CN111369928A - 像素电路 - Google Patents

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CN111369928A CN202010211620.5A CN202010211620A CN111369928A CN 111369928 A CN111369928 A CN 111369928A CN 202010211620 A CN202010211620 A CN 202010211620A CN 111369928 A CN111369928 A CN 111369928A
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Abstract

一种像素电路包含读取单元、补偿单元以及整流单元。读取单元包含第一读取开关。补偿单元用以补偿第一读取开关的临界电压变异。整流单元用以整流交流信号，并产生与交流信号的峰值有关的第一电压。补偿单元还用以依据第一电压产生补偿电压，并将补偿电压传输至第一读取开关。读取单元用以依据补偿电压输出输出信号。

Description

像素电路
技术领域
本公开内容是关于一种像素电路，特别是关于一种超声波感测的像素电路。
背景技术
随着面板技术日新月异，面板的功能也随之快速增加。因此，面板中的功能密度越来越高，面板的功能也不在限于单纯显示图像。
发明内容
本公开内容的一实施方式关于一种像素电路，其包含读取单元、补偿单元以及整流单元。读取单元包含第一读取开关。补偿单元用以补偿第一读取开关的临界电压变异。整流单元用以整流交流信号，并产生与交流信号的峰值有关的第一电压。补偿单元还用以依据第一电压产生补偿电压，并将补偿电压传输至第一读取开关。读取单元用以依据补偿电压输出输出信号。
综上所述，本申请一些实施例所提供的像素电路可感应交流信号的最大振幅，并依据最大振幅产生输出信号。如此，像素电路再将输出信号传输至显示层，使显示装置具有响应交流信号以显示的功能。
附图说明
藉由阅读以下对实施例的详细描述可以更全面地理解本公开，参考附图如下：
图1为根据本公开文件的一些实施例所绘示的一种感测显示系统的示意图；
图2为根据本公开文件的一些实施例所绘示的像素电路的示意图；
图3为根据本公开文件的一些实施例所绘示的像素电路的电路示意图；
图4A、4B、4C、4D为根据本公开文件的一些实施例所绘示操作于图3所示的像素电路的信号波形图；
图5为根据本公开文件的一些其他的实施例所绘示的像素电路的电路示意图；
图6A、6B为根据本公开文件的替代的实施例所绘示的像素电路的电路示意图；以及
图7为根据本公开文件的各种不同的实施例所绘示的像素电路的电路示意图。
具体实施方式
下文举实施例配合附图作详细说明，但所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请实施例，并不用来限定本申请实施例，而结构操作的描述非用以限制其执行的顺序，任何由元件重新组合的结构，所产生具有均等功效的装置，皆为本申请实施例公开内容所涵盖的范围。
关于本文中所使用的“耦接”或“连接”，均可指两个或多个元件相互直接作物理或电性接触，或是相互间接作物理或电性接触，亦可指两个或多个元件相互操作或动作。
参考图1。图1为根据本公开文件的一些实施例所绘示的一种感测显示系统的示意图。如图1所示，感测显示系统包含薄膜晶体管层10、超声波传感层20以及显示层30。超声波传感层20设置于薄膜晶体管层10之下，以及薄膜晶体管层10设置于显示层30之下。在一些实施例中，感测显示系统包含更多的层于显示层30与薄膜晶体管层10之间，其具有不同的功能，为了简化附图，图1中以虚线表示其中包含的多个层。
在一些实施例中，感测显示系统用以藉由交流信号感测显示层30上的接触物体。例如，藉由超声波信号UW感测与显示层30接触的手指纹路。
在一些实施例中，超声波传感层20用以产生超声波信号UW传输至显示层30。超声波信号UW被传输至显示层30后，在与显示层30接触的物体反射后传输回超声波传感层20。反射后的超声波信号UW具有与显示层30接触的物体的表面形状的信息。例如，与显示层30接触的物体具有高低不平的表面(像是指纹)，反射后的超声波信号UW依据表面的高低不同而有不同的反射强度。
在一些实施例中，超声波传感层20还用以接收反射回来的超声波信号UW，并依据接收的超声波信号UW产生交流信号AC。其中，交流信号AC的振幅随时间变化，并且具有最大峰值代表在所述振幅中最大的一个。
在一些实施例中，薄膜晶体管层10用以接收超声波传感层20产生的交流信号AC，并依据交流信号产生输出信号VR。在一些实施例中，显示层30用以依据薄膜晶体管层10产生的输出信号VR显示对应的图像。
上述感测显示系统的配置与功能仅为释例的用途。各种不同的感测显示系统的配置与功能均在本公开文件的考虑与范畴之内。
参考图2。图2为根据本公开文件的一些实施例所绘示的像素电路100的示意图。如图2所示，像素电路100包含读取单元120、补偿单元140以及整流单元160。在一些实施例中，像素电路100设置于感测显示系统中，且由感测显示系统中的薄膜晶体管层10的至少部分来组成。在一些实施例中，像素电路100用以接收上述超声波传感层20产生的交流信号AC，并依据交流信号产生输出信号VR。
如图2所示，读取单元120耦接补偿单元140，以及补偿单元140耦接整流单元160。在一些实施例中，像素电路100耦接压电材料200，其用以接收从压电材料200产生的交流信号。在一些实施例中，压电材料200用以产生超声波信号UW，以及接收反射回来的超声波信号UW，并依据接收的超声波信号UW产生交流信号AC。在一些实施例中，压电材料200设置于感测显示系统中，且由感测系统中的超声波传感层20的至少部分来组成。
在一些实施例中，整流单元160用以接收从压电材料200产生的交流信号AC，并依据交流信号AC产生第一电压VA。整流单元160还用以将第一电压传输至补偿单元140。在一些实施例中，第一电压VA代表交流信号中最大的峰值。
在一些实施例中，补偿单元140用以接收第一电压VA，并依据第一电压VA产生补偿电压VG。补偿单元140还用以将补偿电压VG传输至读取单元120。在一些实施例中，第一电压VA与补偿电压VG成正相关。
在一些实施例中，读取单元120用以接收补偿电压VG，并依据补偿电压VG输出输出信号VR。在一些实施例中，读取单元120还耦接读取线(未绘示)，并用以将输出信号VR通过读取线传输至数据处理单元(未绘示)，数据处理单元依据接收的输出信号VR使感测显示系统中的显示层30可显示对应于输出信号VR的图像。上述的读取线与数据处理单元的配置仅为释例的用途。各种不同的读取线与数据处理单元的配置均在本公开文件的考虑与范畴之内。例如，数据处理单元可配置于薄膜晶体管层10或未绘示于图1中的其他层。
参考图3。图3为根据本公开文件的一些实施例所绘示的像素电路100的电路示意图。如图3所示，像素电路100包含整流开关T1、整流开关T2、读取开关T3、补偿开关T4、补偿开关T5、读取开关T6、整流器D1以及补偿电容CST。在一些实施例中，整流开关T1、整流开关T2、读取开关T3、补偿开关T4、补偿开关T5与读取开关T6以P型薄膜晶体管实现，整流器D1以二极管实现。
在一些实施例中，读取单元120包含读取开关T3与读取开关T6，补偿单元140包含补偿开关T4、补偿开关T5与补偿电容CST，以及整流单元160包含整流开关T1、整流开关T2与整流器D1。
在一些实施例中，整流开关T1、整流开关T2、读取开关T3、补偿开关T4、补偿开关T5与读取开关T6均包含第一端、第二端与控制端，以及整流器D1与补偿电容CST包含第一端与第二端。
如图3所示，整流开关T1的第一端用以接收初始电压VINT，整流开关T1的第二端耦接整流器D1的第二端于节点B，以及整流开关T1的控制端耦接整流开关T2的控制端，并用以接收初始控制信号SINT。整流开关T2的第一端用以接收初始电压VINT，整流开关T2的第二端耦接整流器D1的第一端于节点A。在一些实施例中，节点A为整流单元160与补偿单元140耦接之处。
如图3所示，补偿电容CST的第一端耦接整流开关T2的第二端与整流器D1的第一端于节点A，补偿电容CST的第二端耦接补偿开关T4的第一端与补偿开关T5的第二端于节点G。补偿开关T4的控制端用以接收重置控制信号SRST，补偿开关T4的第二端用以接收重置电压VRST。补偿开关T5的控制端用以接收补偿控制信号SCOMP，补偿开关T5的第一端耦接读取开关T3的第二端与读取开关T6的第二端。补偿电容CST的第二端更耦接读取开关T3的控制端于节点G。在一些实施例中，节点G与补偿开关T5的第一端为补偿单元140与读取单元120耦接之处。
如图3所示，读取开关T3的第一端用以接收供应电压FVDD。读取开关T6的控制端用以接收读取控制信号SREAD，读取开关T6的第一端用以输出输出信号VR。
如图3所示，像素电路100于节点B之处与压电材料200耦接，压电材料200还用以接收偏压电压VBIAS。在一些实施例中，压电材料200藉由偏压电压VBIAS产生超声波信号UW，并用以接收反射的超声波信号UW以产生交流信号AC于节点B。
在一些实施例中，像素电路100于节点B接收交流信号AC，其中整流单元160用以将交流信号AC整流，并于节点A之处产生第一电压VA。
在一些实施例中，补偿单元140用以接收第一电压VA并于节点G之处产生补偿电压VG，补偿单元140还用以将补偿电压VG传输至读取单元120。
在一些实施例中，读取开关T3以薄膜晶体管实现。在制造薄膜晶体管的制程中会经过高温程序，薄膜晶体管中的非晶和/或多晶结构因为高温而具有不均匀的分布。因此，展现在晶体管的临界电压上造成晶圆区域上的变异。在一些实施例中，补偿单元140用以补偿读取单元120中读取开关T3的临界电压变异，使补偿电压VG随着读取开关T3的临界电压而变化。
在一些实施例中，读取单元120用以于节点G接收补偿电压VG，并将读取开关T3操作于晶体管特性的饱和区，使其依据补偿电压VG输出输出信号VR。
参考图4A～4D。图4A～4D为根据本公开文件的一些实施例所绘示操作于图3所示的像素电路100的信号波形图。如图4A～4D所示，操作于像素电路100的信号波形图包含四个工作时段P1、P2、P3、P4以及偏压电压VBIAS、初始控制信号SINT、重置控制信号SRST、补偿控制信号SCOMP、读取控制信号SREAD与节点B上的交流信号AC的波形。图4A～4D依序讨论工作时段P1～P4的操作。
参考图4A。图4A为像素电路100操作于工作时段P1的示意图。在一些实施例中，工作时段P1亦称为初始化阶段。在工作时段P1中，初始控制信号SINT与重置控制信号SRST具有逻辑低电位，补偿控制信号SCOMP与读取控制信号SREAD具有逻辑高电位。具有逻辑低电位的初始控制信号SINT与重置控制信号SRST将整流开关T1、整流开关T2与补偿开关T4开启。具有逻辑高电位的补偿控制信号SCOMP与读取控制信号SREAD将补偿开关T5与读取开关T6关闭。
如图4A所示，因为整流开关T1与整流开关T2的开启，节点A与节点B与初始电压VINT导通，因此节点A的电压VA与节点B上的电压VB被初始化至与初始电压VINT相同的电压。此外，因为电压VA与电压VB相同，因此整流器D1两端没有压差而关闭。
如图4A所示，因为补偿开关T4开启以及补偿开关T5关闭，节点G与重置电压VRST导通，因此节点G上的电压VG被初始化至与重置电压VRST相同的电压。在一些实施例中，初始电压VINT与重置电压VRST相同，因此补偿电容CST两端上的电压相同。亦即电压VA与电压VG的电压相同。
如图4A所示，因为读取开关T6关闭，因此没有输出信号VR被读取单元120输出。
如图4A所示，在工作时段P1中，偏压电压VBIAS具有突波波形，压电材料200接收偏压电压VBIAS而产生超声波信号UW，产生的超声波信号UW具有对应于偏压电压VBIAS的能量。
在工作时段P1中，像素电路100将节点A的电压VA与节点B上的电压VB初始化至初始电压VINT，以及将节点G上的电压VG初始化至重置电压VRST。压电材料200亦在工作时段P1中产生超声波信号UW。在一些实施例中，压电材料200不在工作时段P1产生超声波信号UW，压电材料200在工作时段P1之前产生超声波信号UW。亦即，产生超声波信号UW与初始化像素电路100为可分开的两个独立操作。
参考图4B。图4B为像素电路100操作于工作时段P2的示意图。在一些实施例中，工作时段P2亦称为补偿阶段。在工作时段P2中，初始控制信号SINT与补偿控制信号SCOMP具有逻辑低电位，重置控制信号SRST与读取控制信号SREAD具有逻辑高电位。具有逻辑低电位的初始控制信号SINT与补偿控制信号SCOMP将整流开关T1、整流开关T2与补偿开关T5开启。具有逻辑高电位的重置控制信号SRST与读取控制信号SREAD将补偿开关T4与读取开关T6关闭。
如图4B所示，整流单元160没有接收到从压电材料200来的交流信号AC，因此整流单元160在工作时段P2中保持与工作时段P1操作后的状态相同。
如图4B所示，因为读取开关T3与补偿开关T5开启以及补偿开关T4关闭，因此读取开关T3与补偿开关T5将供应电压FVDD导通至节点G上。此外，因为读取开关T3具有临界电压VTH3，因此补偿单元140使节点G上的电压VG具有大约为FVDD-|VTH3|的电压。电压VG接着被传输至读取开关T3的控制端。
如图4B所示，因为读取开关T6关闭，因此没有输出信号VR被读取单元120输出。
在工作时段P2中，补偿单元140将具有读取开关T3的临界电压的信息传输至节点G上，并将电压VG传输至读取开关T3的控制端。换言之，补偿单元140将具有临界电压VTH3的信息的电压VG补偿至读取单元120的读取开关T3。因此，读取开关T3的操作将依据具有本身临界电压VTH3的信息的电压VG来进行。
参考图4C。图4C为像素电路100操作于工作时段P3的示意图。在一些实施例中，工作时段P3亦称为超声波感测阶段。在工作时段P3中，压电材料200接收反射回来的超声波信号UW，并产生交流信号AC传输至节点B。压电材料200接收超声波信号UW的能量后产生震荡的交流信号AC，如图4C所示，节点B上在工作时段P3具有交流信号AC的波形。
在工作时段P3中，初始控制信号SINT、重置控制信号SRST、补偿控制信号SCOMP与读取控制信号SREAD具有逻辑高电位。具有逻辑高电位的初始控制信号SINT、重置控制信号SRST、补偿控制信号SCOMP与读取控制信号SREAD将整流开关T1、整流开关T2、补偿开关T4、补偿开关T5与读取开关T6关闭。
如图4C所示，因为整流开关T1与整流开关T2的关闭，在整流器D1两端的电压VA、电压VB与压电材料200产生的交流信号AC有关。节点B的电压VB受交流信号AC的影响上下震荡。整流器D1用以让电流从节点A流向节点B，而禁止电流从节点B流向节点A。换言之，当节点A的电压VA比节点B的电压VB高时，原本存在节点A上的电荷流向节点B，使得节点A的电压VA下降，且下降到与当时节点B的电压VB相同。因此，只有当节点B的电压VB下降时，节点A的电压VA才会跟着变化。综上所述，在工作时段P3中，整流器D1用以将交流信号AC的负值部分整流至节点A上的电压VA。更进一步地来说，因为当节点B的电压VB比节点A的电压VA低的时候，节点A的电压VA才会跟着改变，因此节点A的电压VA记录着交流信号负值部分中最低的峰值。
在工作时段P3中，因为补偿开关T4与补偿开关T5关闭，所以补偿电容CST的节点G的电压VG随着节点A的电压VA改变。举例来说，当节点A的电压VA随着节点B的电压VB下降而下降时，节点G的电压VG随着节点A的电压VA而下降。
在一些实施例中，如图4C所示，交流信号AC的最低峰值为-ΔV，因此在节点A的电压VA由大约VINT变化至大约VINT-ΔV，相应地，节点G的电压VG随之由大约FVDD-|VTH3|变化至大约FVDD-|VTH3|-ΔV。
如图4C所示，因为读取开关T6关闭，因此没有输出信号VR被读取单元120输出。
在工作时段P3中，整流单元160将压电材料200产生的交流信号AC整流，并将交流信号AC负值部分的峰值加载至节点A的电压VA上，接着，补偿单元140藉由感应节点A的电压VA变化，使节点G的电压VG随之改变，并将具有临界电压VTH3与交流信号的峰值信息的电压VG补偿至读取单元120的读取开关T3。因此，读取开关T3的操作将依据具有本身临界电压VTH3与交流信号的峰值信息的电压VG来进行。
参考图4D。图4D为像素电路100操作于工作时段P4的示意图。在一些实施例中，工作时段P4亦称为读取阶段。在工作时段P4中，初始控制信号SINT、重置控制信号SRST与补偿控制信号SCOMP具有逻辑高电位，读取控制信号SREAD具有逻辑低电位。具有逻辑高电位的初始控制信号SINT、重置控制信号SRST与补偿控制信号SCOMP将整流开关T1、整流开关T2、补偿开关T4与补偿开关T5关闭。具有逻辑低电位的读取控制信号SREAD将读取开关T6开启。
如图4D所示，压电材料200停止产生交流信号AC，以及整流开关T1、整流开关T2、补偿开关T4与补偿开关T5关闭，因此，节点A的电压VA与节点G的电压VG大体上没有变化。
如图4D所示，读取开关T6开启，读取单元120依据补偿信号VG产生输出信号VR。因为补偿单元140产生的补偿信号VG具有交流信号AC的峰值信息，因此读取开关T3依据具有交流信号AC的峰值信息的补偿信号VG操作，相应地，输出信号VR具有交流信号AC的峰值信息。
在一些实施例中，补偿信号VG具有大约为FVDD-|VTH3|-ΔV的电压，读取开关T3依据第一端与控制端的电压差以及读取开关T3本身的临界电压VTH3进行操作。更确切的来说，读取开关T3操作在晶体管特性的饱和区，读取开关T3依据饱和操作电压FVDD-VG-|VTH3|来操作，其中，将补偿信号VG以FVDD-|VTH3|-ΔV带入，饱和操作电压可得为ΔV。因此，依据晶体管特性的饱和区，读取开关T3导通的电流大体上与(ΔV)^2成正比。
在一些实施例中，补偿电压VG中具有读取开关T3临界电压VTH3的信息，使得读取开关T3导通的电流与本身的临界电压VTH3无关。换言之，在读取开关T3的操作中，补偿单元140用以补偿读取开关T3的临界电压，使读取开关T3的操作可独立于本身的临界电压VTH3。因此，当读取开关T3的临界电压VTH3因制程上而有变异时，补偿单元140可用以补偿此临界电压的变异。
参考图5。图5为根据本公开文件的一些其他的实施例所绘示的像素电路100的电路示意图。如图5所示，像素电路100包含读取单元120、补偿单元140以及整流单元160，其中读取单元120以及整流单元160与图2中的读取单元120以及整流单元160相同。
图5中的补偿单元140包含补偿开关T4、补偿开关T5与补偿电容CST。相较于图2，图5中的补偿开关T4的第一端耦接补偿开关T5的第一端、读取开关T3的第二端与读取开关T6的第二端，以及补偿单元T5的控制端用以接收初始控制信号SINT。在一些实施例中，上述的初始控制信号SINT与补偿控制信号SCOMP相同。在一些实施例中，图5中的像素电路100的操作与图2中的像素电路100的操作相同。
参考图6A、6B。图6A、6B为根据本公开文件的替代的实施例所绘示的像素电路100的电路示意图。如图6A、6B所示，像素电路100包含读取单元120、补偿单元140以及整流单元160，其中读取单元120以及补偿单元140与图2中的读取单元120以及补偿单元140相同。
图6A中的整流单元160包含整流开关T1、整流开关T2与整流器D1。相较于图2，图6A中的整流开关T2的第一端耦接于整流开关T1的第二端，换言之，整流开关T2的第一端与第二端跨接整流器D1。
图6B中的整流单元160包含整流开关T1、整流开关T2与整流器D1。相较于图2，图6B中的整流开关T1的第一端耦接于整流开关T2的第二端，换言之，整流开关T1的第一端与第二端跨接整流器D1。
一些实施例中，图6A、6B中的像素电路100的操作与图2中的像素电路100的操作相同。
参考图7。图7为根据本公开文件的各种不同的实施例所绘示的像素电路100的电路示意图。如图7所示，像素电路100包含读取单元120、补偿单元140以及整流单元160，其中读取单元120与图2中的读取单元120相同。
图7中的整流单元160包含整流开关T1、整流开关T2与整流器D1。在一些实施例中，相较于图2，整流开关T1的第一端用以接收初始电压VINT1，以及整流开关T2的第一端用以接收初始电压VINT2。
图7中的补偿单元140包含补偿单元T4、补偿单元T5与补偿电容CST。在一些实施例中，相较于图2，补偿单元T4的第二端用以接收初始电压VINT1。在另一些实施例中，补偿单元T4的第二端用以接收初始电压VINT2。在一些替代的实施例中，补偿单元T4的第二端用以接收重置电压VSRT。
在一些实施例中，上述的初始电压VINT1、初始电压VINT2、初始电压VINT与重置电压VSRT相互不同。在另一些实施例中，上述的初始电压VINT1、初始电压VINT2、初始电压VINT与重置电压VSRT相互相同。在各种不同的实施例中，上述的初始电压VINT1、初始电压VINT2、初始电压VINT与重置电压VSRT至少部分相同。例如，初始电压VINT1、初始电压VINT2与初始电压VINT相同，但与重置电压VSRT不同。又或例如，初始电压VINT1与初始电压VINT2不同，但初始电压VINT1与重置电压VSRT相同。
在一些实施例中，图7中的像素电路100的操作与图2中的像素电路100的操作相同。
上述的像素电路100的配置与操作仅为释例的用途。各种不同的像素电路100的配置与操作均在本公开文件的考虑与范畴之内。
虽然本申请的实施例已揭露如上，然其并非用以限定本申请实施例，任何熟习此技艺者，在不脱离本申请实施例的精神和范围内，当可做些许的更动与润饰，因此本申请实施例的保护范围当以后附的权利要求书所界定为准。
【符号说明】
10 显示层
20 薄膜晶体管层
30 超声波传感层
UW 超声波信号
100 像素电路
120 读取单元
140 补偿单元
160 整流单元
200 压电材料
AC 交流信号
T1 整流开关
T2 整流开关
T3 补偿开关
T4 补偿开关
T5 读取开关
T6 读取开关
D1 整流器
CST 补偿电容
A 节点
B 节点
G 节点
VBIAS 偏压电压
VINT 初始电压
VRST 重置电压
VR 输出信号
FVDD 供应电压
SINT 初始控制信号
SINT1 初始控制信号
SINT2 初始控制信号
SRST 重置控制信号
SCOMP 补偿控制信号
SREAD 读取控制信号
P1 工作时段
P2 工作时段
P3 工作时段
P4 工作时段

Claims (10)

1.一种像素电路，包含：
读取单元，包含第一读取开关；
补偿单元，用以补偿该第一读取开关的临界电压变异；以及
整流单元，用以整流交流信号，并产生与该交流信号的峰值有关的第一电压，
其中该补偿单元还用以依据该第一电压产生补偿电压，并将该补偿电压传输至该第一读取开关，以及该读取单元用以依据该补偿电压输出输出信号。
2.如权利要求1所述的像素电路，其中该读取单元还包含：
第二读取开关，包含第一端、第二端与控制端，其中该第一端用以输出该输出信号，以及该控制端用以接收读取控制信号，
其中该第一读取单元包含第一端、第二端与控制端，其中该第一端用以接收供应电压，该第二端耦接该第二读取开关的该第二端，以及该控制端用以接收该补偿电压。
3.如权利要求1所述的像素电路，其中该补偿单元包含：
补偿电容，包含第一端与第二端；
第一补偿开关，包含第一端、第二端与控制端，
其中该补偿电容的该第一端用以接收该第一电压，该补偿电容的该第二端耦接该第一补偿开关的该第二端，该第一补偿开关的该第一端耦接该读取单元，以及该控制端用以接收补偿控制信号，
其中该第一补偿开关用以补偿该第一读取开关的该临界电压变异，并用以产生该补偿电压。
4.如权利要求3所述的像素电路，其中该补偿单元还包含：
第二补偿开关，包含第一端、第二端与控制端，其中该第一端耦接该补偿电容的该第二端，该第二端用以接收重置电压，以及该控制端用以接收重置控制信号，
其中，该第二补偿开关用以依据该重置控制信号重置该补偿电容的该第二端，使该补偿电容的该第二端具有该重置电压。
5.如权利要求3所述的像素电路，其中该补偿单元还包含：
第二补偿开关，包含第一端、第二端与控制端，其中该第一端耦接该第一补偿开关的该第一端，该第二端用以接收重置电压，以及该控制端用以接收重置控制信号，
其中，该第二补偿开关用以，依据该重置控制信号，通过该第一补偿开关重置该补偿电容的该第二端，使该补偿电容的该第二端具有该重置电压。
6.如权利要求1所述的像素电路，其中该整流单元包含：
整流器，包含第一端与第二端；以及
多个整流开关，用以依据初始控制信号重置该整流器，使该整流器的该第一端与该第二端具有初始电压，
其中该整流器的该第一端耦接该补偿单元，该整流器的该第二端用以接收该交流信号。
7.如权利要求6所述的像素电路，其中所述整流开关包含：
第一整流开关，包含第一端、第二端与控制端；以及
第二整流开关，包含第一端、第二端与控制端，
其中该第一整流开关的该控制端与该第二整流开关的该控制端用以接收该初始控制信号，该第一整流开关的该第一端与该第二整流开关的该第一端用以接收该初始电压，该第一整流开关的该第二端耦接该整流器的该第二端，以及该第二整流开关的该第二端耦接该整流器的该第一端。
8.如权利要求6所述的像素电路，其中所述整流开关包含：
第一整流开关，包含第一端、第二端与控制端；以及
第二整流开关，包含第一端、第二端与控制端，
其中该第一整流开关的该控制端与该第二整流开关的该控制端用以接收该初始控制信号，该第一整流开关的该第一端用以接收该初始电压，该第一整流开关的该第二端耦接第二整流开关的该第一端，以及该第二整流开关的该第一端与该第二端跨接该整流器。
9.如权利要求1所述的像素电路，还包含：
压电材料，耦接该整流单元，用以接收超声波信号以产生该交流信号，以及该压电材料具有薄膜形状。
10.如权利要求1所述的像素电路，其中该第一读取开关为薄膜晶体管，用以产生该输出信号，
其中该输出信号不包含该临界电压变异的信息。
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