CN111408397A - 改性氮化碳与氧化钨耦合的p-n型异质结复合材料及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种改性氮化碳与氧化钨耦合的p‑n型异质结复合材料及其制备方法和在制备光催化杀菌剂中的应用。所述制备方法包括:将三聚氰胺、三氨基密啶和钨酸混合均匀后于惰性气氛下500~550℃煅烧1~6h得到所述改性氮化碳与氧化钨耦合的p‑n型异质结复合材料。本发明还公开了一种含E.Coli废水的光催化杀菌方法,包括步骤:向所述含E.Coli废水中加入所述的改性氮化碳与氧化钨耦合的p‑n型异质结复合材料,暗反应吸附平衡后进行可见光照射,进行光催化杀菌。
Description
技术领域
本发明涉及复合材料技术领域,具体涉及一种改性氮化碳与氧化钨耦合的p-n型异质结复合材料及其制备方法和应用。
背景技术
光催化抗菌材料是指具有光催化性能的半导体,一般认为是半导体材料在光照下激发后可以产生活性基团(·OH、·O2 -和h+),这些活性基团可以和细菌的细胞壁和细胞膜发生作用,使得细胞的内部组织渗漏,完整性遭到破坏。同时细胞内大分子也会遭到破坏,造成细胞生长代谢出现紊乱,最后细菌被完全灭杀。
光催化型抗菌材料大部分都是半导体,而半导体材料的性能是由其本身的特殊能带结构决定。半导体的能带结构一般由低能价带(VB)和高能导带(CB)构成,价带和导带之间的不连续区域为禁带。当光照对半导体材料的辐射能量大于或等于半导体材料的带隙能时,处于价带上的电子(e-)就会发生跃迁,跃迁至导带形成导带电子,同时价带上由于电子的迁移而生成相应的空穴(h+),从而在半导体材料的表面就会生成具有高度活性的电子-空穴对。另外,产生的光生电子和空穴由于电场的作用会发生分离,迁移到半导体表面的不同位置。光生空穴具有较强的得电子能力,可以和吸附在其表面的H2O2或OH-发生氧化反应生成·OH,另外,·OH自由基也是一种强氧化物,可以将大部分难以降解的有机物氧化成CO2、H2O和其他无机物。光生空穴也可以和目标物发生直接氧化反应。同时,光生电子自身具有很强的还原,可以和表面吸附的O2反应生成·O2 -等一些活性氧类,产生的活性氧类也可以参与氧化还原反应。
g-C3N4是一种成本低廉、稳定性好,能用于可见光光催化领域的非金属半导体,存在5种不同的晶型,g-C3N4是常温下最稳定的构型。由于其独特的半导体能带结构和优异的化学稳定性,g-C3N4作为无机非金属可见光光催化剂被引入到光催化领域。现在已经被广泛应用于光解水产氢,降解有机污染物等方面,但是,目前普通的纯g-C3N4光生电子-空穴易复合,光催化性能仍有待大幅提升。
发明内容
针对本领域存在的不足之处,本发明提供了一种改性氮化碳与氧化钨耦合的p-n型异质结复合材料的制备方法,采用惰性气氛焙烧得到含W5+的氧化钨,具有比较小的带隙,具有更好的电子转移性质,与改性氮化碳具有良好的协同作用,提高电荷分离和转移行为。
一种改性氮化碳与氧化钨耦合的p-n型异质结复合材料的制备方法,包括:将三聚氰胺、三氨基密啶和钨酸(H2WO4)混合均匀后于惰性气氛下500~550℃煅烧1~6h得到所述改性氮化碳与氧化钨耦合的p-n型异质结复合材料。
所述惰性气氛可以为N2或稀有气体。
传统方法制备的氮化碳材料一般为n型半导体,而采用本发明制备方法得到的改性氮化碳为p型半导体,可与低价态WO3形成p-n异质结结构,具有优异的可见光响应。此外,本发明中前驱体混合焙烧使得WO3和改性氮化碳具有更好的相互作用,而且与全W6+的WO3相比,含W5+的低价态WO3可与改性氮化碳发挥更好的协同作用。
作为优选,先将三聚氰胺、三氨基密啶混合均匀后,所得混合物(改性氮化碳前驱体)再与钨酸混合均匀后进行煅烧。
作为优选,所述制备方法采用两步煅烧,第一阶段510~525℃煅烧1~3h,第二阶段535~550℃煅烧1~3h。采用上述优选的两段焙烧有利于产生的氧化钨和改性氮化碳更为紧密地结合,增加二者的相互作用,充分发挥协同作用。进一步优选,第一阶段520℃煅烧2h,第二阶段540℃煅烧2h。
作为优选,所述三聚氰胺、三氨基密啶的质量比为1:2~4。通过控制三氨基嘧啶的质量制备最佳p型氮化碳。所述三聚氰胺、三氨基密啶的质量比进一步优选为1:3。
作为优选,所述三聚氰胺、三氨基密啶的质量之和与所述钨酸质量之比为4:1~12。通过控制组分配比更好地发挥各组分之间的协同作用。
本发明还提供了所述的制备方法制备得到的改性氮化碳与氧化钨耦合的p-n型异质结复合材料,具有优异的可见光响应,杀菌效果良好并且不会造成二次污染,可作为抗菌剂(如光催化杀菌剂)使用。
本发明还提供了所述的改性氮化碳与氧化钨耦合的p-n型异质结复合材料在制备光催化杀菌剂中的应用。
所述的改性氮化碳与氧化钨耦合的p-n型异质结复合材料用于制备光催化杀菌剂,优选地,所述三聚氰胺、三氨基密啶的质量比为1:3,所述三聚氰胺、三氨基密啶的质量之和与所述钨酸质量之比为1:1,可获得最佳的杀菌效果。
本发明又提供了一种含E.Coli(大肠杆菌)废水的光催化杀菌方法,包括步骤:向所述含E.Coli废水中加入所述的改性氮化碳与氧化钨耦合的p-n型异质结复合材料,暗反应吸附平衡后进行可见光照射,进行光催化杀菌。
作为优选,所述改性氮化碳与氧化钨耦合的p-n型异质结复合材料的添加量为0.1~1.5g/L。
作为优选,所述可见光照射的光照强度为50~200mW/cm2。
本发明将具有氧缺陷的氧化钨和改性氮化碳进行耦合,形成p-n异质结结构,在保证良好杀菌效果的同时,提高了光催化材料的可见光响应性能,加速了光生电子和空穴分离,大大降低了反应能耗。
本发明与现有技术相比,主要优点包括:
(1)具有优异的光催化杀菌活性,含菌废水处理效果好;
(2)杀菌剂制备简单,反应条件容易创造;
(3)杀菌剂用量小,反应过程不会造成二次污染。
附图说明
图1为实施例2中g-C3N4-m/WO3(1:1)光催化杀菌剂光照前后杀菌效果照片对比;
图2为实施例2中无光条件下g-C3N4-m/WO3(1:1)光催化杀菌剂,以及可将光条件下WO3、g-C3N4-m、g-C3N4-m/WO3(1:1)光催化杀菌剂杀菌效果图;
图3为实施例3中g-C3N4-m与WO3不同质量比例的光催化杀菌剂杀菌效果对比图;
图4为实施例4中g-C3N4与WO3不同质量比例的光催化杀菌剂杀菌效果对比图;
图5为实施例5中g-C3N4-m、WO3和g-C3N4-m/WO3(1:1)的光电流响应图;
图6为实施例6中g-C3N4-m、WO3和g-C3N4-m/WO3(1:1)的交流阻抗图谱。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例,进一步阐述本发明。应理解,这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。下列实施例中未注明具体条件的操作方法,通常按照常规条件,或按照制造厂商所建议的条件。
以下原料均采用市售产品。
实施例1
普通氮化碳(g-C3N4)的制备方法:
将4g三聚氰胺研磨,在通入氮气的管式炉中100min升温至520℃,之后520℃煅烧2h,20min升温至540℃并保持2h,最后100min降至室温。
改性氮化碳(g-C3N4-m)的制备方法:
将1g三聚氰胺和3g三氨基嘧啶在研钵中混合均匀并研磨,在通入氮气的管式炉中100℃升温至520℃,保持520℃煅烧2h,20min升温至540℃并保持2h,最终100min降至室温。
WO3的制备方法:
将4gH2WO4在马弗炉中以520℃煅烧2h,升温时间为100min,再次利用20min升温至540℃保持2h,之后100min降温至室温。
g-C3N4-m/WO3的制备方法:
(1)将1g三聚氰胺和3g三氨基嘧啶在研钵中混合研磨得到混合物。
(2)将混合得到的4g混合物和4g钨酸进行研磨混合,得到三者的混合产物。
(3)在通入氮气的管式炉中煅烧混合产物,先100min升温至520℃,并在520℃的温度下煅烧2h,持续通入氮气,20min升温至540℃并在此温度下煅烧2h,然后100min冷却至室温,得到改性氮化碳与氧化钨1:1质量比耦合的p-n型异质结复合材料,记为g-C3N4-m/WO3(1:1)。
改变步骤(2)中混合物和钨酸的质量比分别为1:2、1:3、2:1、3:1,其余步骤条件均不变,分别得到改性氮化碳与氧化钨1:2、1:3、2:1、3:1质量比耦合的p-n型异质结复合材料,分别记为g-C3N4-m/WO3(1:2)、g-C3N4-m/WO3(1:3)、g-C3N4-m/WO3(2:1)、g-C3N4-m/WO3(3:1)。
实施例2
对实施例1煅烧合成的各g-C3N4-m/WO3可见光光催化杀菌活性材料的实际应用效果进行测试。在E.Coil浓度为2×107CFU/mL的生理盐水溶液50mL中加入目标光催化杀菌剂50mg,暗反应吸附平衡后,在光照强度为100mW/cm2的可见光下照射2h进行细菌灭杀后进行取样,将样品稀释后的菌液涂布到固体培养基上,放入恒温培养箱中培养24h,恒温培养箱中温度保持在37℃,培养结束后采用平板计数法计数。
图1是培养24h后,加入g-C3N4-m/WO3(1:1)复合材料组分别在光照前后细菌生长情况,可以看出g-C3N4-m/WO3(1:1)是一种可见光催化杀菌剂,在光照后能够很好的灭杀大肠杆菌。图2为实施例1制备的g-C3N4-m/WO3(1:1)(无光照、有光照)以及有光条件下g-C3N4-m、WO3对应的杀菌柱状图,能够更直观看出将几乎没有光灭菌效果的g-C3N4-m和WO3复合后所得的g-C3N4-m/WO3(1:1)的灭菌效果显著高于单一g-C3N4-m、WO3以及二者的简单加和,说明g-C3N4-m/WO3(1:1)中g-C3N4-m和WO3存在强烈的协同作用,具有更好的灭菌效果。
实施例3
调节改性氮化碳与WO3的不同比例能够调节灭菌的效率,不同的比例影响电子分离的速率,调节两者之间的不同比例,优化复合材料性能,对提高灭菌效率有着重要的影响,在实际的操作应用中有着非常重要的作用,本发明通过对二者比例进行调节,并采用实施例2灭菌方法对杀菌性能进行测试。
图3为实施例1中不同g-C3N4-m、WO3质量比例的g-C3N4-m/WO3光催化杀菌剂对大肠杆菌的灭杀效果,可以看出,g-C3N4-m/WO3(1:1)具有最优的杀菌效果。
实施例4
对于本发明制备的g-C3N4-m/WO3光催化杀菌剂而言,改性氮化碳与WO3形成p-n异质结,通过控制三氨基嘧啶的量来生成改性氮化碳(g-C3N4-m),由于引入三氨基嘧啶从而改性g-C3N4,从而影响光催化杀菌剂的杀菌性能和杀菌效果,通过去除三氨基嘧啶加入,调控三聚氰胺和氧化钨的比例,比较g-C3N4/WO3与g-C3N4-m/WO3的杀菌效果。本发明调整了三聚氰胺和氧化钨的比例,并采用实施例2中的灭菌方法对灭菌进行测试。
图4为按照实施例1制备方法但不加入三氨基嘧啶得到的g-C3N4与WO3不同质量比例的g-C3N4/WO3光催化杀菌剂对大肠杆菌的灭杀柱状图,并以实施例1制备的g-C3N4-m/WO3(1:1)作为对照,可以看出,添加三氨基嘧啶所得的g-C3N4-m/WO3的杀菌效果显著优于普通g-C3N4与WO3结合所得的g-C3N4/WO3的杀菌效果,说明g-C3N4-m/WO3体系中g-C3N4-m与WO3存在强烈的协同作用,使得杀菌的效果显著提升。
实施例5
光电流反映了材料的光响应情况,光电流越越大,材料对光的响应越强,材料就具有更加优异的性能。
图5为实施例1优化制备的g-C3N4-m/WO3(1:1),以及g-C3N4-m、WO3光电流响应的对比,从图中可以看出g-C3N4-m/WO3(1:1)的光电流响应最好,说明g-C3N4-m与WO3存在强烈的相互作用。
实施例6
交流阻抗是光催化剂的一种重要表征,它可以反映出材料传输电子的阻力,交流阻抗环半径越小,材料所反映出的传输电子阻力越小。
图6为实施例1优化制备的g-C3N4-m/WO3(1:1),以及g-C3N4-m、WO3的交流阻抗图对比谱。从图中可以看出,复合物g-C3N4-m/WO3(1:1)相对于单组分材料具有最低的交流阻抗图环半径,电子传输阻力最小,有利于光生的电子的分离和传输,说明g-C3N4-m与WO3存在强烈的相互作用。
此外应理解,在阅读了本发明的上述描述内容之后,本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改,这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
Claims (8)
1.一种改性氮化碳与氧化钨耦合的p-n型异质结复合材料的制备方法,其特征在于,包括:将三聚氰胺、三氨基密啶和钨酸混合均匀后于惰性气氛下500~550℃煅烧1~6h得到所述改性氮化碳与氧化钨耦合的p-n型异质结复合材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,采用两步煅烧,第一阶段510~525℃煅烧1~3h,第二阶段535~550℃煅烧1~3h。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述三聚氰胺、三氨基密啶的质量比为1:2~4;
所述三聚氰胺、三氨基密啶的质量之和与所述钨酸质量之比为4:1~12。
4.根据权利要求1~3任一权利要求所述的制备方法制备得到的改性氮化碳与氧化钨耦合的p-n型异质结复合材料。
5.根据权利要求4所述的改性氮化碳与氧化钨耦合的p-n型异质结复合材料在制备光催化杀菌剂中的应用。
6.一种含E.Coli废水的光催化杀菌方法,其特征在于,包括步骤:向所述含E.Coli废水中加入权利要求3所述的改性氮化碳与氧化钨耦合的p-n型异质结复合材料,暗反应吸附平衡后进行可见光照射,进行光催化杀菌。
7.根据权利要求6所述的光催化杀菌方法,其特征在于,所述改性氮化碳与氧化钨耦合的p-n型异质结复合材料的添加量为0.1~1.5g/L。
8.根据权利要求6所述的光催化杀菌方法,其特征在于,所述可见光照射的光照强度为50~200mW/cm2。
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