CN111436374A - 一种高明合水粉葛的脱毒快繁方法 - Google Patents

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Abstract

一种高明合水粉葛的脱毒快繁方法，包括以下步骤；选择无病虫害健壮的种苗为外植体，快速运到组培室进行外植体消毒处理，并接种到初代培养基上；初代培养获得无菌体后，对其幼芽在显微镜下进行茎尖剥离，接种到培养基上，结合高温变温处理15天以上脱毒培养，获得粉葛脱毒苗；将获得的脱毒芽转接到继代培养上进行继代培养；选2厘米高，粗度2毫米以上的健壮继代苗，转接到配方为1/2MS，PH5.8的生根培养基上进行生根培养，15天后待根系在1厘米左右时出苗，进行移栽驯化管理。本发明具有生长健壮，抗性增强，生长期和储藏期黑头病和黑心病的发病率显著低于传统繁殖方法的特点。

Description

一种高明合水粉葛的脱毒快繁方法
技术领域
本发明涉及高明合水粉葛生产技术领域，特别涉及一种高明合水粉葛的脱毒快繁方法。
背景技术
高明粉葛以传统的扦插方式留种，随着粉葛大规模集约化的生产，经过几代种植，出现了品质退化以及其他储藏期病害(尤其是黑心病、黑头病)等问题极大地影响了该产品的出口，给当地种植户造成了很大的经济损失。
发明内容
为了解决以上技术问题，本发明的目的在于提供一种高明合水粉葛的脱毒快繁方法，解决了长期制约粉葛生产的瓶劲问题，具有生长健壮，抗性增强，生长期和储藏期黑头病和黑心病的发病率显著低于传统繁殖方法的特点。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种高明合水粉葛的脱毒快繁方法，包括以下步骤；
初代培养：
在连续多日晴天无雨的上午10点左右，选择无病虫害健壮的种苗为外植体，快速运到组培室进行外植体消毒处理，并接种到初代培养基上；
茎尖培养和高温变温处理结合进行全面脱毒：
初代培养获得无菌体后，对其幼芽在显微镜下进行茎尖剥离，接种到MS+白砂糖3％+琼脂0.6％，PH5.8的培养基上，结合高温变温处理15天以上脱毒培养，获得粉葛脱毒苗(存活率在10％以下)；
继代扩繁培养：
将获得的脱毒芽转接到继代培养上进行继代培养，培养周期为25天；
生根与移栽：
选2厘米高，粗度2毫米以上的健壮继代苗，转接到配方为1/2MS(MS配方中的大量元素全部减半)+NAA0.4mg/l+白砂糖2％+琼脂0.6％，PH5.8的生根培养基上进行生根培养，约15天后待根系在1厘米左右时出苗，进行移栽驯化管理。
所述的初代培养中的消毒处理具体为：将取回材料先清洗表面杂质和泥土等，摘掉叶片，将粉葛茎段截成2-3cm长的茎段放置于消毒容器中，滴两滴洗洁净，用流水反复冲洗30分钟，清洗过的材料在超净工作台上先用75％的酒精处理20秒，用双蒸水清洗两次；再用0.1％的氯化汞溶液放在摇床上高频振荡20分钟，用双蒸水洗4次，无菌滤纸吸干材料上水珠备用。
所述的初代培养基为MS+6-BA0.5mg/l+白砂糖3％+琼脂0.6％，PH5.8。
所述的茎尖培养和高温变温处理结合进行全面脱毒中高温变温处理具体为在阳光数码数码箱中，相对湿度为70％，每天照光14h的条件下，温度梯度为26℃-28℃-30℃-32℃-34℃-36℃-38℃，每隔3天变化一个梯度，视材料实际生长情况，在高温培养段要随时观察，做适当调整培养。
所述的继代扩繁培养中继代培养具体为MS+6-BA0.2mg/l+NAA0.05mg/l+白砂糖3％+琼脂0.6％，PH5.8。
所述的继代扩繁培养中培养的条件为25℃±2℃，光照时间为14h/d，光强为1500lx～2000lx。
本发明的有益效果：
本发明高明合水粉葛脱毒苗提高了抗病性和品质，解决了长期困扰种植户的(品种退化，品质下降，黑心病黑头病发病率高)瓶颈问题，提高广大种植户种植粉葛苗的积极性。
附图说明
图1为本发明的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细说明。
实施例1：
初代培养：
在连续多日晴天无雨的上午10点左右，选择无病虫害健壮的种苗为外植体，快速运到组培室进行外植体消毒处理，并接种到初代培养基上；
消毒处理具体为：将取回材料先清洗表面杂质和泥土等，摘掉叶片，将粉葛茎段截成2cm长的茎段放置于消毒容器中，滴两滴洗洁净，用流水反复冲洗30分钟，清洗过的材料在超净工作台上先用75％的酒精处理20秒，用双蒸水清洗两次；再用0.1％的氯化汞溶液放在摇床上高频振荡20分钟，用双蒸水洗4次，用无菌滤纸吸干材料上水珠。
茎尖培养和高温变温处理结合进行全面脱毒：
初代培养获得无菌体后，对其幼芽在显微镜下进行茎尖剥离，接种到MS+白砂糖3％+琼脂0.6％的培养基上，结合高温变温处理15天以上脱毒培养，获得粉葛脱毒苗(存活率在10％以下)；
高温变温处理具体为在阳光数码数码箱中，相对湿度为70％，每天照光14h的条件下，温度梯度为26℃-28℃-30℃-32℃-34℃-36℃-38℃，每隔3天变化一个梯度，视材料实际生长情况，在高温培养段要随时观察，做适当调整培养。
继代扩繁培养：
将获得的脱毒芽转接到继代培养上进行继代培养，培养周期为25天；培养的条件为25℃±2℃，光照时间为14h/d，光强为1500lx。
生根与移栽：
选2厘米高，粗度2毫米以上的健壮继代苗，转接到配方为1/2MS(MS配方中的大量元素全部减半)+NAA0.4mg/l+白砂糖2％+琼脂0.6％，PH5.8的生根培养基上进行生根培养，约15天后待根系在1厘米左右时出苗，进行移栽驯化管理。(如图1所示)
实施例2：
初代培养：
在连续多日晴天无雨的上午10点左右，选择无病虫害健壮的种苗为外植体，快速运到组培室进行外植体消毒处理，并接种到初代培养基上；
消毒处理具体为：将取回材料先清洗表面杂质和泥土等，摘掉叶片，将粉葛茎段截成3cm长的茎段放置于消毒容器中，滴两滴洗洁净，用流水反复冲洗30分钟，清洗过的材料在超净工作台上先用75％的酒精处理20秒，用双蒸水清洗两次；再用0.1％的氯化汞溶液放在摇床上高频振荡20分钟，用双蒸水洗4次，用无菌滤纸吸干材料上水珠。
茎尖培养和高温变温处理结合进行全面脱毒：
初代培养获得无菌体后，对其幼芽在显微镜下进行茎尖剥离，接种到MS+白砂糖3％+琼脂0.6％的培养基上，结合高温变温处理15天以上脱毒培养，获得粉葛脱毒苗(存活率在10％以下)；
高温变温处理具体为在阳光数码数码箱中，相对湿度为70％，每天照光14h的条件下，温度梯度为26℃-28℃-30℃-32℃-34℃-36℃-38℃，每隔3天变化一个梯度，视材料实际生长情况，在高温培养段要随时观察，做适当调整培养。
继代扩繁培养：
将获得的脱毒芽转接到继代培养上进行继代培养，培养周期为25天；培养的条件为25℃±2℃，光照时间为14h/d，光强为2000lx。
生根与移栽：
选2厘米高，粗度2毫米以上的健壮继代苗，转接到配方为1/2MS(MS配方中的大量元素全部减半)+NAA0.4mg/l+白砂糖2％+琼脂0.6％，PH5.8的生根培养基上进行生根培养，约15天后待根系在1厘米左右时出苗，进行移栽驯化管理。
实施例3：
初代培养：
在连续多日晴天无雨的上午10点左右，选择无病虫害健壮的种苗为外植体，快速运到组培室进行外植体消毒处理，并接种到初代培养基上；
消毒处理具体为：将取回材料先清洗表面杂质和泥土等，摘掉叶片，将粉葛茎段截成3cm长的茎段放置于消毒容器中，滴两滴洗洁净用流水反复冲洗30分钟，清洗过的材料在超净工作台上先用75％的酒精处理20秒，用双蒸水清洗两次；再用0.1％的氯化汞溶液放在摇床上高频振荡20分钟，用双蒸水洗4次，用无菌滤纸吸干材料上水珠。
茎尖培养和高温变温处理结合进行全面脱毒：
初代培养获得无菌体后，对其幼芽在显微镜下进行茎尖剥离，接种到MS+白砂糖3％+琼脂0.6％的培养基上，结合高温变温处理15天以上脱毒培养，获得粉葛脱毒苗(存活率在10％以下)；
高温变温处理具体为在阳光数码数码箱中，相对湿度为70％，每天照光14h的条件下，温度梯度为26℃-28℃-30℃-32℃-34℃-36℃-38℃，每隔3天变化一个梯度，视材料实际生长情况，在高温培养段要随时观察，做适当调整培养。
继代扩繁培养：
将获得的脱毒芽转接到继代培养上进行继代培养，培养周期为25天；培养的条件为25℃±2℃，光照时间为14h/d，光强为1800lx。
生根与移栽：
选2厘米高，粗度2毫米以上的健壮继代苗，转接到配方为1/2MS(MS配方中的大量元素全部减半)+NAA0.4mg/l+白砂糖2％+琼脂0.6％，PH5.8的生根培养基上进行生根培养，约15天后待根系在1厘米左右时出苗，进行移栽驯化管理。
本调查数据采集来源于高明更合镇多个种植点，每块田调查3-4行，每行种植苗为26-57株(根据地形种植，有长有短))
Figure BSA0000208538430000061
1.外植体的初培消毒处理
外植体表面有细细的绒毛极易带有各种病菌很难消毒干净，本申请采用较短时间，多次消毒高频震荡的方法，既保证不会杀死外植体，又能充分彻底消毒，这种方法成功率达到80％以上。
2.茎尖脱毒同高温变温脱毒处理相结合
双重脱毒措施使材料脱毒更彻底，材料抗病性显著增强，黑头病、黑心病发病率明显降低，也提高了抗广东高温的能力，长势整齐，生长速度加快，品质提高。
3.粉葛脱毒苗是专供生产块根的，不同于生产果树、花卉(只考虑根系好和地上部分长得好为目标)。脱毒苗的生产对根系生长有特殊的要求(较粗壮的有效根系要达到5条以上)，因此生根培养基配方是结合多点地方生产实际需要，经过多次试验调查筛选，才选出的最佳生根培养基。用于生根的苗选择标准为带茎尖四片叶，2厘米高，粗度2毫米以上的健壮苗，生根15天后根系在1厘米左右时出苗驯化，生根苗标准为4片叶以上、高度3厘米以上、粗度2毫米以上、有5条以上白色粗壮根的生根苗为合格苗才可进行驯化。

Claims (6)

1.一种高明合水粉葛的脱毒快繁方法，其特征在于，包括以下步骤；
初代培养：
选择无病虫害健壮的种苗为外植体，快速运到组培室进行外植体消毒处理，并接种到初代培养基上；
茎尖培养和高温变温处理结合进行全面脱毒：
初代培养获得无菌体后，对其幼芽在显微镜下进行茎尖剥离，接种到MS+白砂糖3％+琼脂0.6％的培养基上，结合高温变温处理15天以上脱毒培养，获得粉葛脱毒苗；
继代扩繁培养：
将获得的脱毒芽转接到继代培养上进行继代培养，培养周期为25天；
生根与移栽：
选2厘米高，粗度2毫米以上的健壮继代苗，转接到配方为1/2 MS+NAA0.4mg/l+白砂糖2％+琼脂0.6％，PH5.8的生根培养基上进行生根培养，约15天后待根系在1厘米左右时出苗，进行移栽驯化管理。
2.根据权利要求1所述的一种高明合水粉葛的脱毒快繁方法，其特征在于，所述的初代培养中的消毒处理具体为：将取回材料先清洗表面杂质和泥土等，摘掉叶片，将粉葛茎段截成2-3cm长的茎段放置于消毒容器中，滴两滴洗洁净用流水反复冲洗30分钟，清洗过的材料在超净工作台上先用75％的酒精处理20秒，用双蒸水清洗两次；再用0.1％的氯化汞溶液放在摇床上高频振荡20分钟，用双蒸水洗4次，用无菌滤纸吸干材料上水珠。
3.根据权利要求1所述的一种高明合水粉葛的脱毒快繁方法，其特征在于，所述的初代培养基为MS+6-BA0.5mg/l+白砂糖3％+琼脂0.6％，PH5.8。
4.根据权利要求1所述的一种高明合水粉葛的脱毒快繁方法，其特征在于，所述的茎尖培养和高温变温处理结合进行全面脱毒中高温变温处理具体为在阳光数码数码箱中，相对湿度为70％，每天照光14h的条件下，温度梯度为26℃-28℃-30℃-32℃-34℃-36℃-38℃，每隔3天变化一个梯度，视材料实际生长情况，在高温培养段要随时观察，做适当调整培养。
5.根据权利要求1所述的一种高明合水粉葛的脱毒快繁方法，其特征在于，所述的继代扩繁培养中继代培养具体为MS+6-BA0.2mg/l+NAA0.05mg/l+白砂糖3％+琼脂0.6％，PH5.8。
6.根据权利要求1所述的一种高明合水粉葛的脱毒快繁方法，其特征在于，所述的继代扩繁培养中培养的条件为25℃±2℃，光照时间为14h/d，光强为1500lx～2000lx。
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