CN111441032A - 基于石墨烯量子点阵列的sers基底及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种基于石墨烯量子点阵列的SERS基底的制备方法，包括在绝缘衬底表面生长石墨烯量子点阵列和在石墨烯量子点阵列上沉积柔性透明金属导电薄膜两大步骤。在石墨烯量子点阵列的制备中，以中间Ge量子点阵列作为金属催化层，可以确保在绝缘衬底表面化学气相沉积得到石墨烯量子点阵列的同时，还可以在生长完成后进行氧化退火将其去除。在柔性透明金属导电薄膜的制备中，利用石墨烯量子点阵列作为底层，在其表面均匀沉积柔性透明金属导电薄膜，增加了比表面积，可以有效增强被检测分子的信号强度。

Description

基于石墨烯量子点阵列的SERS基底及其制备方法
技术领域
本发明属于石墨烯基SERS基底领域，具体涉及一种基于石墨烯量子点阵列的SERS基底及其制备方法。
背景技术
石墨烯在物理、化学等方面的性能具有巨大优势，广泛应用于电学、半导体、检测探针等领域。特别是在表面增强拉曼散射（SERS），石墨烯结构稳定、环保，能够有效吸附被探测分钟，常用作SERS基底。在最新的研究指出，有序的石墨烯量子点阵列相比于普通石墨烯膜层的拉曼增强效果更优，但是，无序的石墨烯量子点的拉曼增强效果却不如普通石墨烯膜层。目前，还没有有效的方法可以制备得到有序的石墨烯量子点阵列。
此外，与传统的贵金属相比，石墨烯的增强机制仍然有限。因此，通常会在石墨烯表面进一步结合贵金属来增强拉曼散射效果。
目前的贵金属层通常是制备在平整的基底表面，但是在量子点阵列基底表面的制备还未有相关报道，为此，本发明针对石墨烯量子点阵列基底，研究了一种以金属氧化物掺杂银靶作为合金靶在石墨烯底层上进行磁控溅射制备柔性透明金属导电薄膜的方法。
即本发明旨在分别从石墨烯量子点阵列基底和透明金属导电薄膜两个方面出发，进行改进，以期望得到性能优良的基于石墨烯量子点阵列的SERS基底。
发明内容
为了解决现有的石墨烯基SERS基底中所存在的不足，本发明分别从石墨烯量子点阵列基底和透明金属导电薄膜两个方面出发，进行改进，得到了性能优良的基于石墨烯量子点阵列的SERS基底。
本发明的基于石墨烯量子点阵列的SERS基底包括绝缘衬底，生长在绝缘衬底表面的石墨烯量子点阵列，以及沉积在石墨烯量子点阵列上的柔性透明金属导电薄膜。
其中，在绝缘衬底表面生长石墨烯底层的方法如下：
A1、提供一绝缘衬底，对绝缘衬底进行表面预处理，然后在绝缘衬底表面进行磁控溅射沉积Ge层作为金属催化层；
A2、对Ge层金属还原退火处理，得到Ge量子点阵列；所述还原退火处理的温度为850-900℃，退火时间为60-120min，还原气氛为氢气和氩气的混合气体，氢气与氩气的流量比为1:10，氢气流量为20-30sccm；
A3、在Ge量子点阵列表面化学气相沉积石墨烯量子点阵列；
A4、进行氧化退火处理，将沉积有石墨烯量子点阵列、Ge量子点阵列的绝缘衬底在600-700℃，氧气气氛下进行退火处理，去除中间Ge量子点阵列。
进一步地，所述绝缘衬底选自二氧化硅、玻璃、氮化硅、碳化硅、三氧化二铝中的一种。
进一步地，所述表面预处理包括依次进行清洗、干燥处理，以及在真空室内的离子轰击处理。
进一步地，所述磁控溅射沉积Ge层的工艺参数为，采用直流磁控溅射，溅射功率为50-100W，基底温度为400-500℃，溅射时间为1-5min。
进一步地，所述化学气相沉积石墨烯量子点阵列的工艺参数为，基底温度为400-500℃，沉积时间为10-30min，甲烷流量为0.5-1sccm，氢气流量为20sccm。
进一步地，所述氧化退火处理中，氧气流量为10-25sccm，氧气气氛为氧气/Ar的体积比为1:10的混合气体。
其中，在石墨烯底量子点阵列上沉积柔性透明金属导电薄膜的方法如下：
将经过步骤A4中的退火处理后得到的半成品放入磁控溅射设备中，对合金靶材进行磁控溅射，以在石墨烯量子点阵列表面沉积得到柔性透明金属导电薄膜；所述合金靶材的组成为80-90wt%的银和10-20wt%的金属氧化物，所述金属氧化物选自二氧化钛、氧化锌、二氧化锡、氧化铟中的一种；磁控溅射沉积的功率为30-60W，溅射气体为Ar，时间为0.5-2min。
有益效果：
本发明中，以中间Ge量子点阵列作为催化层，可以确保在绝缘衬底表面化学气相沉积得到石墨烯量子点阵列。同时，利用Ge氧化物的挥发特性，对沉积有石墨烯量子点阵列、Ge量子点阵列的绝缘衬底进行氧化退火处理，原位去除中间Ge量子点阵列，避免了辅助胶层PMMA转移工序，可以直接在绝缘衬底上得到石墨烯量子点阵列。
进一步地，本发明还在石墨烯量子点阵列上沉积了柔性透明金属导电薄膜，以银和金属氧化物作为合金靶材，利用金属氧化物来改善银膜的稳定性，同时，还可以在溅射沉积的过程中作为银的形核点，阻挡银原子的扩散和聚集，有利于在低厚度下形成连续、均匀的柔性薄膜，保证柔性透明金属导电薄膜对石墨烯量子点阵列的均匀包覆。
本发明中，利用石墨烯量子点阵列作为底层，在其表面均匀沉积柔性透明金属导电薄膜，增加了比表面积，可以有效增强被检测分子的信号强度。
具体实施方式
以下，通过特定的具体实施示例对本发明的内容进行详细说明，本领域技术人员可以基于本说明书所揭露的内容轻易了解本发明的作用与特点，还可以通过一些另外的不同实施方式对本发明的内容进行实施，也就是说，以下的实施示例并非本发明的全部内容，在没有脱离本发明的构思的情况下所作出的变换均属于本发明的范围。
实施例1
一种基于石墨烯量子点阵列的SERS基底的制备方法，包括：
A1、提供一绝缘衬底，所述绝缘衬底为二氧化硅，对绝缘衬底进行表面预处理，所述表面预处理包括依次进行清洗、干燥处理，以及在真空室内的离子轰击处理，然后在绝缘衬底表面进行磁控溅射沉积Ge层作为金属催化层；所述磁控溅射沉积Ge层的工艺参数为，采用直流磁控溅射，溅射功率为50W，基底温度为500℃，溅射时间为2min；
A2、对Ge层金属还原退火处理，得到Ge量子点阵列；所述还原退火处理的温度为900℃，退火时间为60min，还原气氛为氢气和氩气的混合气体，氢气与氩气的流量比为1:10，氢气流量为20sccm；
A3、在Ge量子点阵列表面化学气相沉积石墨烯量子点阵列；所述化学气相沉积石墨烯量子点阵列的工艺参数为，基底温度为500℃，沉积时间为20min，甲烷流量为1sccm，氢气流量为20sccm；
A4、进行退火处理，将沉积有石墨烯量子点阵列、Ge量子点阵列的绝缘衬底在700℃，氧气气氛下进行退火处理，去除中间Ge量子点阵列；氧气流量为15sccm，氧气气氛为氧气/Ar的体积比为1:10的混合气体。
A5、将经过步骤A4中的氧化退火处理后得到的半成品放入磁控溅射设备中，对合金靶材进行磁控溅射，以在石墨烯量子点阵列表面沉积得到柔性透明金属导电薄膜；所述合金靶材的组成为85wt%的银和15wt%的金属氧化物，所述金属氧化物为二氧化钛；磁控溅射沉积的功率为50W，溅射气体为Ar，时间为1min。
实施例2
一种基于石墨烯量子点阵列的SERS基底的制备方法，包括：
A1、提供一绝缘衬底，所述绝缘衬底为二氧化硅，对绝缘衬底进行表面预处理，所述表面预处理包括依次进行清洗、干燥处理，以及在真空室内的离子轰击处理，然后在绝缘衬底表面进行磁控溅射沉积Ge层作为金属催化层；所述磁控溅射沉积Ge层的工艺参数为，采用直流磁控溅射，溅射功率为40W，基底温度为450℃，溅射时间为1min；
A2、对Ge层金属还原退火处理，得到Ge量子点阵列；所述还原退火处理的温度为850℃，退火时间为100min，还原气氛为氢气和氩气的混合气体，氢气与氩气的流量比为1:10，氢气流量为25sccm；
A3、在Ge量子点阵列表面化学气相沉积石墨烯量子点阵列；所述化学气相沉积石墨烯量子点阵列的工艺参数为，基底温度为400℃，沉积时间为20min，甲烷流量为1sccm，氢气流量为20sccm；
A4、进行退火处理，将沉积有石墨烯量子点阵列、Ge量子点阵列的绝缘衬底在650℃，氧气气氛下进行退火处理，去除中间Ge量子点阵列；氧气流量为15sccm，氧气气氛为氧气/Ar的体积比为1:10的混合气体。
A5、将经过步骤A4中的氧化退火处理后得到的半成品放入磁控溅射设备中，对合金靶材进行磁控溅射，以在石墨烯量子点阵列表面沉积得到柔性透明金属导电薄膜；所述合金靶材的组成为80wt%的银和20wt%的金属氧化物，所述金属氧化物为二氧化钛；磁控溅射沉积的功率为50W，溅射气体为Ar，时间为1min。
实施例3
一种基于石墨烯量子点阵列的SERS基底的制备方法，包括：
A1、提供一绝缘衬底，所述绝缘衬底为二氧化硅，对绝缘衬底进行表面预处理，所述表面预处理包括依次进行清洗、干燥处理，以及在真空室内的离子轰击处理，然后在绝缘衬底表面进行磁控溅射沉积Ge层作为金属催化层；所述磁控溅射沉积Ge层的工艺参数为，采用直流磁控溅射，溅射功率为60W，基底温度为430℃，溅射时间为2min；
A2、对Ge层金属还原退火处理，得到Ge量子点阵列；所述还原退火处理的温度为880℃，退火时间为90min，还原气氛为氢气和氩气的混合气体，氢气与氩气的流量比为1:10，氢气流量为30sccm；
A3、在Ge量子点阵列表面化学气相沉积石墨烯量子点阵列；所述化学气相沉积石墨烯量子点阵列的工艺参数为，基底温度为480℃，沉积时间为15min，甲烷流量为0.8sccm，氢气流量为20sccm；
A4、进行退火处理，将沉积有石墨烯量子点阵列、Ge量子点阵列的绝缘衬底在660℃，氧气气氛下进行退火处理，去除中间Ge量子点阵列；氧气流量为25sccm，氧气气氛为氧气/Ar的体积比为1:10的混合气体。
A5、将经过步骤A4中的氧化退火处理后得到的半成品放入磁控溅射设备中，对合金靶材进行磁控溅射，以在石墨烯量子点阵列表面沉积得到柔性透明金属导电薄膜；所述合金靶材的组成为90wt%的银和10wt%的金属氧化物，所述金属氧化物为二氧化钛；磁控溅射沉积的功率为450W，溅射气体为Ar，时间为1.5min。

Claims (7)

1.一种基于石墨烯量子点阵列的SERS基底的制备方法，包括在绝缘衬底表面生长石墨烯量子点阵列和在石墨烯量子点阵列上沉积柔性透明金属导电薄膜两大步骤，其特征在于：
所述在绝缘衬底表面生长石墨烯量子点阵列的方法如下：
A1、提供一绝缘衬底，对绝缘衬底进行表面预处理，然后在绝缘衬底表面进行磁控溅射沉积Ge层作为金属催化层；
A2、对Ge层金属还原退火处理，得到Ge量子点阵列；所述还原退火处理的温度为850-900℃，退火时间为60-120min，还原气氛为氢气和氩气的混合气体，氢气与氩气的流量比为1:10，氢气流量为20-30sccm；
A3、在Ge量子点阵列表面化学气相沉积石墨烯量子点阵列；
A4、进行氧化退火处理，将沉积有石墨烯量子点阵列、Ge量子点阵列的绝缘衬底在600-700℃，氧气气氛下进行退火处理，去除中间Ge量子点阵列。
所述在石墨烯量子点阵列上沉积柔性透明金属导电薄膜的方法如下：
将经过步骤A4中的退火处理后得到的半成品放入磁控溅射设备中，对合金靶材进行磁控溅射，以在石墨烯量子点阵列表面沉积得到柔性透明金属导电薄膜；所述合金靶材的组成为80-90wt%的银和10-20wt%的金属氧化物，所述金属氧化物选自二氧化钛、氧化锌、二氧化锡、氧化铟中的一种；磁控溅射沉积的功率为30-60W，溅射气体为Ar，时间为0.5-2min。
2.如权利要求1所述的一种基于石墨烯量子点阵列的SERS基底的制备方法，其特征在于：所述绝缘衬底选自二氧化硅、玻璃、氮化硅、碳化硅、三氧化二铝中的一种。
3.如权利要求1所述的一种基于石墨烯量子点阵列的SERS基底的制备方法，其特征在于：所述表面预处理包括依次进行清洗、干燥处理，以及在真空室内的离子轰击处理。
4.如权利要求1所述的一种基于石墨烯量子点阵列的SERS基底的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射沉积Ge层的工艺参数为，采用直流磁控溅射，溅射功率为50-100W，基底温度为400-500℃，溅射时间为1-5min。
5.如权利要求1所述的一种基于石墨烯量子点阵列的SERS基底的制备方法，其特征在于：所述化学气相沉积石墨烯量子点阵列的工艺参数为， 基底温度为400-500℃，沉积时间为10-30min，甲烷流量为0.5-1sccm，氢气流量为20sccm。
6.如权利要求1所述的一种基于石墨烯量子点阵列的SERS基底的制备方法，其特征在于：所述退火处理中，氧气流量为10-25sccm，氧气气氛为氧气/Ar的体积比为1:10的混合气体。
7.一种基于石墨烯量子点阵列的SERS基底，其特征在于：由权利要求1-6任一项所述的制备方法制得。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115032807A (zh) * 2022-08-11 2022-09-09 成都理工大学工程技术学院 一种立体成像装置及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120194813A1 (en) * 2011-01-27 2012-08-02 National Cheng Kung University Sensor chip for biomedical and micro-nano structured substances and method for manufacturing the same
CN102874801A (zh) * 2012-10-15 2013-01-16 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种石墨烯的制备方法
CN104817277A (zh) * 2015-04-21 2015-08-05 福建省诺希科技园发展有限公司 一种采用银复合靶材制备防辐射玻璃的方法及其制品
CN104897643A (zh) * 2015-05-19 2015-09-09 中国科学院合肥物质科学研究院 银-锗-硅异质分级结构阵列及其制备方法和用途
CN106904599A (zh) * 2015-12-17 2017-06-30 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法
CN108385072A (zh) * 2018-01-18 2018-08-10 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种具有单层结构的透明导电薄膜及其制备方法和应用

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120194813A1 (en) * 2011-01-27 2012-08-02 National Cheng Kung University Sensor chip for biomedical and micro-nano structured substances and method for manufacturing the same
CN102874801A (zh) * 2012-10-15 2013-01-16 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种石墨烯的制备方法
CN104817277A (zh) * 2015-04-21 2015-08-05 福建省诺希科技园发展有限公司 一种采用银复合靶材制备防辐射玻璃的方法及其制品
CN104897643A (zh) * 2015-05-19 2015-09-09 中国科学院合肥物质科学研究院 银-锗-硅异质分级结构阵列及其制备方法和用途
CN106904599A (zh) * 2015-12-17 2017-06-30 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法
CN108385072A (zh) * 2018-01-18 2018-08-10 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种具有单层结构的透明导电薄膜及其制备方法和应用

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
秦君: "Ag/石墨烯基底的表面增强拉曼散射的研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ι辑》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115032807A (zh) * 2022-08-11 2022-09-09 成都理工大学工程技术学院 一种立体成像装置及其制备方法
CN115032807B (zh) * 2022-08-11 2022-11-29 成都理工大学工程技术学院 一种立体成像装置及其制备方法

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