CN111416001B - 一种钝化胶、钝化方法及钝化设备 - Google Patents
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- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 250
- 239000003292 glue Substances 0.000 title claims abstract description 104
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 63
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 56
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 34
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Natural products OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims abstract description 30
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 35
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 34
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 34
- 210000003097 mucus Anatomy 0.000 claims description 30
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 27
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 22
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 229940093429 polyethylene glycol 6000 Drugs 0.000 claims description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 3
- -1 polypropylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 45
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 45
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 45
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 45
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 15
- 238000009736 wetting Methods 0.000 abstract description 8
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 abstract description 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 14
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 13
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 13
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 13
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000005805 hydroxylation reaction Methods 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 150000002596 lactones Chemical group 0.000 description 6
- 230000009456 molecular mechanism Effects 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000715 Mucilage Polymers 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
本发明实施例提供了一种钝化胶、钝化方法及钝化设备,涉及太阳能光伏技术领域。钝化胶包括:氧化硅前驱溶液,每一升所述氧化硅前驱溶液中加入3‑10g抗坏血酸粉末、90‑100g硫脲形成所述钝化胶;所述氧化硅前驱溶液包括:正硅酸四乙酯、甲基三乙氧基硅烷、酸碱催化剂、正硅酸四乙酯的溶剂、去离子水;其中,在所述氧化硅前驱溶液中,所述酸碱催化剂的质量百分比小于1%,所述正硅酸四乙酯、甲基三乙氧基硅烷、正硅酸四乙酯的溶剂、去离子水的质量百分比分别为:4%~10%、2%~5%,50%~65%、10%~15%。本申请的钝化胶减少了形成SiO2钝化层的反应时间,改善了SiO2钝化层浸润性,使得SiO2钝化层不易龟裂,SiO2钝化层的厚度较大,对于切割面具有很好的钝化作用。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能光伏技术领域,特别是涉及一种钝化胶、钝化方法及钝化设备。
背景技术
将电池片切片得到多个子片,采用子片互联有利于减少功率损失,但是将电池片切片又会引入切割效率损失,为了减少切割效率损失,需要对切割面进行钝化处理。
目前,对切割面进行钝化处理主要是对电池片表面设置钝化胶,以在切割面上形成钝化层。
现有技术中的钝化胶形成钝化层的反应时间较长,钝化层浸润性差,容易龟裂。
发明内容
本发明提供一种钝化胶、钝化方法及钝化设备,旨在解决在电池片切割面形成钝化层的反应时间较长,钝化层浸润性差,容易龟裂的问题。
根据本发明的第一方面,提供了一种钝化胶,用于钝化电池片的切割面,所述钝化胶包括:氧化硅前驱溶液,每一升所述氧化硅前驱溶液中加入3-10g 抗坏血酸粉末、90-100g硫脲形成所述钝化胶;
所述氧化硅前驱溶液包括:正硅酸四乙酯、甲基三乙氧基硅烷、酸碱催化剂、正硅酸四乙酯的溶剂、去离子水;
其中,在所述氧化硅前驱溶液中,所述酸碱催化剂的质量百分比小于1%,所述正硅酸四乙酯、甲基三乙氧基硅烷、正硅酸四乙酯的溶剂、去离子水的质量百分比分别为:4%~10%、2%~5%,50%~65%、10%~15%。
上述钝化胶中,抗坏血酸的分子机构主要是由一个五元内酯环及其侧链组成,上述比例的抗坏血酸能够参与正硅酸四乙酯TEOS的羟化反应,促进 SiO2钝化层的快速交联形成,能够大幅度减少形成SiO2钝化层的反应时间。同时,上述钝化胶中上述比例硫脲可以增强TEOS在TEOS溶剂中的溶解效果,改善了TEOS溶剂在溶液中的浸润性,使TEOS溶剂能均匀涂覆在电池片的切割面上,保证了交联形成的SiO2钝化层厚度的均匀性,改善了SiO2钝化层浸润性,使得SiO2钝化层不易龟裂。而且,上述钝化胶形成的SiO2钝化层的厚度较大,可以达到40-100nm,且SiO2钝化层均匀且致密,SiO2钝化层能够有效饱和电池片切割面的悬挂键,并且SiO2钝化层带正电荷,对于切割面的空间电荷区具有很好的钝化作用。
可选的,所述正硅酸四乙酯的溶剂包括:聚乙二醇6000或乙醇。
根据本发明的第二方面,提供了一种钝化方法,包括:
将前述的钝化胶涂覆在电池片的切割面;
对涂覆有所述钝化胶的电池片进行退火。
上述钝化方法操作简便,抗坏血酸的分子机构主要是由一个五元内酯环及其侧链组成,在钝化胶被激活成键形成SiO2钝化层的过程中,上述比例的抗坏血酸能够参与正硅酸四乙酯TEOS的羟化反应,促进SiO2钝化层的快速交联形成,能够大幅度减少形成SiO2钝化层的反应时间。同时,上述钝化胶中上述比例硫脲可以增强TEOS在TEOS溶剂中的溶解效果,改善了TEOS 溶剂在溶液中的浸润性,使TEOS溶剂能均匀涂覆在电池片的切割面上,保证了交联形成的SiO2钝化层厚度的均匀性,改善了SiO2钝化层浸润性,使得SiO2钝化层不易龟裂。而且,上述钝化胶形成的SiO2钝化层的厚度较大,可以达到40-100nm,且SiO2钝化层均匀且致密,SiO2钝化层能够有效饱和电池片切割面的悬挂键,并且SiO2钝化层带正电荷,对于切割面的空间电荷区具有很好的钝化作用。而且,钝化胶中的有机物基本完全挥发,不会带入杂质。
可选的,所述将前述的钝化胶涂覆在电池片的切割面,包括:
采用粘液滚轮将前述的钝化胶涂覆在所述电池片的切割面;
或,将前述的钝化胶丝网印刷在所述电池片的切割面。
可选的,所述对涂覆有所述钝化胶的电池片进行退火,包括以下步骤中的至少一种:
采用链式烘干炉对涂覆有所述钝化胶的电池片进行退火;
采用烘箱对涂覆有所述钝化胶的电池片进行退火;
采用激光对涂覆有所述钝化胶的电池片进行退火。
可选的,所述退火的温度为:350-400℃,所述退火的时间为:20-30分钟。
根据本发明的第三方面,提供了一种钝化设备,包括:涂覆装置和退火装置;
所述涂覆装置包括:存储箱、输出管路、粘液滚轮、电池片传动机构;
所述存储箱中装有前述的钝化胶;
所述输出管路的一端设置在所述存储箱内,所述输出管路的另一端与所述粘液滚轮接触;
所述电池片传动机构上设置有电池片,所述电池片具有切割面;
所述存储箱中的所述钝化胶通过所述输出管路流出,并粘附在所述粘液滚轮上,所述电池片传动机构带动所述电池片运动,以使所述电池片的切割面与所述粘液滚轮接触,所述粘液滚轮将所述钝化胶涂覆在所述切割面上;
所述退火装置用于对涂覆有所述钝化胶的所述电池片进行退火,在所述电池片的切割面形成二氧化硅钝化层。
上述钝化设备能够在电池片的切割面自动、高效形成SiO2钝化层。上述钝化胶中,抗坏血酸的分子机构主要是由一个五元内酯环及其侧链组成,上述比例的抗坏血酸能够参与正硅酸四乙酯TEOS的羟化反应,促进SiO2钝化层的快速交联形成,能够大幅度减少形成SiO2钝化层的反应时间。同时,上述钝化胶中上述比例硫脲可以增强TEOS在TEOS溶剂中的溶解效果,改善了TEOS溶剂在溶液中的浸润性,使TEOS溶剂能均匀涂覆在电池片的切割面上,保证了交联形成的SiO2钝化层厚度的均匀性,改善了SiO2钝化层浸润性,使得SiO2钝化层不易龟裂。而且,上述钝化胶形成的SiO2钝化层的厚度较大,可以达到40-100nm,且SiO2钝化层均匀且致密,SiO2钝化层能够有效饱和电池片切割面的悬挂键,并且SiO2钝化层带正电荷,对于切割面的空间电荷区具有很好的钝化作用。
可选的,所述涂覆装置还包括:匀液驱动机构、匀液传动机构,所述匀液驱动机构通过所述匀液传动机构带动所述粘液滚轮转动;
所述粘液滚轮的表面经过织构化处理。
可选的,所述匀液驱动机构为电机,所述匀液传动机构为电机皮带。
可选的,所述涂覆装置还包括:温控机构,所述温控机构用于控制所述存储箱内的钝化胶的温度保持在5-10℃。
可选的,所述涂覆装置还包括:泵体,所述泵体用于将所述存储箱中的所述钝化胶抽入所述输出管路。
可选的,所述粘液滚轮的材料选自高结晶聚丙烯。
可选的,所述电池片传动机构为真空皮带,所述真空皮带吸附所述电池片运动。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本发明实施例中的一种SiO2钝化层的透射电子显微镜示意图;
图2示出了本发明实施例中的一种钝化方法的步骤流程图;
图3示出了本发明实施例中的一种钝化设备的结构示意图;
图4示出了本发明实施例中的另一种钝化设备的结构示意图;
图5示出了本发明实施例中的还一种钝化设备的结构示意图。
附图编号说明:
1-电池片,2-电池片传动机构,3-匀液驱动机构,4-匀液传动机构,5- 粘 液滚轮,6-输出管路,7-泵体,8-存储箱,9-退火装置。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种钝化胶,该钝化胶用于钝化电池片的切割面。该切割面可以为对电池片进行裂片过程中,形成的断裂面等。上述切割面会引入大量晶格缺陷,比如晶格位错,悬挂键等,以上缺陷会导致复合电流大幅上升,从而引起了电池片的填充因子下降。
上述钝化胶包括:氧化硅前驱溶液,该氧化硅前驱溶液包括:正硅酸四乙酯(Tetraethyl orthosilicate,TEOS)、甲基三乙氧基硅烷、酸碱催化剂、正硅酸四乙酯的溶剂、去离子水。在该氧化硅前驱溶液中,酸碱催化剂的质量百分比小于1%,正硅酸四乙酯、甲基三乙氧基硅烷、正硅酸四乙酯的溶剂、去离子水的质量百分比分别:4%~10%、2%~5%,50%~65%、10%~15%。每一升该氧化硅前驱溶液中加入3-10g抗坏血酸粉末、90-100g硫脲形成钝化胶。
上述质量比例的酸碱催化剂用于调整上述氧化硅前驱溶液的PH值,将上述氧化硅前驱溶液的PH值调整至7-8。上述酸碱催化剂可以为盐酸、氨水等。在本发明实施例中,对此不作具体限定。
现有技术中钝化胶形成钝化层的反应时间通常需要60-90min,而本发明实施例中,抗坏血酸的分子机构主要是由一个五元内酯环及其侧链组成,上述比例的抗坏血酸能够参与正硅酸四乙酯TEOS的羟化反应,促进SiO2钝化层的快速交联形成,将形成SiO2钝化层时间缩短至20-30min,大幅度减少形成SiO2钝化层的反应时间,大幅度提升了钝化效率。
现有技术中的钝化胶形成的钝化层浸润性较差,容易龟裂。而本发明实施例中,上述钝化胶中上述比例硫脲可以增强TEOS在TEOS溶剂中的溶解效果,改善了TEOS溶剂在溶液中的浸润性,使TEOS溶剂能均匀涂覆在电池片的切割面上,保证了交联形成的SiO2钝化层厚度的均匀性,改善了SiO2钝化层浸润性,使得SiO2钝化层不易龟裂。
本发明实施例中,上述钝化胶形成的SiO2钝化层的厚度较大,可以达到 40-100nm,且SiO2钝化层均匀且致密,SiO2钝化层能够有效饱和电池片切割面的悬挂键,并且SiO2钝化层带正电荷,对于切割面的空间电荷区具有很好的钝化作用。采用本发明实施例的钝化胶之后,子片的性能有大幅提升。
例如,本发明实施例中形成的SiO2钝化层的厚度可以为90nm。如,参照图1所示,图1示出了本发明实施例中的一种SiO2钝化层的透射电子显微镜示意图。图1所述的SiO2钝化层均匀且致密。
再例如,参照下表1所示,表1为涂覆本发明实施例的钝化胶前后,子片的性能参数。
表1:涂覆本发明实施例的钝化胶前后,子片的性能参数
条件 | 开路电压(mv) | 短路电流(A) | 填充因子(%) | 效率(%) |
涂覆前 | 690 | 9.902 | 80.5 | 22.51 |
涂覆后 | 690 | 9.936 | 80.8 | 22.69 |
参照上述表1所示,涂覆本发明实施例的钝化胶后,子片的效率由原来的22.51%,提升至22.69%,提升了0.18%。
在本发明实施例中,上述质量比例的TEOS溶剂的作用主要在于溶解 TEOS。可选的,上述TEOS溶剂可以包括聚乙二醇6000或乙醇,上述TEOS 溶剂对TEOS具有较好的溶解作用。尤其是聚乙二醇6000,对TEOS具有良好的溶解作用。
参照图2,图2示出了本发明实施例中的一种钝化方法的步骤流程图。
该钝化方法包括如下步骤:
步骤101,将钝化胶涂覆在电池片的切割面。
本发明实施例中,只是将上述钝化胶涂覆在电池片的切割面,而不是涂覆在电池片的整个表面,能够节省钝化胶用量,降低成本。
可选的,上述步骤101可以包括:采用粘液滚轮将钝化胶涂覆在所述电池片的切割面;或,将钝化胶丝网印刷在所述电池片的切割面。
具体的,采用能够粘接上述钝化胶的粘液滚轮将上述钝化胶涂覆在电池片的切割面。或者,将上述钝化胶丝网印刷在电池片的切割面。上述两种方式均可以使得钝化胶能够均匀涂覆在电池片的切割面。
采用丝网印刷的过程中,电池片的切割面与网版开口位置重合,往网版上加入上述钝化胶,在电池片切割面印刷上述钝化胶。
步骤102,对涂覆有所述钝化胶的电池片进行退火。
可以对涂覆有钝化胶的电池片进行退火,上述钝化胶在退火过程中被激活成键形成SiO2钝化层,同时,钝化胶中有机物挥发。
可选的,上述步骤102可以包括以下步骤中的至少一种:采用链式烘干炉对涂覆有钝化胶的电池片进行退火;采用烘箱对涂覆有钝化胶的电池片进行退火;采用激光对涂覆有钝化胶的电池片进行退火。上述三种方式均可以简便、高效实现退火。可选的,退火温度可以为350-400℃,退火时间可以为20-30min,上述退火条件不仅能够有效将钝化胶激活成键形成SiO2钝化层、挥发钝化胶中的有机物,而且,不会给电池片带入不利的热影响。
例如,可以将涂覆有钝化胶的电池片传输进链式烘干炉,烘干炉的温度设置在400℃,退火时间为30min。
关于方法实施例中,有关钝化胶的相关部分可以参照前述钝化胶部分的记载,且能达到相同或类似的效果,为了避免重复,此处不再赘述。
上述钝化方法操作简便,抗坏血酸的分子机构主要是由一个五元内酯环及其侧链组成,在钝化胶被激活成键形成SiO2钝化层的过程中,上述比例的抗坏血酸能够参与正硅酸四乙酯TEOS的羟化反应,促进SiO2钝化层的快速交联形成,能够大幅度减少形成SiO2钝化层的反应时间。同时,上述钝化胶中上述比例硫脲可以增强TEOS在TEOS溶剂中的溶解效果,改善了TEOS 溶剂在溶液中的浸润性,使TEOS溶剂能均匀涂覆在电池片的切割面上,保证了交联形成的SiO2钝化层厚度的均匀性,改善了SiO2钝化层浸润性,使得SiO2钝化层不易龟裂。而且,上述钝化胶形成的SiO2钝化层的厚度较大,可以达到40-100nm,且SiO2钝化层均匀且致密,SiO2钝化层能够有效饱和电池片切割面的悬挂键,并且SiO2钝化层带正电荷,对于切割面的空间电荷区具有很好的钝化作用。而且,钝化胶中的有机物基本完全挥发,不会带入杂质。
参照图3,图3示出了本发明实施例中的一种钝化设备的结构示意图。该钝化设备包括:涂覆装置和退火装置9。该涂覆装置包括:存储箱8、输出管路6、粘液滚轮5、电池片传动机构2。
存储箱8中装有上述钝化胶,输出管路6的一端设置在存储箱8内,输出管路6的另一端与粘液滚轮5接触。电池片传动机构2上设置有电池片1,电池片1具有切割面。图3中,电池片1的切割面可以包括靠近粘液滚轮5 的表面。
存储箱8中的钝化胶通过输出管路6流出,并粘附在粘液滚轮5上,电池片传动机构2带动电池片1运动,以使电池片1的切割面与粘液滚轮5接触,进而,粘液滚轮5将钝化胶涂覆在电池片1的切割面上。上述涂覆装置实现了高效、自动化钝化胶涂覆。
该退火装置9用于对涂覆有钝化胶的电池片进行退火。可选的,该退火温度可以为350-400℃,退火时间为20-30min。
可选的,参照图4所示,图4示出了本发明实施例中的另一种钝化设备的结构示意图。在上述图3的基础上,该涂覆装置还包括:匀液驱动机构3、匀液传动机构4,该匀液驱动机构3通过该匀液传动机构4带动粘液滚轮5 转动,能够使得钝化胶均匀粘接在粘液滚轮5上。
可选的,匀液驱动机构3可以为电机,匀液传动机构4为电机皮带,电机能够准确控制粘液滚轮5的转动速度等,进而使得钝化胶更为均匀粘接在粘液滚轮5上。
可选的,粘液滚轮的表面经过织构化处理,进而粘液滚轮的表面粗糙度更大,能够粘接更多的钝化胶。
可选的,该涂覆装置还包括:温控机构(图3、图4中均未示出),该温控机构可以设置在存储箱8的内部或外部,该温控机构控制该存储箱内的钝化胶的温度保持在5-10℃,避免活性较强的钝化胶在涂覆前发生反应。
可选的,在上述图3或图4的基础上,该涂覆装置还可以包括:泵体,泵体可以设置在存储箱8的内部或外部,泵体可以将存储箱8中的钝化胶抽入输出管路6,进而更为精确的实现钝化胶输出量自动控制。
如,参照图5所示,图5示出了本发明实施例中的还一种钝化设备的结构示意图。在上述图4的基础上,该涂覆装置还可以包括:泵体7,泵体7 可以设置在存储箱8的内部或外部,泵体可以将存储箱8中的钝化胶抽入输出管路6。
可选的,上述粘液滚轮的材料选自高结晶聚丙烯(high crystallinepalypropylcnc,HCPP)。上述材料的粘液滚轮能够避免活性较强的钝化胶在涂覆前发生反应。
可选的,参照图3、图4或图5,上述电池片传动机构为真空皮带,真空皮带吸附电池片1运动,能够避免带入杂质,且电池片运动较为平稳。
可选的,上述粘液滚轮的直径为1-10cm。
本发明实施例的涂覆装置能够自动在电池片的切割面均匀涂覆钝化胶。
本发明实施例中的钝化设备能够在电池片的切割面自动、高效形成SiO2钝化层。并且,上述钝化胶中,抗坏血酸的分子机构主要是由一个五元内酯环及其侧链组成,上述比例的抗坏血酸能够参与正硅酸四乙酯TEOS的羟化反应,促进SiO2钝化层的快速交联形成,能够大幅度减少形成SiO2钝化层的反应时间。同时,上述钝化胶中上述比例硫脲可以增强TEOS在TEOS溶剂中的溶解效果,改善了TEOS溶剂在溶液中的浸润性,使TEOS溶剂能均匀涂覆在电池片的切割面上,保证了交联形成的SiO2钝化层厚度的均匀性,改善了SiO2钝化层浸润性,使得SiO2钝化层不易龟裂。而且,上述钝化胶形成的SiO2钝化层的厚度较大,可以达到40-100nm,且SiO2钝化层均匀且致密,SiO2钝化层能够有效饱和电池片切割面的悬挂键,并且SiO2钝化层带正电荷,对于切割面的空间电荷区具有很好的钝化作用。
在本发明实施例中,钝化胶、钝化方法、钝化设备中相应或相同部分可以相互参照,且能够达到相同或类似的有益效果。
在本发明实施例提供的钝化胶、钝化方法、钝化设备,均是通过上述比例的抗坏血酸能够参与正硅酸四乙酯TEOS的羟化反应,促进SiO2钝化层的快速交联形成,能够大幅度减少形成SiO2钝化层的反应时间。同时,上述钝化胶中上述比例硫脲可以增强TEOS在TEOS溶剂中的溶解效果,改善了 TEOS溶剂在溶液中的浸润性,使TEOS溶剂能均匀涂覆在电池片的切割面上,保证了交联形成的SiO2钝化层厚度的均匀性,改善了SiO2钝化层浸润性,使得SiO2钝化层不易龟裂。而且,上述钝化胶形成的SiO2钝化层的厚度较大,可以达到40-100nm,且SiO2钝化层均匀且致密,SiO2钝化层能够有效饱和电池片切割面的悬挂键,并且SiO2钝化层带正电荷,对于切割面的空间电荷区具有很好的钝化作用,所采用的技术方案具有相似或相同之处,达到的技术效果相同或相似,三者之间具有单一性。
需要说明的是,对于方法实施例,为了简单描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本申请实施例并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本申请实施例,某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施例均属于优选实施例,所涉及的动作并不一定都是本申请实施例所必须的。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述,但是本发明并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本发明的启示下,在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,这些均属于本发明的保护之内。
Claims (10)
1.一种钝化胶,其特征在于,用于钝化电池片的切割面,所述钝化胶包括:氧化硅前驱溶液,每一升所述氧化硅前驱溶液中加入3-10g抗坏血酸粉末、90-100g硫脲形成所述钝化胶;
所述氧化硅前驱溶液包括:正硅酸四乙酯、甲基三乙氧基硅烷、酸碱催化剂、正硅酸四乙酯的溶剂、去离子水;
其中,在所述氧化硅前驱溶液中,所述酸碱催化剂的质量百分比小于1%,所述正硅酸四乙酯、甲基三乙氧基硅烷、正硅酸四乙酯的溶剂、去离子水的质量百分比分别为:4%~10%、2%~5%,50%~65%、10%~15%。
2.根据权利要求1所述的钝化胶,其特征在于,所述正硅酸四乙酯的溶剂包括:聚乙二醇6000或乙醇。
3.一种钝化方法,其特征在于,包括:
将权利要求1或2所述的钝化胶涂覆在电池片的切割面;
对涂覆有所述钝化胶的电池片进行退火。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述将权利要求1或2所述的钝化胶涂覆在电池片的切割面,包括:
采用粘液滚轮将权利要求1或2所述的钝化胶涂覆在所述电池片的切割面;
或,将权利要求1或2所述的钝化胶丝网印刷在所述电池片的切割面。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述对涂覆有所述钝化胶的电池片进行退火,包括以下步骤中的至少一种:
采用链式烘干炉对涂覆有所述钝化胶的电池片进行退火;
采用烘箱对涂覆有所述钝化胶的电池片进行退火;
采用激光对涂覆有所述钝化胶的电池片进行退火。
6.根据权利要求3或5所述的方法,其特征在于,所述退火的温度为:350-400℃,所述退火的时间为:20-30分钟。
7.一种钝化设备,其特征在于,包括:涂覆装置和退火装置;
所述涂覆装置包括:存储箱、输出管路、粘液滚轮、电池片传动机构;
所述存储箱中装有权利要求1或2所述的钝化胶;
所述输出管路的一端设置在所述存储箱内,所述输出管路的另一端与所述粘液滚轮接触;
所述电池片传动机构上设置有电池片,所述电池片具有切割面;
所述存储箱中的所述钝化胶通过所述输出管路流出,并粘附在所述粘液滚轮上,所述电池片传动机构带动所述电池片运动,以使所述电池片的切割面与所述粘液滚轮接触,所述粘液滚轮将所述钝化胶涂覆在所述切割面上;
所述退火装置用于对涂覆有所述钝化胶的所述电池片进行退火,在所述电池片的切割面形成二氧化硅钝化层。
8.根据权利要求7所述的钝化设备,其特征在于,所述涂覆装置还包括:匀液驱动机构、匀液传动机构,所述匀液驱动机构通过所述匀液传动机构带动所述粘液滚轮转动;
所述粘液滚轮的表面经过织构化处理。
9.根据权利要求7或8所述的钝化设备,其特征在于,所述涂覆装置还包括:温控机构,所述温控机构用于控制所述存储箱内的钝化胶的温度保持在5-10℃;
所述粘液滚轮的材料选自高结晶聚丙烯。
10.根据权利要求7或8所述的钝化设备,其特征在于,所述涂覆装置还包括:泵体,所述泵体用于将所述存储箱中的所述钝化胶抽入所述输出管路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010144599.1A CN111416001B (zh) | 2020-03-04 | 2020-03-04 | 一种钝化胶、钝化方法及钝化设备 |
PCT/CN2020/106784 WO2021174762A1 (zh) | 2020-03-04 | 2020-08-04 | 一种钝化胶、钝化方法及钝化设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010144599.1A CN111416001B (zh) | 2020-03-04 | 2020-03-04 | 一种钝化胶、钝化方法及钝化设备 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111416001A CN111416001A (zh) | 2020-07-14 |
CN111416001B true CN111416001B (zh) | 2022-05-17 |
Family
ID=71494236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010144599.1A Active CN111416001B (zh) | 2020-03-04 | 2020-03-04 | 一种钝化胶、钝化方法及钝化设备 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111416001B (zh) |
WO (1) | WO2021174762A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111416001B (zh) * | 2020-03-04 | 2022-05-17 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种钝化胶、钝化方法及钝化设备 |
CN115036397B (zh) * | 2022-08-10 | 2022-11-04 | 英利能源发展有限公司 | 一种高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法 |
CN117476815B (zh) * | 2023-12-26 | 2024-03-08 | 河北大学 | 钝化夹刷 |
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CN101488491A (zh) * | 2008-01-18 | 2009-07-22 | 成均馆大学校产学协力团 | 具有超低介电常数和高硬度的片层结构薄膜及其制造方法 |
JP2018006425A (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-11 | 日立化成株式会社 | パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150118834A1 (en) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | Sematech, Inc. | Sulfur and selenium passivation of semiconductors |
CN108922929B (zh) * | 2018-08-03 | 2024-07-02 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 贯孔双面叠瓦太阳能电池组件及制备方法 |
CN111416001B (zh) * | 2020-03-04 | 2022-05-17 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种钝化胶、钝化方法及钝化设备 |
-
2020
- 2020-03-04 CN CN202010144599.1A patent/CN111416001B/zh active Active
- 2020-08-04 WO PCT/CN2020/106784 patent/WO2021174762A1/zh active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021174762A1 (zh) | 2021-09-10 |
CN111416001A (zh) | 2020-07-14 |
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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