CN111406206A - 光检查装置及光检查方法 - Google Patents
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- CN111406206A CN111406206A CN201880075330.3A CN201880075330A CN111406206A CN 111406206 A CN111406206 A CN 111406206A CN 201880075330 A CN201880075330 A CN 201880075330A CN 111406206 A CN111406206 A CN 111406206A
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 141
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 124
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 116
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 290
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 31
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 26
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 26
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 21
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/02—Testing optical properties
- G01M11/0285—Testing optical properties by measuring material or chromatic transmission properties
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
- G01J3/26—Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
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- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/005—Testing of reflective surfaces, e.g. mirrors
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- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/02—Testing optical properties
- G01M11/0207—Details of measuring devices
- G01M11/0214—Details of devices holding the object to be tested
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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- G01N2021/9511—Optical elements other than lenses, e.g. mirrors
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
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- G01N21/9501—Semiconductor wafers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Biochemistry (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本发明的光检查装置具备：晶圆支撑部，其将构成有互相相对的第1镜部与第2镜部间的距离通过静电力而变化的多个法布里‑帕罗干涉滤光器部的晶圆，以第1镜部与第2镜部互相相对的方向沿基线的方式支撑；光出射部，其使沿基线入射至多个法布里‑帕罗干涉滤光器部的各个的光出射；及光检测部，其检测沿基线透过多个法布里‑帕罗干涉滤光器部的各个的光。晶圆支撑部具有使光沿基线通过的光通过区域。
Description
技术领域
本公开涉及一种用以获得法布里-帕罗干涉滤光器的光检查装置及光检查方法。
背景技术
作为现有的法布里-帕罗干涉滤光器，已知有具备基板以及在基板上经由空隙互相相对的固定镜及可动镜的滤光器(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2013-506154号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
由于如上述的法布里-帕罗干涉滤光器为微细的构造体，故在制造法布里-帕罗干涉滤光器时，难以提高制造效率及良率的两者。
因此，本公开的目的在于提供一种可效率良好且良率良好地获得多个法布里-帕罗干涉滤光器的光检查装置及光检查方法。
[解决问题的技术手段]
本公开的一方面的光检查装置具备：晶圆支撑部，其将具备基板层以及二维配置于基板层上的多对第1镜部及第2镜部、且通过在互相相对的第1镜部与第2镜部间形成空隙而构成有互相相对的第1镜部与第2镜部间的距离通过静电力变化的多个法布里-帕罗干涉滤光器部的晶圆，以第1镜部与第2镜部互相相对的方向沿基线的方式支撑；光出射部，其使沿基线入射至多个法布里-帕罗干涉滤光器部的各个的光出射；及光检测部，其检测沿基线透过多个法布里-帕罗干涉滤光器部的各个的光；且晶圆支撑部具有使光沿基线通过的光通过区域。
该光检查装置中，对成为多个法布里-帕罗干涉滤光器的多个法布里-帕罗干涉滤光器部，在晶圆状态下实施光透过特性的检查。因此，该光检查装置可效率良好且良率良好地获得多个法布里-帕罗干涉滤光器。其理由如下。法布里-帕罗干涉滤光器是在经过直至自晶圆切出后并装配于例如光检测装置为止的各步骤期间，特性易变化的元件。因此，认为需要在最终阶段的装配时检查法布里-帕罗干涉滤光器的特性。但，本公开人等发现，晶圆的状态下为良品的法布里-帕罗干涉滤光器部即使其后特性变化，也不易成为不良品的法布里-帕罗干涉滤光器。因此，通过在晶圆状态下检查各法布里-帕罗干涉滤光器部的光透过特性，而可在初始阶段排除如晶圆状态下为不良品的法布里-帕罗干涉滤光器直至最终阶段的装配的浪费，且提高良品的法布里-帕罗干涉滤光器直至最终阶段的装配的概率。
并且，根据该光检查装置，可效率良好且精度良好地检查各法布里-帕罗干涉滤光器部的光透过性。其理由如下。在法布里-帕罗干涉滤光器中，透过的光的波长根据入射角变化。因此，若要对各法布里-帕罗干涉滤光器实施光透过特性的检查，则有必要对每个法布里-帕罗干涉滤光器调整支撑角度。通过在晶圆状态下检查各法布里-帕罗干涉滤光器部的光透过特性，而可减少此种调整的负担。另外，在法布里-帕罗干涉滤光器中，透过的光的波长也根据温度等环境条件变化。因此，若对各法布里-帕罗干涉滤光器实施光透过特性的检查，则成为检查结果的前提的环境条件在法布里-帕罗干涉滤光器间容易不同。通过在晶圆状态下检查各法布里-帕罗干涉滤光器部的光透过特性，而可在稳定的环境条件下获得检查结果。
本公开的一方面的光检查装置中，也可为，晶圆支撑部具有面向晶圆中构成有多个法布里-帕罗干涉滤光器部的有效区域的开口，作为光通过区域。由此，可使晶圆支撑部的构成简易化，且使光沿基线透过通过晶圆支撑部支撑的晶圆的各法布里-帕罗干涉滤光器部。
本公开的一方面的光检查装置中，也可为，晶圆支撑部具有与晶圆中构成有多个法布里-帕罗干涉滤光器部的有效区域接触的光透过构件，作为光通过区域。由此，可抑制晶圆的翘曲，且使光沿基线透过通过晶圆支撑部支撑的晶圆的各法布里-帕罗干涉滤光器部。
本公开的一方面的光检查装置也可进而具备电压施加部，该电压施加部以互相相对的第1镜部与第2镜部间的距离变化的方式，对多个法布里-帕罗干涉滤光器部的各个施加电压。由此，可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部，取得施加的电压的大小与透过的光的波长的关系。
本公开的一方面的光检查装置中，也可为，光出射部以同时出射多个波长的光的方式构成，光检测部以针对多个波长的光按波长进行检测的方式构成。由此，使施加至法布里-帕罗干涉滤光器部的电压的大小变化，在各电压下取得光的检测强度成为峰值的波长，而可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部，取得施加的电压大小与透过的光的波长的关系。
本公开的一方面的光检查装置中，也可为，光出射部以将多个波长的光按波长出射的方式构成，光检测部以对多个波长的光具有灵敏度的方式构成。由此，使出射的光的波长变化，在各波长下使施加至法布里-帕罗干涉滤光器部的电压大小变化，取得光的检测强度成为峰值的电压，由此可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部，取得施加的电压大小与透过的光的波长的关系。或者，使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部的电压大小变化，在各电压下使出射的光的波长变化，取得光的检测强度成为峰值的波长，由此可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部，取得施加的电压大小与透过的光的波长的关系。
本公开的一方面的光检查装置也可进而具备摄像部，该摄像部拍摄由晶圆支撑部支撑的晶圆。由此，可取得各法布里-帕罗干涉滤光器部的坐标信息，基于取得的坐标信息，使法布里-帕罗干涉滤光器部位于基线上。
本公开的一方面的光检查方法具备如下步骤：准备晶圆，该晶圆具备基板层以及二维配置于基板层上的多对第1镜部及第2镜部，且通过在互相相对的第1镜部与第2镜部间形成空隙，而构成有互相相对的第1镜部与第2镜部间的距离通过静电力而变化的多个法布里-帕罗干涉滤光器部；使沿第1镜部与第2镜部互相相对的方向入射至多个法布里-帕罗干涉滤光器部的各个的光出射；及检测沿第1镜部与第2镜部互相相对的方向透过多个法布里-帕罗干涉滤光器部的各个的光。
该光检查方法根据与上述光检查装置相同的理由，可效率良好且良率良好地获得多个法布里-帕罗干涉滤光器。
本公开的一方面的光检查方法也可进而具备如下步骤：以互相相对的第1镜部与第2镜部间的距离变化的方式，对多个法布里-帕罗干涉滤光器部的各个施加电压。由此，可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部，取得施加的电压的大小与透过的光的波长的关系。
本公开的一方面的光检查方法也可进而具备拍摄晶圆的步骤。由此，例如使光沿基线入射至各法布里-帕罗干涉滤光器部的情形时，可取得各法布里-帕罗干涉滤光器部的坐标信息，基于取得的坐标信息，使各法布里-帕罗干涉滤光器部位于基线上。
[发明的效果]
根据本公开，可提供一种能够效率良好且良率良好地获得多个法布里-帕罗干涉滤光器的光检查装置及光检查方法。
附图说明
图1为自作为一实施方式的光检查装置及光检查方法的检查对象的晶圆切出的法布里-帕罗干涉滤光器的俯视图。
图2为图1所示的法布里-帕罗干涉滤光器的仰视图。
图3为沿图1所示的Ⅲ-Ⅲ线的法布里-帕罗干涉滤光器的剖视图。
图4为自作为一实施方式的光检查装置及光检查方法的检查对象的晶圆切出的虚设滤光器的剖视图。
图5为作为一实施方式的光检查装置及光检查方法的检查对象的晶圆的俯视图。
图6为图5所示的晶圆的一部分的放大俯视图。
图7(a)、(b)为图5所示的晶圆的法布里-帕罗干涉滤光器部及虚设滤光器部的剖视图。
图8(a)、(b)为用以说明图5所示的晶圆的制造方法的剖视图。
图9(a)、(b)为用以说明图5所示的晶圆的制造方法的剖视图。
图10(a)、(b)为用以说明图5所示的晶圆的制造方法的剖视图。
图11(a)、(b)为用以说明图5所示的晶圆的制造方法的剖视图。
图12(a)、(b)为用以说明图5所示的晶圆的制造方法的剖视图。
图13(a)、(b)为用以说明图5所示的晶圆的制造方法的剖视图。
图14为第1实施方式的光检查装置的构成图。
图15为图14所示的光检查装置的晶圆支撑部的剖视图。
图16为第2实施方式的光检查装置的构成图。
图17为第3实施方式的光检查装置的构成图。
图18为第4实施方式的光检查装置的构成图。
图19为第5实施方式的光检查装置的构成图。
图20(a)、(b)为第1实施方式～第5实施方式的光检查装置的晶圆支撑部的变形例的剖视图。
图21(a)、(b)为用以说明自图5所示的晶圆切出法布里-帕罗干涉滤光器的方法的剖视图。
图22(a)、(b)为用以说明自图5所示的晶圆切出法布里-帕罗干涉滤光器的方法的剖视图。
图23为具备法布里-帕罗干涉滤光器的光检查装置的剖视图。
图24为变形例的晶圆的剖视图。
具体实施方式
以下，参照图式，针对本公开的实施方式进行详细说明。再者，对各图中相同或相当部分标注相同符号，省略重复说明。
[法布里-帕罗干涉滤光器及虚设滤光器的构成]
在说明一实施方式的光检查装置及光检查方法之前，针对自作为这些的检查对象的晶圆切出的法布里-帕罗干涉滤光器及虚设滤光器的构成进行说明。
如图1、图2及图3所示，法布里-帕罗干涉滤光器1具备基板11。基板11具有互相相对的第1表面11a及第2表面11b。在第1表面11a，依序层叠有反射防止层21、第1层叠体22、中间层23及第2层叠体24。在第1层叠体22与第2层叠体24之间，通过框状的中间层23划定有空隙(气隙)S。
自垂直于第1表面11a的方向观察的情形(俯视)的各部的形状及位置关系为如下。基板11的外缘例如是矩形状。基板11的外缘及第2层叠体24的外缘互相一致。反射防止层21的外缘、第1层叠体22的外缘及中间层23的外缘互相一致。基板11具有位于相对于空隙S的中心较中间层23的外缘更外侧的外缘部11c。外缘部11c例如为框状，自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时包围中间层23。空隙S例如为圆形状。
法布里-帕罗干涉滤光器1在划分于其中央部的光透过区域1a，使具有特定波长的光透过。光透过区域1a例如是圆柱状的区域。基板11例如由硅、石英或玻璃等构成。基板11由硅构成的情形时，反射防止层21及中间层23例如由氧化硅构成。中间层23的厚度例如为数十nm～数十μm。
第1层叠体22中对应于光透过区域1a的部分作为第1镜部31发挥功能。第1镜部31为固定镜。第1镜部31经由反射防止层21配置于第1表面11a。第1层叠体22通过多个多晶硅层25与多个氮化硅层26逐层交替层叠而构成。法布里-帕罗干涉滤光器1中，多晶硅层25a、氮化硅层26a、多晶硅层25b、氮化硅层26b及多晶硅层25c依序层叠于反射防止层21上。构成第1镜部31的多晶硅层25及氮化硅层26的各个的光学厚度优选为中心透过波长的1/4的整数倍。再者，第1镜部31也可不经由反射防止层21，直接配置于第1表面11a上。
第2层叠体24中对应于光透过区域1a的部分作为第2镜部32发挥功能。第2镜部32为可动镜。第2镜部32在相对于第1镜部31的基板11的相反侧，经由空隙S与第1镜部31相对。第1镜部31与第2镜部32互相相对的方向与垂直于第1表面11a的方向平行。第2层叠体24经由反射防止层21、第1层叠体22及中间层23而配置于第1表面11a。第2层叠体24通过多个多晶硅层27与多个氮化硅层28逐层交替层叠而构成。法布里-帕罗干涉滤光器1中，多晶硅层27a、氮化硅层28a、多晶硅层27b、氮化硅层28b及多晶硅层27c依序层叠于中间层23上。构成第2镜部32的多晶硅层27及氮化硅层28的各个的光学厚度优选为中心透过波长的1/4的整数倍。
再者，在第1层叠体22及第2层叠体24中，也可取代氮化硅层，使用氧化硅层。另外，作为构成第1层叠体22及第2层叠体24的各层的材料，也可使用氧化钛、氧化钽、氧化锆、氟化镁、氧化铝、氟化钙、硅、锗、硫化锌等。另外，此处，第1镜部31的空隙S侧的表面(多晶硅层25c的表面)与第2镜部32的空隙S侧的表面(多晶硅层27a的表面)经由空隙S直接相对。但，也可在第1镜部31的空隙S侧的表面及第2镜部32的空隙S侧的表面，形成(不构成镜的)电极层、保护层等。该情形时，第1镜部31及第2镜部32在使这些层介置于之间的状态下，经由空隙S互相相对。换言之，此种情形时，也可实现第1镜部31与第2镜部32经由空隙S的相对。
在第2层叠体24中对应于空隙S的部分(自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时与空隙S重叠的部分)，形成有多个贯通孔24b。各贯通孔24b自第2层叠体24的与中间层23为相反侧的表面24a到达空隙S。多个贯通孔24b以对第2镜部32的功能实质不带来影响的程度形成。多个贯通孔24b用于通过蚀刻除去中间层23的一部分以形成空隙S。
第2层叠体24除了第2镜部32以外，进而具备包覆部33及周缘部34。第2镜部32、包覆部33及周缘部34以具有互相相同的层叠构造的一部分且互相连续的方式，一体形成。包覆部33于自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时，包围第2镜部32。包覆部33包覆中间层23的与基板11为相反侧的表面23a、中间层23的侧面23b(外侧的侧面，即与空隙S侧为相反侧的侧面)、第1层叠体22的侧面22a及反射防止层21的侧面21a，到达第1表面11a。即，包覆部33包覆中间层23的外缘、第1层叠体22的外缘及反射防止层21的外缘。
周缘部34于自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时，包围包覆部33。周缘部34位于外缘部11c的第1表面11a上。周缘部34的外缘于自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时，与基板11的外缘一致。周缘部34沿外缘部11c的外缘薄化。即，周缘部34中沿外缘部11c的外缘的部分与周缘部34中除沿外缘的部分外的其他部分相比更薄。法布里-帕罗干涉滤光器1中，周缘部34通过将构成第2层叠体24的多晶硅层27及氮化硅层28的一部分除去而薄化。周缘部34具有与包覆部33连续的非薄化部34a，及包围非薄化部34a的薄化部34b。薄化部34b中，将直接设置于第1表面11a上的多晶硅层27a以外的多晶硅层27及氮化硅层28除去。
第1表面11a至非薄化部34a的与基板11为相反侧的表面34c的高度，低于第1表面11a至中间层23的表面23a的高度。第1表面11a至非薄化部34a的表面34c的高度例如为100nm～5000nm。第1表面11a至中间层23的表面23a的高度例如为500nm～20000nm。薄化部34b的宽度(自垂直于第1表面11a的方向观察的情形的非薄化部34a的外缘与外缘部11c的外缘间的距离)为基板11的厚度的0.01倍以上。薄化部34b的宽度例如为5μm～400μm。基板11的厚度例如为500μm～800μm。
在第1镜部31，以自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时包围光透过区域1a的方式，形成有第1电极12。第1电极12通过在多晶硅层25c掺杂杂质而低电阻化而形成。在第1镜部31，以自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时包含光透过区域1a的方式，形成有第2电极13。第2电极13是通过在多晶硅层25c掺杂杂质而低电阻化而形成。自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时，第2电极13的大小优选为包含光透过区域1a整体的大小，但也可与光透过区域1a的大小大致相同。
在第2镜部32，形成有第3电极14。第3电极14经由空隙S与第1电极12及第2电极13相对。第3电极14是通过在多晶硅层27a掺杂杂质而低电阻化而形成。
一对端子15以隔着光透过区域1a相对的方式设置。各端子15配置于第2层叠体24的表面24a至第1层叠体22的贯通孔内。各端子15经由配线12a与第1电极12电连接。各端子15例如通过铝或其合金等的金属膜而形成。
一对端子16以隔着光透过区域1a相对的方式设置。各端子16配置于第2层叠体24的表面24a至第1层叠体22的贯通孔内。各端子16经由配线13a与第2电极13电连接，且经由配线14a与第3电极14电连接。端子16例如通过铝或其合金等的金属膜而形成。一对端子15相对的方向与一对端子16相对的方向正交(参照图1)。
在第1层叠体22的表面22b，设有多个沟槽17、18。沟槽17以包围配线13a中与端子16的连接部分的方式呈环状延伸。沟槽17将第1电极12与配线13a电连接。沟槽18沿第1电极12的内缘呈环状延伸。沟槽18将第1电极12与第1电极12内侧的区域(第2电极13)电绝缘。各沟槽17、18内的区域可为绝缘材料，也可为空隙。
在第2层叠体24的表面24a，设有沟槽19。沟槽19以包围端子15的方式呈环状延伸。沟槽19将端子15与第3电极14电绝缘。沟槽19内的区域可为绝缘材料，也可为空隙。
在基板11的第2表面11b，依序层叠有反射防止层41、第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44。反射防止层41及中间层43各自具有与反射防止层21及中间层23相同的构成。第3层叠体42及第4层叠体44各自具有以基板11为基准而与第1层叠体22及第2层叠体24对称的层叠构造。反射防止层41、第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44具有抑制基板11翘曲的功能。
第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44沿外缘部11c的外缘薄化。即，第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44中沿外缘部11c的外缘的部分，与第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44中除沿外缘的部分外的其他部相比变薄。法布里-帕罗干涉滤光器1中，第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44在自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时与薄化部34b重叠的部分，将第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44的全部除去而被薄化。
在第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44，以自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时包含光透过区域1a的方式设有开口40a。开口40a具有与光透过区域1a的大小大致相同的直径。开口40a在光出射侧开口。开口40a的底面到达反射防止层41。
在第4层叠体44的光出射侧的表面，形成有遮光层45。遮光层45例如由铝等构成。在遮光层45的表面及开口40a的内表面，形成有保护层46。保护层46包覆第3层叠体42、中间层43、第4层叠体44及遮光层45的外缘，且包覆外缘部11c上的反射防止层41。保护层46例如由氧化铝构成。再者，通过将保护层46的厚度设为1nm～100nm(优选为30nm左右)，而可忽视由保护层46引起的光学影响。
在如上构成的法布里-帕罗干涉滤光器1中，若经由一对端子15、16，对第1电极12与第3电极14之间施加电压，则在第1电极12与第3电极14之间产生对应于该电压的静电力。通过该静电力，将第2镜部32朝向固定于基板11的第1镜部31侧牵引，从而调整第1镜部31与第2镜部32间的距离。如此，在法布里-帕罗干涉滤光器1中，第1镜部31与第2镜部32间的距离通过静电力而变化。
透过法布里-帕罗干涉滤光器1的光的波长依存于光透过区域1a的第1镜部31与第2镜部32间的距离。因此，可通过调整施加于第1电极12与第3电极14间的电压，而适当选择透过的光的波长。此时，第2电极13与第3电极14为相同电位。因此，第2电极13作为用于在光透过区域1a中将第1镜部31及第2镜部32保持平坦的补偿电极发挥功能。
在法布里-帕罗干涉滤光器1中，例如通过使施加于法布里-帕罗干涉滤光器1的电压变化(即，使法布里-帕罗干涉滤光器1中第1镜部31与第2镜部32间的距离变化)，且通过光检测器检测透过法布里-帕罗干涉滤光器1的光透过区域1a的光，而可获得分光光谱。
如图4所示，虚设滤光器2与上述的法布里-帕罗干涉滤光器1不同点在于，在第2层叠体24未形成多个贯通孔24b，及于中间层23未形成空隙S。虚设滤光器2中，在第1镜部31与第2镜部32之间设有中间层23。即，第2镜部32未在空隙S上悬空，而配置于中间层23的表面23a。
[晶圆的构成]
继而，针对一实施方式的光检查装置及光检查方法的检查对象即晶圆的构成进行说明。如图5及图6所示，晶圆100具备基板层110。基板层110例如呈圆板状的形状，在其一部分形成有定向平面OF。基板层110例如由硅、石英或玻璃等构成。以下，自基板层110的厚度方向观察的情形时，将通过基板层110的中心且与定向平面OF平行的假想直线称为第1直线3，自基板层110的厚度方向观察的情形时，将通过基板层110的中心且与定向平面OF垂直的假想直线称为第2直线4。
在晶圆100，设有有效区域101及虚设区域102。虚设区域102是沿基板层110的外缘110c(即，晶圆100的外缘100a)的区域。有效区域101是虚设区域102的内侧的区域。虚设区域102在自基板层110的厚度方向观察的情形时，包围有效区域101。虚设区域102与有效区域101邻接。
在有效区域101，设有二维配置的多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A。多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A设置于有效区域101的整体。在虚设区域102，设有二维配置的多个虚设滤光器部2A。多个虚设滤光器部2A设置于虚设区域102中除一对区域102a外的区域。一区域102a是沿定向平面OF的区域。另一区域102a是沿基板层110的外缘110c中定向平面OF的相反侧的部分的区域。在有效区域101与虚设区域102的边界部分，法布里-帕罗干涉滤光器部1A与虚设滤光器部2A邻接。自基板层110的厚度方向观察的情形时，法布里-帕罗干涉滤光器部1A的外形与虚设滤光器部2A的外形相同。多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A及多个虚设滤光器部2A配置成相对于互相正交的第1直线3及第2直线4的各个对称。再者，多个虚设滤光器部2A也可设置于虚设区域102的整体。另外，多个虚设滤光器部2A也可设置于虚设区域102中除任一区域102a外的区域。
多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A是通过将晶圆100沿各线5切断，而成为多个法布里-帕罗干涉滤光器1的预定的部分。多个虚设滤光器部2A是通过将晶圆100沿各线5切断，而成为多个虚设滤光器2的预定的部分。自基板层110的厚度方向观察的情形时，多条线5以沿与定向平面OF平行的方向的方式延伸，多条线5以沿与定向平面OF垂直的方向的方式延伸。作为一例，自基板层110的厚度方向观察的情形时，各滤光器部1A、2A呈矩形状时，各滤光器部1A、2A呈二维矩阵状配置，多条线5以通过相邻的滤光器部1A、1A间、相邻的滤光器部1A、2A间、及相邻的滤光器部2A、2A间的方式，设定为格子状。
图7(a)是法布里-帕罗干涉滤光器部1A的剖视图，图7(b)是虚设滤光器部2A的剖视图。如图7(a)及(b)所示，基板层110是通过将晶圆100沿各线5切断，而成为多个基板11的预定的层。基板层110具有互相相对的第1表面110a及第2表面110b。在基板层110的第1表面110a，设有反射防止层210。反射防止层210是通过将晶圆100沿各线5切断，而成为多个反射防止层21的预定的层。在基板层110的第2表面110b，设有反射防止层410。反射防止层410是通过将晶圆100沿各线5切断，而成为多个反射防止层41的预定的层。
在反射防止层210上，设有器件层200。器件层200具有第1镜层220、中间层230、及第2镜层240。第1镜层220是具有多个第1镜部31的层，且是通过将晶圆100沿各线5切断而成为多个第1层叠体22的预定的层。多个第1镜部31经由反射防止层210二维配置于基板层110的第1表面110a。中间层230是通过将晶圆100沿各线5切断，成为多个中间层23的预定的层。第2镜层240是具有多个第2镜部32的层，且是通过将晶圆100沿各线5切断而成为多个第2层叠体24的预定的层。多个第2镜部32经由中间层23，二维配置于第1镜层220上。
在反射防止层410上，设有应力调整层400。即，应力调整层400经由反射防止层410设置于基板层110的第2表面110b。应力调整层400具有多个层420、430、440。层420是通过将晶圆100沿各线5切断，成为多个第3层叠体42的预定的层。层430是通过将晶圆100沿各线5切断，成为多个中间层43的预定的层。层440是通过将晶圆100沿各线5切断，成为多个第4层叠体44的预定的层。
在应力调整层400上，设有遮光层450及保护层460。遮光层450是通过将晶圆100沿各线5切断，成为多个遮光层45的预定的层。保护层460是通过将晶圆100沿各线5切断，成为多个保护层46的预定的层。
如图7(a)所示，在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中，在互相相对的第1镜部31与第2镜部32之间形成有空隙S。即，在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中，中间层23划分出空隙S，第2镜部32在空隙S上悬空。在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中，与上述法布里-帕罗干涉滤光器1的构成同样地，设有与第1电极12、第2电极13、第3电极14、多个端子15、16及开口40a等相关的构成。因此，多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A即便是晶圆100的状态，若经由一对端子15、16对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A施加电压，则互相相对的第1镜部31与第2镜部32间的距离也会通过静电力而变化。
如图7(b)所示，在各虚设滤光器部2A中，在互相相对的第1镜部31与第2镜部32之间设有中间层23。即，在虚设滤光器部2A中，中间层23未划分空隙S，第2镜部32配置于中间层23的表面23a。因此，在各虚设滤光器部2A中，虽与上述虚设滤光器2的构成同样地，设有与第1电极12、第2电极13、第3电极14、多个端子15、16及开口40a等相关的构成，但互相相对的第1镜部31与第2镜部32间的距离不变化。再者，也可不于各虚设滤光器部2A，设置与第1电极12、第2电极13、第3电极14、多个端子15、16(构成各端子15、16的铝等的金属膜、用以配置各端子15、16的贯通孔等)及开口40a等相关的构成。
如图6及图7(a)所示，在器件层200，形成有在与基板层110为相反侧开口的第1槽290。第1槽290沿各线5形成。第1槽290在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A及各虚设滤光器部2A中，包围第1镜部31、中间层23及第2镜部32。在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中，第1镜部31、中间层23及第2镜部32由呈环状连续的第1槽290包围。同样地，在各虚设滤光器部2A中，第1镜部31、中间层23及第2镜部32由呈环状连续的第1槽290包围。若着眼于相邻的滤光器部1A、1A、相邻的滤光器部1A、2A及相邻的滤光器部2A、2A，则第1槽290与一滤光器部的周缘部34及另一滤光器部的周缘部34上的区域对应。第1槽290在有效区域101及虚设区域102中连接，自第1镜部31与第2镜部32互相相对的方向(以下简称为「相对方向」)观察的情形时到达基板层110的外缘110c。再者，第1槽290在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A及各虚设滤光器部2A中，只要至少包围第2镜部32即可。
如图7(b)所示，在应力调整层400，形成有在与基板层110为相反侧开口的第2槽470。第2槽470沿各线5形成。即，第2槽470以对应于第1槽290的方式形成。此处，所谓第2槽470对应于第1槽290，意指自相对方向观察的情形时，第2槽470与第1槽290重叠。因此，第2槽470在有效区域101及虚设区域102中连接，自相对方向观察的情形时到达基板层110的外缘110c。
[晶圆的制造方法]
继而，针对晶圆100的制作方法，参照图8～图13进行说明。图8～图13中，(a)是对应于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分的剖视图，(b)是对应于虚设滤光器部2A的部分的剖视图。
首先，如图8所示，在基板层110的第1表面110a形成反射防止层210，且在基板层110的第2表面110b形成反射防止层410。继而，通过在各反射防止层210、410上，交替层叠多个多晶硅层及多个氮化硅层，而在反射防止层210上形成第1镜层220，且在反射防止层410上形成层420。
形成第1镜层220时，通过蚀刻，以反射防止层210的表面露出的方式，将第1镜层220中沿各线5的部分除去。另外，通过杂质掺杂，使第1镜层220的特定的多晶硅层部分地低电阻化，从而每个对应于基板11的部分，形成第1电极12、第2电极13及配线12a、13a。再者，通过蚀刻，每个对应于基板11的部分，在第1镜层220的表面形成沟槽17、18。
继而，如图9所示，在第1镜层220上，及露出的反射防止层210的表面，形成中间层230，且在层420上形成层430。在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分中，中间层230包含对应于空隙S(参照图3)的除去预定部50。继而，通过蚀刻，以基板层110的第1表面110a露出的方式，将中间层230及反射防止层210中沿各线5的部分除去。另外，通过该蚀刻，每个对应于基板11的部分，在中间层230中对应于各端子15、16(参照图3)的部分，形成空隙。
继而，如图10所示，在基板层110的第1表面110a侧及第2表面110b侧的各个中，通过将多个多晶硅层及多个氮化硅层交替层叠，而在中间层230上及露出的基板层110的第1表面110a，形成第2镜层240，且在层430上形成层440。
形成第2镜层240时，将沿线5互相相对的中间层230的侧面230a、第1镜层220的侧面220a及反射防止层210的侧面210a，以第2镜层240包覆。另外，通过杂质掺杂，使第2镜层240的特定的多晶硅层部分地低电阻化，从而每个对应于基板11的部分，形成第3电极14及配线14a。
继而，如图11所示，以通过蚀刻，第2镜层240所含的多晶硅层27a(参照图3)(即，位于最第1表面110a侧的多晶硅层)的表面露出的方式，将第2镜层240中沿各线5的部分薄化。另外，通过该蚀刻，每个对应于基板11的部分，在第2镜层240中对应于各端子15、16(参照图3)的部分，形成空隙。继而，每个对应于基板11的部分，在该空隙形成各端子15、16，将各端子15及配线12a连接，且将各端子16、配线13a及配线14a的各个连接。
至此为止，在基板层110的第1表面110a，形成反射防止层210及器件层200，且在器件层200形成第1槽290。第1槽290是器件层200沿各线5部分地薄化的区域。
继而，如图12(a)所示，在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分，通过蚀刻，将第2层叠体24的表面24a至除去预定部50的多个贯通孔24b形成于第2层叠体24。此时，如图12(b)所示，在对应于各虚设滤光器部2A的部分，不将多个贯通孔24b形成于第2层叠体24。继而，如图12所示，在层440上形成遮光层450。继而，通过蚀刻，以反射防止层410的表面露出的方式，将遮光层450及应力调整层400(即，层420、430、440)中沿各线5的部分除去。另外，通过该蚀刻，每个对应于基板11的部分，形成开口40a。继而，在遮光层450上，露出的反射防止层410的表面、及开口40a的内表面、面向第2槽470的应力调整层400的侧面，形成保护层460。
至此为止，在基板层110的第2表面110b，形成反射防止层410、应力调整层400、遮光层450及保护层460，且在应力调整层400形成第2槽470。第2槽470是应力调整层400沿各线5部分地薄化的区域。
继而，如图13(a)所示，在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分，通过经由多个贯通孔24b的蚀刻(例如，使用氟化氢气体的气相蚀刻)，将多个除去预定部50自中间层230同时除去。由此，在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分，每个对应于基板11的部分，形成空隙S。此时，如图13(b)所示，由于在对应于各虚设滤光器部2A的部分，多个贯通孔24b未形成于第2层叠体24，故在中间层230未形成空隙S。
由上，在有效区域101中，如图7(a)所示，通过在互相相对的第1镜部31与第2镜部32间形成空隙S，而构成多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A。另一方面，在虚设区域102中，如图7(b)所示，通过在互相相对的第1镜部31与第2镜部32间设置中间层23，而构成多个虚设滤光器部2A。
[第1实施方式的光检查装置的构成]
继而，针对第1实施方式的光检查装置的构成进行说明。如图14所示，第1实施方式的光检查装置500具备晶圆支撑部510、光出射部520、光检测部530、电压施加部540、摄像部550及控制部560。晶圆支撑部510、光出射部520、光检测部530、电压施加部540及摄像部550配置于暗箱(省略图示)内。光检查装置500的检查对象为晶圆100。
晶圆支撑部510以晶圆100的相对方向(即，第1镜部31与第2镜部32互相相对的方向)与基线RL平行的方式，支撑晶圆100。但，晶圆支撑部510只要以晶圆100的相对方向沿基线RL的方式支撑晶圆100即可。即，晶圆支撑部510无须以晶圆100的相对方向与基线RL完全平行的方式支撑晶圆100。晶圆支撑部510具有载台511。载台511构成为能够沿与基线RL垂直的平面(沿至少与该平面平行且互相正交的2方向的各个)移动。再者，载台511也可构成为能够以平行于基线RL的线为中心线旋转。
如图15所示，载台511具有互相相对的第1表面511a及第2表面511b。作为一例，第1表面511a为垂直方向的上侧的表面，第2表面511b为垂直方向的下侧的表面。在载台511，形成有在第1表面511a及第2表面511b开口的开口513。通过在第1表面511a，将开口513的第1表面511a侧的部分加宽，而形成阶差部514。在阶差部514，载置晶圆100的虚设区域102，例如通过吸引将其保持。在阶差部514载置有晶圆100的虚设区域102的状态下，开口513面向有效区域101。具体而言，自与基线RL平行的方向观察的情形时，开口513包含有效区域101。开口513作为使光L1沿基线RL通过的光通过区域512发挥功能。即，晶圆支撑部510具有开口513作为光通过区域512。
如图14所示，光出射部520出射沿基线RL入射至通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100的各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光L1。光出射部520具有白色光源521、透镜522及光圈构件523。白色光源521输出作为白色光的光L1。透镜522将自白色光源521输出的光L1聚集于光圈构件523的针孔。光圈构件523将通过透镜522聚集的光L1通过针孔缩窄。如此，光出射部520以同时出射多个波长的光L1的方式构成。自光出射部520出射的光L1通过镜501被反射。通过镜501反射的光L1通过凹面镜502以在基线RL上前进的方式被反射，且被聚光(或被准直)。通过凹面镜502被反射且被聚光的光L1透过半反射镜503。透过半反射镜503的光L1沿基线RL入射至通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100的各法布里-帕罗干涉滤光器部1A。
光检测部530检测沿基线RL透过通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100的各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光L1。光检测部530具有透镜531、光纤532及分光器533。透镜531将沿基线RL透过各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光L1聚集于光纤532的光入射端。再者，透过透镜531的光L1经由未图示的反射镜聚集于光纤532的光入射端。光纤532引导通过透镜531聚集的光L1。分光器533针对每个波长检测通过光纤532引导的光L1，将检测信号输出至控制部560。如此，光检测部530以针对每个波长检测多个波长的光L1的方式构成。
电压施加部540以互相相对的第1镜部31与第2镜部32间的距离变化的方式，对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A施加电压。电压施加部540具有载台541、一对臂542、一对探针543及电源测量单元544。载台541沿与基线RL平行的方向可移动地构成。一对臂542安装于载台541。一对探针543安装于一对臂542。一对臂542及一对探针543作为显微操纵器构成。一对探针543的前端间的距离调整成各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的一对端子15、16间的距离。电源测量单元544使一对探针543产生电位差。再者，在晶圆支撑部510中载台511沿与基线RL平行的方向可移动地构成的情形时，载台541也可不可移动地构成。另外，对于电压施加部540，也可取代显微操纵器而应用探针卡。
摄像部550拍摄通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100(具体而言，是晶圆100的表面)。摄像部550具有相机551及变焦透镜552。相机551出射观察用光L2，检测在通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100的表面反射的光L2，将所得的图像显示于显示器(省略图标)。变焦透镜552具有将晶圆100的表面的像放大的功能。自相机551出射的光L2通过半反射镜503以在基线RL上前进的方式被反射。通过半反射镜503被反射的光L2在基线RL上前进，在通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100的表面被反射。在晶圆100的表面被反射的光L2在同一光路上相反地前进，经由变焦透镜552入射至相机551。
控制部560作为包含处理器、内存、储存装置及通信器件等的计算机装置构成。在控制部560中，通过以处理器执行读入至内存等的特定的软件(程序)，控制内存及储存装置的数据的读出及写入等而实现各种功能。例如，控制部560通过控制各部(晶圆支撑部510、光出射部520、光检测部530、电压施加部540及摄像部550)的动作，实现后述的光检查方法。
在如上构成的光检查装置500中，通过利用控制部560控制各部的动作，而如下那样实施光检查方法。首先，准备作为检查对象的晶圆100，并通过晶圆支撑部510予以支撑。此时，以相对方向沿基线RL的方式，通过晶圆支撑部510支撑晶圆100。继而，通过摄像部550拍摄由晶圆支撑部510支撑的晶圆100，将晶圆100的图像显示于显示器。且，例如目视显示于显示器的晶圆100的图像，修正晶圆100(例如晶圆100的中心位置)自特定的初始位置(特定的坐标)的偏移。由此，控制部560可取得通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100的各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的坐标信息，作为与特定的初始位置的相对位置。再者，也可将摄像部550连接于控制部560，控制部560基于自摄像部550输出的摄像数据，取得晶圆100的各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的坐标信息。
继而，使晶圆支撑部510的载台511基于坐标信息动作，使1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A位于基线RL上(以下，将位于基线RL上的1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A简称为「1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A」)。继而，使电压施加部540的载台541动作，使电压施加部540的一对探针543与1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A的一对端子15、16接触。继而，使电压施加部540的电源测量单元544动作，对一对端子15、16施加特定的电压。由此，在1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A中，互相相对的第1镜部31与第2镜部32间的距离变化成对应于施加的电压的距离。
继而，使光L1自光出射部520出射。由此，光L1沿基线RL(即，沿相对方向)入射至1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A。若光L1入射至1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A，则对应于互相相对的第1镜部31与第2镜部32间的距离的波长的光L1透过1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A。且，通过光检测部530检测透过1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光L1。由此，控制部560可基于自光检测部530输出的检测信号，针对1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A，取得施加的电压与透过的光的波长的关系，或判断1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A是否为良品。再者，该检查时，也可通过以电源测量单元544对法布里-帕罗干涉滤光器部1A施加电压，同时测定一对端子15、16间的漏电流，而测定异物有无混入形成于互相相对的第1镜部31与第2镜部32间的空隙S，设置于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的配线有无断线等。
若1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A的检查结束，则使电压施加部540的载台541动作，电压施加部540的一对探针543自1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A的一对端子15、16离开。继而，使下一个法布里-帕罗干涉滤光器部1A位于基线RL上，同样地实施该下一个法布里-帕罗干涉滤光器部1A的检查。以下，同样地，依序实施各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的检查。由此，控制部560可与晶圆100的各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的坐标信息建立对应地存储各法布里-帕罗干涉滤光器部1A相关的信息(检查结果)。再者，对于来自光出射部520的光L1的出射，不限于每一个法布里-帕罗干涉滤光器部1A切换接通/断开(ON/OFF)的情形，也可在多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A的检查实施中，维持接通(ON)。另外，也可对在事先的检查(目视检查、电性检查)下明确为非良品的法布里-帕罗干涉滤光器部1A，不使一对端子15、16与一对探针543接触(省略光透过检查)，对下一个法布里-帕罗干涉滤光器部1A实施光透过检查，由此提高检查效率。另外，也可对1片晶圆100的所有法布里-帕罗干涉滤光器部1A中特定比例的数量的法布里-帕罗干涉滤光器部1A，实施光透过检查，由此判断该1片晶圆100是否为良品。即，对法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光透过检查不一定要对1片晶圆100的所有法布里-帕罗干涉滤光器部1A实施。
如上，第1实施方式的光检查装置500中，光出射部520以同时出射多个波长的光L1的方式构成，光检测部530以针对多个波长的光L1按波长进行检测的方式构成。因此，使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小变化，在各电压下取得光L1的检测强度成为峰值的波长，由此可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A，取得施加电压的大小与透过的光的波长的关系。
[第2实施方式的光检查装置的构成]
继而，针对第2实施方式的光检查装置的构成进行说明。如图16所示，第2实施方式的光检查装置500在光出射部520的构成方面与第1实施方式的光检查装置500不同。
第2实施方式的光检查装置500中，光出射部520具有白色光源521、透镜522、光纤524及透镜525。白色光源521输出作为白色光的光L1。透镜522将自白色光源521出射的光L1聚集于光纤524的光入射端。光纤524引导通过透镜522聚集的光L1。透镜525将通过光纤524引导的光L1聚集于基线RL上。
在第2实施方式的光检查装置500中，未设置镜501及凹面镜502，通过透镜525聚集的光L1透过半反光镜503。透过半反射镜503的光L1沿基线RL入射至通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100的各法布里-帕罗干涉滤光器部1A。
第2实施方式的光检查装置500中，与第1实施方式的光检查装置500同样地，光出射部520以同时出射多个波长的光L1的方式构成，光检测部530以针对多个波长的光L1按波长进行检测的方式构成。因此，使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小变化，在各电压下取得光L1的检测强度成为峰值的波长，由此可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A，取得施加的电压的大小与透过的光的波长的关系。
[第3实施方式的光检查装置的构成]
继而，针对第3实施方式的光检查装置的构成进行说明。如图17所示，第3实施方式的光检查装置500在光出射部520及光检测部530的构成方面与第1实施方式的光检查装置500不同。
第3实施方式的光检查装置500中，光出射部520具有白色光源521、透镜522A、单色仪526、透镜522B、光纤524及透镜525。白色光源521输出作为白色光的光L1。透镜522A将自白色光源521出射的光L1聚集于单色仪526。单色仪526输出通过透镜522A聚集的白色光中特定波长的光L1。透镜522B将自单色仪526输出的光L1聚集于光纤524的光入射端。光纤524引导通过透镜522B聚集的光L1。透镜525将通过光纤524引导的光L1聚集于基线RL上。再者，也可取代光纤524及透镜525，如第1实施方式，使用光圈构件523、镜501、凹面镜502。如此，各实施方式中，关于以使自光源出射的光L1沿基线RL的手段，各实施方式中采用的各种手段可以互相替代使用。
第3实施方式的光检查装置500中，未设置镜501及凹面镜502，通过透镜525聚集的光L1透过半反射镜503。透过半反射镜503的光L1沿基线RL入射至通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100的各法布里-帕罗干涉滤光器部1A。
第3实施方式的光检查装置500中，入射至各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光L1是自白色光源521输出的白色光中特定波长的光。单色仪526可切换输出的光L1的波长。由此，光出射部520以将多个波长的光L1按波长依序切换并出射的方式构成。
第3实施方式的光检查装置500中，光检测部530具有透镜531、光电二极管534、放大器535及AD(Analog/Digital，模拟/数字)转换器536。透镜531将沿基线RL透过各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光L1聚集于光电二极管534。光电二极管534对于白色光具有灵敏度。光电二极管534检测通过透镜531聚集的光L1，将模拟信号输出至放大器535。放大器535将自光电二极管534输出的模拟信号放大。AD转换器536将通过放大器535放大的模拟信号转换成数字信号，并输出至控制部560。如此，光检测部530以对于自光出射部520输出的多个波长的光L1具有灵敏度的方式构成。
第3实施方式的光检查装置500中，与第1实施方式的光检查装置500不同，光出射部520以将多个波长的光L1按波长出射的方式构成，光检测部530以对于多个波长的光L1具有灵敏度的方式构成。因此，使出射的光L1的波长变化，在各波长下使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小变化，取得光L1的检测强度成为峰值的电压，由此可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A，取得施加的电压大小与透过的光的波长的关系。或者，使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小变化，在各电压下使出射的光L1的波长变化，取得光L1的检测强度成为峰值的波长，由此可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A，取得施加的电压大小与透过的光的波长的关系。
[第4实施方式的光检查装置的构成]
继而，针对第4实施方式的光检查装置的构成进行说明。如图18所示，第4实施方式的光检查装置500在光出射部520及光检测部530的构成方面与第3实施方式的光检查装置500不同。
第4实施方式的光检查装置500中，光出射部520具有光源切换部527及光圈构件523。光源切换部527切换多个激光光源527a、527b、527c。各激光光源527a、527b、527c出射波长互不相同的激光。激光光源的数量可根据需要的波长适当变更。光圈构件523通过针孔缩窄自光源切换部527出射的激光即光L1。如此，光出射部520以将多个波长的光L1按波长出射的方式构成。自光出射部520出射的光L1通过镜504，以在基线RL上前进的方式被反射。通过镜504被反射的光L1透过半反射镜503。透过半反射镜503的光L1沿基线RL入射至通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100的各法布里-帕罗干涉滤光器部1A。再者，在自激光光源527a、527b、527c出射的光L1的强度超出光电二极管534的可测定的强度范围的情形时，也可在激光光源527a、527b、527c与光电二极管534间的光路上的任意位置设置例如ND滤光器，使光L1衰减。
第4实施方式的光检查装置500中，光检测部530具有光电二极管534、放大器535及AD转换器536。光电二极管534对于自光出射部520出射的多个波长的激光具有灵敏度。光电二极管534检测沿基线RL透过各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光L1，将模拟信号输出至放大器535。放大器535将自光电二极管534输出的模拟信号放大。AD转换器536将通过放大器535放大的模拟信号转换成数字信号，并输出至控制部560。如此，光检测部530以对于自光出射部520出射的多个波长的光L1具有灵敏度的方式构成。
第4实施方式的光检查装置500中，也与第3实施方式的光检查装置500同样地，光出射部520以将多个波长的光L1按波长出射的方式构成，光检测部530以对于多个波长的光L1具有灵敏度的方式构成。因此，使出射的光L1的波长变化，在各波长下使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小变化，取得光L1的检测强度成为峰值的电压，由此可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A，取得施加的电压的大小与透过的光的波长的关系。或者，使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小变化，在各电压下使出射的光L1的波长变化，取得光L1的检测强度成为峰值的波长，由此可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A，取得施加的电压大小与透过的光的波长的关系。
[第5实施方式的光检查装置的构成]
继而，针对第5实施方式的光检查装置的构成进行说明。如图19所示，第5实施方式的光检查装置500在光出射部520的构成方面与第4实施方式的光检查装置500不同。
第5实施方式的光检查装置500中，光出射部520具有光源切换部527、透镜522、光纤524及透镜525。光源切换部527切换多个激光光源527a、527b、527c。各激光光源527a、527b、527c出射波长互不相同的激光。激光光源的数量可根据需要的波长适当变更。透镜522将自光源切换部527输出的光L1聚集于光纤524的光入射端。光纤524引导通过透镜522聚集的光L1。透镜525将通过光纤524引导的光L1聚集于基线RL上。如此，光出射部520以将多个波长的光L1按波长出射的方式构成。第5实施方式的光检查装置500中，未设置镜504，自光出射部520出射的光L1透过半反射镜503。透过半反射镜503的光L1沿基线RL入射至通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100的各法布里-帕罗干涉滤光器部1A。
第5实施方式的光检查装置500中，也与第4实施方式的光检查装置500同样地，光出射部520以将多个波长的光L1按波长出射的方式构成，光检测部530以对于多个波长的光L1具有灵敏度的方式构成。因此，使出射的光L1的波长变化，在各波长下使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小变化，取得光L1的检测强度成为峰值的电压，由此可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A，取得施加的电压大小与透过的光的波长的关系。或者，使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小变化，在各电压下使出射的光L1的波长变化，取得光L1的检测强度成为峰值的波长，由此可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A，取得施加的电压大小与透过的光的波长的关系。
[电压施加方法]
继而，针对为取得施加的电压的大小与透过的光的波长的关系而实施的电压施加方法进行说明。
例如，如第1实施方式及第2实施方式的光检查装置500，光出射部520以同时出射多个波长的光L1的方式构成，光检测部530以针对多个波长的光L1按波长进行检测的方式构成的情形时，如下所述，若针对法布里-帕罗干涉滤光器部1A取得施加的电压的大小与透过的光的波长的关系，则可防止粘结(第2镜部32与第1镜部31接触而无法移动的现象)的产生。
首先，基于透过法布里-帕罗干涉滤光器部1A的预定的波长范围(设计上的范围)的下限值，设定基准下限值。基准下限值是自设计上的波长范围的下限值减去特定值所得的值。例如，若将特定值设为10nm，则设计上的波长范围处于1550nm～1850nm的情形时，基准下限值变为1540nm。继而，使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小阶段性增加。再者，若使电压大小阶段性增加，则互相相对的第1镜部31与第2镜部32间的距离阶段性变小，透过法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光的波长阶段性变短。
使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小阶段性增加时，在各电压下每次取得光L1的检测强度成为峰值的波长(以下称为「峰值波长」)。此时，就特定的电压而言，将该电压下取得的峰值波长与基准下限值进行比较。且，若峰值波长短于基准下限值，则在其时点，结束电压大小的阶段性增加，结束施加的电压的大小与透过的光的波长的关系的取得。另一方面，若峰值波长长于基准下限值，则使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小增加一阶段，将该电压下取得的峰值波长与基准下限值进行比较。
即，通过使多个波长的光L1同时入射至法布里-帕罗干涉滤光器部1A，检测透过法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光L1的波长，而取得施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小与透过法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光的波长的关系时所实施的电压施加方法，具备如下步骤：基于透过法布里-帕罗干涉滤光器部1A的预定的波长范围的下限值，设定基准下限值；使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小阶段性增加，在各电压下每次取得峰值波长，就特定的电压，将在该电压下取得的峰值波长与基准下限值进行比较；及若峰值波长短于基准下限值，则在其时点，结束电压大小的阶段性增加，结束施加的电压的大小与透过的光的波长的关系的取得，若峰值波长长于基准下限值，则使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小增加一阶段，将在该电压下取得的峰值波长与基准下限值进行比较。由此，可防止取得施加的电压的大小与透过的光的波长的关系时产生粘结。该电压施加方法不仅可对晶圆100的状态下的法布里-帕罗干涉滤光器部1A实施，也可对各个法布里-帕罗干涉滤光器1实施。
另外，如第3实施方式、第4实施方式及第5实施方式的光检查装置500，光出射部520以将多个波长的光L1按波长出射的方式构成，且光检测部530以对于多个波长的光L1具有灵敏度的方式构成的情形时，如下所述，若针对法布里-帕罗干涉滤光器部1A取得施加的电压的大小与透过的光的波长的关系，则可防止粘结的产生。
首先，使入射至法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光L1的波长阶段性变化。此时，在各波长下，使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小以第1间距(例如100mV)变化，取得光L1的检测强度成为峰值的电压(以下称为「第1峰值电压」)。继而，在包含第1峰值电压的电压范围内(例如，第1峰值电压±200mV的电压范围)，使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小以小于第1间距的第2间距(例如5mV)变化，取得光L1的检测强度成为峰值的电压(以下称为「第2峰值电压」)。包含第1峰值电压的电压范围的设定可设为±「第1间距的特定倍数(例如2倍)」，也可不依第1间距而设为±「特定值(例如±200mV)」。如此，通过在各波长下实施第1峰值电压的取得及基于其的第2峰值电压的取得，而针对法布里-帕罗干涉滤光器部1A取得施加的电压大小与透过的光的波长的关系。
即，通过使多个波长的光L1按波长入射至法布里-帕罗干涉滤光器部1A，在各波长下检测透过法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光L1的检测强度成为峰值的电压，而取得施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压的大小与透过法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光的波长的关系时，实施电压施加方法，该电压施加方法具备如下步骤：使第1波长的光L1入射至法布里-帕罗干涉滤光器部1A，使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压的大小以第1间距变化，取得第1峰值电压，在包含第1峰值电压的电压范围内，使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压的大小以小于第1间距的第2间距变化，取得第2峰值电压；及使不同于第1波长的第2波长的光L1入射至法布里-帕罗干涉滤光器部1A，使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压的大小以第1间距变化，取得第1峰值电压，在包含第1峰值电压的电压范围内，使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压的大小以小于第1间距的第2间距变化，取得第2峰值电压。由此，可防止取得施加的电压的大小与透过的光的波长的关系时产生粘结。该电压施加方法不仅对晶圆100的状态下的法布里-帕罗干涉滤光器部1A实施，也可对各法布里-帕罗干涉滤光器1实施。
再者，也可在各波长下，使施加的电压的大小以第1间距变化时，预先设定预测检测出第1峰值电压的电压范围，在该电压范围内，使施加的电压的大小以第1间距变化。另外，也可在使施加的电压的大小以第1间距阶段性增加时，在取得光L1的检测强度成为峰值的电压后，自该电压于特定电压范围内，以结束电压以第1间距阶段性增加的方式设置限制。
[晶圆支撑部的变形例的构成]
继而，针对可应用于第1实施方式～第5实施方式的光检查装置500的晶圆支撑部510的变形例的构成进行说明。图20(a)所示的晶圆支撑部510与图15所示的晶圆支撑部510的不同点在于，在载台511的开口513内配置有光透过构件515。图20(b)所示的晶圆支撑部510与图15所示的晶圆支撑部510的不同点在于，未在载台511的第1表面511a形成阶差部514、及在载台511的开口513内配置有光透过构件515。光透过构件515通过能使光L1透过的材料形成，与晶圆100的有效区域101接触。具体而言，在自与基线RL平行的方向观察的情形时，光透过构件515包含有效区域101。光透过构件515作为使光L1沿基线RL通过的光通过区域512发挥功能。即，晶圆支撑部510也可具有光透过构件515作为光通过区域512。
[法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法]
继而，针对自晶圆100切出法布里-帕罗干涉滤光器1的方法(法布里-帕罗干涉滤光器1的制造方法)，参照图21及图22进行说明。图21及图22中，(a)是对应于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分的剖视图，(b)是对应于虚设滤光器部2A的部分的剖视图。
首先，如图21所示，在保护层460上(即，第2表面110b侧)贴附扩张带60。继而，在第2表面110b侧贴附有扩张带60的状态下，自扩张带60的相反侧照射激光L，使激光L的聚光点位于基板层110的内部，且使激光L的聚光点沿各线5相对移动。即，使激光L自扩张带60的相反侧，经由第1槽290中露出的多晶硅层的表面入射至基板层110。
然后，通过该激光L的照射，沿各线5在基板层110的内部形成改质区域7。改质区域7是指密度、折射率、机械强度、其他物理特性与周围成为不同状态的区域，是成为于基板层110的厚度方向伸展的龟裂的起点的区域。作为改质区域7，例如有熔融处理区域(意指暂时熔融后再固化的区域、熔融状态中的区域及自熔融再固化的状态中的区域中的至少任一者)、裂缝区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等，也有这些混合而成的区域。进而，作为改质区域7，有基板层110的材料中改质区域7的密度与非改质区域的密度相比产生变化的区域、形成有晶格缺陷的区域等。基板层110的材料为单结晶硅的情形时，改质区域7也可称为高错位密度区域。再者，相对于各线5的基板层110的厚度方向所排列的改质区域7的列数根据基板层110的厚度而适当调整。
继而，如图22所示，通过使贴附于第2表面110b侧的扩张带60扩张，而使龟裂自形成于基板层110的内部的改质区域7在基板层110的厚度方向伸展，从而将基板层110沿各线5切断成多个基板11。此时，在第1槽290中将第2镜层240的多晶硅层沿各线5切断，且在第2槽470中将反射防止层410及保护层460沿各线5切断。由此，获得在扩张带60上互相分离状态下的多个法布里-帕罗干涉滤光器1及多个虚设滤光器2。
[光检测装置的构成]
其次，针对具备法布里-帕罗干涉滤光器1的光检测装置10的构成进行说明。如图23所示，光检测装置10具备封装71。封装71是具有底座72及盖73的CAN封装。盖73是由侧壁74及顶壁75一体构成。底座72及盖73通过金属材料形成，互相气密地接合。通过金属材料形成的封装71中，侧壁74的形状为以线9为中心线的圆筒状。底座72及顶壁75在平行于线9的方向上互相相对，分别盖住侧壁74的两端。
在底座72的内表面72a固定有配线基板76。作为配线基板76的基板材料，例如可使用硅、陶瓷、石英、玻璃、塑料等。在配线基板76，安装有光检测器(光检测部)77、及热敏电阻等温度检测器(省略图示)。光检测器77配置于线9上。更具体而言，光检测器77以其受光部的中心线与线9一致的方式配置。光检测器77例如为使用InGaAs等的量子型传感器、使用热电堆或辐射热计等的热型传感器等红外线传感器。检测紫外线、可见光、近红外线的各波长区域的光的情形时，作为光检测器77，例如可使用硅光电二极管等。再者，可在光检测器77设置1个受光部，或也可将多个受光部阵列状设置。再者，多个光检测器77也可安装于配线基板76。为能够检测法布里-帕罗干涉滤光器1的温度变化，也可将温度检测器配置于例如接近法布里-帕罗干涉滤光器1的位置。
在配线基板76上，固定有多个间隔件78。作为各间隔件78的材料，例如可使用硅、陶瓷、石英、玻璃、塑料等。在多个间隔件78上，例如通过接合剂而固定法布里-帕罗干涉滤光器1。法布里-帕罗干涉滤光器1配置于线9上。更具体而言，法布里-帕罗干涉滤光器1以光透过区域1a的中心线与线9一致的方式配置。再者，间隔件78也可与配线基板76一体构成。另外，法布里-帕罗干涉滤光器1也可并非通过多个间隔件78支撑，而通过1个间隔件78支撑。
在底座72，固定有多个引线接脚81。更具体而言，各引线接脚81以维持与底座72间的电绝缘性及气密性的状态，贯通底座72。在各引线接脚81，通过导线82电连接有设置于配线基板76的电极垫、光检测器77的端子、温度检测器的端子、及法布里-帕罗干涉滤光器1的端子的各个。再者，光检测器77、温度检测器及法布里-帕罗干涉滤光器1也可经由配线基板76，与各引线接脚81电连接。例如，也可将各个端子及设置于配线基板76的电极垫电连接，将电极垫及各引线接脚81通过导线82连接。由此，可对光检测器77、温度检测器及法布里-帕罗干涉滤光器1的各个输入输出电信号等。
在封装71形成有开口71a。更具体而言，开口71a以其中心线与线9一致的方式，形成于盖73的顶壁75。自平行于线9的方向观察的情形时，开口71a的形状为圆形状。在顶壁75的内表面75a，以盖住开口71a的方式配置有光透过构件83。光透过构件83与顶壁75的内表面75a气密接合。光透过构件83具有在平行于线9的方向互相相对的光入射面83a及光出射面(内表面)83b、以及侧面83c。光透过构件83的光入射面83a在开口71a与顶壁75的外表面成为大致同一平面。光透过构件83的侧面83c与封装71的侧壁74的内表面74a接触。即，光透过构件83到达开口71a内及侧壁74的内表面74a。此种光透过构件83通过将开口71a设为下侧的状态下在盖73的内侧配置玻璃颗粒，使该玻璃颗粒熔融而形成。即，光透过构件83通过熔接玻璃而形成。
在光透过构件83的光出射面83b，通过粘合构件85固定有带通滤光器84。即，粘合构件85经由接合于顶壁75的内表面75a的光透过构件83，而将带通滤光器84固定于顶壁75的内表面75a。带通滤光器84使透过光透过构件83的光中，光检测装置10的测定波长范围的光(是特定的波长范围的光，且是应入射于法布里-帕罗干涉滤光器1的光透过区域1a的光)选择性透过(即，仅使该波长范围的光透过)。带通滤光器84的形状为四边形板状。更具体而言，带通滤光器84具有在平行于线9的方向上互相相对的光入射面84a及光出射面84b、以及4个侧面84c。带通滤光器84是在通过光透过性材料(例如硅、玻璃等)形成为四边形板状的光透过构件的表面，形成有电介质多层膜(例如包含TiO2、Ta2O5等高折射材料与SiO2、MgF2等低折射材料的组合的多层膜)的滤光器。
粘合构件85具有配置于带通滤光器84的光入射面84a的整个区域的第1部分85a。即，第1部分85a是粘合构件85中配置于互相相对的光透过构件83的光出射面83b与带通滤光器84的光入射面84a之间的部分。进而，粘合构件85具有自平行于线9的方向观察的情形时，自带通滤光器84的外缘向外侧突出的第2部分85b。第2部分85b到达侧壁74的内表面74a，与侧壁74的内表面74a接触。另外，第2部分85b与带通滤光器84的侧面84c接触。
如上构成的光检测装置10中，若光自外部经由开口71a、光透过构件83及粘合构件85入射至带通滤光器84，则使特定的波长范围的光选择性透过。若透过带通滤光器84的光入射至法布里-帕罗干涉滤光器1的光透过区域1a，则使特定的波长范围的光中特定波长的光选择性透过。透过法布里-帕罗干涉滤光器1的光透过区域1a的光入射至光检测器77的受光部，并通过光检测器77进行检测。即，光检测器77将透过法布里-帕罗干涉滤光器1的光转换成电信号并输出。例如，光检测器77输出与入射至受光部的光的强度对应的大小的电信号。
[光检查装置及光检查方法的作用及效果]
第1实施方式～第5实施方式的光检查装置500中，对成为多个法布里-帕罗干涉滤光器1的多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A，在晶圆100的状态下实施光透过特性的检查。因此，第1实施方式～第5实施方式的光检查装置500可效率良好且良率良好地获得多个法布里-帕罗干涉滤光器1。其理由如下。法布里-帕罗干涉滤光器1是在直至自晶圆100切出并装配于例如光检测装置10为止的各步骤期间，特性易变化的元件。因此，认为需要在最终阶段的装配时检查法布里-帕罗干涉滤光器1的特性。但，本发明者等人发现，晶圆100的状态下为良品的法布里-帕罗干涉滤光器部1A即使其后特性变化，也不易成为不良品的法布里-帕罗干涉滤光器1。因此，通过在晶圆100的状态下检查各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光透过特性，而可在初始阶段排除如晶圆100的状态下为不良品的法布里-帕罗干涉滤光器1直至最终阶段的装配的浪费，且可提高良品的法布里-帕罗干涉滤光器1直至最终阶段的装配的概率。
并且，根据第1实施方式～第5实施方式的光检查装置500，可效率良好且精度良好地检查各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光透过性。其理由如下。在法布里-帕罗干涉滤光器1中，透过的光的波长根据入射角变化。因此，若要对各法布里-帕罗干涉滤光器1实施光透过特性的检查，则有必要对每个法布里-帕罗干涉滤光器1调整支撑角度。通过在晶圆100的状态下检查各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光透过特性，而可减少此种调整的负担。另外，在法布里-帕罗干涉滤光器1中，透过的光的波长也根据温度等环境条件而变化。因此，若对各法布里-帕罗干涉滤光器1实施光透过特性的检查，则成为检查结果的前提的环境条件于法布里-帕罗干涉滤光器1间容易不同。通过在晶圆100的状态下检查各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光透过特性，而可在稳定的环境条件下获得检查结果。
另外，在第1实施方式～第5实施方式的光检查装置500中，晶圆支撑部510具有面向晶圆100的有效区域101的开口513作为光通过区域512。由此，可使晶圆支撑部510的构成简化，且使光沿基线RL透过通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100的各法布里-帕罗干涉滤光器部1A。
另外，在第1实施方式～第5实施方式的光检查装置500中，也可为，晶圆支撑部510具有与晶圆100的有效区域101接触的光透过构件515作为光通过区域512。由此，可抑制晶圆100的翘曲，且使光沿基线RL透过通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100的各法布里-帕罗干涉滤光器部1A。
另外，第1实施方式～第5实施方式的光检查装置500具备以互相相对的第1镜部31与第2镜部32间的距离变化的方式对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A施加电压的电压施加部540。由此，可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A，取得施加的电压的大小与透过的光的波长的关系。
另外，第1实施方式及第2实施方式的光检查装置500中，光出射部520以同时出射多个波长的光L1的方式构成，光检测部530以针对多个波长的光L1按波长进行检测的方式构成。由此，使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小变化，在各电压下取得光L1的检测强度成为峰值的波长，由此可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A，取得施加的电压大小与透过的光的波长的关系。
另外，在第3实施方式、第4实施方式及第5实施方式的光检查装置500中，光出射部520以将多个波长的光L1按波长出射的方式构成，光检测部530以对于多个波长的光L1具有灵敏度的方式构成。由此，使出射的光L1的波长变化，在各波长下使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小变化，取得光L1的检测强度成为峰值的电压，由此可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A，取得施加的电压大小与透过的光的波长的关系。或者，使施加于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电压大小变化，在各电压下使出射的光L1的波长变化，取得光L1的检测强度成为峰值的波长，由此可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A，取得施加的电压大小与透过的光的波长的关系。
另外，第1实施方式～第5实施方式的光检查装置500具备拍摄通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100的摄像部550。由此，可取得各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的坐标信息，基于取得的坐标信息，使各法布里-帕罗干涉滤光器部1A位于基线RL上。
另外，第1实施方式～第5实施方式的光检查装置500中实施的光检查方法具备如下步骤：准备晶圆100，该晶圆100构成有互相相对的第1镜部31与第2镜部32间的距离通过静电力变化的多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A；使沿相对方向入射至各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光出射；及检测沿相对方向透过各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光。该光检查方法根据与上述第1实施方式～第5实施方式的光检查装置500相同的理由，可效率良好且良率良好地获得多个法布里-帕罗干涉滤光器1。
另外，上述光检查方法进而具备以互相相对的第1镜部31与第2镜部32间的距离变化的方式，对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A施加电压的步骤。由此，可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A，取得施加的电压的大小与透过的光的波长的关系。
另外，上述光检查方法进而具备拍摄晶圆100的步骤。由此，例如使光L1沿基线RL入射至各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的情形时，可取得各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的坐标信息，基于取得的坐标信息，使各法布里-帕罗干涉滤光器部1A位于基线RL上。
再者，在晶圆100中，成为多个法布里-帕罗干涉滤光器1的多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A设置于有效区域101。另一方面，在沿基板层110的外缘110c且包围有效区域101的虚设区域102，设有多个虚设滤光器部2A，在各虚设滤光器部2A中，在互相相对的第1镜部31与第2镜部32之间设有中间层23。由此，充分确保晶圆100整体的强度。因此，对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A实施上述检查方法时的晶圆100的处理变容易。另外，由于晶圆100不易翘曲，故即使过度调整晶圆100的支撑角度，也可使光L1以适当的入射角入射至各法布里-帕罗干涉滤光器部1A。进而，可使一对探针543确实地与各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的一对端子15、16接触。
另外，在晶圆100的制造方法中，多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A保持为晶圆100的状态下，在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中形成空隙S。由此，与以各芯片级实施空隙S的形成的情形相比，效率极其高，可于第1镜部31与第2镜部32之间形成空隙S。并且，在有效区域101中，对二维配置的多个除去预定部50同时实施中间层230的蚀刻等，基板层110内的任意的基板11所对应的部分、及包围其的周围的基板11所对应的部分，制程同时进展，故可减少基板层110的面内的应力偏差。由此，根据晶圆100的制造方法，可获得能够稳定地量产高质量的法布里-帕罗干涉滤光器1的晶圆100。
另外，通过激光L的照射，沿各线5在基板层110的内部形成改质区域7，从而根据以下理由，沿各线5切断晶圆100在制造法布里-帕罗干涉滤光器1的方面极其有效。即，在使用激光L的晶圆100的切断中，由于无需水，故不会产生在空隙S上悬空的第2镜部32因水压而破损，或水渗透至空隙S内而粘结(第2镜部32与第1镜部31接触而无法移动的现象)。由此，使用激光L的晶圆100的切断在制造法布里-帕罗干涉滤光器1的方面极其有效。
[变形例]
以上，虽已针对本公开的一实施方式进行说明，但本公开并不限定于上述实施方式。例如，各构成的材料及形状不限于上述材料及形状，可采用各种材料及形状。在晶圆100中，自基板层110的厚度方向观察的情形时，法布里-帕罗干涉滤光器部1A的外形与虚设滤光器部2A的外形也可不同。另外，自晶圆100切出多个法布里-帕罗干涉滤光器1时，也可不切出所有虚设滤光器部2A(即，也可不将所有虚设滤光器部2A单片化)。另外，虚设区域102的构成不限于以上所述。例如，在对应于虚设区域102的区域中，至少第2镜部32可不由呈环状连续的第1槽290包围(例如，第1槽290也可仅横穿对应于虚设区域102的区域)，也可不在器件层200形成第1槽290。另外，对应于虚设区域102的区域中，也可不设置器件层200的一部分层或器件层200的整体。即，成为本公开的检查对象的晶圆中，虚设区域并非为必需构成。
第1实施方式～第5实施方式的光检查装置500、及各光检查装置500中实施的光检查方法中，以互相相对的第1镜部31与第2镜部32间的距离变化的方式对法布里-帕罗干涉滤光器部1A施加电压，在该状态下，检测透过法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光L1，但也可在不对法布里-帕罗干涉滤光器部1A施加电压的状态下，检测透过法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光L1。该情形时，也可基于透过法布里-帕罗干涉滤光器部1A的光L1的检测结果，判断法布里-帕罗干涉滤光器部1A是否为良品，例如法布里-帕罗干涉滤光器部1A中第2镜部32是否正常等。
另外，如图21所示，在晶圆100中，也可以对应于第1槽290的方式，在基板层110的内部形成改质区域7。此处，所谓改质区域7对应于第1槽290，意指自相对方向观察的情形时，改质区域7与第1槽290重叠，尤其意指改质区域7沿各线5形成的状态。由此，可使龟裂自改质区域7向基板层110的厚度方向伸展，可容易且精度良好地自晶圆100切出多个法布里-帕罗干涉滤光器1。该情形时，也可在基板层110的第2表面110b侧贴附扩张带60。此时，贴附于晶圆100的扩张带60的外缘部通过环状的框保持。由此，即使是在基板层110的内部形成有改质区域7的状态，也可容易处理晶圆100。再者，在基板层110的内部形成有改质区域7的晶圆100中，有龟裂自改质区域7意料外地伸展的担忧。在晶圆100中，由于未在虚设区域102中的一对区域102a，设置多个虚设滤光器部2A以及第1槽290及第2槽470，故抑制龟裂的产生，且即使龟裂进展，也通过一对区域102a停止龟裂的伸展。
另外，如图24所示，也可将通过接合第1晶圆610及第2晶圆620而构成的晶圆600设为检查对象。晶圆600包含多个法布里-帕罗干涉滤光器部650A。多个法布里-帕罗干涉滤光器部650A是通过将晶圆600沿设定于第1晶圆610及第2晶圆620的各个的各线5切断而成为多个法布里-帕罗干涉滤光器650的预定部分。自晶圆600的厚度方向观察的情形时，多个法布里-帕罗干涉滤光器部650A二维配置。
第1晶圆610具备基板层611、多个第1镜部612及多个驱动电极613。基板层611具有互相相对的表面611a及表面611b。基板层611通过光透过性材料形成。各第1镜部612例如为金属膜、电介质多层膜或这些的复合膜。各驱动电极613例如通过金属材料形成。
第2晶圆620具备基板层621、多个第2镜部622及多个驱动电极623。基板层621具有互相相对的表面621a及表面621b。基板层621通过光透过性材料形成。各第2镜部622例如为金属膜、电介质多层膜或这些的复合膜。各驱动电极623例如通过金属材料形成。
在晶圆600中，通过1个第1镜部612、1个驱动电极613、1个第2镜部622及1个驱动电极623，构成1个法布里-帕罗干涉滤光器部650A。以下，着眼于1个法布里-帕罗干涉滤光器部650A，针对晶圆600的构成进行说明。
在基板层611的表面611a，形成有凹部614。在凹部614的底面614a，设有凸部615。凸部615的高度小于凹部614的深度。即，凸部615的端面615a处于相对于基板层611的表面611a凹陷的状态。第1镜部612设置于凸部615的端面615a。驱动电极613以包围凸部615的方式设置于凹部614的底面614a。驱动电极613例如经由设置于基板层611的配线(省略图示)与电极垫(省略图示)电连接。该电极垫例如设置于基板层611中可自外部接入的区域。
基板层621的表面621b例如通过电浆聚合膜等与基板层611的表面611a接合。在基板层621的表面621b，设有第2镜部622及驱动电极623。第2镜部622经由空隙S与第1镜部612相对。驱动电极623以包围第2镜部622的方式设置于基板层621的表面621b，且经由空隙S与驱动电极613相对。驱动电极623例如经由设置于基板层621的配线(省略图示)与电极垫(省略图示)电连接。该电极垫例如设置于基板层621中可自外部接入的区域。
在基板层621的表面621a，以自晶圆600的厚度方向观察的情形时包围第2镜部622及驱动电极623的方式形成有凹槽621c。凹槽621c圆环状延伸。基板层621中被凹槽621c包围的部分将形成有凹槽621c的部分作为隔膜状的保持部621d，可在晶圆600的厚度方向产生位移。再者，隔膜状的保持部621d也可通过将自晶圆600的厚度方向观察的情形时包围第2镜部622及驱动电极623的凹槽形成于基板层621的表面621a及表面621b的至少一者而构成。另外，也可通过将自晶圆600的厚度方向观察的情形时包围第1镜部612及驱动电极613的凹槽形成于基板层611，而构成基板层611中隔膜状的保持部。另外，也可取代隔膜状的保持部，通过呈放射状配置的多个梁构成保持部。
在如上构成有各法布里-帕罗干涉滤光器部650A的晶圆600中，若在各法布里-帕罗干涉滤光器部650A中，对驱动电极613与驱动电极623间施加电压，则对应于该电压的静电力产生于驱动电极613与驱动电极623之间。通过该静电力，基板层621中被凹槽621c包围的部分被吸引至基板层611侧，从而调整第1镜部612与第2镜部622间的距离。由此，具有对应于第1镜部612与第2镜部622间的距离的波长的光透过。本公开中成为检查对象的晶圆(100，600)只要具备基板层(110，611)、及二维配置于基板层(110，611)上的多对第1镜部(31，612)及第2镜部(32，622)，且通过在互相相对的第1镜部(31，612)及第2镜部(32，622)间形成空隙S而构成互相相对的第1镜部(31，612)与第2镜部(32，622)间的距离通过静电力变化的多个法布里-帕罗干涉滤光器部(1A，650A)即可。
符号说明
1A，650A 法布里-帕罗干涉滤光器部
31，612 第1镜部
32，622 第2镜部
100，600 晶圆
101 有效区域
110，611 基板层
110a 第1表面
110b 第2表面
220 第1镜层
240 第2镜层
500 光检查装置
510 晶圆支撑部
512 光通过区域
513 开口
515 光透过构件
520 光出射部
530 光检测部
540 电压施加部
550 摄像部
S 空隙
RL 基线。
Claims (10)
1.一种光检查装置，其特征在于，
具备：
晶圆支撑部，其将晶圆以第1镜部与第2镜部互相相对的方向沿基线的方式支撑，所述晶圆具备基板层以及二维配置于所述基板层上的多对所述第1镜部及所述第2镜部，且通过在互相相对的所述第1镜部与所述第2镜部之间形成空隙而构成有互相相对的所述第1镜部与所述第2镜部之间的距离通过静电力而变化的多个法布里-帕罗干涉滤光器部；
光出射部，其使沿所述基线入射至所述多个法布里-帕罗干涉滤光器部的各个的光出射；及
光检测部，其检测沿所述基线透过所述多个法布里-帕罗干涉滤光器部的各个的光，
所述晶圆支撑部具有使光沿所述基线通过的光通过区域。
2.如权利要求1所述的光检查装置，其中，
所述晶圆支撑部具有面向所述晶圆中构成有所述多个法布里-帕罗干涉滤光器部的有效区域的开口作为所述光通过区域。
3.如权利要求1所述的光检查装置，其中，
所述晶圆支撑部具有与所述晶圆中构成有所述多个法布里-帕罗干涉滤光器部的有效区域接触的光透过构件作为所述光通过区域。
4.如权利要求1至3中任一项所述的光检查装置，其中，
进一步具备电压施加部，该电压施加部以互相相对的所述第1镜部与所述第2镜部之间的距离变化的方式对所述多个法布里-帕罗干涉滤光器部的各个施加电压。
5.如权利要求4所述的光检查装置，其中，
所述光出射部以同时出射多个波长的光的方式构成，
所述光检测部以针对所述多个波长的光按波长进行检测的方式构成。
6.如权利要求4所述的光检查装置，其中，
所述光出射部以将多个波长的光按波长出射的方式构成，
所述光检测部以对所述多个波长的光具有灵敏度的方式构成。
7.如权利要求1至6中任一项所述的光检查装置，其中，
进一步具备摄像部，该摄像部拍摄由所述晶圆支撑部支撑的所述晶圆。
8.一种光检查方法，其特征在于，
具备如下步骤：
准备晶圆的步骤，该晶圆具备基板层、以及二维配置于所述基板层上的多对第1镜部及第2镜部，且通过在互相相对的所述第1镜部与所述第2镜部之间形成空隙，而构成有互相相对的所述第1镜部与所述第2镜部之间的距离通过静电力而变化的多个法布里-帕罗干涉滤光器部；
使沿所述第1镜部与所述第2镜部互相相对的方向入射至所述多个法布里-帕罗干涉滤光器部的各个的光出射的步骤；及
检测沿所述第1镜部与所述第2镜部互相相对的方向透过所述多个法布里-帕罗干涉滤光器部的各个的光的步骤。
9.如权利要求8所述的光检查方法，其中，
进一步具备：以互相相对的所述第1镜部与所述第2镜部之间的距离变化的方式对所述多个法布里-帕罗干涉滤光器部的各个施加电压的步骤。
10.如权利要求8或9所述的光检查方法，其中，
进一步具备拍摄所述晶圆的步骤。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017226090A JP7313115B2 (ja) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | 光検査装置及び光検査方法 |
| JP2017-226090 | 2017-11-24 | ||
| PCT/JP2018/041733 WO2019102879A1 (ja) | 2017-11-24 | 2018-11-09 | 光検査装置及び光検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111406206A true CN111406206A (zh) | 2020-07-10 |
| CN111406206B CN111406206B (zh) | 2022-08-09 |
Family
ID=66630924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201880075330.3A Active CN111406206B (zh) | 2017-11-24 | 2018-11-09 | 光检查装置及光检查方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11422059B2 (zh) |
| EP (1) | EP3715817B1 (zh) |
| JP (1) | JP7313115B2 (zh) |
| KR (1) | KR102642774B1 (zh) |
| CN (1) | CN111406206B (zh) |
| FI (1) | FI3715817T3 (zh) |
| TW (1) | TWI797200B (zh) |
| WO (1) | WO2019102879A1 (zh) |
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- 2018-11-09 FI FIEP18880520.4T patent/FI3715817T3/fi active
- 2018-11-09 CN CN201880075330.3A patent/CN111406206B/zh active Active
- 2018-11-09 EP EP18880520.4A patent/EP3715817B1/en active Active
- 2018-11-09 KR KR1020207016000A patent/KR102642774B1/ko active IP Right Grant
- 2018-11-09 WO PCT/JP2018/041733 patent/WO2019102879A1/ja unknown
- 2018-11-09 US US16/765,626 patent/US11422059B2/en active Active
- 2018-11-22 TW TW107141580A patent/TWI797200B/zh active
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| TWI797200B (zh) | 2023-04-01 |
| EP3715817A4 (en) | 2021-08-11 |
| KR102642774B1 (ko) | 2024-03-05 |
| EP3715817B1 (en) | 2023-10-18 |
| JP2019095667A (ja) | 2019-06-20 |
| KR20200087180A (ko) | 2020-07-20 |
| WO2019102879A1 (ja) | 2019-05-31 |
| US11422059B2 (en) | 2022-08-23 |
| CN111406206B (zh) | 2022-08-09 |
| JP7313115B2 (ja) | 2023-07-24 |
| EP3715817A1 (en) | 2020-09-30 |
| US20200278272A1 (en) | 2020-09-03 |
| FI3715817T3 (fi) | 2024-01-08 |
| TW201935076A (zh) | 2019-09-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |