CN111362563B - 玻璃窑炉的监测装置和方法 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种玻璃窑炉的监测装置和方法，该装置包括：氧化锡电极、监测器和电源，氧化锡电极包括至少两对氧化锡电极砖，每对氧化锡电极砖在玻璃窑炉的窑炉池底两侧的池壁上按照预设的距离间隔依次排列，每对氧化锡电极砖包括分别设置在池壁上的两个氧化锡电极砖，每对氧化锡电极砖的一端位于玻璃窑炉内侧，位于外侧的一端分别连接电源和监测器，电源用于对氧化锡电极砖进行恒流供电，氧化锡电极用于对玻璃窑炉内部的生料进行加热，监测器用于获取每个氧化锡电极砖的电压，并根据每个氧化锡电极砖的电压，确定生料的状态。本公开在避免引入杂质的同时，能够通过电极砖电压的实时变化来确定玻璃窑炉内部生料的状态，提高了监测的准确度。

Description

玻璃窑炉的监测装置和方法

技术领域

本公开涉及玻璃制造领域，具体地，涉及一种玻璃窑炉的监测装置和方法。

背景技术

在生产玻璃基板的过程中，需要通过电极熔化生料来获取制造玻璃基板所需的玻璃液。玻璃液的成分均匀是制造符合标准的玻璃基板的必要条件。生料在玻璃窑炉内部分布是否均匀，决定了玻璃液质量的好坏，从而影响了玻璃基板的良品率，因此需要实时监测玻璃窑炉内部的生料的状态。通常情况下，使用铂金电极对生料进行加热，并通过热电偶监测玻璃液的温度。通过热电偶对玻璃窑炉内的玻璃液进行测温，每个热电偶只能监测某一点的温度，无法对玻璃窑炉内每个区域的玻璃液温度进行监测，外界环境的压力、温度、湿度等的变化，也将对热电偶的监测结果产生影响，从而导致无法准确监测玻璃窑炉内部生料的状态。并且长时间使用铂金电极加热，电极中的铂金可能会熔解到玻璃液中，容易导致制造的玻璃基板存在缺陷，降低玻璃基板的良品率。

发明内容

本公开的目的是提供一种玻璃窑炉的监测装置和方法，用于解决现有技术中存在的难以准确获得生料状态的问题。

为了实现上述目的，根据本公开实施例的第一方面，提供一种玻璃窑炉的监测装置，应用于玻璃窑炉，所述监测装置包括：氧化锡电极、监测器和电源；

所述氧化锡电极包括至少两对氧化锡电极砖，每对所述氧化锡电极砖在所述玻璃窑炉的窑炉池底两侧的池壁上按照预设的距离间隔依次排列，每对所述氧化锡电极砖包括，分别设置在所述池壁上的两个氧化锡电极砖，每对所述氧化锡电极砖的一端位于所述玻璃窑炉内侧，每对所述氧化锡电极砖位于所述玻璃窑炉外侧的一端分别与所述电源连接和所述监测器连接；

所述电源，用于对所述氧化锡电极砖进行恒流供电；

所述氧化锡电极，用于对所述玻璃窑炉内部的生料进行加热，所述生料为用于制造玻璃基板的原材料；

所述监测器，用于获取每个所述氧化锡电极砖的电压；

所述监测器，还用于根据每个所述氧化锡电极砖的电压，确定所述生料的状态。

可选地，根据每对所述氧化锡电极砖与所述玻璃窑炉的加料口的距离大小，将至少两对所述氧化锡电极砖分为，靠近所述加料口的近端氧化锡电极砖，和远离所述加料口的远端氧化锡电极砖；

所述监测器用于：若所述近端氧化锡电极砖的电压降低，且所述远端氧化锡电极砖的电压升高，确定所述生料的状态为所述生料由加料口向所述玻璃窑炉的出料口移动；

若所述近端氧化锡电极砖的电压不变或升高，且所述远端氧化锡电极砖的电压降低，确定所述生料的状态为所述生料的成分发生变化，或者所述生料在所述玻璃窑炉中第一方向上分布不均匀，所述第一方向为所述加料口与所述出料口连线的方向。

可选地，将至少两对所述氧化锡电极砖分为，位于所述窑炉池底第一侧的池壁上的第一氧化锡电极砖，和位于所述窑炉池底第二侧的池壁上的第二氧化锡电极砖；

若所述第一氧化锡电极砖的电压的变化趋势与所述第二氧化锡电极砖的电压的变化趋势不相同，确定所述生料状态为所述生料在所述玻璃窑炉中第二方向上分布不均匀，所述第二方向为从所述窑炉池底第一侧指向所述窑炉池底第二侧的方向。

可选地，所述监测器还用于：

根据每个所述氧化锡电极砖的电压，确定任意两对相邻的所述氧化锡电极砖之间的玻璃液的电阻率；

根据任意两对相邻的所述氧化锡电极砖之间的玻璃液的电阻率，确定所述生料的状态。

可选地，所述装置还包括：调功器，每对所述氧化锡电极砖位于所述玻璃窑炉外侧的一端通过一个所述调功器与所述电源连接；

所述监测器，还用于根据所述生料的状态，确定所述生料的状态对应的调整策略；

所述调功器，用于根据预设的功率阈值和所述调整策略，控制每对所述氧化锡电极砖的电压，以调整任意两对相邻的所述氧化锡电极砖之间的玻璃液的温度。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种玻璃窑炉的监测方法，应用于玻璃窑炉的监测装置，所述装置包括：氧化锡电极、监测器和电源；

所述氧化锡电极包括至少两对氧化锡电极砖，每对所述氧化锡电极砖在所述玻璃窑炉的窑炉池底两侧的池壁上按照预设的距离间隔依次排列，每对所述氧化锡电极砖包括，分别设置在所述池壁上的两个氧化锡电极砖，每对所述氧化锡电极砖的一端位于所述玻璃窑炉内侧，每对所述氧化锡电极砖位于所述玻璃窑炉外侧的一端分别与所述电源连接和所述监测器连接；

通过所述电源，对所述氧化锡电极砖进行恒流供电；

通过所述氧化锡电极，对所述玻璃窑炉内部的生料进行加热，所述生料为用于制造玻璃基板的原材料；

通过所述监测器，获取每个所述氧化锡电极砖的电压；

通过所述监测器，根据每个所述氧化锡电极砖的电压，确定所述生料的状态。

可选地，根据每对所述氧化锡电极砖与所述玻璃窑炉的加料口的距离大小，将至少两对所述氧化锡电极砖分为，靠近所述加料口的近端氧化锡电极砖，和远离所述加料口的远端氧化锡电极砖；

所述通过所述监测器，根据每个所述氧化锡电极砖的电压，确定所述生料的状态，包括：

通过所述监测器，若所述近端氧化锡电极砖的电压降低，且所述远端氧化锡电极砖的电压升高，确定所述生料的状态为所述生料由加料口向所述玻璃窑炉的出料口移动；

通过所述监测器，若所述近端氧化锡电极砖的电压不变或升高，且所述远端氧化锡电极砖的电压降低，确定所述生料的状态为所述生料的成分发生变化，或者所述生料在所述玻璃窑炉中第一方向上分布不均匀，所述第一方向为所述加料口与所述出料口连线的方向。

可选地，将至少两对所述氧化锡电极砖分为，位于所述窑炉池底第一侧的池壁上的第一氧化锡电极砖，和位于所述窑炉池底第二侧的池壁上的第二氧化锡电极砖；

所述通过所述监测器，根据每个所述氧化锡电极砖的电压，确定所述生料的状态，包括：

通过所述监测器，若所述第一氧化锡电极砖的电压的变化趋势与所述第二氧化锡电极砖的电压的变化趋势不相同，确定所述生料状态为所述生料在所述玻璃窑炉中第二方向上分布不均匀，所述第二方向为从所述窑炉池底第一侧指向所述窑炉池底第二侧的方向。

可选地，所述方法还包括：

通过所述监测器，根据每个所述氧化锡电极砖的电压，确定任意两对相邻的所述氧化锡电极砖之间的玻璃液的电阻率；

通过所述监测器，根据任意两对相邻的所述氧化锡电极砖之间的玻璃液的电阻率，确定所述生料的状态。

可选地，所述装置还包括：调功器，每对所述氧化锡电极砖位于所述玻璃窑炉外侧的一端通过一个所述调功器与所述电源连接；

在所述通过所述监测器，根据每个所述氧化锡电极砖的电压，确定所述生料的状态之后，所述方法还包括：

通过所述监测器，根据所述生料的状态，确定所述生料的状态对应的调整策略；

通过所述调功器，根据预设的功率阈值和所述调整策略，控制每对所述氧化锡电极砖的电压，以调整任意两对相邻的所述氧化锡电极砖之间的玻璃液的温度。

通过上述技术方案，本公开中的玻璃窑炉的监测装置包括：氧化锡电极、监测器和电源，氧化锡电极包括至少两对氧化锡电极砖，每对氧化锡电极砖在玻璃窑炉的窑炉池底两侧的池壁上按照预设的距离间隔依次排列，每对氧化锡电极砖包括分别设置在两侧池壁上的两个氧化锡电极砖，每对氧化锡电极砖的一端位于玻璃窑炉内侧，每对氧化锡电极砖位于玻璃窑炉外侧的一端分别连接电源和监测器。其中，电源用于对氧化锡电极砖进行恒流供电，氧化锡电极用于对玻璃窑炉内部的生料进行加热，生料为用于制造玻璃基板的原材料，监测器用于获取每个氧化锡电极砖的电压，并根据每个氧化锡电极砖的电压，确定生料的状态。本公开在避免引入杂质的同时，能够通过电极砖电压的实时变化来确定玻璃窑炉内部生料的状态，提高了监测的准确度。

本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：

图1是根据一示例性实施例示出的一种玻璃窑炉的结构图；

图2是根据一示例性实施例示出的一种玻璃窑炉的监测装置的框图；

图3是根据一示例性实施例示出的另一种玻璃窑炉的监测装置的框图；

图4是根据一示例性实施例示出的另一种玻璃窑炉的监测装置的框图；

图5是根据一示例性实施例示出的一种玻璃窑炉的监测方法的流程图；

图6是根据一示例性实施例示出的另一种玻璃窑炉的监测方法的流程图；

图7是根据一示例性实施例示出的另一种玻璃窑炉的监测方法的流程图；

图8是根据一示例性实施例示出的另一种玻璃窑炉的监测方法的流程图。

附图标记说明

监测器102 电源103

氧化锡电极砖104 调功器105

玻璃窑炉300 加料口301

出料口302 窑炉池底303

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在介绍本公开提供的玻璃窑炉的监测装置和方法之前，首先对本公开各个实施例所涉及的应用场景进行介绍。该应用场景可以是用于制造玻璃基板的玻璃窑炉300，在玻璃窑炉300一侧的顶部设置有加料口301，通过加料口301向玻璃窑炉300的窑炉池底303添加生料。在玻璃窑炉300另一侧的窑炉池底303设置有出料口302，生料经电极加热为玻璃液后，通过出料口302流出，以完成后续的加工工序。设置在窑炉池底303的全部电极位于加料口301与出料口302之间。玻璃窑炉300的具体结构例如可以如图1所示。

图2是根据一示例性实施例示出的一种玻璃窑炉的监测装置的框图，如图2所示，该装置100应用于玻璃窑炉300，包括：氧化锡电极、监测器102和电源103。

氧化锡电极包括至少两对氧化锡电极砖104，每对氧化锡电极砖104在玻璃窑炉300的窑炉池底303两侧的池壁上按照预设的距离间隔依次排列，每对氧化锡电极砖104包括，分别设置在池壁上的两个氧化锡电极砖104，每对氧化锡电极砖104的一端位于玻璃窑炉300内侧，每对氧化锡电极砖104位于玻璃窑炉300外侧的一端分别与电源103连接和监测器102连接。

电源103，用于对氧化锡电极砖104进行恒流供电。

举例来说，为了提高玻璃基板的良品率，可以通过设置在窑炉池底303的至少两对氧化锡电极砖104，来对窑炉池底303的生料进行加热。其中，每对氧化锡电极砖104都设置在窑炉池底303两侧的池壁上，并按照预设的距离间隔依次排列，每对氧化锡电极砖104包括分别设置在两侧池壁上的两个氧化锡电极砖104。例如，窑炉池底303设置有两对氧化锡电极砖104，一对氧化锡电极砖104中的两个氧化锡电极砖104分别为A₁、B₁，另一对化锡电极砖104中的两个氧化锡电极砖104分别为A₂、B₂，那么可以将A₁、A₂设置在窑炉池底303同一侧的池壁上，并将A₁、A₂之间的距离间隔设置为5米，此时B₁、B₂对应的设置在窑炉池底303对面一侧的池壁上，并且B₁、B₂之间的距离间隔同样为5米，即窑炉池底303两侧的池壁上A₁和B₁相对，A₂和B₂相对。

每对氧化锡电极砖104中的每个氧化锡电极砖104都分为两端，一端位于玻璃窑炉300内侧，另一端位于玻璃窑炉300外侧，位于玻璃窑炉300外侧的一端分别与电源103和监测器102连接。其中，每个氧化锡电极砖104连接着一个监测器102，每对氧化锡电极砖104连接着同一个电源103，电源103上设置有正、负两个端口，用于分别连接每对氧化锡电极砖104中的两个氧化锡电极砖104位于玻璃窑炉300外侧的一端。多对氧化锡电极砖104中，位于同一侧池壁上的氧化锡电极砖104连接的电源103的端口的极性可以相同。

进一步的，电源103例如可以是经10kV/380V变压器获取的两相交流电流源，每个电源103提供的电流都是相同的。在使用恒流电源103对氧化锡电极砖104进行供电时，玻璃窑炉300内玻璃液的温度可以达到一个动态的平衡。具体的，可以根据公式P＝I²R对玻璃窑炉300内的玻璃液的温度进行分析。由于电源103提供的电流I保持不变，所以当氧化锡电极砖104的电阻R随玻璃液温度的降低而增大时，电源103通过氧化锡电极砖104为玻璃液提供的电功率P也随之增大，这样就能够为玻璃液提供更多的能量，以使玻璃液的温度升高。反之，当氧化锡电极砖104的电阻R随玻璃液温度的升高而减小时，电源103通过氧化锡电极砖104为玻璃液提供的电功率P也随之减小，这样通过减少为玻璃液提供的能量，就能够使玻璃液的温度降低，从而使玻璃液的温度保持动态稳定。

氧化锡电极，用于对玻璃窑炉300内部的生料进行加热，生料为用于制造玻璃基板的原材料。

监测器102，用于获取每个氧化锡电极砖104的电压。

监测器102，还用于根据每个氧化锡电极砖104的电压，确定生料的状态。

示例的，氧化锡电极中包括至少两对氧化锡电极砖104，每个氧化锡电极砖104位于玻璃窑炉300内侧的一端用于对玻璃窑炉300内部的生料进行加热，以获取制造玻璃基板所需的玻璃液。其中，生料为用于制造玻璃基板的原材料，例如可以是由厂家甲提供的硅砂等。通过电源103对氧化锡电极砖104进行供电后，即可通过监测器102获取每个氧化锡电极砖104的电压，然后再根据每个氧化锡电极砖104的电压，确定玻璃窑炉300中生料的状态。根据每个氧化锡电极砖104的电压，确定生料的状态，例如可以是预先针对每个氧化锡电极砖104分别设置一个电压阈值，然后将每个氧化锡电极砖104的电压与相应的电压阈值进行比较，通过每个氧化锡电极砖104的电压与相应的电压阈值的大小关系来确定生料的状态。确定的生料的状态例如可以是生料由加料口301向出料口302移动，也可以是生料由一侧池壁向另一侧池壁移动等。例如，在玻璃窑炉300的窑炉池底303设置有两对氧化锡电极砖104，若相应的监测器102监测到靠近加料口301的一对氧化锡电极砖104的电压降低，且远离加料口301的一对氧化锡电极砖104的电压升高，那么可以确定生料的状态为生料由加料口301向出料口302移动。若相应的监测器102监测到窑炉池底303左侧的池壁上的两个氧化锡电极砖104的电压升高，且窑炉池底303右侧的池壁上的两个氧化锡电极砖104的电压降低，那么可以确定生料的状态为生料由左侧池壁向右侧池壁移动。

综上所述，本公开中的玻璃窑炉的监测装置包括：氧化锡电极、监测器和电源，氧化锡电极包括至少两对氧化锡电极砖，每对氧化锡电极砖在玻璃窑炉的窑炉池底两侧的池壁上按照预设的距离间隔依次排列，每对氧化锡电极砖包括分别设置在两侧池壁上的两个氧化锡电极砖，每对氧化锡电极砖的一端位于玻璃窑炉内侧，每对氧化锡电极砖位于玻璃窑炉外侧的一端分别连接电源和监测器。其中，电源用于对氧化锡电极砖进行恒流供电，氧化锡电极用于对玻璃窑炉内部的生料进行加热，生料为用于制造玻璃基板的原材料，监测器用于获取每个氧化锡电极砖的电压，并根据每个氧化锡电极砖的电压，确定生料的状态。本公开在避免引入杂质的同时，能够通过电极砖电压的实时变化来确定玻璃窑炉内部生料的状态，提高了监测的准确度。

可选地，根据每对氧化锡电极砖104与玻璃窑炉300的加料口301的距离大小，将至少两对氧化锡电极砖104分为，靠近加料口301的近端氧化锡电极砖，和远离加料口301的远端氧化锡电极砖。

监测器102用于：若近端氧化锡电极砖的电压降低，且远端氧化锡电极砖的电压升高，确定生料的状态为生料由加料口301向玻璃窑炉300的出料口302移动。

若近端氧化锡电极砖的电压不变或升高，且远端氧化锡电极砖的电压降低，确定生料的状态为生料的成分发生变化，或者生料在玻璃窑炉300中第一方向上分布不均匀，第一方向为加料口301与出料口302连线的方向。

在氧化锡电极包括两对氧化锡电极砖104的场景中，可以将靠近加料口301的一对氧化锡电极砖104作为近端氧化锡电极砖，将另一对氧化锡电极砖104，即远离加料口301的一对氧化锡电极砖104作为远端氧化锡电极砖。若相应的监测器102监测到近端氧化锡电极砖的电压与相应的电压阈值匹配，且远端氧化锡电极砖的电压与相应的电压阈值匹配时，说明玻璃窑炉300内生料的成分稳定，分布均匀，可以根据窑炉池底303的玻璃液制造符合标准的玻璃基板。氧化锡电极砖的电压与相应的电压阈值匹配，可以理解为，氧化锡电极砖的电压与相应的电压阈值之间的差小于预设值(例如：5V)，也可以是氧化锡电极砖的电压与相应的电压阈值相等。若相应的监测器102监测到近端氧化锡电极砖中的全部氧化锡电极砖104的电压降低，低于相应的电压阈值，且远端氧化锡电极砖中的全部氧化锡电极砖104的电压升高，高于相应的电压阈值，说明近端氧化锡电极砖的温度升高，窑炉池底303的生料受热后熔解为玻璃液，导致生料底部不稳定，从而造成了上方的生料向出料口302一侧倒塌，降低了远端氧化锡电极砖的温度，此时可以确定生料的状态为生料由加料口301向玻璃窑炉300的出料口302移动。若相应的监测器102监测到近端氧化锡电极砖中的全部氧化锡电极砖104的电压不变(可以是氧化锡电极砖104的电压与相应的电压阈值相同，也可以是氧化锡电极砖104的电压与相应的电压阈值之间的差小于预设值)或升高，且远端氧化锡电极砖中的全部氧化锡电极砖104的电压降低，说明可能是生料的成分发生变化，对氧化锡电极砖104的电压造成了影响，或者也可能是窑炉池底303的玻璃液和生料分布不均匀，造成了远端氧化锡电极的温度升高，此时可以确定生料的状态为生料的成分发生变化，或者生料在玻璃窑炉300中第一方向上分布不均匀，第一方向为加料口301与出料口302连线的方向。

图3是根据一示例性实施例示出的另一种玻璃窑炉的监测装置的框图，如图3所示，在氧化锡电极包括六对氧化锡电极砖104的场景中，可以将靠近加料口301的两对氧化锡电极砖104作为近端氧化锡电极砖，将其他四对氧化锡电极砖104作为远离加料口301的远端氧化锡电极砖。示例的，可以用A₁、B₁、A₂、B₂分别表示近端氧化锡电极砖中的每个氧化锡电极砖104，可以用A₃、B₃、A₄、B₄、A₅、B₅、A₆、B₆分别表示远端氧化锡电极砖中的每个氧化锡电极砖104，每个氧化锡电极砖104对应的电压阈值例如可以如表1所示。

表1

氧化锡电极砖	A<sub>1</sub>	B<sub>1</sub>	A<sub>2</sub>	B<sub>2</sub>	A<sub>3</sub>	B<sub>3</sub>	A<sub>4</sub>	B<sub>4</sub>	A<sub>5</sub>	B<sub>5</sub>	A<sub>6</sub>	B<sub>6</sub>
													电压阈值/V	750	740	640	630	600	590	570	560	560	550	520	510

当相应的监测器102监测到近端氧化锡电极砖和远端氧化锡电极砖中的全部氧化锡电极砖104的电压与相应的电压阈值相同时，说明玻璃窑炉300内生料的成分稳定，分布均匀，可以根据窑炉池底303的玻璃液制造符合标准的玻璃基板。若相应的监测器102监测到的电压如表2所示，即A₁、B₁、A₂、B₂的电压降低，低于相应的电压阈值，且A₃、B₃、A₄、B₄、A₅、B₅、A₆、B₆的电压升高，高于相应的电压阈值，说明近端氧化锡电极砖的温度升高，窑炉池底303的生料受热后熔解为玻璃液，导致生料底部不稳定，从而造成了上方的生料向出料口302一侧倒塌，降低了远端氧化锡电极砖的温度，此时可以确定生料的状态为生料由加料口301向玻璃窑炉300的出料口302移动。

表2

氧化锡电极砖	A<sub>1</sub>	B<sub>1</sub>	A<sub>2</sub>	B<sub>2</sub>	A<sub>3</sub>	B<sub>3</sub>	A<sub>4</sub>	B<sub>4</sub>	A<sub>5</sub>	B<sub>5</sub>	A<sub>6</sub>	B<sub>6</sub>
													电压值/V	730	720	620	610	610	600	580	570	570	560	530	520

若相应的监测器102监测到的电压如表3所示，即A₁、B₁的电压与相应的电压阈值相同，A₂、B₂的电压升高，高于相应的电压阈值，且A₃、B₃、A₄、B₄、A₅、B₅、A₆、B₆的电压降低，低于相应的电压阈值，说明可能是生料的成分发生变化，对氧化锡电极砖104的电压造成了影响，或者也可能是窑炉池底303的玻璃液和生料分布不均匀，造成了远端氧化锡电极的温度升高，此时可以确定生料的状态为生料的成分发生变化，或者生料在玻璃窑炉300中第一方向上分布不均匀。

表3

氧化锡电极砖	A<sub>1</sub>	B<sub>1</sub>	A<sub>2</sub>	B<sub>2</sub>	A<sub>3</sub>	B<sub>3</sub>	A<sub>4</sub>	B<sub>4</sub>	A<sub>5</sub>	B<sub>5</sub>	A<sub>6</sub>	B<sub>6</sub>
													电压值/V	750	740	660	650	590	580	560	550	550	540	510	500

需要说明的是，当确定生料的状态为生料由加料口301向玻璃窑炉300的出料口302移动，或者生料在玻璃窑炉300中第一方向上分布不均匀时，技术管理人员可以通过机械干涉(例如：疏通)等方式，使玻璃窑炉300内第一方向上分布不均的生料分布均匀，当确定生料的状态为生料的成分发生变化时，技术管理人员可以通过更换生料(例如：换投符合标准的厂家乙的硅砂)等方式，来保证玻璃基板的良品率。

可选地，将至少两对氧化锡电极砖104分为，位于窑炉池底303第一侧的池壁上的第一氧化锡电极砖，和位于窑炉池底303第二侧的池壁上的第二氧化锡电极砖。

若第一氧化锡电极砖的电压的变化趋势与第二氧化锡电极砖的电压的变化趋势不相同，确定生料状态为生料在玻璃窑炉300中第二方向上分布不均匀，第二方向为从窑炉池底303第一侧指向窑炉池底303第二侧的方向。

示例的，可以将至少两对氧化锡电极砖104中位于窑炉池底303第一侧的池壁上的每个氧化锡电极砖104作为第一氧化锡电极砖，将位于窑炉池底303第二侧的池壁上的每个氧化锡电极砖104作为第二氧化锡电极砖。其中，窑炉池底303第二侧的池壁为窑炉池底303第一侧的池壁对面的池壁，例如，第一侧的池壁可以是窑炉池底303左侧的池壁，那么第二侧的池壁即为窑炉池底303右侧的池壁。若相应的监测器102监测到第一氧化锡电极砖的电压的变化趋势与第二氧化锡电极砖的电压的变化趋势不相同，例如第一氧化锡电极砖的电压升高，而第二氧化锡电极砖的电压降低，说明玻璃窑炉300中的生料不稳定，有从窑炉池底303第一侧向窑炉池底303第二侧移动的趋势，此时可以确定生料状态为生料在玻璃窑炉300中第二方向上分布不均匀，其中，第二方向为从窑炉池底303第一侧指向窑炉池底303第二侧的方向(即左侧到右侧的方向，或者右侧到左侧的方向)。由于玻璃窑炉300中的第一方向为加料口301与出料口302连线的方向，因此可以确定第一方向垂直于第二方向，并且第一方向和第二方向构成的平面平行于地平面。当确定生料状态为生料在玻璃窑炉300中第二方向上分布不均匀时，技术管理人员可以通过机械干涉(例如：疏通)等方式，使玻璃窑炉300内第二方向上分布不均的生料分布均匀。

可选地，监测器102还用于：

根据每个氧化锡电极砖104的电压，确定任意两对相邻的氧化锡电极砖104之间的玻璃液的电阻率。

根据任意两对相邻的氧化锡电极砖104之间的玻璃液的电阻率，确定生料的状态。

举例来说，除了可以根据每个氧化锡电极砖104的电压来判断生料的状态，还可以进一步的根据每个氧化锡电极砖104的电压，确定任意两对相邻的氧化锡电极砖104之间的玻璃液的电阻率，通过比较任意两对相邻的氧化锡电极砖104之间的玻璃液的电阻率和预设的电阻率阈值之间的关系，确定生料的状态。具体的，相应的监测器102在获取到两对氧化锡电极砖104中每个氧化锡电极砖104的电压后，可以通过预设的规则，分别获取两对氧化锡电极砖104之间的玻璃液的电阻率。若预设的电阻率阈值p₁为420Ω.cm，p₂为380Ω.cm，获取的两对氧化锡电极砖104之间的玻璃液的电阻率的平均值与p₁和p₂的平均值400Ω.cm不同，那么说明玻璃窑炉300内玻璃液的导电性发生了变化，这样就可以将生料的状态确定为生料的成分发生了变化。

图4是根据一示例性实施例示出的另一种玻璃窑炉的监测装置的框图，如图4所示，该装置100还包括：调功器105，每对氧化锡电极砖104位于玻璃窑炉300外侧的一端通过一个调功器105与电源103连接。

监测器102，还用于根据生料的状态，确定生料的状态对应的调整策略。

调功器105，用于根据预设的功率阈值和调整策略，控制每对氧化锡电极砖105的电压，以调整任意两对相邻的氧化锡电极砖104之间的玻璃液的温度。

示例的，可以在每对氧化锡电极砖104和该对氧化锡电极砖104连接的电源103之间设置一个调功器105，每个调功器105可以通过变压器来实现对电源103的功率的调节。具体的，在确定了生料的状态之后，可以先通过相应的监测器102确定生料的状态对应的调整策略，然后调功器105再根据预设的功率阈值和确定的调整策略，控制每对氧化锡电极砖104的电压。例如通过两对氧化锡电极砖104对生料进行加热时，靠近加料口301一侧的一对氧化锡电极砖104对应的监测器102监测到的电压降低，低于预设的电压阈值，且远离加料口301一侧的一对氧化锡电极砖104对应的监测器102监测到的电压升高，高于预设的电压阈值，那么可以确定生料的状态为生料由加料口301向玻璃窑炉300的出料口302移动，此时可以确定该状态下对应的调整策略，这样调功器105就能够根据预设的功率阈值和确定的调整策略将靠近加料口301一侧的氧化锡电极砖104的电压升高至预设的电压阈值，并将远离加料口301一侧的氧化锡电极砖104的电压降低至预设的电压阈值，从而完成对两对相邻的氧化锡电极砖104之间的玻璃液的温度的调整。

综上所述，本公开中的玻璃窑炉的监测装置包括：氧化锡电极、监测器和电源，氧化锡电极包括至少两对氧化锡电极砖，每对氧化锡电极砖在玻璃窑炉的窑炉池底两侧的池壁上按照预设的距离间隔依次排列，每对氧化锡电极砖包括分别设置在两侧池壁上的两个氧化锡电极砖，每对氧化锡电极砖的一端位于玻璃窑炉内侧，每对氧化锡电极砖位于玻璃窑炉外侧的一端分别连接电源和监测器。其中，电源用于对氧化锡电极砖进行恒流供电，氧化锡电极用于对玻璃窑炉内部的生料进行加热，生料为用于制造玻璃基板的原材料，监测器用于获取每个氧化锡电极砖的电压，并根据每个氧化锡电极砖的电压，确定生料的状态。本公开在避免引入杂质的同时，能够通过电极砖电压的实时变化来确定玻璃窑炉内部生料的状态，提高了监测的准确度。

图5是根据一示例性实施例示出的一种玻璃窑炉的监测方法的流程图，如图5所示，该方法应用于上述实施例中任一种玻璃窑炉300的监测装置100，该装置100包括：氧化锡电极、监测器102和电源103。

氧化锡电极包括至少两对氧化锡电极砖104，每对氧化锡电极砖104在玻璃窑炉300的窑炉池底303两侧的池壁上按照预设的距离间隔依次排列，每对氧化锡电极砖104包括，分别设置在池壁上的两个氧化锡电极砖104，每对氧化锡电极砖104的一端位于玻璃窑炉300内侧，每对氧化锡电极砖104位于玻璃窑炉300外侧的一端分别与电源103连接和监测器102连接。

该方法包括：

步骤201，通过电源103，对氧化锡电极砖104进行恒流供电。

步骤202，通过氧化锡电极，对玻璃窑炉300内部的生料进行加热，生料为用于制造玻璃基板的原材料。

步骤203，通过监测器102，获取每个氧化锡电极砖104的电压。

步骤204，通过监测器102，根据每个氧化锡电极砖104的电压，确定生料的状态。

图6是根据一示例性实施例示出的另一种玻璃窑炉的监测方法的流程图，如图6所示，根据每对氧化锡电极砖104与玻璃窑炉300的加料口301的距离大小，将至少两对氧化锡电极砖104分为，靠近加料口301的近端氧化锡电极砖，和远离加料口301的远端氧化锡电极砖。

步骤204包括：

步骤2041，通过监测器102，若近端氧化锡电极砖的电压降低，且远端氧化锡电极砖的电压升高，确定生料的状态为生料由加料口301向玻璃窑炉300的出料口302移动。

步骤2042，通过监测器102，若近端氧化锡电极砖的电压不变或升高，且远端氧化锡电极砖的电压降低，确定生料的状态为生料的成分发生变化，或者生料在玻璃窑炉300中第一方向上分布不均匀，第一方向为加料口301与出料口302连线的方向。

可选地，将至少两对氧化锡电极砖104分为，位于窑炉池底303第一侧的池壁上的第一氧化锡电极砖，和位于窑炉池底303第二侧的池壁上的第二氧化锡电极砖。

步骤204用于：

通过监测器102，若第一氧化锡电极砖的电压的变化趋势与第二氧化锡电极砖的电压的变化趋势不相同，确定生料状态为生料在玻璃窑炉300中第二方向上分布不均匀，第二方向为从窑炉池底303第一侧指向窑炉池底303第二侧的方向。

图7是根据一示例性实施例示出的另一种玻璃窑炉的监测方法的流程图，如图7所示，该方法还包括：

步骤205，通过监测器102，根据每个氧化锡电极砖104的电压，确定任意两对相邻的氧化锡电极砖104之间的玻璃液的电阻率。

步骤206，通过监测器102，根据任意两对相邻的氧化锡电极砖104之间的玻璃液的电阻率，确定生料的状态。

图8是根据一示例性实施例示出的另一种玻璃窑炉的监测方法的流程图，如图8所示，该装置100还包括：调功器105，每对氧化锡电极砖104位于玻璃窑炉300外侧的一端通过一个调功器105与电源103连接。

在步骤204之后，该方法还包括：

步骤207，通过监测器102，根据生料的状态，确定生料的状态对应的调整策略。

步骤208，通过调功器105，根据预设的功率阈值和调整策略，控制每对氧化锡电极砖104的电压，以调整任意两对相邻的氧化锡电极砖104之间的玻璃液的温度。

关于上述实施例中的方法，其中各个步骤的具体实现方式已经在有关该装置的实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。

综上所述，本公开中的玻璃窑炉的监测装置包括：氧化锡电极、监测器和电源，氧化锡电极包括至少两对氧化锡电极砖，每对氧化锡电极砖在玻璃窑炉的窑炉池底两侧的池壁上按照预设的距离间隔依次排列，每对氧化锡电极砖包括分别设置在两侧池壁上的两个氧化锡电极砖，每对氧化锡电极砖的一端位于玻璃窑炉内侧，每对氧化锡电极砖位于玻璃窑炉外侧的一端分别连接电源和监测器。其中，电源用于对氧化锡电极砖进行恒流供电，氧化锡电极用于对玻璃窑炉内部的生料进行加热，生料为用于制造玻璃基板的原材料，监测器用于获取每个氧化锡电极砖的电压，并根据每个氧化锡电极砖的电压，确定生料的状态。本公开在避免引入杂质的同时，能够通过电极砖电压的实时变化来确定玻璃窑炉内部生料的状态，提高了监测的准确度。

以上结合附图详细描述了本公开的优选实施方式，但是，本公开并不限于上述实施方式中的具体细节，在本公开的技术构思范围内，本领域技术人员在考虑说明书及实践本公开后，容易想到本公开的其他实施方案，均属于本公开的保护范围。

另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本公开对各种可能的组合方式不再另行说明，只要其不违背本公开的思想，其同样应当视为本公开所公开的内容。

Claims (10)

1.一种玻璃窑炉的监测装置，其特征在于，应用于玻璃窑炉，所述监测装置包括：氧化锡电极、监测器和电源；

所述氧化锡电极包括至少两对氧化锡电极砖，每对所述氧化锡电极砖在所述玻璃窑炉的窑炉池底两侧的池壁上按照预设的距离间隔依次排列，每对所述氧化锡电极砖包括，分别设置在所述池壁上的两个氧化锡电极砖，每对所述氧化锡电极砖的一端位于所述玻璃窑炉内侧，每对所述氧化锡电极砖位于所述玻璃窑炉外侧的一端分别与所述电源连接和所述监测器连接；

所述电源，用于对所述氧化锡电极砖进行恒流供电；

所述氧化锡电极，用于对所述玻璃窑炉内部的生料进行加热，所述生料为用于制造玻璃基板的原材料；

所述监测器，用于获取每个所述氧化锡电极砖的电压；

所述监测器，还用于根据每个所述氧化锡电极砖的电压，确定所述生料的状态；

所述生料的状态包括以下任一种：

所述生料由加料口向所述玻璃窑炉的出料口移动；所述生料的成分发生变化；所述生料在所述玻璃窑炉中第一方向上分布不均匀；所述生料在所述玻璃窑炉中第二方向上分布不均匀；

所述第一方向为所述加料口与所述出料口连线的方向，所述第二方向为从所述窑炉池底第一侧指向所述窑炉池底第二侧的方向。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，根据每对所述氧化锡电极砖与所述玻璃窑炉的加料口的距离大小，将至少两对所述氧化锡电极砖分为，靠近所述加料口的近端氧化锡电极砖，和远离所述加料口的远端氧化锡电极砖；

所述监测器用于：若所述近端氧化锡电极砖的电压降低，且所述远端氧化锡电极砖的电压升高，确定所述生料的状态为所述生料由加料口向所述玻璃窑炉的出料口移动；

若所述近端氧化锡电极砖的电压不变或升高，且所述远端氧化锡电极砖的电压降低，确定所述生料的状态为所述生料的成分发生变化，或者所述生料在所述玻璃窑炉中第一方向上分布不均匀，所述第一方向为所述加料口与所述出料口连线的方向。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，将至少两对所述氧化锡电极砖分为，位于所述窑炉池底第一侧的池壁上的第一氧化锡电极砖，和位于所述窑炉池底第二侧的池壁上的第二氧化锡电极砖；

若所述第一氧化锡电极砖的电压的变化趋势与所述第二氧化锡电极砖的电压的变化趋势不相同，确定所述生料状态为所述生料在所述玻璃窑炉中第二方向上分布不均匀，所述第二方向为从所述窑炉池底第一侧指向所述窑炉池底第二侧的方向。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述监测器还用于：

根据每个所述氧化锡电极砖的电压，确定任意两对相邻的所述氧化锡电极砖之间的玻璃液的电阻率；

根据任意两对相邻的所述氧化锡电极砖之间的玻璃液的电阻率，确定所述生料的状态。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：调功器，每对所述氧化锡电极砖位于所述玻璃窑炉外侧的一端通过一个所述调功器与所述电源连接；

所述监测器，还用于根据所述生料的状态，确定所述生料的状态对应的调整策略；

所述调功器，用于根据预设的功率阈值和所述调整策略，控制每对所述氧化锡电极砖的电压，以调整任意两对相邻的所述氧化锡电极砖之间的玻璃液的温度。

6.一种玻璃窑炉的监测方法，其特征在于，应用于玻璃窑炉的监测装置，所述装置包括：氧化锡电极、监测器和电源；

所述氧化锡电极包括至少两对氧化锡电极砖，每对所述氧化锡电极砖在所述玻璃窑炉的窑炉池底两侧的池壁上按照预设的距离间隔依次排列，每对所述氧化锡电极砖包括，分别设置在所述池壁上的两个氧化锡电极砖，每对所述氧化锡电极砖的一端位于所述玻璃窑炉内侧，每对所述氧化锡电极砖位于所述玻璃窑炉外侧的一端分别与所述电源连接和所述监测器连接；

通过所述电源，对所述氧化锡电极砖进行恒流供电；

通过所述氧化锡电极，对所述玻璃窑炉内部的生料进行加热，所述生料为用于制造玻璃基板的原材料；

通过所述监测器，获取每个所述氧化锡电极砖的电压；

通过所述监测器，根据每个所述氧化锡电极砖的电压，确定所述生料的状态；

所述生料的状态包括以下任一种：

所述生料由加料口向所述玻璃窑炉的出料口移动；所述生料的成分发生变化；所述生料在所述玻璃窑炉中第一方向上分布不均匀；所述生料在所述玻璃窑炉中第二方向上分布不均匀；

所述第一方向为所述加料口与所述出料口连线的方向，所述第二方向为从所述窑炉池底第一侧指向所述窑炉池底第二侧的方向。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，根据每对所述氧化锡电极砖与所述玻璃窑炉的加料口的距离大小，将至少两对所述氧化锡电极砖分为，靠近所述加料口的近端氧化锡电极砖，和远离所述加料口的远端氧化锡电极砖；

所述通过所述监测器，根据每个所述氧化锡电极砖的电压，确定所述生料的状态，包括：

通过所述监测器，若所述近端氧化锡电极砖的电压降低，且所述远端氧化锡电极砖的电压升高，确定所述生料的状态为所述生料由加料口向所述玻璃窑炉的出料口移动；

通过所述监测器，若所述近端氧化锡电极砖的电压不变或升高，且所述远端氧化锡电极砖的电压降低，确定所述生料的状态为所述生料的成分发生变化，或者所述生料在所述玻璃窑炉中第一方向上分布不均匀，所述第一方向为所述加料口与所述出料口连线的方向。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，将至少两对所述氧化锡电极砖分为，位于所述窑炉池底第一侧的池壁上的第一氧化锡电极砖，和位于所述窑炉池底第二侧的池壁上的第二氧化锡电极砖；

所述通过所述监测器，根据每个所述氧化锡电极砖的电压，确定所述生料的状态，包括：

通过所述监测器，若所述第一氧化锡电极砖的电压的变化趋势与所述第二氧化锡电极砖的电压的变化趋势不相同，确定所述生料状态为所述生料在所述玻璃窑炉中第二方向上分布不均匀，所述第二方向为从所述窑炉池底第一侧指向所述窑炉池底第二侧的方向。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

通过所述监测器，根据每个所述氧化锡电极砖的电压，确定任意两对相邻的所述氧化锡电极砖之间的玻璃液的电阻率；

通过所述监测器，根据任意两对相邻的所述氧化锡电极砖之间的玻璃液的电阻率，确定所述生料的状态。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述装置还包括：调功器，每对所述氧化锡电极砖位于所述玻璃窑炉外侧的一端通过一个所述调功器与所述电源连接；

在所述通过所述监测器，根据每个所述氧化锡电极砖的电压，确定所述生料的状态之后，所述方法还包括：

通过所述监测器，根据所述生料的状态，确定所述生料的状态对应的调整策略；

通过所述调功器，根据预设的功率阈值和所述调整策略，控制每对所述氧化锡电极砖的电压，以调整任意两对相邻的所述氧化锡电极砖之间的玻璃液的温度。

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