TWI446270B - 具雙時脈抽取單元之應答器電路 - Google Patents

Description

具雙時脈抽取單元之應答器電路

本發明關係於一種具有雙時脈抽取單元之應答器電路。該應答器電路包含一天線線圈連接至一調變整流區塊，以根據拾取射頻信號的交流磁場，供給整流電壓給該電路。該天線線圈的一端係連接至該雙時脈抽取單元，該抽取單元供給一時脈信號至一控制邏輯。此控制邏輯允許調變信號經由該天線線圈供給至該調變整流區塊，作該資料信號的傳輸出。

在被動應答器電路中使用雙時脈抽取器係可以由歐洲專利EP1301898得知。被動應答器電路包含：一天線，以自一接近之讀取，拾取一正弦電磁資料或控制信號。天線被連接至雙時脈抽取器及整流器，以產生穩定整流電壓，用以根據所拾取之電磁信號，供給至在該應答器電路的部分。應答器同時也包含一解調器、一邏輯控制電路及調變器。解調器被連接於該雙時脈抽取器及該邏輯電路間，而調變器係為邏輯電路所控制，用以經由天線傳輸資料信號。

專利EP1301898之應答器電路的第一低時脈抽取器係藉由兩信號反相器所形成，其中，切換臨限電壓接近1伏。只有當為天線所拾取之信號振幅高於1伏時，饋送至解調器之時脈信號係為第一時脈抽取器所產生，否則，時脈 信號被中繼。第二高時脈抽取器係為一PMOS輸入電晶體、一為該輸入電晶體所控制之極化反相器、一整流器及兩輸入電流源所構成。只有為天線所拾取之信號的振幅高於一高切換臨限時，饋送至該解調器之時脈信號係為此第二時脈抽取器所產生，該高切換臨限係高於該第一時脈抽取器的臨限。

當在一特定期間，讀取器中斷該正弦信號的傳輸時，為應答器電路之天線所接收之信號的振幅緩慢地降低。在第一低時脈抽取器之時脈信號前，第二高時脈抽取器之時脈信號中斷。因此，此具有雙位準之不同臨限之雙時脈抽取器只確保在讀取器之正弦信號的新傳輸前暫停很短的持續時間。然而，此具有雙時脈抽取器之應答器電路在磁場中斷後的資料或命令的解調之前，並未被提供以檢測為該讀取器所產生之信號的磁場中的中斷。再者，當調變器操作時，因為調變器在電磁信號接收時為不作動，所以，一時脈抽取器或另一時脈抽取器的時脈信號之選擇並未提供用於解調器。

對於各種低功率應用，被動應答器電路可以包含：一單一靈敏時脈抽取器，其需要接近100毫伏之靈敏度。當調變器的開關為導通或導通狀態ON時，即使為應答器電路之天線線圈所拾取之信號的最大振幅低於150毫伏，此靈敏時脈抽取器仍可以使用。

為了開始在為天線線圈所拾取之信號的交流磁場中所接收之資料的解調，為鄰近讀取器所產生之拾取信號的磁 場的中斷必須被首先檢出。然而，當調變器的開關於關閉狀態OFF時，配合有靈敏時脈抽取器之應答器電路通常並不能檢測此磁場中斷。在此關閉狀態OFF中，以讀取器的交流磁場的第一中斷，在線圈之電壓浮動係被看出，此電壓並未到達接地電位。此理由為調變器的電阻或多數電阻並未並聯於諧振電路的天線，如同開關在導通狀態ON一般。因此，因為整流器在低於一切換臨限時，即對應於反相器的電位，例如約0.6伏，所以並不會有一後向電壓洩漏朝向該天線線圈。

如果在線圈的電壓穩定，例如穩定於300毫伏，則有關於在拾取信號之磁場中斷的檢測，將取決於時抽取器的臨限。結果，因為時脈抽取器係由100毫伏靈敏，則如果在線圈之電壓穩定於300毫伏，則原理上，在拾取信號之磁場中斷的檢測並不能發生。

因此，本發明之主要目的為提供一具有雙時脈抽取器的應答器電路，其能檢測為天線線圈所拾取之信號的交流磁場的中斷，而無關於操作中之調變器的狀態，以修補上述之缺點。

為此目的，本發明關係於一具有雙時脈抽取單元之應答器電路，其包含申請專利範圍第1項所述之特徵。

具有雙時脈抽取單元之應答器電路的較佳實施例係界定於附屬項第2至9項之中。

應答器電路的優點為該雙時脈抽取單元之第一靈敏時脈抽取器係當調變器的調變信號於第一狀態時加以選擇，而當用於該調變器的調變信號於第二狀態時，第二反相器時脈抽取器被選擇。控制信號的第一高狀態允許調變器的開關被切換為導通，使用於一導通狀態ON，而控制信號的第二低狀態使得開關被置放於非導通狀態OFF。因此，調變器可以於接收為天線線圈所拾取之射頻信號的交流磁場時一直保持操作。

較佳地，第一靈敏時脈抽取器係被架構以具有一切換臨限，其係低於調變整流區塊的切換臨限，以整流該線圈的交流電壓。第一時脈抽取器的臨限可以約100毫伏。相反地，第二反相時脈抽取器係被架構以具有一切換臨限，其係高於或等於該調變整流區塊的臨限，例如約0.6伏。

較佳地，雙時脈抽取單元包含：一正反器，其係為在輸入之調變信號及一組合信號所控制，該組合信號組合該調變信號與該第二時脈抽取器的時脈信號；及一為該選擇信號所控制之多工器，該選擇信號係為該正反器所供給。多工器接收該第一與第二時脈抽取器的第一與第二時脈信號作為輸入，並取決於該選擇信號的狀態，供給一輸出時脈信號。因為該正反器與多工器的邏輯元件的配置，所以，特別當調變信號由高狀態轉移至低狀態時，為該雙時脈抽取單元所供給作為輸出之時脈信號的脈衝沒有損失。因此，即使調變信號移動至低狀態，並直到該單元的輸入電壓位準高於或等於該第二反相時脈抽取器的臨限時，該第 一時脈抽取器的時脈信號仍保持被選擇為該雙時脈抽取器的輸出。相反地，調變信號由低狀態轉移至高狀態時並未造成由該雙抽取單元輸出之時脈信號的脈衝的任何損失。

較佳地，一單反器被安排於該雙時脈抽取單元及該控制邏輯之間，以完成來自該雙時脈抽取單元之下降緣，在一預定時間段後，供給該磁場中斷的檢測信號。此單反器能無關於操作中之調變器的調變信號的狀態，而檢測場中斷。

具有雙時脈抽取單元之應答器電路的目標、優點及特性將由以下附圖所示之至少一非限定實施例的詳細說明而變得更清楚。

在以下之應答器電路的所有元件的說明中，這些元件係為熟習於本技術領域者所知，並只以簡單方式加以概述。此應答器電路較佳係為被動式並被架構以接收及傳送範圍100至150kHz的低頻射頻信號。

圖1顯示例如可以操作於約125kHz頻率的依據本發明之被動低功率應答器電路1的基本元件。首先，此應答器電路1包含如下述參考圖2之經由兩端B1、B2連接至調變整流區塊2之天線線圈10。此整流區塊2依據為天線線圈所拾取之射頻信號的足夠振幅交流磁場，供給整流供給電壓V_DD ，以供電應答器電路的元件。

為天線線圈所拾取之射頻信號可以來自相當靠近應答 器電路1的讀取器，例如在應答器電路旁的幾米區域內。通常，為讀取器所發射之射頻信號首先為一詢問信號，以檢測是否有鄰近應答器電路，其能回應於該詢問信號。一旦在該讀取器與該應答器電路間建立通訊，則讀取器可以以預定載頻，主要以調幅方式，傳送於射頻信號中之資料及/或命令。

應答器電路1同時也包含：一雙時脈抽取單元3，其將參考圖3作更詳細解釋，該抽取單元3係連接於天線線圈10的至少一端B1；一控制邏輯6係為該雙時脈抽取單元所供給之時脈信號CLK所計時；及一通電控制區塊POR5，以確保控制邏輯6的電壓調節與適當啟始。該控制邏輯6供給調變信號MOD至該調變整流區塊2，用以經由天線線圈傳輸射頻資料信號，也至該雙時脈抽取單元，用以選擇一時脈抽取器或另一時脈抽取器。當調變信號MOD在第一高狀態被界定為ON時，該雙時脈抽取單元3的靈敏時脈抽取器的時脈信號係為該調變信號所選擇。當調變信號MOD在第二低狀態，被界定為OFF時，第二反相時脈抽取器的時脈信號被選擇。

單反器(mono-flop)4也被提供以接收該雙時脈抽取單元3的時脈信號CLK並在該時脈信號中斷後，供給射頻信號的中斷信號T_OUT 給該控制邏輯。該中斷信號T_OUT 使得控制邏輯檢測在磁場中斷後，予以被接收之射頻信號中所傳輸之資料及/或命令開始的瞬間。因為調變信號MOS的狀態變化，所以，此單反器的反應時間係大於天線線圈 之位準的交流電壓的振幅轉移時間。以此方式，只有當時脈信號信號至少此單反器4之反應時間，中斷信號T_OUT 才會被產生以通知控制邏輯6。

低功率被動應答器電路1可以被架構成為類似於由瑞士之EM微電子馬林公司所販售之應答器電路結構，該品名為EM4205或EM4305"512位元讀/寫無接觸識別裝置”。因此，其也包含一解調器及一記憶體，特別是EEPROM類型，但其於圖1並未示出。

圖2顯示調變整流區塊2之不同元件。一電容Cr被並聯連接於天線線圈10的兩端B1及B2間，以與該線圈一起形成諧振電路。天線線圈10的電感L及電容Cr的電容值係被選擇成為予以拾取之射頻信號的載頻的函數。

用以將為拾取射頻信號的交流磁場所啟動的諧振電路的交流電壓轉換為整流供給電壓V_DD 的整流部係為熟習於本技藝領域所知。其由一全波整流器所構成。

因此，此整流部包含：一第一NMOS電晶體T1及第二NMOS電晶體T2，此兩電晶體串聯連接於諧振電路的兩端B1及B2間；一二極體D1；一二極體D2及一電容Cs，用以儲存整流電壓V_DD 。第一電晶體T1的汲極端係連接至諧振電路的端B1。電晶體T1的閘極端係連接至該諧振電路的端B2，及電晶體T1的源極端係連接至電晶體T2的汲極端。電晶體T2的閘極端係連接至該諧振電路的端B1及電晶體T2的源極端係連接至諧振電路的端B2。電容Cs的地端GND係連接至第一與第二電晶體T1及T2 間之連接節點。二極體D1的陽極係連接至端B1。二極體D2的陽極係連接至端B2。最後，二極體D1及D2之陰極係連接至電容Cs之端，隨後供給整流電壓V_DD 。因為沒有天線線圈之應答器電路係被架構在一積體電路中，例如使用CMOS技術，並聯於第二電晶體T2之示於圖2之虛線中之寄生二極體D_p 的影像必須列入考量。

為了在電容Cs之端子取得整流電壓V_DD ，諧振電路的交流電壓的振幅必須高於整流器的臨限，其對應於傳統反相器的臨限，即，每一NMOS電晶體的導通臨限。此臨限電壓可以約0.6伏。

調變整流區塊也包含：一調變部，其包含至少為一調變信號MOD所控制之至少一開關及一並聯連接至該諧振電路的電阻。此調變部較佳包含：兩開關，其係由兩NMOS電晶體T3及T4所形成；及兩電阻R1及R2，其可以具有相同值。電晶體T3的源極端及電晶體T4的汲極端係連接至地端GND。電阻R1係連接於諧振電路的端B1與電晶體T3的汲極端間，而電阻R2係連接於諧振電路的端B2與電晶體T4的源極端間。兩電晶體T3及T4之閘極係為調變信號MOD所控制。

當調變信號MOD於定義為ON之高狀態時，電壓值相對於地端係高於各個電晶體T3及T4的臨限電壓，各個電晶體T3及T4變成導通。因此，兩電阻R1及R2被並聯排於諧振電路。於此狀態，諧振電路的交流電壓的振幅係顯著地為並聯排列之電阻所降低。取決於電阻的選定電 阻值，振幅可能降低例如至約150毫伏的交流電壓值，這係遠低於整流器的臨限值。然而，當調變信號MOD為定義為OFF之低狀態時，其電壓值低於各個電晶體T3及T4之臨限電壓，兩電晶體係於非導通狀態。諧振電路的交流電壓振幅取決於所拾取射頻信號的振幅而保持在最高位準。

以定義高狀態ON的調變信號MOD的脈衝時間配置，雖然在各脈衝間之間隔界定低狀態OFF，仍有可能經由天線線圈以調幅方式傳送資料。因此，調變器只有於來自靠近讀取器之預定載頻的射頻信號持續接收時一直保持操作。本發明之應答器電路的調幅可以為”深調幅”。

以稱為”淺調變”之應答器電路的調變器的低振幅調變，諧振電路的交流電壓振幅大致不會低於反相器的臨限。於此時，可以使用利用單一反相時脈抽取器的傳統應答器電路。

可以由參考圖4的圖表了解，當調變信號由狀態ON轉移至狀態OFF時，諧振電路的交流電壓之振幅，由低位準轉移至高位準的時間係長於當調變信號的狀態由狀態OFF轉移至狀態ON時，諧振電路的交流電壓之振幅，由高位準轉移至低位準的時間。參考圖3所述之雙時脈抽取單元係被架構以將此轉移時間列入考量，以一直保持同步，而不會有供給為該單元的輸出之時脈信號脈衝的任何損失。

圖3之雙時脈抽取單元包含：一第一靈敏時脈抽取器 32、一第二反相時脈抽取器31、33、一RS正反器36、邏輯單元34、35及一多工器37，以供給時脈抽取器之一的時脈信號CLK成為調變信號MOD的狀態的函數。

第一靈敏時脈抽取器由一電壓比較器32構成。該電壓比較器32經由端B1在正輸入自天線線圈接收交流電壓並在負輸入接收約100毫伏的低參考電壓，以界定該靈敏時脈抽取器的低臨限。由相同於天線線圈之交流電壓的頻率之連串脈衝所構成之時脈信號CLK_ON係被供給作為來自電壓比較器32的輸出。當然，有必要天線線圈的交流電壓信號的最大電壓係超出低臨限，以產生一連串之時脈信號CLK_ON。

第二反相時脈抽取器基本上係由一第一反相器31所構成，其隨後有一第二反相器33，以供給時脈信號CLK_OFF作為輸出。時脈信號CLK_OFF係由一連串的頻率與為終端B1所接收之天線線圈的交流電壓的頻率的脈衝。只要天線線圈的交流電壓信號的最大電壓超出反相器的高臨限，其約0.6伏時，該時脈信號的串連脈衝也被產生。此高臨限可以對應於HVNMOS電晶體的臨限。傳統上，第一反相器31可以包含一PMOS電晶體及一NMOS電晶體，彼此串聯連接於整流供給電壓及地端之間。PMOS電晶體可以為小通道型，而NMOS電晶體可以為大通道型，以形成一不平衡反相器。這兩電晶體的連接閘極係為天線線圈的交流電壓所控制，而兩電晶體的連接節點供給一時脈信號，其係為第二反相器33所反相，以供給 時脈信號CLK_OFF。

雙時脈抽取單元的RS正反器36係為調變信號MOD所控制於輸入S(Select)及為組合調變信號MOD與第二時脈抽取器的時脈信號CLK_OFF的信號所控制於重置輸入R(Reset)。信號的組合係為AND邏輯單元35所取得，該單元接收為反相器34所反相的調變信號及時脈信號CLK_OFF，以供給組合之信號至RS正反器的輸入R(Reset)。這避免在正反器的輸入S及R處，同時被定義為二進制"1"，以在正反器的輸入S及R產生不想要之狀態作為該正反器的輸出Q。

作為RS正反器36的輸出之選擇信號SEL係被供給至多工器37，其接收兩時脈抽取器的兩時脈信號CLK_ON及CLK_OFF作為輸入。由於選擇信號SEL的狀態函數，時脈抽取器之一的時脈信號係被供給為來自多工器的輸出。多工器37的輸出時脈信號CLK允許在應答器電路之控制邏輯被計時及被供給至單反器，用以檢測為天線線圈所拾取之磁場中之中斷。

因為邏輯元件34、35與正反器36的配置，所以，在調變信號MOD由高狀態ON轉換至低狀態OFF時，所看到之輸出時脈信號CLK的脈衝無捐失。時脈信號的良好同步性係無關於調變信號MOD的狀態加以維持。即使調變信號MOD移動至低狀態並且直到第二時脈抽取器的輸入之電壓位準高於或等於第二反相時脈抽取器高反相臨限，第一時脈抽取器之時脈信號CLK_ON保持被選擇為多工 器的輸出。然而，調變信號由低狀態轉移至高狀態並不會造成雙時脈抽取單元之輸出時脈信號的脈衝損失。

當第二時脈抽取器係被選擇以供給時脈信號CLK時，在磁場中之中斷檢測係較第一時脈抽取器被選擇時為快完成。

圖4顯示有關於雙時脈抽取單元中之時間所繪之不同電壓信號，並可以稱為一時脈抽取器或另一時脈抽取器的選擇的較佳代表，而不會損失時脈信號CLK脈衝。

圖4顯示具有頻率接近125kHz之天線線圈之端B1的交流電壓VB1。當調變信號MOD在為OFF所界定之低狀態時，此在端子B1出現的交流電壓已經被表示接近1.8伏之最大振幅。在天線線圈之端子B1出現的交流電壓之最大振幅的形式只有出現在天線線圈之兩端間之總交流電壓的交流的一半。這是由於調變整流區塊操作的原因，這允許在天線線圈端之交流電壓被整流，假定此電壓之振幅係超出整流器的臨限，即相當於反相器臨限V_TH 。

然而，例如當調變信號MOD由為OFF所界定之低狀態轉移至為ON所界定之高狀態時，交流電壓VB1之振幅係被顯著降低並快速接近150毫伏的值。於此時，在天線線圈之端B1的交流電壓信號係為正弦波形，對中於地端。然而，當調變信號MOD由狀態ON轉移至狀態OFF時，在天線線圈的端子上，有需要幾個交流電壓週期以回到最大振幅，如同可以由電壓VB1之圖看出。這主要是由於應答器電路的天線線圈之品質因數。

即使調變信號MOD已經由狀態ON移動至狀態OFF，仍有必要等待交流電壓之振幅位準以到達第二時脈抽取器的反相器臨限V_TH 。一旦交流電壓之振幅足夠，則第二反相器時脈抽取器係能再一次供給時脈信號CLK_OFF。當選擇信號SEL高狀態移動至低狀態時，在時脈信號CLK_OFF自雙抽取單元的多工器輸出前，有約0.02毫秒之時間段ΔT必須被觀察。此時間段ΔT中，第一時脈抽取器仍操作以供給雙時脈抽取單元之輸出時脈信號，如圖4中之時脈信號CLK所示。相反地，選擇信號SEL由低狀態至高狀態的轉換發生很快，如同於調變信號MOD由低狀態轉移至高狀態般。

因為依據本發明之雙時脈抽取單元的配置，所以，只要調變器的調變信號的狀態仍操作，則在雙時脈抽取單元之輸出所看到之時脈信號CLK之脈衝不會損失。結果，即使調變器仍在操作中，本發明之應答器電路可以一直保持同步，使得當調變信號為高狀態或低狀態時，為天線線圈所拾取之磁場可以被檢出。

根據上述說明，具有雙時脈抽取器之應答器電路的各變化例可以為熟習於本技藝者在不脫離本發明隨附申請專利範圍所界定之架構下加以設計。應答器電路可以架構為主動式而不是被動式。應注意的是，應答器電路可以被設計以拾取HF、VHF或UHF頻率之信號。

1‧‧‧應答器電路

2‧‧‧調變整流區塊

3‧‧‧雙時脈抽取器

4‧‧‧單反器

5‧‧‧通電控制區塊

6‧‧‧控制邏輯

10‧‧‧天線線圈

L‧‧‧電感

Cr，Cs‧‧‧電容

T1-T4‧‧‧NMOS電晶體

D1，D2‧‧‧二極體

R1，R2‧‧‧電阻

Dp‧‧‧寄生二極體

31‧‧‧反相時脈抽取器

32‧‧‧靈敏時脈抽取器

33‧‧‧反相時脈抽取器

34‧‧‧邏輯元件

35‧‧‧邏輯元件

36‧‧‧RS正反器

37‧‧‧多工器

圖1為依據本發明之低功率應答器電路的簡化方塊圖；圖2顯示依據本發明連接至該應答器電路的天線線圈的調變整流區塊；圖3顯示依據本發明之應答器電路的雙時脈抽取單元的不同元件的簡單代表圖；及圖4顯示該雙時脈抽取單元的不同信號成為依據本發明應答器電路的調變器的開關狀態的函數。

31‧‧‧反相時脈抽取器

32‧‧‧靈敏時脈抽取器

33‧‧‧反相時脈抽取器

34‧‧‧邏輯元件

35‧‧‧邏輯元件

36‧‧‧RS正反器

37‧‧‧多工器

Claims (8)

1. 一種具雙時脈抽取單元之應答器電路，該應答器電路包含：一天線線圈，連接至一調變整流區塊，以根據為該天線線圈所拾取之預定頻率與足夠振幅之射頻信號，供給一整流供給電壓，其中該天線線圈之一端係連接至該雙時脈抽取單元；及一控制邏輯，接收該雙時脈抽取單元的時脈信號並供給一調變信號至該調變整流區塊，其中該雙時脈抽取單元包含一第一靈敏時脈抽取器及一第二反相時脈抽取器，及其中該調變信號被供給至該雙時脈抽取單元，以當該調變信號於第一狀態時，選擇為該第一時脈抽取器所產生之該時脈信號，或當該調變信號於第二狀態時，選擇為該第二時脈抽取器所產生之該時脈信號，其中其更包含一單反器，接收該雙時脈抽取單元的時脈信號並在該時脈信號中斷後，供給該射頻信號的中斷信號至該控制邏輯。
2. 如申請專利範圍第1項所述之應答器電路，其中該第一靈敏時脈抽取器具有一低切換臨限值，低於該調變整流區塊的切換臨限值，以整流該天線線圈之該交流電壓，及其中該第二反相時脈抽取器具有高切換臨限值，等於或高於該調變整流區塊的該臨限值。
3. 如申請專利範圍第2項所述之應答器電路，其中該第一靈敏時脈抽取器包含一比較器，其正輸入係連接至該天線線圈之兩端之一及一負輸入係以具有較該調變整流區塊的例如約100毫伏之該臨限電壓為低之一值的參考電壓 加偏壓，其中該比較器的該輸出供給該第一時脈抽取器的該時脈信號，及其中該第二反相時脈抽取器包含至少一第一反相器，連接至該天線線圈之與該第一時脈抽取器相同端作為輸入。
4. 如申請專利範圍第3項所述之應答器電路，其中該第二反相時脈抽取器包含一第二反相器，連接作為該第一反相器的輸出，以供給該時脈信號作為該第二時脈抽取器的輸出。
5. 如申請專利範圍第1項所述之應答器電路，其中該雙時脈抽取單元包含一多工器，用以接收該第一靈敏時脈抽取器的該時脈信號及該第二反相時脈抽取器的該時脈信號作為輸入，並供給該第一與第二時脈抽取器的該等時脈信號之一時脈信號作為輸出，該時脈信號係取決於該調變信號的該狀態為一選擇信號所選擇。
6. 如申請專利範圍第5項所述之應答器電路，其中該雙時脈抽取單元包含一RS型正反器，其第一輸入接收該調變信號及第二輸入接收為一AND型元件所供給之組合信號，該AND型元件接收該第二反相時脈抽取器的該時脈信號及該調變信號的反相信號作為輸入，其中，該正反器供給該選擇信號作為輸出，以控制該多工器，及其中當該調變信號係於第二低狀態，並具有操作中之第二時脈抽取器所產生之一時脈信號時，該多工器供給該第二時脈抽取器的該時脈信號作為輸出，其中，當該調變信號於一第一高狀態時，該多工器供給該第一時脈抽取器的該時脈信 號作為輸出。
7. 如申請專利範圍第1項所述之應答器電路，其中該調變整流區塊的一調變部包含至少一開關，串聯連接至至少一電阻，其中該具有該電阻之開關係被安排並聯於該天線線圈，及其中當該調變信號為第一高狀態時，該開關係可為該調變信號所控制為導通並安排該電阻以直接並聯該天線線圈，以降低為該天線線圈所拾取之該信號的該交流電壓的該振幅，及當該調變信號為第二低狀態時，該開關係可為該調變信號所控制為非導通。
8. 如申請專利範圍第7項所述之應答器電路，其中該調變部包含兩開關及兩電阻，其中為MOS電晶體的第一開關係串聯連接至第一電阻並予以安排在被定義為該調變整流區塊輸出之地端與該天線線圈之第一端之間，其中為MOS電晶體的第二開關係串聯連接至第二電阻並予以安排在該地端與該天線線圈之第二端間，及其中各個MOS電晶體的閘極係直接為該調變信號所控制。