CN111433633A - 在壳体内具有分析仪的辐射探测装置 - Google Patents

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CN111433633A CN201880069560.9A CN201880069560A CN111433633A CN 111433633 A CN111433633 A CN 111433633A CN 201880069560 A CN201880069560 A CN 201880069560A CN 111433633 A CN111433633 A CN 111433633A
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阿尔坦·久拉伊
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Abstract

本发明提供了一种辐射探测装置，所述辐射探测装置可包括闪烁体，所述闪烁体响应于吸收辐射而发出闪烁光；光电传感器，所述光电传感器响应于接收所述闪烁光而产生电子脉冲；分析仪，所述分析仪测定所述辐射的特性；以及壳体，所述壳体包含所述闪烁体、所述光电传感器和所述分析仪，其中所述辐射探测装置配置为允许改变功能性而不从所述壳体中取出所述分析仪。与包括光电倍增管的辐射探测装置相比，所述辐射探测装置可更加紧凑并且更加坚固。

Description

在壳体内具有分析仪的辐射探测装置
技术领域
本公开涉及在壳体内具有分析仪的辐射探测装置。
背景技术
辐射探测装置可包括其内具有部件的密封壳体。辐射探测装置可执行的功能可以通过该部件来测定。可打开壳体并且更换部件，以改变功能性。由于壳体可能是密封的或者可能难以接近(例如在井孔中或位于复杂设备内的深处)，壳体可能难以打开。期望进一步改进辐射探测装置。
附图简要说明
实施例以举例的方式示出，并且不受附图的限制。
图1包括根据一个实施例的辐射探测装置的横断面视图的图示。
图2包括如图1所示的接口板的底面的图示。
图3包括如图1所示的接口板的顶面的图示。
图4包括图1的辐射探测装置和耦接至该装置的外部连接器的侧视图的图示。
图5包括图1的装置的一部分的透视剖面图的图示。
图6包括图1的装置的线路板和接口板的一部分的透视图的图示。
图7包括可与图1的装置配合使用的不同盖的透视图的图示。
图8和图9分别包括图7所示盖中的一个的顶视图和底视图的图示。
图10包括图8和图9所示的盖与电连接器和O型环的图示。
图11包括可用在图1的装置中的控制模块的示意图。
图12包括使用图1的装置的方法的流程图。
图13包括辐射探测装置的侧视图的图示以示出装置之间的长度差异。
本领域的技术人员应当认识到，为简单和清楚起见，图中示出的各元件并不一定按比例绘制。例如，图中一些元件的尺寸可相对于其他元件进行放大，以帮助增进对本发明实施例的理解。
具体实施方式
提供结合附图的以下描述以帮助理解本文所公开的教导内容。以下论述将集中于本教导内容的具体实施方式和实施例。提供该重点是为了帮助描述教导内容，并且不应该被解释为是对本教导内容的范围或适用性的限制。然而，其他实施例可基于本专利申请中所公开的教导内容而使用。
术语“化合物半导体”旨在表示包括至少两种不同元素的半导体材料。示例包括SiC、SiGe、GaN、InP、AlxGa(1-x)N(其中0≤x<1)、CdTe等。第III-V族半导体材料旨在表示包括至少一种三价金属元素和至少一种第15族元素的半导体材料。第III-N族半导体材料旨在表示包括至少一种三价金属元素和氮的半导体材料。第13族-第15族半导体材料旨在表示包括至少一种第13族元素和至少一种第15族元素的半导体材料。第II-VI族半导体材料旨在表示包括至少一种二价金属元素和至少一种第16族元素的半导体材料。
术语“雪崩光电二极管”是指具有至少1mm2的受光面积并且在比例模式下工作的单个光电二极管。
术语“SiPM”旨在表示包括多个光电二极管的光电倍增器，其中光电二极管中的每一个均具有小于1mm2的单元尺寸，并且光电二极管在盖革模式下工作。用于SiPM中的二极管的半导体材料可包括硅、化合物半导体或其他半导体材料。
术语“由…构成”“包括”“包含”“具有”“有”或它们的任何其他变型旨在涵盖非排他性的包含之意。例如，包括特征列表的方法、制品或装置不一定仅限于那些特征，而是可以包括未明确列出的或这种方法、制品或装置固有的其他特征。另外，除非另有明确说明，否则“或”是指包括性的“或”而非排他性的“或”。例如，以下任何一项均可满足条件A或B：A为真(或存在的)而B为假(或不存在的)、A为假(或不存在的)而B为真(或存在的)，以及A和B两者都为真(或存在的)。
而且，使用“一个”或“一种”来描述本文所述的元件和部件。这么做只是为了方便起见和提供对本发明范围的一般认识。除非很明显地另指他意，否则这种描述应被理解为包括一个、至少一个，或单数也包括复数，或反之亦然。例如，当在本文描述单个项时，可使用多于一个项来代替单个项。类似地，在本文描述了多于一个项的情况下，单个项可以取代多于一个项。
使用字词“约”、“大约”或“基本上”旨在表示参数的值接近于指定的值或位置。然而，微小差异可能使值或位置无法完全符合规定。因此，最多至百分之十(10％)(以及最多至百分之二十(20％)的半导体掺杂浓度)的值的差异是与确切所述的理想目标的合理差异。
族数对应于元素周期表内的列，该元素周期表基于IUPAC元素周期表，版本日期为2016年11月28日。
除非另有定义，否则本文使用的所有技术术语和科技术语都与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。材料、方法和实例仅是示例性的而非限制性的。关于本文未述的方面，关于特定材料和加工行为的许多详细信息是常规的，并且能在闪烁、辐射探测和测距领域内的教科书和其他来源中找到。
辐射探测装置可经配置使得可改变装置的功能性而无须从其内包含分析仪的壳体中取出该分析仪。可通过激活或去激活某项功能来改变功能性，该功能包括对辐射事件进行计数、鉴别不同类型的辐射(例如鉴别伽玛辐射与中子)、识别对应于辐射的同位素、为光电传感器提供增益补偿、提供有关闪烁体的光输出随温度变化进行调节的信息、其他合适的功能，或它们的任意组合。
在一方面，辐射探测装置可包括闪烁体，该闪烁体响应于吸收辐射而发出闪烁光；光电传感器，该光电传感器响应于接收闪烁光而产生电子脉冲；分析仪，该分析仪测定辐射的特性；以及壳体，该壳体包含闪烁体、光电传感器和分析仪，其中辐射探测装置配置为允许改变功能性而不从壳体中取出分析仪。
在一个实施例中，辐射探测装置可进一步包括耦接至光电传感器和分析仪的接口板。在另一个实施例中，光电传感器可包括半导体基光电倍增器。与具有光电倍增管(PMT)的辐射探测装置相比，具有半导体基光电倍增器的辐射探测装置经制造可以更加紧凑并且更加坚固。半导体基光电倍增器允许通过连接至辐射探测装置的电缆提供电力，并且接口板可提供足够电力以使半导体基光电倍增器工作。参照附图和非限制性实施例。
图1示出了辐射探测装置100的一个实施例。辐射探测装置100可为医学成像装置、测井装置、安全检查装置、用于军事用途等。辐射探测装置100包括壳体110，该壳体中包括部件。壳体可为可拆除式密封或气密式密封。在一个特定实施例中，壳体110可根据防护等级为IP67的IP代码等级进行密封，其中IP代码为国际电工委员会标准60529，2.2版本(2013)。
壳体110包含闪烁体120，该闪烁体可包括响应于吸收辐射而发出闪烁光的材料，诸如伽马射线、电离粒子等。用于闪烁体120的示例性非限制性材料包括碱卤化物、稀土卤化物、钾冰晶石、含稀土硅酸盐、钙钛矿氧化物等。当壳体110密封时，可保护吸湿性的或与邻近壳体110的环境条件发生不利相互作用的材料。闪烁体120由反射器132围绕。反射器132可侧向围绕闪烁体120或可在除了面向光电传感器152的一侧以外的所有侧面上围绕该闪烁体。反射器132可包括镜面反射器、漫射反射器或两者。一个或多个弹性构件可有助于将闪烁体120保持在壳体110内的适当位置。在所示的实施例中，弹性材料134可围绕反射器132，并且弹簧136可设置在闪烁体120与壳体110之间。尽管未示出，但可在弹簧136与闪烁体120之间使用平板，以沿着闪烁体120的表面更均匀地分布压力。
半导体基光电倍增器可经由光耦合器140光耦接至闪烁体120。光耦合器140可与壳体110形成密封以隔离闪烁体120。半导体基光电倍增器可包括SiPM或雪崩光电二极管。在一个实施例中，半导体基光电倍增器可包括一个或多个SiPM 152。在一个实施例中，可改变SiPM的数量而不破坏为隔离闪烁体而形成的密封。在一个实施例中，SiPM的数量可增加。在另一个实施例中，SiPM的数量可减少。因此，还可改变辐射探测装置的功能性而不破坏密封。如在所示实施例中看到的，SiPM 152可安装在印刷线路板154上。在一个实施例中，SiPM152可在印刷线路板154与光耦合器140之间。在一个实施例中，光耦合器140可为硅胶。在另一个实施例中，可使用环氧树脂或硅橡胶将SiPM 152耦接至光耦合器140。来自SiPM 152的电子脉冲可穿过印刷线路板154和电连接器162传导至接口板172。电连接器162可为导线(已示出)、焊球等。
接口板172可包括电子部件174、176和178。图2包括接口板172的底面的视图，该接口板进一步包括附加的电子部件272、274、276和278以及电荷存储元件210，诸如电池、电容器等。其中一个电子部件可包括通用异步收发器。参照图11所示的控制模块描述了电子部件的功能，并且在本说明书后文中对其进行详述。在另一个实施例中，在接口板底侧上示出的一些或所有部件可在接口板172的顶侧上。
图3包括接口板172的顶面的视图。电连接器362可延伸穿过盖180并延伸至配置为接纳外部连接器的连接器部分190中。连接器362的数量和布置以及连接器部分190的设计可视所用外部连接器的类型而定。
图4包括辐射探测装置100和连接至辐射装置的外部连接器490的侧视图。在所示的实施例中，连接器490可包括密封套492和电缆494。该配置允许辐射探测装置100至外部连接器490达到IP67防护等级的密封。
图5至图7包括辐射探测装置100的部分的进一步图示。图5包括辐射探测装置的一部分的透视剖面图。除了闪烁体120、反射器132、弹性构件和光耦合器140被移除以外，图5包括如图1所示的所有特征。图6示出了彼此分离的印刷线路板154与接口板172。示出了四个SiPM，虽然在另一个实施例中可使用更多或更少的SiPM。示出了接口板172上的电子部件，但并未分别标以标号。图7包括盖782、784和786的透视图。盖782具有两个外部连接器792，其中一个为同轴电缆连接器而另一个为微型通用串行总线连接器。在另一个实施例中，可使用更多或不同的连接器。如果需要或期望，表面贴装技术可用于连接。外部连接器可向辐射探测装置100提供电力，并且至少一些电力可经由接口板172传输，以向光电传感器诸如半导体基光电倍增器，甚至更具体地向SiPM 152供电。辐射探测装置100可包括模块化部件，诸如载板154上的SiPM 152、接口板172和盖。
图8至图10包括有关盖784的图示。图8包括顶视图，并且图9包括底视图。图10示出了盖784、可与盖784配合使用的连接器1090和可用于帮助将盖784密封至壳体110(图10中未示出)的O型环1080。
接口板172上的电子部件可配置为充当如图11所示的控制模块1100。半导体基光电倍增器耦接至控制模块1100内的放大器1102。在一个实施例中，放大器1102可为高保真度放大器。放大器1102可放大电子脉冲，并且放大的电子脉冲可在模拟-数字转换器(“ADC”)1104处转换为可由处理器1122接收的数字信号。处理器1122可耦接至可编程/可重复编程处理模块(“PRPM”)，诸如现场可编程门阵列(“FPGA”)1124或专用集成电路(“ASIC”)、存储器1126和输入/输出(“I/O”)模块1142。耦合可为单向的或双向的。在另一个实施例中，可在控制模块1100中使用更多的、更少的或不同的部件。例如，可通过处理器1122执行由FPGA 1124提供的功能，因此不需要FPGA 1124。FPGA 1124处理信息的速度较处理器1122更快。
控制模块1100可包括分析仪并且执行一种或多种不同功能。功能可包括对辐射事件进行计数、鉴别不同类型的辐射、识别对应于辐射的同位素、为光电传感器提供增益补偿、提供有关闪烁体的光输出随温度变化进行调节的信息、执行其他合适的功能，或它们的任意组合。分析仪可为多道分析仪。分析仪可包括处理器1122、FPGA 1124或它们的组合。参见图1和图11，接口板172将光电传感器诸如SiPM 152与分析仪彼此耦接。在一个实施例中，接口板172为可卸除式耦接至线路板154。
图12包括根据一个示例性实施例的使用辐射探测装置100的流程图。结合图1和图11对方法进行了描述。如果外部连接器尚未连接至辐射探测装置100，可在执行如下所述的方法的其余部分之前，将外部连接器连接至辐射探测装置100。
辐射源可置于辐射探测装置100附近。来自辐射源的辐射可由闪烁体120吸收。在方块1210处，方法可包括从闪烁体120发出闪烁光。可响应于吸收辐射而发出闪烁光。闪烁光可由半导体基光电倍增器接收，该半导体基光电倍增器可响应于接收闪烁光而产生电子脉冲。在一个实施例中，来自闪烁体的闪烁光穿过光耦合器140至SiPM 152。电子脉冲为模拟信号的示例。在方块1220处，方法可进一步包括将信号从光电传感器传输至分析仪。来自图1中SiPM 152的电子脉冲可由放大器1102接收，并且可经放大以生成放大的信号。
如果需要或期望，在方块1232处，方法可包括将模拟信号转换为数字信号。特别地，放大的信号可在ADC 1104处从模拟信号转换为数字信号。由于分析仪可使用模拟信号执行分析，因此信号的转换是可选的。无论是模拟信号还是数字信号，均可由处理器1122接收。
在方块1234处，方法可进一步包括根据现有功能分析信号。功能可包括关于控制模块1100的任何前述功能。分析可用于测定闪烁体120所吸收的辐射的特性。可由处理器1122结合可存储在存储器1126中的指令执行分析、由FPGA 1124或处理器1122和FPGA 1124的组合执行分析。
在方块1100处，方法还可包括改变辐射探测装置100的功能性。改变功能性可包括去激活某种功能或激活某种功能。例如，可去激活现有功能，添加新功能或它们的组合。在一个特定实施例中，可能已经售出的辐射探测装置100搭载了多项功能，所述多项功能包括可用于试用阶段的特定功能。如果未支付费用或期限届满，可去激活一些功能。在另一个特定实施例中，辐射探测装置100可提供至少一种功能但不包括另一种功能。以后，用户可支付激活费用，然后可激活另一种功能。FPGA 1124的优点为可将其中的内容擦除，并且可将对应于某种功能的信息写入FPGA 1124。可替代地，可从存储器1126删除具有对应于特定功能的指令的文件，并且可将具有对应于另一种功能的指令的文件存储在存储器1126中。在一个实施例中，可通过电缆494将指令发送至接口板172上的控制模块1100，以激活或去激活辐射探测装置100的功能。在另一个实施例中，可移除接口板172或将其替换为包含不同功能的不同接口板172。因此，可改变辐射探测装置100的功能性而不从壳体110中取出分析仪。由于不必破坏密封以及再密封壳体，因此这项优点在壳体110为密封壳体时尤其有益。
可由发出闪烁光的闪烁体120吸收更多辐射，该闪烁光由产生其他电子脉冲的光电传感器接收。在方块1238处，方法可包括根据其他功能分析其他信号。可按与前文所述类似的方式处理电子脉冲以提供其他信号。可由处理器1122、FPGA 1124或两者来分析该其他信号。功能可为前文所述的任何功能以测定辐射的特性。可对自方块1234中的先验分析以来最近添加的新功能进行分析。
与具有光电倍增管(“PMT”)的辐射探测装置相比，具有半导体基光电倍增器的辐射探测装置的实施例可允许明显更小的尺寸。图13包括两种不同辐射探测装置的侧视图：包括PMT的PMT探测器，以及包括半导体基光电倍增器和一个特定实施例中的SiPM的SiPM探测器。对于所示的每个探测器，闪烁体、光电传感器、分析仪和接口板沿壳体长度定向。对于SiPM探测器，光电传感器、分析仪和接口板的组合构成至多50％、至多40％或至多25％的壳体长度。对于PMT，光电传感器、分析仪和接口板的组合构成超过65％的壳体长度。
进一步地，PMT需要基本上比半导体基光电倍增器更高的电压。因此，分析仪并不位于PMT探测器中。进一步地，PMT所需的电力可超过接口板172所支持的电压。因此，PMT探测器不仅更大，而且并不提供关于前文所述的辐射探测装置的前述功能性。更进一步地，与PMT探测器相比，本文所述的辐射探测装置更加坚固并且可耐受更加滥用或更加苛刻的条件。
许多不同的方面和实施例都是可能的。以下描述了那些方面和实施例中的一些。在阅读本说明书之后，本领域的技术人员会理解，那些方面和实施例仅是说明性的，并不限制本发明的范围。各实施例可以根据下面列出的任何一个或多个实施例。
实施例1.一种辐射探测装置，包括：闪烁体，该闪烁体响应于吸收辐射而发出闪烁光；光电传感器，该光电传感器响应于接收闪烁光而产生电子脉冲；分析仪，该分析仪测定辐射的特性；以及壳体，该壳体包含闪烁体、光电传感器和分析仪，其中辐射探测装置配置为允许改变功能性而不从壳体中取出分析仪。
实施例2.根据实施例1所述的辐射探测装置，其中功能性包括对辐射事件进行计数、鉴别不同类型的辐射、识别对应于辐射的同位素、为光电传感器提供增益补偿、提供有关闪烁体的光输出随温度变化进行调节的信息，或它们的任意组合。
实施例3.根据实施例1或实施例2所述的辐射探测装置，进一步包括耦接至光电传感器和分析仪的接口板。
实施例4.一种使用辐射探测装置的方法，包括：提供包含闪烁体、光电传感器和分析仪的壳体，其中：闪烁体配置为响应于吸收辐射而发出闪烁光；光电传感器配置为响应于接收闪烁光而产生电子脉冲；分析仪配置为测定辐射的特性；并且改变辐射探测装置的功能性而不从壳体中取出分析仪。
实施例5.根据实施例4所述的方法，改变功能性包括激活或去激活某种功能，该功能包括对辐射事件进行计数、鉴别不同类型的辐射、识别对应于辐射的同位素、为光电传感器提供增益补偿、提供有关闪烁体的光输出随温度变化进行调节的信息，或它们的任意组合。
实施例6.根据实施例4或实施例5所述的方法，进一步包括分析对应于辐射的信号。
实施例7.根据实施例6所述的方法，其中在改变功能性后根据功能分析信号，其中执行改变功能性的操作以激活该功能。
实施例8.根据实施例6所述的方法，进一步包括在改变功能性之前根据功能来分析对应于辐射的信号，其中执行改变功能性的操作以去激活该功能。
实施例9.根据实施例4至实施例8中任一项所述的方法，其中提供壳体包括提供密封壳体。
实施例10.根据实施例9所述的方法，其中执行改变功能性的操作而不破坏密封壳体的密封。
实施例11.根据实施例3至实施例10中任一项所述的方法，进一步包括响应于吸收辐射而从闪烁体发出闪烁光，以及将信号从光电传感器传输至分析仪。
实施例12.根据实施例11所述的方法，其中来自光电传感器的信号为模拟信号。
实施例13.根据实施例12所述的方法，进一步包括将模拟信号转换为数字信号。
实施例14.根据实施例4至实施例13中任一项所述的方法，进一步包括将外部连接器连接至辐射探测装置。
实施例15.根据实施例14所述的方法，其中连接外部连接器包括将同轴电缆连接器、通用串行总线连接器、表面贴装技术连接器连接至辐射探测装置。
实施例16.根据实施例14或实施例15所述的方法，其中连接外部连接器包括连接外部连接器以提供防护等级为IP67的IP代码等级，其中IP代码为国际电工委员会标准60529，2.2版本(2013)。
实施例17.根据实施例4至实施例16中任一项所述的方法，其中提供壳体包括提供进一步包括耦接至光电传感器和分析仪的接口板的壳体。
实施例18.根据实施例17所述的方法，进一步包括将电力从外部电源经由接口板传输至光电传感器。
实施例19.根据实施例1或实施例18中任一项所述的辐射探测装置或方法，其中分析仪包括多道分析仪。
实施例20.根据实施例1至实施例19中任一项所述的辐射探测装置或方法，其中接口板进一步包括通用异步收发器。
实施例21.根据实施例1至实施例14和实施例17至实施例20中任一项所述的辐射探测装置或方法，其中壳体进一步包括外部连接器，该外部连接器包括同轴电缆连接器、通用串行总线连接器或表面贴装技术连接器。
实施例22.根据实施例21所述的辐射探测装置或方法，其中外部连接器允许防护等级为IP67的IP代码等级，其中IP代码为国际电工委员会标准60529，2.2版本(2013)。
实施例23.根据实施例3和实施例17至实施例22中任一项所述的辐射探测装置或方法，其中接口板进一步配置为向光电传感器提供电力。
实施例24.根据实施例1至实施例23中任一项所述的辐射探测装置或方法，其中光电传感器为半导体基光电倍增器。
实施例25.根据实施例24所述的辐射探测装置或方法，其中半导体基光电倍增器为SiPM。
实施例26.根据实施例24所述的辐射探测装置或方法，其中半导体基光电倍增器为雪崩光电二极管。
实施例27.根据实施例3和实施例17至实施例26中任一项所述的辐射探测装置或方法，其中光电传感器安装至设置在闪烁体与接口板之间的线路板。
实施例28.根据实施例3和实施例17至实施例27中任一项所述的辐射探测装置或方法，其中闪烁体、光电传感器、分析仪和接口板沿壳体长度定向，其中光电传感器、分析仪和接口板的组合构成至多50％、至多40％或至多25％的壳体长度。
实施例29.一种辐射探测装置，包括：壳体；闪烁体，该闪烁体响应于吸收辐射而发出闪烁光；一个或多个硅光电倍增器，该一个或多个硅光电倍增器响应于接收闪烁光而产生电子脉冲；以及光耦合器，其中光耦合器形成密封以隔离闪烁体，其中壳体包含闪烁体、一个或多个硅光电倍增器和光耦合器，并且其中可改变一个或多个硅光电倍增器的数量而不破坏密封。
实施例30.根据实施例29所述的辐射探测装置，其中一个或多个硅光电倍增器的数量增加。
实施例31.根据实施例29所述的辐射探测装置，其中一个或多个硅光电倍增器的数量减少。
实施例32.根据实施例29所述的辐射探测装置，其中可改变辐射探测装置的功能性而不破坏密封。
实施例33.根据实施例29所述的辐射探测装置，其中一个或多个硅光电倍增器邻近光耦合器。
实施例34.根据实施例29所述的辐射探测装置，其中一个或多个硅光电倍增器光耦接至闪烁体。
实施例35.根据实施例29所述的辐射探测装置，其中光耦合器包括硅胶。
实施例36.根据实施例29所述的辐射探测装置，其中光耦合器与壳体形成密封以隔离闪烁体。
实施例37.一种使用辐射探测装置的方法，包括：提供包含闪烁体、光电传感器和光耦合器的壳体，其中：闪烁体配置为响应于吸收辐射而发出闪烁光；光电传感器配置为响应于接收闪烁光而产生电子脉冲；光耦合器形成密封以隔离闪烁体；并且改变辐射探测装置的功能性而不破坏密封。
实施例38.根据实施例37所述的方法，改变功能性包括改变光电传感器的数量。
实施例39.根据实施例37所述的方法，其中光电传感器为半导体基光电倍增器。
实施例40.根据实施例39所述的方法，其中半导体基光电倍增器包括一个或多个硅光电倍增器。
实施例41.根据实施例37所述的方法，进一步包括响应于吸收辐射而从闪烁体发出闪烁光。
实施例42.根据实施例37所述的方法，其中光耦合器与壳体形成密封以隔离闪烁体。
需注意，并非所有上述一般说明或实例中的行为都是必需的，可能不一定需要具体行为的一部分，并且除描述的那些行为外，还可执行一个或多个进一步的行为。此外，所列活动的次序不一定是执行它们的次序。
上面已经参考具体实施例描述了益处、其他优点及问题的解决方案。然而，益处、优点、问题的解决方案及可使任何益处、优点或解决方案被想到或变得更加显著的任何特征都不被认为是任何或所有权利要求的关键、所需或必要的特征。
本文所述的实施例的说明书和图示旨在提供对各种实施例的结构的一般理解。说明书和图示并不旨在用作对使用了本文所述的结构或方法的装置的所有元件和特征的详尽和全面的描述。单独的实施例也可在单个实施例中以组合的方式来提供，并且相反地，为简明起见而在单个实施例的上下文中描述的各种特征也可单独地提供，或以任何子组合的方式来提供。此外，对以范围表示的值的引用包括该范围内的每个值和所有各值。只有在阅读本说明书之后，许多其他实施例对于技术人员才是显而易见的。通过本公开内容可以利用和得到其他实施例，使得可在不脱离本公开的范围的情况下进行结构替换、逻辑替换或其他改变。因此，本公开应被视为例示性的而非限制性的。

Claims (13)

1.一种辐射探测装置，包括：
壳体；
闪烁体，所述闪烁体响应于吸收辐射而发出闪烁光；
一个或多个硅光电倍增器，所述一个或多个硅光电倍增器响应于接收所述闪烁光而产生电子脉冲；以及
光耦合器，其中所述光耦合器形成密封以隔离所述闪烁体，其中所述壳体包含所述闪烁体、所述一个或多个硅光电倍增器和所述光耦合器，并且其中可改变所述一个或多个硅光电倍增器的数量而不破坏所述密封。
2.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其中所述一个或多个硅光电倍增器的所述数量增加。
3.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其中所述一个或多个硅光电倍增器的所述数量减少。
4.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其中可改变所述辐射探测装置的功能性而不破坏所述密封。
5.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其中所述一个或多个硅光电倍增器邻近所述光耦合器。
6.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其中所述一个或多个硅光电倍增器光耦接至所述闪烁体。
7.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其中所述光耦合器包含硅胶。
8.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其中所述光耦合器与所述壳体形成密封以隔离所述闪烁体。
9.一种使用辐射探测装置的方法，包括：
提供壳体，所述壳体包含闪烁体、光电传感器和光耦合器，其中：
所述闪烁体配置为响应于吸收辐射而发出闪烁光；
所述光电传感器配置为响应于接收所述闪烁光而产生电子脉冲；
所述光耦合器形成密封以隔离所述闪烁体；以及
改变所述辐射探测装置的功能性而不破坏所述密封。
10.根据权利要求9所述的方法，改变功能性包括改变所述光电传感器的数量。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述光电传感器为半导体基光电倍增器。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述半导体基光电倍增器包括一个或多个硅光电倍增器。
13.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：
响应于吸收辐射而从所述闪烁体发出闪烁光。
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