN)、二苯乙烯基芳亚基(DSA)、双(2-(2-羟基苯基)苯并-噻唑)锌(Zn(BTZ)2)、下面的G3、“AND”、下面的化合物1和下面的化合物2。
发光体掺杂剂可以是磷光或荧光发光体。磷光发光体和通过热激活延迟荧光(TADF)机制发光的发光体，由于其更高的效率而可以是优选的。发光体可以是小分子或聚合物。
红色发光体掺杂剂的实例是PtOEP、Ir(piq)3和Btp2lr(acac)，但不限于此。这些化合物是磷光发光体，然而，也可以使用荧光红色发光体掺杂剂。
磷光绿色发光体掺杂剂的实例是Ir(ppy)3(ppy＝苯基吡啶)，Ir(ppy)2(acac)，Ir(mpyp)3，如下所示。化合物3是荧光绿色发光体的一个实例，并且结构如下所示。
磷光蓝色发光体掺杂剂的实例是F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)和Ir(dfppz)3，三芴，结构如下所示。4,4'-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)和下面的化合物4是荧光蓝发光体掺杂剂的实例。
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基于100重量份的主体，发光体掺杂剂的量可以在约0.01重量份至约50重量份的范围内。或者，发光层可以由发光聚合物组成。EML可以具有约10nm至约100nm，例如约20nm至约60nm的厚度。当EML的厚度在该范围内时，EML可以具有优异的发光，而不会显著损害驱动电压。
空穴阻挡层(HBL)
空穴阻挡层(HBL)可以通过使用真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、浇铸、LB沉积等在EML上形成，以防止空穴扩散到ETL中。当EML包含磷光掺杂剂时，HBL也可以具有三重态激子阻挡功能。
当使用真空沉积或旋涂形成HBL时，用于沉积和涂覆的条件可以与用于形成HIL的条件类似。然而，用于沉积和涂覆的条件可以根据用于形成HBL的化合物而变化。可以使用常用于形成HBL的任何化合物。用于形成HBL的化合物的实例包括二唑衍生物、三唑衍生物和菲咯啉衍生物。
HBL的厚度可以在约5nm至约100nm，例如约10nm至约30nm的范围内。当HBL的厚度在该范围内时，HBL可以具有优异的空穴阻挡性质，而不会显著损害驱动电压。
电子传输层(ETL)
根据本发明的OLED可以包括电子传输层(ETL)。根据本发明，电子传输层可以是本发明的有机半导体层，其包含由如上定义的通式(I)表示的本发明的化合物。
根据各种实施方式，所述OLED可以包括电子传输层或电子传输层叠层结构，所述电子传输层叠层结构包括至少第一电子传输层和至少第二电子传输层。
通过适当地调节ETL的特定层的能级，可以控制电子的注入和传输，并且可以高效地阻挡空穴。因此，OLED可以具有长的寿命。
有机电子器件的电子传输层可以包含如上定义的通式(I)表示的化合物作为有机电子传输基质(ETM)材料。除了通式(I)表示的化合物之外，电子传输层还可以包含本领域已知的ETM材料。同样，电子传输层可以包含通式(I)表示的化合物作为唯一的电子传输基质材料。在本发明的有机电子器件包括多于一个电子传输层的情况下，通式(I)表示的化合物可以仅包含在一个电子传输层中，包含在多于一个电子传输层中或包含在所有电子传输层中。根据本发明，除了ETM材料之外，电子传输层还可以包含至少一种如下定义的添加剂。另外，电子传输层可以包含一种或多种n-型掺杂剂。添加剂可以是n-型掺杂剂。添加剂可以是碱金属、碱金属化合物、碱土金属、碱土金属化合物、过渡金属、过渡金属化合物或稀土金属。在另一个实施方式中，所述金属可以是选自Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、La、Ce、Sm、Eu、Tb、Dy和Yb中的一种。在另一个实施方式中，n-型掺杂剂可以是选自Cs、K、Rb、Mg、Na、Ca、Sr、Eu和Yb中的一种。在一个实施方式中，所述碱金属化合物可以是8-羟基喹啉锂(LiQ)、四(1H-吡唑-1-基)硼酸锂或2-(二苯基磷酰基)苯酚锂。对ETM合适的化合物(除如上定义的通式(I)表示的本发明化合物外，其也可以使用)没有特别限制。在一个实施方式中，电子传输基质化合物由共价键合的原子组成。优选地，所述电子传输基质化合物包含至少6个，更优选至少10个离域电子的共轭体系。在一个实施方式中，离域电子的共轭体系可以包含在芳族或杂芳族结构部分中，如在例如文献EP 1 970 371A1或WO 2013/079217 A1中所公开的。
电子注入层(EIL)
任选的EIL(其可以促进电子从阴极注入)可以形成在ETL上，优选直接形成在电子传输层上。用于形成EIL的材料的实例包括本领域已知的8-羟基喹啉锂(LiQ)、LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、Ca、Ba、Yb、Mg。用于形成EIL的沉积和涂覆条件类似于用于形成HIL的沉积和涂覆条件，尽管所述沉积和涂覆条件可以根据用于形成EIL的材料而变化。
EIL的厚度可以在约0.1nm至约10nm的范围内，例如在约0.5nm至约9nm的范围内。当EIL的厚度在此范围内时，EIL可以具有令人满意的电子注入性质，而不会显著损害驱动电压。
阴极
如果存在EIL的话，则阴极形成在EIL上。所述阴极可以由金属、合金、导电化合物或其混合物形成。所述阴极可以具有低的逸出功。例如，阴极可以由锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝(Al)-锂(Li)、钙(Ca)、钡(Ba)、镱(Yb)、镁(Mg)-铟(In)、镁(Mg)-银(Ag)等形成。或者，阴极可以由透明导电氧化物如ITO或IZO形成。
阴极的厚度可以在约5nm至约1000nm的范围内，例如在约10nm至约100nm的范围内。当阴极的厚度在约5nm至约50nm的范围内时，即使由金属或金属合金形成，阴极也可以是透明或半透明的。
应理解，阴极不是电子注入层或电子传输层的一部分。
电荷产生层/空穴产生层
电荷产生层(CGL)可以由双层构成。
通常，电荷产生层是连接n-型电荷产生层(电子产生层)和空穴产生层的pn结。pn结的n-侧产生电子并将它们注入到在阳极方向上相邻的层中。类似地，p-n结的p-侧产生空穴并将它们注入在阴极方向上相邻的层中。
电荷产生层用于串联器件中，例如，串联OLED中，其在两个电极之间包括两个或更多个发光层。在包括两个发光层的串联OLED中，n-型电荷产生层为布置在阳极附近的第一发光层提供电子，而空穴产生层为布置在第一发光层和阴极之间的第二发光层提供空穴。
用于空穴产生层的合适基质材料可以是常规用作空穴注入和/或空穴传输基质材料的材料。而且，用于空穴产生层的p-型掺杂剂可以采用常规材料。例如，p-型掺杂剂可以是选自四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)、四氰基醌二甲烷的衍生物、轴烯衍生物、碘、FeCl3、FeF3和SbCl5中的一种。此外，主体可以是选自N,N'-二(萘-1-基)-N,N-二苯基联苯胺(NPB)、N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1-联苯-4,4'-二胺(TPD)和N,N',N'-四萘基-联苯胺(TNB)中的一种。
n-型电荷产生层可以是纯n-型掺杂剂如正电性金属的层，或者可以由掺杂有n-型掺杂剂的有机基质材料组成。在一个实施方式中，n-型掺杂剂可以是碱金属、碱金属化合物、碱土金属、碱土金属化合物、过渡金属、过渡金属化合物或稀土金属。在另一个实施方式中，所述金属可以是选自Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、La、Ce、Sm、Eu、Tb、Dy和Yb中的一种。更具体地，n-型掺杂剂可以是选自Cs、K、Rb、Mg、Na、Ca、Sr、Eu和Yb中的一种。用于电子产生层的合适的基质材料可以是常规用作电子注入或电子传输层的基质材料的材料。基质材料可以是例如选自三嗪化合物、羟基喹啉衍生物如三(8-羟基喹啉)铝、苯并唑衍生物和噻咯衍生物中的一种。
在一个实施方式中，n-型电荷产生层可以包含以下化学式X的化合物。
其中A1至A6各自可以是氢、卤原子、腈(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜(-SOR)、磺酰胺(-SO2NR)、磺酸盐(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯(-COOR)、酰胺(-CONHR或-CONRR')、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的直链或支链C2-C12烯基、取代或未取代的芳族或非芳族杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单-或二-芳基胺、取代或未取代的芳烷基胺等。在本文中，上述R和R'各自可以是取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基或取代或未取代的5-至7-元杂环等。
这种n-型电荷产生层的一个实例可以是包含CNHAT的层，
空穴产生层布置在n-型电荷产生层的顶部。
有机发光二极管(OLED)
根据本发明的有机电子器件可以是有机发光器件。
根据本发明的一个方面，提供一种有机发光二极管(OLED)，其包括：基底；形成在所述基底上的阳极；空穴注入层、空穴传输层、发光层和阴极。
根据本发明的另一方面，提供一种OLED，其包括：基底；形成在所述基底上的阳极；空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层和阴极。
根据本发明的另一方面，提供一种OLED，其包括：基底；形成在所述基底上的阳极；空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极。
根据本发明的另一方面，提供一种OLED，其包括：基底；形成在所述基底上的阳极；空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。
根据本发明的各种实施方式，可以提供OLED层，其布置在上述层之间、在基底上或在顶部电极上。
根据一个方面，OLED可以包括以下层结构，基底与阳极相邻地布置，阳极与第一空穴注入层相邻地布置，第一空穴注入层与第一空穴传输层相邻地布置，第一空穴传输层与第一电子阻挡层相邻地布置，第一电子阻挡层与第一发光层相邻地布置，第一发光层与第一电子传输层相邻地布置，第一电子传输层与n-型电荷产生层相邻地布置，n-型电荷产生层与空穴产生层相邻地布置，空穴产生层与第二空穴传输层相邻地布置，第二空穴传输层与第二电子阻挡层相邻地布置，第二电子阻挡层与第二发光层相邻地布置，任选的电子传输层和/或任选的注入层布置在第二发光层与阴极之间。
例如，根据图2的OLED可以通过以下工艺形成，其中在基底(110)上依次顺序地形成阳极(120)、空穴注入层(130)、空穴传输层(140)、电子阻挡层(145)、发光层(150)、空穴阻挡层(155)、电子传输层(160)、电子注入层(180)和阴极(190)。
有机电子器件
根据本发明的有机电子器件包括含有根据式I的化合物的有机半导体层。
根据一个实施方式的有机电子器件可以包括基底、阳极层、包含式1的化合物的有机半导体层和阴极层。
根据一个实施方式的有机电子器件包括至少一个包含至少一种式I的化合物的有机半导体层、至少一个阳极层、至少一个阴极层和至少一个发光层，其中所述有机半导体层优选布置在发光层和阴极层之间。
根据本发明的有机发光二极管(OLED)可以包括阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、包含至少一种式1的化合物的电子传输层(ETL)和阴极，它们顺序地层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
根据一个实施方式的有机电子器件可以是发光器件、薄膜晶体管、电池、显示装置或光伏电池，并且优选发光器件。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造有机电子器件的方法，所述方法使用：
-至少一个沉积源，优选地两个沉积源，且更优选地至少三个沉积源。
可以适合的沉积方法包括：
-通过真空热蒸发沉积；
-通过溶液加工进行沉积，优选地所述加工选自旋涂、印刷、浇铸；和/或
-狭缝式模头涂覆。
根据本发明的各种实施方式，提供了一种使用以下步骤的方法：
-第一沉积源，其释放根据本发明的式1的化合物，和
-第二沉积源，其释放碱金属卤化物或碱金属有机络合物，优选卤化锂或锂有机络合物；
所述方法包括形成电子传输层叠层结构的步骤；由此对于有机发光二极管(OLED)：
-通过从第一沉积源释放根据本发明的式1的化合物和从第二沉积源释放碱金属化合物，优选碱金属卤化物或碱金属有机络合物，优选卤化锂或锂有机络合物，来形成第一电子传输层。
根据本发明的各种实施方式，所述方法还可以包括在阳极上形成发光层，和在阳极和第一电子传输层之间形成选自空穴注入层、形成空穴传输层或形成空穴阻挡层中的至少一层。
根据本发明的各种实施方式，所述方法还可以包括形成有机发光二极管(OLED)的步骤，其中
-在基底上形成第一阳极，
-在所述第一阳极上形成发光层，
-在所述发光层上形成电子传输层叠层结构，优选地在所述发光层上形成第一电子传输层并且形成任选的第二电子传输层，
-并且最后形成阴极，
-在所述第一阳极和所述发光层之间按顺序形成任选的空穴注入层、空穴传输层和空穴阻挡层，
-在所述电子传输层和阴极之间形成任选的电子注入层。
根据本发明的各种实施方式，所述方法还可以包括在第一电子传输层上形成电子注入层。然而，根据本发明的OLED的各种实施方式，所述OLED可不包括电子注入层。
根据各种实施方式，所述OLED可以具有下列层结构，其中这些层具有以下顺序：
阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第二空穴传输层、发光层、任选的第二电子传输层、包含本发明的式1的化合物的第一电子传输层、任选的电子注入层和阴极。
根据本发明的另一方面，提供了一种电子装置，其包括至少一个根据本申请描述的任何实施方式的有机发光器件，优选地，所述电子装置包括本申请描述的实施方式之一中的有机发光二极管。更优选地，所述电子装置是显示装置。
下文中，参考实施例对实施方式进行更详细的说明。然而，本公开不限于下列实施例。现在将详细参考示例性方面。
本发明的细节和定义
在本说明书中，当没有另外提供定义时，“烷基基团”可以指脂族烃基。烷基基团可以指没有任何双键或三键的“饱和烷基基团”。如本文所用的术语“烷基”应涵盖直链以及支链和环状的烷基。例如，C3-烷基可以选自正丙基和异丙基。同样地，C4-烷基涵盖正丁基、仲丁基和叔丁基。同样，C6-烷基包括正己基和环己基。
Cn中的下标数值n涉及相应烷基、芳亚基、杂芳亚基或芳基基团中的碳原子总数。
如本文所用的术语“芳基”或“芳亚基”应涵盖苯基(C6-芳基)，稠合的芳族化合物，诸如萘、蒽、菲、并四苯等。还涵盖联苯和低聚苯或聚苯，诸如三联苯等。还应涵盖任何其它芳族烃取代基，诸如芴基等。芳亚基、杂芳亚基分别是指与两个其它部分连接的基团。在本说明书中，“芳亚基基团”可以指包含至少一个烃芳族部分的基团，并且烃芳族部分的所有元素可以具有形成共轭的p-轨道，例如苯基基团、萘基基团、蒽基基团、菲基基团、芘基基团、芴基基团等。芳亚基基团可以包括单环、多环或稠环多环(即，共享相邻碳原子对的环)官能团。
如本文所用的术语“杂芳基”或“杂芳亚基”是指其中至少一个碳原子被优选选自N、O、S、B或Si的杂原子取代的芳基基团。
Cn-杂芳基中的下标数字n仅指除杂原子数之外的碳原子数。在这种情况下，显然C3杂芳亚基基团是包含三个碳原子的芳族化合物，诸如吡唑、咪唑、唑、噻唑等。
术语“杂芳基”可以指具有至少一个杂原子的芳族杂环，并且烃杂芳族部分的所有单元可以具有形成共轭的p-轨道。所述杂原子可以选自N、O、S、B、Si、P、Se，优选选自N、O和S。杂芳亚基环可以包含至少1至3个杂原子。优选地，杂芳亚基环可以包含至少1至3个独立地选自N、S和/或O的杂原子。
如本文所用的术语“杂芳亚基”应涵盖吡啶、喹啉、喹唑啉、吡啶、三嗪、苯并咪唑、苯并噻唑、苯并[4,5]噻吩并[3,2-d]嘧啶、咔唑、呫吨、吩嗪、苯并吖啶、二苯并吖啶等。
在本说明书中，单键是指直键。
如本文所用的术语“氟化”是指如下烃基，其中所述烃基中包含的至少一个氢原子被氟原子取代。其中所有氢原子被氟原子取代的氟化基团被称为全氟化基团，并且特别地由术语“氟化”来称呼。
就本发明而言，关于一层在两个其它层之间的表述“在……之间”并不排除存在可以布置在这一层与这两个其它层之一之间的其它层。就本发明而言，关于两层彼此直接接触的表述“直接接触”是指在这两层之间不再布置其它层。沉积在另一层之上的一层被认为与该层直接接触。
关于本发明的有机半导体层以及关于本发明的化合物，最优选在实验部分中提及的化合物。
本发明的有机电子器件可以是有机电致发光器件(OLED)、有机光伏器件(OPV)、发光装置或有机场效应晶体管(OFET)。发光装置可以是用于照明、辐射、信号转导或投影的任何装置。它们相应地被分类为照明、照射、信号转导和投影装置。照明装置通常由光学辐射源、将辐射通量沿期望方向传输到空间中的装置、以及将部件连接成单个装置并保护辐射源和光传输系统免受损坏和环境影响的外壳。
根据另一方面，根据本发明的有机电致发光器件可以包括多于一个发光层，优选两个或三个发光层。包括多于一个发光层的OLED也被描述为串联OLED或叠层OLED。
所述有机电致发光器件(OLED)可以是底部发光器件或顶部发光器件。
另一方面涉及一种包括至少一个有机电致发光器件(OLED)的装置。包括有机发光二极管的装置例如是显示器或照明面板。
在本发明中，关于以下定义的术语，除非在权利要求书或本说明书的其它地方给出不同的定义，否则应当适用这些定义。
在本说明书的上下文中，与基质材料有关的术语“不同(different)”或“不同(differ)”是指基质材料在其结构式方面不同。
最高占据分子轨道(也称为HOMO)的能级和最低未占分子轨道(也称为LUMO)的能级通过循环伏安法相对于二茂铁间接地以电子伏特(eV)测量，或者可以使用模拟B3LYP和6-31G*基集计算。
术语“OLED”和“有机发光二极管”同时使用且具有相同的含义。如本文所用的术语“有机电致发光器件”可以包括有机发光二极管以及有机发光晶体管(OLET)。
如本文所用，“重量百分比(weight percent)”、“重量％(wt.-％)”、“百分比重量(percent by weight)”、“％重量(％by weight)”及其变体是指将组成、组分、物质或试剂表示为相应电子传输层的组分、物质或试剂的重量除以其相应电子传输层的总重量，并且乘以100。应当理解，选择相应电子传输层和电子注入层的所有组分、物质和试剂的总重量百分比的量，使得其不超过100重量％。
如本文所用，“体积百分比”、“体积％(vol.-％)”、“百分比体积(percent byvolume)”、“％体积(％by volume)”及其变体是指将组成、组分、物质或试剂表示为相应电子传输层的组分、物质或试剂的体积除以其相应电子传输层的总体积，并且乘以100。应理解，选择阴极层的所有组分、物质和试剂的总体积百分比的量，使得其不超过100体积％。
无论是否明确指出，本文中假设所有数值均由术语“约”修饰。如本文所用，术语“约”是指可发生的数量的变化。不论是否由术语“约”修饰，权利要求都包括所述数量的等同量。
应当注意，除非内容另有明确说明，否则如本说明书和权利要求中所使用的单数形式“一个”、“一种”、“该”和“所述”包括复数个/种指示物。
术语“不含”、“不含有”、“不包含”不排除杂质。杂质对于本发明所实现的目的没有技术影响。
在本说明书的上下文中，术语“基本上不发光”或“不发光”是指化合物或层对来自器件的可见发光光谱的贡献相对于可见发光光谱而言小于10％，优选小于5％。可见发光光谱是波长为约≥380nm至约≤780nm的发光光谱。
优选地，包含式I的化合物的有机半导体层是基本不发光的或不发光的。
工作电压，也称为U，以伏特(V)为单位在10毫安/平方厘米(mA/cm2)下进行测量。
坎德拉/安培效率，也称为cd/A效率，以坎德拉/安培为单位在10毫安/平方厘米(mA/cm2)下进行测量。
外量子效率，也称为EQE，以百分比(％)为单位进行测量。
色彩空间通过坐标CIE-x和CIE-y(国际照明委员会1931)来描述。对于蓝色发光，CIE-y是特别重要的。较小的CIE-y表示较深的蓝色。
最高占据分子轨道，也称为HOMO，以及最低未占分子轨道，也称为LUMO，以电子伏特(eV)为单位进行测量。
术语“OLED”、“有机发光二极管”、“有机发光器件”、“有机光电器件”和“有机发光二极管”同时使用并具有相同的含义。
术语“过渡金属”是指并包括元素周期表的d区中的任何元素，其包括元素周期表上的第3至12族元素。
术语“第III至VI族金属”是指并包括元素周期表的第III至VI族中的任何金属。
术语“寿命(life-span)”和“寿命(lifetime)”同时使用并具有相同的含义。
无论是否明确指出，本文中假设所有数值均由术语“约”修饰。如本文所用，术语“约”是指可发生的数量的变化。
不论是否由术语“约”修饰，权利要求都包括所述数量的等同量。
应当注意，除非内容另有明确说明，否则如本说明书和权利要求中所使用的单数形式“一个”、“一种”、“该”和“所述”包括复数个/种指示物。
阳极和阴极可以被描述为阳极/阴极或阳极电极/阴极电极或阳极层/阴极层。
含N原子的分子的偶极矩由下式给出：
其中qi和是分子中原子的部分电荷和位置。
偶极矩由半经验分子轨道法确定。
使用如程序包TURBOMOLE V6.5中所实现的杂化泛函B3LYP和6-31G*基集来获得气相中的部分电荷和原子位置。如果多于一种构象是可行的，则选择具有最低总能量的构象来确定偶极矩。
还原电位可以通过循环伏安法用恒电位仪Metrohm PGSTAT30和软件MetrohmAutolab GPES在室温下确定。氧化还原电位是在式I的化合物的氩脱气的无水0.1M THF溶液中，在氩气氛下，用在铂工作电极之间的0.1M四丁基六氟磷酸铵支持电解质并且用由被氯化银覆盖的银线组成并直接浸入测量溶液中的Ag/AgCl伪标准电极(Metrohm银棒电极)，在100mV/s的扫描速率下测量。第一次运行是在工作电极上设置的最广电位范围内完成的，然后在后续运行中适当地调节所述范围。最后三次运行是在添加二茂铁(0.1M浓度)作为标准物的情况下完成。通过减去对于标准Fc+/Fc氧化还原对观察到的阴极电位和阳极电位的平均值，来确定对应于所述化合物的阴极峰和阳极峰的电位的平均值。
室温，也称为环境温度，是23℃。
附图说明
结合附图，本发明的这些和/或其它方面和优势将从以下示例性实施方式的描述中变得清楚并且更容易理解，其中：
图1是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)的示意性截面图；
图2是根据本发明的一个示例性实施方式的OLED的示意性截面图；
图3是根据本发明的一个示例性实施方式的包括电荷产生层的串联OLED的示意性截面图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的示例性实施方式，其实施例在附图中示出，其中，相同的附图标号始终指相同的元件。下面通过参考附图描述示例性实施方式，以解释本发明的各方面。
在本文中，当第一元件被称为形成或设置在第二元件“上”时，第一元件可以直接设置在第二元件上，或者一个或多个其它元件可以设置在它们之间。当第一元件被称为“直接”形成或设置在或到第二元件上时，在它们之间没有设置其它元件。
图1是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)100的示意性截面图。OLED 100包括基底110、阳极120、空穴注入层(HIL)130、空穴传输层(HTL)140、发光层(EML)150、电子传输层(ETL)160。电子传输层(ETL)160形成在EML 150上。电子注入层(EIL)180设置到电子传输层(ETL)160上。阴极190直接设置到电子注入层(EIL)180上。
代替单个电子传输层160，任选地可以使用电子传输层叠层结构(ETL)。
图2是根据本发明的另一示例性实施方式的OLED 100的示意性截面图。图2与图1的不同之处在于，图2的OLED 100包括电子阻挡层(EBL)145和空穴阻挡层(HBL)155。
参照图2，OLED 100包括基底110、阳极120、空穴注入层(HIL)130、空穴传输层(HTL)140、电子阻挡层(EBL)145、发光层(EML)150、空穴阻挡层(HBL)155、电子传输层(ETL)160、电子注入层(EIL)180和阴极190。
图3是根据本发明的另一示例性实施方式的串联OLED 200的示意性截面图。图3与图2的不同之处在于图3的OLED 100还包括电荷产生层(CGL)和第二发光层(151)。
参照图3，OLED 200包括基底110、阳极120、第一空穴注入层(HIL)130、第一空穴传输层(HTL)140、第一电子阻挡层(EBL)145、第一发光层(EML)150、第一空穴阻挡层(HBL)155、第一电子传输层(ETL)160、n-型电荷产生层(n-型CGL)185、空穴产生层(p-型电荷产生层；p-型GCL)135、第二空穴传输层(HTL)141、第二电子阻挡层(EBL)146、第二发光层(EML)151、第二空穴阻挡层(EBL)156、第二电子传输层(ETL)161、第二电子注入层(EIL)181和阴极190。
尽管未在图1、图2和图3中示出，但是可以在阴极190上进一步形成密封层，以密封OLED 100和200。此外，可以对其应用各种其它修改。
在下文中，将参考以下实施例详细描述本发明的一个或多个示例性实施方式。然而，这些实施例并非意欲限制本发明的一个或多个示例性实施方式的目的和范围。
本发明化合物的制备
合成
2-(4-(蒽-9-基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪
将烧瓶用氮气吹扫，并装入2-(4-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(65g，167.4mmol)、蒽-9-基硼酸(40.9g，184.2mol)、Pd(dppf)Cl2(0.6g，0.84mmol)和K2CO3(46.3g，334.8mmol)。添加脱气的甲苯/乙醇/水的混合物(3.9:1.3:1，1030mL)，且在氮气氛下将反应混合物加热回流21.5小时。在不冷却的情况下，通过抽滤收集形成的沉淀物，并用甲苯洗涤。将粗产物溶解在热氯仿中，并在硅酸镁载体(Florisil)垫上过滤。在用额外的氯仿和二氯甲烷冲洗之后，将合并的滤液在真空中浓缩，并且通过抽滤分离获得的沉淀，用氯仿洗涤并干燥，以产生69.6g(86％)的浅黄色固体。HPLC：99.67％。
2-(4-(10-溴蒽-9-基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪
向烧瓶中装入2-(4-(10-溴蒽-9-基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(40g，82.4mmol)、N-溴琥珀酰亚胺(16.1g，90.6mmol)和氯仿(1120mL)。将混合物总共回流92小时。在47小时和70小时后，添加额外的N-溴琥珀酰亚胺(14.7g，每次82.6mmol)。冷却至室温之后，用水提取反应混合物三次。将有机相用MgSO4干燥，过滤并蒸发至干。在反复从甲苯中重结晶并干燥之后，获得33.5g(72％)的黄色固体。HPLC：99.88％。
2-(3-(蒽-9-基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪
将烧瓶用氮气吹扫，并装入2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(50g，128.8mmol)、蒽-9-基硼酸(31.5g，141.7mol)、Pd(dppf)Cl2(0.47g，0.64mmol)和K2CO3(35.6g，257.6mmol)。添加脱气的甲苯/乙醇/水的混合物(3.9:1.3:1，800mL)，且在氮气氛下将反应混合物加热回流22小时。冷却至室温之后，通过抽滤收集形成的沉淀物，并用甲苯、甲醇、水(直至pH中性)和甲醇洗涤。干燥之后，获得56.4g(90％)的白色固体。HPLC：99.91％。
2-(3-(10-溴蒽-9-基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪
向烧瓶中装入2-(3-(蒽-9-基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(31.3g，64.5mmol)、N-溴琥珀酰亚胺(12.6g，70.8mmol)和氯仿(640mL)。将混合物总共回流26小时。在4小时后和22小时后，添加额外的N-溴琥珀酰亚胺(分别为3.4g，19.3mmol和1.7g，9.6mmol)。冷却至室温之后，用水提取反应混合物三次。将有机相用MgSO4干燥并过滤。将滤液真空浓缩，并添加正己烷。通过抽滤收集所得沉淀物，用正己烷洗涤并干燥，得到33.1g(91％)的浅黄色固体。HPLC：98.97％。
3-(10-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)蒽-9-基)苄腈
将烧瓶用氮气吹扫，并装入2-(4-(10-溴蒽-9-基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(10g，17.7mmol)、3-氰基苯基硼酸(3.38g，23.0mmol)、Pd(dppf)Cl2(0.26g，0.35mmol)和K2CO3(4.9g，35.4mmol)。添加脱气的THF/水(6.6:1，230mL)混合物，并将反应混合物在氮气氛下加热回流17小时。冷却至室温之后，通过抽滤收集形成的沉淀物，并用正己烷洗涤。将固体溶解在二氯甲烷中，并且将有机相用水提取三次，用MgSO4干燥，过滤并真空浓缩。添加正己烷后，通过抽滤收集形成的沉淀物，并用正己烷洗涤。在氯苯中重结晶并干燥之后，获得6.1g(60％)的浅黄色固体。通过升华实现最终纯化。HPLC/ESI-MS：100％，m/z＝587([M+H]+)。
4-(10-(3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)蒽-9-基)苄腈
将烧瓶用氮气吹扫，并装入2-(3-(10-溴蒽-9-基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(10g，17.7mmol)、4-氰基苯基硼酸(3.38g，23.0mmol)、Pd(PPh3)4(0.61g，0.53mmol)和K2CO3(7.3g，53.1mmol)。添加脱气的1,4-二烷/水的混合物(2.6:1，100mL)，且在氮气氛下将反应混合物加热至90℃，持续20.5小时。冷却至室温之后，通过抽滤收集形成的沉淀物，并用1,4-二/>烷、水(直至pH中性)和甲醇洗涤。干燥之后，通过硅胶过滤纯化粗产物。用正己烷冲洗杂质，随后用热氯仿冲洗产物。浓缩含产物的滤液，添加甲苯，并进一步浓缩所得混合物直至开始沉淀。在室温下搅拌1小时之后，通过抽滤收集沉淀物，并用甲苯和正己烷洗涤。干燥之后，获得4.81g(46％)的浅黄色固体。通过升华实现最终纯化。HPLC/ESI-MS：100％，m/z＝587([M+H]+)。
3-(10-(3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)蒽-9-基)苄腈
将烧瓶用氮气吹扫，并装入2-(3-(10-溴蒽-9-基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(4.8g，8.5mmol)、3-氰基苯基硼酸(1.62g，11.1mmol)、Pd(PPh3)4(0.3g，0.26mmol)和K2CO3(3.53g，26.5mmol)。添加脱气的1,4-二烷/水的混合物(4.2:1，70mL)，并在氮气氛下将反应混合物加热至90℃，持续38小时。冷却至室温之后，通过抽滤收集形成的沉淀物，并用1,4-二/>烷、正己烷、水(直至pH中性)和正己烷洗涤。将固体溶解在热氯仿中，并在硅酸镁载体垫上过滤。在用额外的热氯仿冲洗之后，合并滤液，添加正庚烷并在真空中除去氯仿。过滤所得悬浮液，并用正庚烷、乙腈和甲醇洗涤获得的固体。随后，将固体溶解在热甲苯中，在硅酸镁载体垫上过滤，并将滤液蒸发至干。将剩余的固体溶解在二氯甲烷中，并通过添加正己烷诱导沉淀。通过抽滤分离获得的固体并用正己烷洗涤。干燥之后，获得3.67g(77％)的白色固体。通过升华实现最终纯化。HPLC/ESI-MS：100％，m/z＝587([M+H]+),609([M+Na]+)。
2,4-二苯基-6-(3-(10-(吡啶-4-基)蒽-9-基)苯基)-1,3,5-三嗪
将烧瓶用氮气吹扫，并装入2-(3-(10-溴蒽-9-基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(10.0g，17.7mmol)、吡啶-4-基硼酸(2.8g，23.0mol)、K2CO3(7.3g，53.1mmol)和Pd(PPh3)4(0.61g，0.5mmol)。随后添加脱气的1,4-二烷/水的混合物(5:1，162mL)，且在氮气氛下将反应混合物加热至100℃，持续4天。冷却至室温之后，通过抽滤分离所得沉淀物，并用水洗涤。进一步纯化是通过柱色谱法(二氧化硅，甲苯，然后氯仿/乙酸乙酯10:1)，然后从甲醇中重结晶实现，以在干燥之后产生2.8g(66％)的米色固体。通过升华实现最终纯化。HPLC/ESI-MS：100％，m/z＝563([M+H]+)。
2,4-二苯基-6-(3-(10-(吡啶-3-基)蒽-9-基)苯基)-1,3,5-三嗪
将烧瓶用氮气吹扫，并装入2-(3-(10-溴蒽-9-基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(4.8g，8.5mmol)、3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)吡啶(2.26g，11.05mmol)、Pd(PPh3)4(0.29g，0.25mmol)和K2CO3(3.52g，25.5mmol)。添加脱气的1,4-二烷/水的混合物(3:1，52mL)，且在氮气氛下将反应混合物加热至90℃，持续12小时。冷却至35℃之后，通过抽滤分离所得沉淀物，并用水洗涤。将获得的浅灰色固体溶解在氯仿中，并将有机相在硅酸镁载体垫上过滤。在用额外的氯仿冲洗之后，将无色滤液蒸发至干，并且将残余物从氯苯中重结晶。通过抽滤分离所得白色沉淀物，并用正庚烷、乙腈和乙腈/甲醇1:1洗涤。通过从甲苯/己烷中重结晶来实现进一步纯化，以在干燥之后产生2.6g(54％)的黄色固体。通过升华实现最终纯化。HPLC/ESI-MS：100％，m/z＝563([M+H]+)。
2,4-二苯基-6-(4-(10-(吡啶-3-基)蒽-9-基)苯基)-1,3,5-三嗪
将烧瓶用氮气吹扫，并装入2-(4-(10-溴蒽-9-基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(10.0g，17.7mmol)、3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)吡啶(15.4g，75.0mmol)、Pd(dppf)Cl2(0.52g，0.7mmol)、溴化四丁基铵(0.6g，1.7mmol)和K2CO3(19.6g，141.8mmol)。添加脱气的THF/水的混合物(4:1，360mL)，且在氮气氛下将反应混合物加热至75℃，持续5天。冷却至5℃之后，通过抽滤分离所得沉淀物，并用THF洗涤。粗产物通过柱色谱法(二氧化硅，二氯甲烷/己烷1:1至二氯甲烷/甲醇99:1)纯化。通过从己烷中重结晶来实现进一步纯化，以在干燥之后产生4.4g(44％)的黄色固体。通过升华实现最终纯化。HPLC/ESI-MS：100％，m/z＝563([M+H]+)。
2,4-二苯基-6-(4-(10-(吡啶-4-基)蒽-9-基)苯基)-1,3,5-三嗪
将烧瓶用氮气吹扫，并装入2-(4-(10-溴蒽-9-基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(10.0g，17.7mmol)、吡啶-4-基硼酸(8.7g，70.8mmol)、Pd(dppf)Cl2(0.54g，0.7mmol)、溴化四丁基铵(1.0g，3.1mmol)和K2CO3(19.6g，141.8mmol)。添加脱气的THF/水的混合物(2:1，360mL)，并将反应混合物在氮气氛下加热至75℃，持续4天。冷却至5℃之后，通过抽滤分离所得沉淀物，并用THF和水洗涤。粗产物通过柱色谱法(二氧化硅，氯仿至热氯苯/甲醇99:1)和从甲苯中重结晶纯化，干燥之后产生7.0g(70％)的黄色固体。通过升华实现最终纯化。HPLC/ESI-MS：100％，m/z＝563([M+H]+)。
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2,4-二苯基-6-(4-(10-(吡啶-2-基)蒽-9-基)苯基)-1,3,5-三嗪
将烧瓶用氮气吹扫，并装入2-(10-溴蒽-9-基)吡啶(6.78g，20.3mmol)、2,4-二苯基-6-(4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基)-1,3,5-三嗪(11.4g，26.3mmol)、Pd(PPh3)4(0.70g，0.61mmol)和K2CO3(8.41g，60.8mmol)。添加脱气的1,4-二烷/水的混合物(2.6:1，110mL)，且在氮气氛下将反应混合物加热至90℃，持续13小时。冷却至室温之后，通过抽滤分离所得沉淀物，并用1,4-二/>烷和水洗涤。将固体溶解于甲苯中，并用二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液提取，随后用水洗涤三次。在用MgSO4干燥之后，真空浓缩有机相。通过抽滤分离所得沉淀物，用正己烷洗涤并干燥，以产生6.3g(55％)的黄色固体。通过升华实现最终纯化。HPLC/ESI-MS：100％，m/z＝563([M+H]+)。
2,4-二苯基-6-(3-(10-(吡啶-2-基)蒽-9-基)苯基)-1,3,5-三嗪
将烧瓶用氮气吹扫，并装入2-(10-溴蒽-9-基)吡啶(10.3g，31.01mmol)、2,4-二苯基-6-(3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基)-1,3,5-三嗪(15.0g，34.45mmol)、Pd(PPh3)4(1.19g，1.0mmol)和K2CO3(14.28g，103.3mmol)。添加脱气的1,4-二烷/水的混合物(4:1，260mL)，且在氮气氛下将反应混合物加热至90℃，持续31小时。冷却至室温之后，通过抽滤分离所得沉淀物，并用1,4-二/>烷、水和己烷洗涤。将灰色固体溶解于氯仿中，并将所得溶液在硅酸镁载体垫上过滤。在用额外的氯仿冲洗之后，将滤液真空浓缩至最小体积，并添加正己烷。在40℃下搅拌30分钟之后，使混合物冷却至室温，并通过抽滤分离所得黄色沉淀物并用正己烷洗涤。通过柱色谱法(二氧化硅，甲苯/氯仿5:1，然后氯仿/甲醇99:1)进一步纯化，干燥之后产生6.0g(34％)的黄色固体。通过升华实现最终纯化。HPLC/ESI-MS：100％，m/z＝563([M+H]+)。
2-(10-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)蒽-9-基)吡啶
/>
将烧瓶用氮气吹扫，并装入2-(10-溴蒽-9-基)吡啶(17.2g，51.4mmol)、双(频哪醇根合)二硼(14.3g，56.6mmol)、Pd(dppf)Cl2(2.2g，3.1mmol)和乙酸钾(12.6g，128mmol)。添加干燥并脱气的DMF(230mL)，并将反应混合物在氮气氛下加热至80℃，持续4天。随后，在真空中除去所有挥发物，添加水和二氯甲烷，并且用水洗涤有机相四次。在MgSO4上干燥之后，将有机相在硅酸镁载体/二氧化硅垫上过滤。在用额外的二氯甲烷冲洗之后，将无色滤液蒸发至干，并且将残余物从己烷中重结晶。将所得悬浮液在室温下搅拌1小时，且通过抽滤收集固体，干燥之后产生5g(26％)的固体。HPLC：98.4％。
2,4-二苯基-6-(10-(吡啶-2-基)蒽-9-基)-1,3,5-三嗪
将烧瓶用氮气吹扫，并装入2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(3.3g，12.4mmol)、2-(10-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)蒽-9-基)吡啶(5.0g，13.1mmol)、Pd(PPh3)4(0.43g，0.37mmol)和K2CO3(5.2g，37.4mmol)。添加脱气的1,4-二烷/水的混合物(3.5:1，85mL)，且在氮气氛下将热反应混合物加热至90℃，持续16小时。冷却至室温之后，通过抽滤分离所得沉淀物，并用1,4-二/>烷、水和甲醇洗涤。将获得的灰色固体溶解在二氯甲烷中，将有机相用MgSO4干燥，并在硅酸镁载体垫上过滤。在用额外的二氯甲烷冲洗之后，将无色滤液蒸发至干，并且将残余物从氯苯中重结晶。通过抽滤分离所得沉淀物，且用己烷洗涤，干燥之后产生3.8g(62％)的黄色固体。通过升华实现最终纯化。HPLC/ESI-MS：100％，m/z＝487([M+H]+)。
2,4-二苯基-6-(10-(吡啶-3-基)蒽-9-基)-1,3,5-三嗪
将烧瓶用氮气吹扫，并装入2-(10-溴蒽-9-基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(9.5g，19.5mmol)、3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)吡啶(32.3g，157.7mmol)、Pd(dppf)Cl2(1.4g，1.9mmol)、四-N-丁基溴化铵(0.63g，1.95mmol)和K2CO3(26.8g，194.1mmol)。添加脱气的THF/水的混合物(4:1，275mL)，且在氮气氛下将反应混合物加热至75℃，持续总共12天。冷却至室温之后，真空除去所有挥发物。将残留的固体溶解在二氯甲烷/水中，且将有机相用水洗涤(直至pH中性)。将有机相用Na2SO4干燥，过滤并蒸发至干燥。通过柱色谱法(二氧化硅，二氯甲烷)实现纯化。干燥之后，获得6.5g(68％)的黄色固体。通过升华实现最终纯化。HPLC/ESI-MS：100％，m/z＝487([M+H]+)。
制造有机电子器件的一般方法
通常，有机电子器件可以是有机发光二极管(OLED)、有机光伏电池(OSC)、有机场效应晶体管(OFET)或有机发光晶体管(OLET)。有机电子发光器件如OLED和OLET可以是照明装置的一部分。
有机电子器件中的任何功能层可以包含式1的化合物或者可以由式1的化合物组成。
OLED可以由单独的功能层构成以形成通过顶部电极发射光的顶部发光OLED。本文中，各个功能层的顺序可以如下，其中各个层之间的接触界面显示为“/”：非透明阳极层(底电极)/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/透明阴极层(顶电极)。各层本身可以由几个子层构成。
OLED可以由单独的功能层构成以形成通过底电极发射光的底部发光OLED。本文中，各个功能层的顺序可以如下，其中各个层之间的接触界面显示为“/”：透明阳极层(底电极)/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/不透明阴极层(顶电极)。各层本身可以由几个子层构成。
制备顶部发光OLED器件以证明在有机电子器件中使用式1的化合物的技术益处。
顶部发光OLED器件的制造
对于所有的顶部发光器件，发明例1至7和比较例1至3，将玻璃基底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇超声清洗5分钟，然后用纯水超声清洗5分钟，再用UV臭氧清洗30分钟，以制备第一电极。在10-5mbar至10-7mbar的压力下沉积100nm Ag以形成阳极。然后，将92体积％联苯-4-基(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺(CAS 1242056-42-3)与8体积％4,4',4”-((1E,1'E,1”E)-环丙烷-1,2,3-三亚基三(氰基甲基亚基))三(2,3,5,6-四氟苄腈)在Ag电极上真空沉积，形成厚度为10nm的HIL。然后，将联苯-4-基(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺(CAS1242056-42-3)真空沉积在HIL上，形成厚度为118nm的HTL。然后，将N,N-双(4-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)苯基)-[1,1':4',1”-三联苯]-4-胺(CAS 1198399-61-9)真空沉积在HTL上，形成厚度为5nm的电子阻挡层(EBL)。
随后，将97体积％H06(阳光精细化学品公司(Sun Fine Chemicals))作为EML主体和3体积％BD200(阳光精细化学品公司(Sun Fine Chemicals))作为荧光蓝色掺杂剂沉积在EBL上，形成厚度为20nm的发蓝光的EML。然后，通过在发光层上沉积2,4-二苯基-6-(4',5',6'-三苯基-[1,1':2',1”:3”,1”':3”',1””-五联苯]-3”'"-基)-1,3,5-三嗪，形成厚度为5nm的空穴阻挡层。然后，在根据本发明实施例1至7和比较例1至3的空穴阻挡层上形成电子传输层，厚度为31nm。根据表3，电子传输层包含式1的化合物(或比较化合物)和碱金属化合物。
然后，对于所有的顶部发光器件，Ag以至/>在10-7mbar下蒸发，形成厚度为11nm的阴极。在阴极上形成联苯-4-基(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺的覆盖层，厚度为75nm。
通过用载玻片封装器件来保护OLED叠层结构免受环境条件的影响。由此，形成空腔，其包括用于进一步保护的吸气材料。
为了评价本发明实施例与现有技术的性能比较，在环境条件(20℃)下测量顶部发光OLED的光输出。使用Keithley 2400源表进行电流电压测量，并以V记录。对于顶部发光器件，在10mA/cm2下，使用来自仪器系统公司(Instrument Systems)的光谱仪CAS140 CT测量CIE坐标和亮度(坎德拉)，该光谱仪已由德国认可委员会(DeutscheAkkreditirungsstele,DAkks)校准。电流效率Ceff在10mA/cm2下以cd/A确定。
在顶部发光器件中，发光是向前导向的，非朗伯型，并且还高度依赖于微腔。因此，与底部发光器件相比，外量子效率(EQE)和功率效率(lm/W)将更高。
所用的化合物
熔点
熔点(Tm)是由上述TGA-DSC测量的DSC曲线或由单独的DSC测量(梅特勒托利多(Mettler Toledo)DSC822e，在纯氮气流下以10K/分钟的加热速率将样品从室温加热至熔融完全而确定的峰值温度。将量为4mg至6mg的样品置于40μL带盖的梅特勒托利多(MettlerToledo)铝盘中，在盖中刺穿＜1mm的孔)。
玻璃化转变温度
如在2010年3月公布的DIN EN ISO 11357中所述，在梅特勒托利多(MettlerToledo)DSC 822e差示扫描量热计中在氮气下并使用10K/分钟的加热速率测量玻璃化转变温度(Tg)。
标准起始温度
转移到气相中的标准起始温度(TRO)通过将100mg化合物装载到VTE源中来确定。作为VTE源，使用如科特莱斯科公司(Kurt J.Lesker Company)(www.lesker.com)或CreaPhysGmbH(http://www.creaphys.com)供应的有机材料的点源。VTE(真空热蒸发)源温度通过与VTE源中的化合物直接接触的热电偶确定。
在10-7mbar至10-8mbar的压力下在真空室中以15K/分钟的恒定速率加热VTE源，并用热电偶测量源内部的温度。用QCM检测器检测化合物的蒸发，所述QCM检测器检测化合物在检测器的石英晶体上的沉积。石英晶体上的沉积速率测量为/秒。为了确定标准起始温度，将沉积速率相对于VTE源温度以对数标度绘制。标准起始是QCM检测器上发生明显沉积的温度(定义为速率/>/s。VTE源被加热和冷却三次，并且仅使用第二次运行和第三次运行的结果来确定标准起始温度。标准起始温度是化合物挥发性的间接量度。标准起始温度越高，化合物的挥发性越低。
本发明的技术效果
材料性质
与现有技术的化合物(表1)相比，式1的化合物的Tg(表2)显著增加。这些值在适用于有机电子器件的范围内。用于有机电子器件的材料的高Tg值通常对于器件耐久性和坚固性是优选的。
顶部发光器件
令人惊奇地，当使用式1的化合物与碱金属化合物的组合作为电子传输层时，顶部发光OLED器件的cd/A电流效率增强。
表3中显示包括有机半导体层的有机电子器件的性能，所述有机半导体层包含式1的化合物和碱金属化合物(AMC)。
如所用化合物的概述中所规定的，测试了三种不同类型的碱金属化合物。
总之，当电子传输有机半导体层包含式1的化合物时，可以实现改善的cd/A效率。对于一系列碱金属化合物，可以实现高性能。
总之，包含具有分子结构固有的式1的化合物的有机电子器件具有较高的电流效率。玻璃化转变温度和标准起始温度在对于有机半导体层的大规模生产可接受的范围内。
表1：比较化合物的结构式、玻璃化转变温度、熔融温度、标准起始温度。
表1
表2：本发明化合物的结构式、玻璃化转变温度、熔融温度、标准起始温度。
表2
表1中显示比较化合物的玻璃化转变温度、熔融温度、标准起始温度。
表2中显示式1的化合物的玻璃化转变温度、熔融温度、标准起始温度。
表3：包括电子传输层的顶部发光OLED器件的性能数据，所述电子传输层包含式1的化合物和比较化合物以及碱金属化合物(AMC)。本发明的实施例显示增加的cd/A效率Ceff。
表3
尽管已经结合目前被认为是实际的示例性实施方式描述了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的实施方式，相反，本发明旨在涵盖包括在权利要求的主旨和范围内的各种修改和等同布置。因此，上述实施方式应当被理解为示例性的，而不是以任何方式限制本发明。
在上述说明书和权利要求书中公开的特征可以单独地或以任何组合成为以其不同形式实现本发明的材料。

Claims (11)

1.一种由通式(I)表示的化合物，
其中Ar1和Ar2各自是苯基；
Ar3选自未取代的C6-C60芳亚基和未取代的C2-C60杂芳亚基；
L表示苯亚基；
n是0或1；
m是1至3的整数；
G选自CN和取代或未取代的吡啶基，其中如果存在取代基，则所述取代基独立地选自C1-C20直链烷基、C3-C20支链烷基和C3-C20环状烷基。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中Ar3选自未取代的C6-C60芳基且n是0或1。
3.根据权利要求1所述的化合物，其中Ar3选自未取代的C6-C42芳亚基或C2-C42杂芳亚基；G选自吡啶基和CN；并且m是1。
4.根据权利要求3所述的化合物，其中如果存在Ar3，则Ar3是苯基。
5.根据权利要求1所述的化合物，所述化合物由下式A至J和M中的一个表示：
6.一种有机半导体层，所述有机半导体层包含根据前述权利要求中的任一项所述的化合物。
7.根据权利要求6所述的有机半导体层，所述有机半导体层还包含选自金属、金属盐或有机金属络合物的添加剂。
8.根据权利要求7所述的有机半导体层，其中所述添加剂是8-羟基喹啉锂或四(1H-吡唑-1-基)硼酸锂。
9.一种有机电子器件，所述有机电子器件包括在阳极和阴极之间并与所述阳极和所述阴极电接触的根据权利要求6所述的有机半导体层。
10.根据权利要求9所述的有机电子器件，所述有机电子器件还包括发光层，其中所述有机半导体层布置在所述发光层和所述阴极之间。
11.一种装置，所述装置包括根据权利要求9所述的有机电子器件，所述装置是显示装置或照明装置。
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